製備有機滷矽烷的方法
2023-05-31 09:10:51
專利名稱：製備有機滷矽烷的方法
技術領域：
本發明涉及製備有機滷矽烷的方法，且更具體地涉及包括以下步驟的方法在直接法催化劑和助催化劑的存在下在反應器中使第一細碎矽與有機滷化物接觸；及根據需要以足以維持反應器中鋁濃度的量將第二細碎矽引入反應器中。
背景技術：
商業上通過「直接法」生產有機滷矽烷。直接法是本領域中熟知的，並包括在直接法催化劑和各種助催化劑的存在下將有機滷化物諸如氯代甲烷通入金屬矽。直接法的最重要的有機滷矽烷產物是ニ甲基ニ氯矽烷，儘管也發現了所產生的其它組分的用途。在進行直接法的エ業化生產過程中，通常給所使用的反應器連續地或半連續地補充新鮮的金屬矽以代替在過程中已反應的金屬矽。但是，隨著過程的進行且逐漸地加入更多新鮮的矽，對 ニ有機ニ滷代矽烷產物的選擇率(selectivity)和/或矽轉化率最終減小。一旦選擇率和轉化率減小，進行該過程的經濟變得逐漸地不能接受，因此停止該過程。然後，將剩餘的反應物從反應器中除去並處理，給反應器補充新鮮的矽、催化劑和助催化劑，且該過程再次引發，這些都增加了該過程的成本。因此，對通過直接法製備有機滷矽烷的方法存在需求，該直接法通過在直接法活動期間增加選擇率和轉化率維持在可接受的範圍內的時間來降低反應器停機的頻率。發明概述本發明涉及製備有機滷矽烷的方法，該方法包括(i)在包含銅的直接法催化劑和助催化劑的存在下，在250-350°C的溫度下在反應器中使包含0.08-0. 25% (w/w)的鋁的第一細碎矽與有機滷化物接觸；及(ii)根據需要以足以維持基於未反應的矽和鋁的總重量的0. 08-0. 2 (w/w)的鋁濃度的量將包含0. 001%至< 0. 10% (w/w)的鋁的第二細碎矽引入反應器中。本發明的方法通過延長使選擇率和轉化率維持在可接受的限度內的時間來延長直接法中的床壽命(bed life)。而且，該方法通過降低停機、清除、處理和啟動循環的頻率而降低了與直接法相關的生產成本。另外，該方法降低了反應器中的結焦。另外，該方法降低了反應床中金屬銅的沉積。通過本方法產生的有機滷矽烷是有機矽エ業中大多數產品的前體。例如，ニ甲基 ニ氯矽烷可被水解以產生線型的聚ニ甲基矽氧烷和環狀的聚ニ甲基矽氧烷。其它有機滷矽烷也可被用於製造其它含矽材料諸如矽樹脂或在多種エ業和應用中出售。發明詳述根據本發明製備有機滷矽烷的方法包括(i)在包含銅的直接法催化劑和助催化劑的存在下，在250-350°C的溫度下在反應器中使包含0.08-0. 25% (w/w)的鋁的第一細碎矽與有機滷化物接觸；及
(ii)根據需要以足以維持基於未反應的矽和鋁的總重量的0. 08-0. 2% (w/w)的鋁濃度的量將包含0. 001至< 0. 10% (w/w)的鋁的第二細碎矽引入反應器中。在製備有機滷矽烷的方法的步驟(i)中，在包含銅的直接法催化劑和助催化劑的存在下，在250-350°C的溫度下在反應器中使包含0.08-0. 25% (w/w)的鋁的第一細碎矽與有機商化物接觸。第一細碎矽包含0. 08-0. 25 % (w/w)，可選擇地0. 10-0. 16 % (w/w)，可選擇地0.10-0. 14% (w/w)的鋁。可通過例如X射線螢光、電感偶合等離子原子發射光譜法(ICP-AES)和原子吸收光譜法來確定％鋁。第一細碎矽包含95-99. 92% (w/w)，可選擇地97. 5-99. 92 % (w/w)，可選擇地99. 0-99. 92% (w/w)的矽。第一細碎矽可包含其它元素諸如Fe、Ca、Ti、Mn、Zn、Sn、Pb、Bi、Sb、Ni、Cr、Co和Cd及其化合物作為雜質。這些元素中的每一種通常以基於第一細碎矽的總重量的0. 0005-0. 6% (w/w)存在。第一細碎矽具有多達200 μ m、可選擇地多達85 μ m、可選擇地多達50 μ m的最大粒徑。