由鋁矽酸鹽前體形成的低k值介電層的製作方法
2023-05-26 03:54:16 1
專利名稱：由鋁矽酸鹽前體形成的低k值介電層的製作方法
技術領域：
本發明通常涉及半導體集成電路(IC)製造的領域。特別地，本發明涉及一種用於形成集成電路設備中的低k值介電材料的方法，和這樣形成的材料。
背景技術：
IC製造一般地涉及多層的順序形成以形成單個集成設備。因為各層材料的性能允許它們固有地滿足IC所需設備的性能標準或者因為它們的性能能夠通過製造方法被改變使得它們滿足那些標準，所以才選擇它們。用於在IC設備內形成層的一種類型的材料是電介質。介電材料是電絕緣體，其用於在IC內基本上電隔離導電層或特徵。由使用給定介電材料的電容器所能存儲的靜電能量的量與使用真空作為其電介質的相同電容器所能存儲的靜電能量的量的比值被定義為其「相對介電常數」並且表示為該材料的「k」值。低k值介電材料可被看作介電常數(「k」值)低於二氧化矽的那些；SiO2的k值為4.0-4.2。由於隨著每後續一代IC的開發電晶體柵極寬度的減小，降低互連延遲現在已經變得和降低電晶體轉換頻率以促進IC運行速度一樣的重要。對互連延遲的兩個主要貢獻是用於電路導線的金屬(一般是鋁)的電阻和用於層間電介質(ILD)的電介質(一般是二氧化矽；SiO2)的電容。為改進在電路導線中的速度，銅，其電阻比鋁大約低30％，已經在許多高性能IC設備中代替了鋁。然而，在可容易地結合到IC設備中的金屬中，銅具有最低的電阻率，導致減小了ILD介電常數，而這對於在互連延遲時間方面進一步的下降是重要的。對於製造低k值ILD材料來說，已經確定了若干方法。已經使用的或者正積極研究的兩種方法包括將碳引入SiO2基質中(以製造摻雜碳的氧化矽，稱為CDO、OSG、SiOCH或SiCOH)，和使ILD多孔化。這些技術降低了k值；然而它們還降低了ILD材料的密度和機械強度。結果，這些材料容易被在隨後IC設備製造過程中給予ILD的應力所破壞。破壞可以包括穿過ILD的開裂，或分層(其中ILD層與IC設備中的一個或多個相鄰層分離)。破壞可起因於在製造過程和正常使用中當IC設備經受熱循環時由於ILD和相鄰層之間不同的熱膨脹係數(CTE)而給予ILD的熱機械應力。低k值ILD材料的易碎性是在大體積IC製造中包含它們的一種障礙。
附圖簡述
圖1a、1b和1c描述了用於形成二氧化矽介電層的前體的化學結構。圖2a描述了根據本發明實施方案的鋁矽酸鹽前體的一般性化學結構。圖2b和2c在實質上描述了根據本發明實施方案的鋁矽酸鹽前體的化學結構。圖3描述了集成電路襯底的一種實施方案，其包括具有形成在其上的許多集成電路設備的矽片，並且包括根據本發明實施方案的低k值介電層。圖4是一幅示意圖，其舉例說明了根據本發明實施方案的集成電路設備的互連結構和介電層的剖視圖。圖5是一幅框圖，其舉例說明了用鋁矽酸鹽前體形成低k值介電層的方法的實施方案。圖6描述了根據本發明實施方案的蝕刻終止材料。
發明詳述公開了使用一類在本文中被稱作「鋁矽酸鹽」前體的含鋁前體形成的薄膜層間電介質(ILD)材料的許多實施方案。在一種實施方案中，這些前體可提供具有較高機械強度(用彈性模量、硬度或結合強度表徵)的低k值介電材料，與使用不含鋁或其它金屬原子的低k值矽基前體經由類似的方法或材料獲得的相比(其典型實例示於圖1a-1c中)。在這種實施方案中形成的介電材料的機械強度的增加可有助於降低由於物理或熱應力而對集成電路設備造成的破壞(例如破裂)的發生率。這些應力是其中使用介電材料的IC設備製造過程和最終用途所固有的。前體一般是一些過渡材料或最終材料之前的物質。在集成電路製造中，前體的一種使用涉及了可能被引入沉積過程並且可能在化學上或在結構上有助於材料形成的物質。前體的特徵可基本上確定隨後形成的材料的性能。