第一細碎矽通常具有特徵為第10百分位數為1-6 μ m、第50百分位數為5_25 μ m,且第90百分位數為25-60 μ m的粒度質量分布(particle size mass distribution)；可選擇地第10百分位數為1-6 μ m、第50百分位數為7-25 μ m,且第90百分位數為30-60 μ m ；可選擇地第10百分位數為2. 1-6 μ m、第50百分位數為10-25 μ m，且第90百分位數為30-45 μ m ；可選擇地第10百分位數為2. 5-4. 5 μ m、第50百分位數為12-25 μ m,且第90百分位數為35-45 μ m。如本文所用的，「矽粒度分布」以三種百分位數大小來表徵。每種百分位數以微米描述粒徑，粒度分布的質量百分比居於該百分位數之下。例如，「第10百分位數」表示10%的質量分布小於第10百分位數大小；「第50百分位數」表示50%的質量分布小於第50百分位數大小；且「第90百分位數」表示90%的質量分布小於第90百分位數大小。應注意，「粒度質量分布」是由基於質量的粒度分布得到，如通過沉降技術或通過利用粒度標準對沉降技術適當校正的雷射衍射/散射方法所測量的。第一細碎矽的實例包括但不限於具有以上描述和示例範圍內的鋁百分比的化學級矽和冶金級矽。化學級矽和冶金級矽是市售的。矽的多種批次和/或級別的共混物可被用於第一細碎矽，甚至含小於所述％鋁的那些矽，只要合併的批次和/或級別的％鋁在以上限定和示例的範圍內。同樣，具有比第一細碎矽所描述的鋁％低的鋁％的矽的批次可通過將鋁加入該批次中以達到上述範圍內的鋁％而被用於製造第一細碎矽。通常利用混合來共混矽的批次及將鋁加入矽中。標準技術，諸如振動或攪拌可被用於進行所述混合。具有上述粒度和粒度質量分布的第一細碎矽可通過用於從體矽諸如矽錠中產生顆粒矽的標準方法來產生。例如，可以使用摩擦(attrition)、衝擊、壓碎、磨碎(grinding)、磨蝕(abrasion)、研磨(milling)或化學方法。磨碎是典型的。顆粒矽還可通過例如篩選或通過使用機械空氣動力分級器諸如旋轉式粗粉分離器(rotatingclassifier)而關於粒度分布來分級。
第一細碎矽中的鋁可以以金屬鋁、滷化鋁、氧化鋁、鋁合金、含鋁矽合金、碳化鋁或含鋁的其它固體化合物的形式存在。鋁的合適的形式的實例包括鋁粉、A1C13、Si-Al合金、Al-Cu合金、FeAl2Si2,Si5Ca20Al0. 」 Al2CaSi2^ Al6CaFe4Si8^ Al8Fe5Si7^ Al9Fe5Si8,禾口 Fe4Si6Al4Ca。鋁可以是單一形式，或可以是鋁的多種形式和/或多種化合物的混合物。有機滷化物具有式RX(I)，其中R是烴基，且X是滷素。X選自氯、溴、碘和氟。由式(I)中的R代表的烴基通常具有1-10個碳原子，可選擇地1-6個碳原子，可選擇地1-4個碳原子。含有至少三個碳原子的無環烴基可具有支鏈結構或無支鏈結構。烴基的實例包括但不限於燒基，諸如甲基、乙基、丙基、I-甲基乙基、丁基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1，1-二甲基乙基、戊基、1-甲基丁基、1-乙基丙基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1，2- 二甲基丙基、2，2- 二甲基丙基、己基、庚基、辛基、壬基和癸基；環烷基，諸如環戊基、環己基，和甲基環己基；芳基，諸如苯基和萘基；烷芳基，諸如甲苯基和二甲苯基；芳烷基，諸如苄基和苯乙基；鏈烯基，諸如乙烯基、烯丙基和丙烯基；芳烯基，諸如苯乙烯基和肉桂基；及炔基，諸如乙炔基和丙炔基。有機滷化物的實例包括但不限於氯苯、溴苯、氯代甲烷、溴代甲烷、氯乙烷和溴乙焼。製備有機滷化物的方法是本領域中熟知的；這些化合物中的很多是市售的。直接法催化劑包含銅。可以使用任何形式的銅，例如，元素銅、銅合金、銅化合物及其混合物。