在本發明實施方案中所述的前體一般表現出在處理和存儲過程中幾乎沒有或沒有明顯的安全風險，儘管可能存在著其中可能指出要另外小心的一些實施方案。另外，本發明的若干實施方案在室溫下是液體，而在使其在正常工作狀態和配置下適用於某些沉積過程的溫度下汽化，如下文所要討論的。本發明的一種實施方案包括使用鋁矽酸鹽前體形成的低k值介電材料。鋁矽酸鹽前體具有如圖2a所示的一般性結構。它們包括矽原子201，其鍵合至氧原子202，後者又與鋁原子203鍵合。矽原子201具有三個另外的鍵合部位，表示為R3206、R4207和R5208。鋁原子具有兩個另外的鍵合部位，表示為R1204和R2205。這種矽-氧-鋁結構210在本文中被稱為「甲矽烷氧基鋁基團」或簡稱為「甲矽烷氧基鋁」。鍵合部位R1-R5204-208被稱為「官能團鍵合部位」。在本發明的一些實施方案中，官能團鍵合部位被有機(含碳)官能團佔據。由於可能包括的官能團的巨大變化，存在著許多種具有這種甲矽烷氧基鋁基結構的前體。根據本發明的實施方案將描述各種變化。在本發明的實施方案中，在使用鋁矽酸鹽前體形成ILD期間，在一個或多個官能團和甲矽烷氧基鋁基團之間，鍵斷開。然後，甲矽烷氧基鋁基團結合到ILD的總的二氧化矽基質中，其中降低數目的官能團保持連接。在本發明的一種實施方案中，前體材料的至少一個或者全部官能團鍵合部位204-208可能被烷氧基佔據。在本發明的這種實施方案，在沉積過程和隨後的退火過程中，官能團鍵合部位對反應高度敏感，從而在所形成的材料中提供了含甲矽烷氧基鋁基團的較緻密的基質。烷氧基的實例包括但不局限於甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基及其他。在這種實施方案中的烷氧基可包括直鏈構型(例如正丁氧基)或支鏈構型(例如仲丁氧基)。圖2b公開了一種鋁矽酸鹽前體，二-仲丁氧基鋁氧基三乙氧基矽烷，其包含根據本發明實施方案的烷氧基。在本發明的另一種實施方案中，官能團鍵合部位中的至少一個被烷基佔據。在這種實施方案中的烷基包括直鏈基團(例如甲基、乙基)、支鏈基團(例如異丙基、叔丁基)、不飽和非環狀基團(例如乙烯基、烯丙基)或飽和或不飽和環狀基團(例如環己基、環戊烯基)。另外，在本發明的一種實施方案中，官能團可包括上述烷基的滷化衍生物。圖2c公開了一種鋁矽酸鹽前體，三甲基矽氧基二異丙醇鋁，其包含根據本發明實施方案的烷氧基和烷基。在本發明的另一種實施方案中，官能團鍵合部位中的至少一個被芳基佔據。在這種實施方案中芳基包括但不局限於苯基和苄基。另外，在本發明的一種實施方案中，官能團可包括上述芳基的滷化衍生物。在一種實施方案中，鍵合部位R1204和R5208可被限制為僅僅引入烷氧基。這可以有助於確保鋁和矽原子將在沉積和後續加工中參與基質形成反應，無需添加外部氧源如氧氣或一氧化二氮。添加氧源的目的是為將甲矽烷氧基鋁基團鍵合至二氧化矽基質的氧鍵供氧。因為在烷氧基中已經存在氧，所以外部氧源是不必要的。在本發明的另一種實施方案中，鍵合部位R2205也可被限制為烷氧基以限制鋁原子的反應性，因為直接鍵合至鋁原子的烷基的存在可導致高反應性(自燃)、或許爆炸性的化合物。在本發明的一種實施方案中，官能團鍵合部位中的至少一個被胺基佔據。在這種實施方案中的胺基包括二甲胺、二乙胺及其他。胺基可以容易地被氧化以允許在氧源如一氧化二氮(N2O)、氧氣(O2)或水(H2O)存在下易於形成鋁矽酸鹽基質。將鍵合部位R1204和R5208限制為烷氧基或胺基可有助於限制鋁原子的反應性。具有胺基的前體能夠具有不同水平的反應性，使得能夠在不同的沉澱條件下被使用，相比於烷氧基或烷基官能化的前體可使用的條件而言。在本發明所述實施方案中，烷氧基-、烷基-、和胺類中的甚至更大尺寸的成員可以在官能團鍵合部位進行取代；然而，如本領域技術人員能夠理解的，官能團尺寸將影響沉積的容易性和沉積方法。為將前體引入沉積過程中，通常在沉積過程中所用的操作條件下前體為氣態物理狀態。然而，還可以使用在沉澱條件下為液態的前體。在這種情況下，它們可以通過直接液體注入純(未稀釋)的前體或溶於載體溶劑中的前體溶液而被引入沉積過程中。同樣地，固體前體可以首先溶於載體溶劑中，然後含前體的溶液以類似於液體前體的方式被直接注入沉積過程中。在本發明的一種實施方案中，將前體注入沉積過程中可以包括將它們注入沉積裝置的沉積室中，在其中發生沉積過程。為了達到上述目的能被使用的溶劑一般是非極性、無反應性溶劑，包括但不局限於己烷和甲苯。這些方法將能夠使用的前體的範圍擴展至具有較大官能團的那些。另外，取決於前體中存在的官能團的尺寸和種類，不同量的官能團在ILD沉積後可保持鍵合至甲矽烷氧基鋁基團。因此，一些補充加熱或其它加工方法可能是期望的以便降低在最終的低k值ILD材料中剩餘官能團的量。在本發明的一種實施方案中，鋁矽酸鹽前體與低k值矽基前體共同沉積。在本發明中用於共同沉積的低k值矽基前體的實例示於圖1a-1c中，並且包括二甲基二甲氧基矽烷(圖1a)、二乙氧基甲基矽烷(圖1b)或八甲基環化四矽氧烷(圖1c)。這些低k值矽基前體將大部分矽原子貢獻給ILD的最終基質並且有助於提供ILD材料的低k值性能，而鋁矽酸鹽前體提供了增強的機械強度，而對ILD材料的介電常數的影響相對較小。在一種實施方案中，具有結合到基質中的鋁的低k值ILD材料可以通過使用其中矽和鋁直接一起鍵合成矽-鋁結構或者由非單個氧原子鍵合在一起的前體而形成。所述結構的一些實例包括Si-Al、Si-(CH2)n-Al(其中n＝1或以上)、Si-(NH)-A]或(Si)2-N-Al。官能團鍵合部位可被如前所述的烷氧基、烷基、芳基或胺基所佔據。在一種實施方案中，外部氧源如一氧化二氮(N2O)、氧氣(O2)或水(H2O)可包括在沉積反應中。通過在沉積反應中提供氧源，氧鍵合至矽-鋁結構。結果，形成甲矽烷氧基鋁基團並且甲矽烷氧基鋁基團被結合到ILD材料的基質中。在本發明的一種實施方案中，以至多約20mol％的濃度將鋁結合到ILD材料的二氧化矽基質中。在這種濃度下，鋁向其中無需在ILD中維持低k值性能的ILD材料提供了增強的機械強度。在一種實施方案中，以至多約10mol％的濃度將鋁結合到ILD材料的二氧化矽基質中。這種實施方案還顯著提高了ILD材料的機械強度，而與具有較高鋁含量的實施方案相比提供了較低的k值。純氧化鋁，Al2O3，具有k≈9.7的體積介電常數。因此，在ILD層中限制鋁含量將使由於鋁的添加造成的k值增加最小化。在本發明的一種實施方案中，將鋁以大約2-5mol％結合入ILD材料的二氧化矽基質中，此時看出來機械強度增加，同時還在沉積的ILD材料中實現了低k值介電性能。在本發明的一種實施方案中，相對於基質中的矽添加3-4mol％的鋁可以增加ILD材料的硬度最高達大約100％，而k值僅僅增加大約5％。圖4舉例說明集成電路設備400的一個實施方案，其包括通過沉積鋁矽酸鹽前體形成的ILD材料的一個或多個層421。可以提供這些層以滿足性能要求，如導電墊423、通道424、跡線(trace)425或集成電路導電層互相之間的電絕緣。這對於正常使用中的最終設備的適當和最佳性能是有用的。集成電路設備410，包括襯底431(例如，矽片)和形成在其表面上的設備的功能元件432。順序地，可以形成導電和非導電疊層420的層，其包括導電元件423-425以及ILD材料的非導電層421。ILD材料的層421可以進行處理以使它們多孔化，從而有助於降低它們的k值。這種處理可以包括暴露於熱、電子束或紫外線能量。在設備的矽片部分430中所用的材料和整個導電和非導電疊層420的材料可以具有不同的熱膨脹係數。結果，當根據IC設備中的溫度變化，材料非均勻地膨脹時，所產生的應力可以導致各層彼此剝離或者在層內開裂和斷裂。由於低k值介電層422的多孔結構的低強度，其特別地處於危險之中。如所提及的，在本發明的一種實施方案中，將鋁包含到低k值介電層的二氧化矽基質中可能為基質增加機械強度，從而有助於防止或降低開裂的發生。本發明的一種實施方案包括一種在集成電路設備形成期間利用鋁矽酸鹽前體將低k值ILD材料設置到集成電路襯底上的方法。例如，在如圖3所示的本發明的一種實施方案中，集成電路襯底300包括矽片310，在其上可以順序地形成一層或多層的集成電路設備320，包括用鋁矽酸鹽前體形成的至少一個低k值ILD層。在本發明的另一種實施方案中，集成電路襯底可以包括印刷電路板(有時稱為印刷線路板)。在又一個實施方案中，可以在作為集成電路襯底一部分的犧牲材料上形成低k值介電材料層，這種犧牲材料然後在全部設備形成期間通過後處理被除去或置換。如圖5所示，在510，襯底首先接收任何需要的預備處理如形成預先層、蝕刻、清洗或如被形成的特定設備、沉積裝置或用戶優選作法所規定的其它作用。然後，在520，該襯底可被放入沉積裝置的沉積室中。可以為許多沉積技術中的任一種設計(engineer)沉積裝置，所述沉積技術包括化學氣相沉積(CVD)、等離子強化化學氣相沉積(PE-CVD)、原子層沉積(ALD)或熱沉積。在引入沉積裝置的沉積室前，前體可能需要製備。在一種實施方案中，在所用沉積裝置的正常沉積條件下，前體可能是液態或固態形式，並且可能需要製備535，如本說明書中所描述的或者如本領域技術人員所能理解的。在一種實施方案中，一旦沉積室被密封並且內部環境達到了沉積過程的合適狀況530，可以將前體引入沉積室中540。在一種實施方案中，引入前體可以包括引入鋁矽酸鹽前體和一種或多種低k值矽基前體。用作多孔物質(porogens)的有機前體也可被引入以在ILD材料中誘發多孔性。多孔(porogenic)(誘發多孔性的)有機前體的實例可以包括α-萜品烯、β-萜品烯、D-薴烯及其他本領域已知的。在一種實施方案中，可以使用含胺基的前體，同時可以將氧源如氧氣(O2)、一氧化二氮(N2O)或水(H2O)引入到沉積室作為前體。在這種情況下，氧源可以被看作前體，因為它向沉積的ILD的結構貢獻了氧。在一種實施方案中，鋁矽酸鹽前體和低k值矽基前體可然後在550被共沉積到襯底上。當沉積室的內部環境已經到達沉積條件時，當將前體引入沉積室時，沉積將立即開始。沉積過程的持續時間及其他參數將會變化，取決於沉積的ILD層的期望厚度和其它考慮因素，如本領域技術人員能夠理解的。在一種實施方案中，沉積室內的壓力可被設置為0.1-50託；優選地1-10託。在一種實施方案中，沉積室內的溫度可被設置為150-500℃；優選地200-400℃。在一種實施方案中，沉澱時間(持續時間)可為30-300秒。在一種實施方案中，當使用PECVD時，RF功率可被設置為250-1000瓦。在一種實施方案中，在完成沉積過程後，可以將襯底從沉積室中取出560。另外的加工570，如退火或固化，可用來除去較大量的保持在ILD材料中的官能團。這些加工方法通過進一步除去沉積後仍然連接至甲矽烷氧基鋁基團上的鍵合部位的官能團起作用從而使ILD材料的基質固化。它們還有助於通過增加甲矽烷氧基鋁基團和全部二氧化矽基質之間的鍵的數目來固化ILD材料的基質。在本發明的實施方案中，退火或固化處理可以包括暴露於熱、電子束或紫外線能量。隨後，用戶可以測量ILD材料的特徵以確保它滿足適當的性能和尺寸要求，如由用戶所確定的。另外的加工可以進行以製備附加層，從而獲得完全的IC設備。在一種實施方案中，並非引入鋁矽酸鹽前體，而是將含矽-鋁結構的前體以及氧源如氧、一氧化二氮或水在540引入到該室中。如本說明書中所述，矽-鋁結構包括直接鍵合至鋁原子的矽原子或者通過非單個氧原子鍵合至鋁原子的矽原子。在一種實施方案中，在沉積550期間，矽和鋁原子鍵合至由氧源提供的氧原子，形成甲矽烷氧基鋁基團，該基團可在沉積期間結合到ILD材料中。該方法的其餘部分可類似於對鋁矽酸鹽前體所述的那樣進行。根據本發明的一種實施方案，用鋁矽酸鹽前體形成的層也可在設備的各種元件、特徵和層的形成期間提供控制(control)，同時維持總的結構和低k值目標。例如，本發明的一個實施方案使用ILD材料作為低k值蝕刻終止層以預防在集成電路設備中材料的過度蝕刻。當蝕刻材料時，目標可能是一旦在被蝕刻的材料中獲得了標的特徵尺寸，蝕刻過程終止。一些蝕刻法是非特異性的(即，它們將蝕刻那些並非意圖被蝕刻過程所加工的材料的材料)，因此，可以在標的材料附近包括更耐受蝕刻劑的材料。在本發明的一種實施方案中，與未引入鋁的二氧化矽基質相比，將鋁引入二氧化矽基質可使得所得材料顯示出不同的蝕刻速率。圖6顯示一種結構600，其包括兩種材料。根據本發明一種實施方案沉積的第一材料620被置於第二材料610附近，所述第二材料由在其基質中未引入甲矽烷氧基鋁基團的ILD材料或其它材料形成，或者由引入了不同濃度的甲矽烷氧基鋁基團的ILD材料形成。在蝕刻過程期間，根據本發明一種實施方案形成的材料可以基於兩種材料間蝕刻速率的差異而提供作為蝕刻終止材料的益處。一旦標的材料基本上被蝕刻並且暴露了蝕刻終止材料630，那麼蝕刻可以沿放置蝕刻終止材料的方向變慢或終止。在本發明的一種實施方案中，蝕刻終止材料可以作為層形成。本發明的一種實施方案可以用作溼法蝕刻工藝、幹法蝕刻工藝或其它如本領域已知的蝕刻工藝的蝕刻終止層。對於蝕刻終止材料來說，可能還期望的是具有低k值性能。這種方法可用於其中低k值ILD是所期望的先進集成電路設備類型中，因為上述設備中的特徵通常是相當小的，具有嚴格的尺寸公差。傳統蝕刻終止層所用的材料未必滿足先進的集成電路設備的低k值要求。傳統的蝕刻終止材料的實例可以包括碳化矽、四氮化三矽和氮氧化矽。以上詳細說明和附圖僅僅是說明性的而並非限制性的。提供它們主要是用於清楚和全面的理解本發明的實施方案，從中將不應理解不必要的限制。在不背離實施方案的精神和所附權利要求的範圍的情況下，本領域技術人員可對本文中所述的實施方案以及備選結構作出許多添加、刪除和改變。
權利要求
1.一種方法，其包括將前體沉積到襯底上；前體中的至少一種包括甲矽烷氧基鋁基團，該甲矽烷氧基鋁基團包括由氧原子鍵合在一起的矽原子和鋁原子，並且該矽原子和該鋁原子還鍵合至多個官能團。
2.權利要求1的方法，其中所述多個官能團包括至少一種烷氧基。
3.權利要求2的方法，其中所述至少一種烷氧基包括至少一種直鏈烷氧基或至少一種支鏈烷氧基。
4.權利要求1的方法，其中所述多個官能團包括至少一種與鋁原子鍵合的烷氧基，至少一種與矽原子鍵合的烷氧基，和至少一種烷基。
5.權利要求4的方法，其中所述至少一種烷基包括直鏈烷基或其滷化衍生物中的至少一種，支鏈烷基或其滷化衍生物中的至少一種，不飽和非環狀烷基或其滷化衍生物中的至少一種，不飽和環狀烷基或其滷化衍生物中的至少一種，或飽和環狀烷基或其滷化衍生物中的至少一種。
6.權利要求1的方法，其中所述官能團包括至少一種與鋁原子鍵合的烷氧基，至少一種與矽原子鍵合的烷氧基，和至少一種胺基。
7.權利要求6的方法，其中所述前體進一步包括氧氣、一氧化二氮或水中的至少一種作為氧源。
8.權利要求1的方法，其中所述多個官能團包括至少一種與鋁原子鍵合的烷氧基，至少一種與矽原子鍵合的烷氧基，和至少一種芳基。
9.權利要求1的方法，其中沉積包括化學氣相沉積、等離子強化化學氣相沉積、原子層沉積或熱沉積。
10.權利要求1的方法，其中所述前體包括二甲基二甲氧基矽烷，二乙氧基甲基矽烷或八甲基環化四矽氧烷中的至少一種。
11.權利要求1的方法，其中所述前體包括至少一種多孔有機前體。
12.權利要求1的方法，其中將前體沉積到襯底上包括形成含約2-5mol％的甲矽烷氧基鋁的材料。
13.權利要求1的方法，其中將前體沉積到襯底上包括形成低k值介電層。
14.權利要求1的方法，其中所述襯底包括集成電路襯底。
15.權利要求1的方法，其還包括將沉積在襯底上的前體暴露於熱、電子束或紫外線能量中的至少一種。
16.一種層，其包括含被沉積前體的介電材料，前體中的至少一種包括多個甲矽烷氧基鋁基團，該甲矽烷氧基鋁基團包括由氧原子鍵合在一起的矽原子和鋁原子，並且該矽原子和該鋁原子鍵合至多個官能團。
17.權利要求16的層，其中介電材料是低k值介電材料。
18.權利要求16的層，其中介電材料包含約2-5mol％的甲矽烷氧基鋁。
19.權利要求16的層，其中所述多個官能團包括至少一種烷氧基。
20.權利要求19的層，其中所述至少一種烷氧基包括至少一種直鏈烷氧基或至少一種支鏈烷氧基。
21.權利要求16的層，其中所述多個官能團包括與鋁原子鍵合的至少一種烷氧基、與矽原子鍵合的至少一種烷氧基、和烷基、胺基或芳基中的至少一種。
22.權利要求21的層，其中所述至少一種烷基包括直鏈烷基或其滷化衍生物中的至少一種，支鏈烷基或其滷化衍生物中的至少一種，不飽和非環狀烷基或其滷化衍生物中的至少一種，不飽和環狀烷基或其滷化衍生物中的至少一種，或飽和環狀烷基或其滷化衍生物中的至少一種。
23.權利要求16的層，其中所述含沉積前體的介電材料被置於集成電路襯底上。
24.權利要求16的層，其中所述介電材料包括蝕刻終止層。
25.一種器件，其包括含被沉積鋁矽酸鹽前體的低k值介電層，所述鋁矽酸鹽前體包括鍵合至多個官能團的甲矽烷氧基鋁基團；和具有在其上形成的集成電路特徵的多個層。
26.權利要求25的器件，其中低k值介電層包括約2-5mol％的甲矽烷氧基鋁。
27.權利要求25的器件，其中所述多個官能團包括至少一種烷氧基。
28.權利要求27的器件，其中所述至少一種烷氧基包括至少一種直鏈烷氧基或至少一種支鏈烷氧基。
29.權利要求25的器件，其中所述多個官能團包括與鋁原子鍵合的至少一種烷氧基、與矽原子鍵合的至少一種烷氧基、和烷基、胺基或芳基中的至少一種。
30.權利要求29的器件，其中所述至少一種烷基包括直鏈烷基或其滷化衍生物中的至少一種，支鏈烷基或其滷化衍生物中的至少一種，不飽和非環狀烷基或其滷化衍生物中的至少一種，不飽和環狀烷基或其滷化衍生物中的至少一種，或飽和環狀烷基或其滷化衍生物中的至少一種。
31.一種方法，其包括將前體引入沉積裝置中；所述前體包含矽-鋁結構，所述矽-鋁結構包括矽原子和鋁原子，並且所述矽原子和所述鋁原子還鍵合至多個官能團；將氧源引入沉積裝置中；和將介電材料沉積到襯底上，所述介電材料包括甲矽烷氧基鋁基團。
32.權利要求31的方法，其中所述矽-鋁結構包括Si-Al、Si-(CH2)n-Al，其中n＝1或以上、Si-(NH)-Al或(Si)2-N-Al中的至少一種。
33.權利要求31的方法，其中所述氧源包括氧氣、一氧化二氮或水中的至少一種。
34.一種方法，其包括將鋁矽酸鹽前體作為蝕刻終止材料沉積到另一種材料附近。
35.權利要求34的方法，其中蝕刻終止材料是低k值介電材料。
36.權利要求34的方法，其中蝕刻終止材料以層的形式形成。
全文摘要
一種用於用鋁矽酸鹽前體形成高機械強度、低k值、層間介電材料使得鋁容易地被結合到材料的矽基質中的方法，和一種包含一個或多個這樣形成的高強度、低k值層間介電層的集成電路設備。
文檔編號C23C16/40GK101053070SQ200580035778
公開日2007年10月10日 申請日期2005年11月8日 優先權日2004年11月8日
發明者M·古納 申請人:英特爾公司