包含銅的直接法催化劑的實例包括但不限於顆粒狀銅粉、衝壓銅(stampedcopper)、Cu-Zn合金、Cu-Si合金、Cu-Sb合金、氧化亞銅、氧化銅、氯化銅、氯化亞銅、氮化銅、氫氧化銅、甲酸銅，及上述催化劑的至少兩種的混合物。製備包含銅的直接法催化劑的方法是本領域中熟知的；這些化合物中的大多數是市售的。助催化劑可以是加速或催化直接法的任何元素或其化合物。助催化劑包括但不限於磷、磷化合物、鋅、鋅化合物、錫、錫化合物、銻、銻化合物、砷、砷化合物、銫、銫化合物、鋁和鋁化合物，及上述助催化劑的至少兩種的混合物。助催化劑包括一種或多種選自以下的元素鋅、錫、銻、砷、銫、磷及鋁。這樣的助催化劑材料的實例描繪於例如US 4，602, 101、US 4，946，978、US4，762，940和US Re. 33，452中。很多助催化劑是市售的。過程的步驟(i)可在用於進行直接法的合適的反應器中進行。例如，可以使用固定床反應器、攪拌床反應器及流化床反應器。通常在工業規模上使用流化床反應器。過程的步驟(i)通常在大氣壓條件或略高於大氣壓的條件下進行。通常，在該方法期間攪拌步驟(i)的反應物。通常，步驟(i)中反應物的攪拌在流化床反應器中完成。當反應在除流化床反應器以外的反應器中進行時，攪拌可通過例如振動或機械混合來完成。在有機滷化物被引入之前，第一細碎矽、催化劑和助催化劑在初始進料中可以以任何次序接觸。然後將有機滷化物弓丨入反應器以起動反應。當使用流化床時，有機滷化物或有機滷化物與惰性氣體的混合物以足以使床流化但低於將完全淘析(elutriate)床的速率的速率被引入反應器中。該速率將取決於床中矽的粒度質量分布及流化床反應器的尺寸。本領域中的技術人員將知曉如何確定使床流化而不完全從床中淘析材料地加入有機滷化物或有機滷化物與惰性氣體的充足的速率。惰性氣體的實例包括氮氣、氦氣、氬氣及其混合物。當不使用流化床時，有機滷化物被加入床的速率通常被選擇為使矽反應性最優化。第一細碎矽、催化劑、助催化劑和有機滷化物接觸的溫度為250-350°C，可選擇地為 280-340 0C ο包含銅的直接法催化劑的濃度通常為每100重量份的第一細碎矽0. 1-10重量份的銅，可選擇地2-8重量份的銅，可選擇地5-8重量份的銅。基於第一細碎矽的重量的助催化劑的濃度通常為使得以下元素的一種或多種為以下的量百萬分之(ppm) 50-10, 000的鋅；5_200ppm的錫、銻或砷；IO-IOOOppm的銫；25-2，500ppm 的磷；200-2，500ppm 的鋁。在製備有機滷矽烷的方法的步驟(ii)中，根據需要以足以維持基於未反應的矽和鋁的總重量的0.08-0. 2% (w/w)的鋁濃度的量將包含0.001至< 0. 10% (w/w)的鋁的第二細碎矽引入反應器中。第二細碎矽包含0. 001至< 0. 10% (w/w)，可選擇地0. 01-0. 08% (w/w)，可選擇地 0.02-0. 05% (w/w)的鋁。第二細碎矽包含95至< 100% (w/w)，可選擇地98至< 100% (w/w)，可選擇地99-99. 99% (w/w)的矽。第二細碎矽可包含如第一細碎矽所描述的其它元素。第二細碎矽的粒度和粒度質量分布的特徵是如對於第一細碎矽所限定的。第二細碎矽的實例包括但不限於具有以上描述和示例的範圍內的鋁％的太陽能級矽和電子級矽。太陽能級矽和電子級矽是本領域中已知的，而且是市售的。矽的多種批次和/或級別的共混物，甚至含以上對於第二細碎矽所描述和示例的限度以外的鋁百分比的批次和/或級別可被用於產生第二細碎矽，只要合併的批次和/或級別的％鋁在以上限定和示例的範圍內。第二細碎矽的粒度和粒度質量分布可如以上對於第一細碎矽的以上描述和示例來產生。第二細碎矽中的鋁是如以上對於第一細碎矽所描述和示例的。方法的步驟(ii)可在如以上對於方法的步驟⑴所描述和示例的反應器中進行。在步驟(ii)中，根據需要將第二細碎矽引入反應器中以維持基於未反應的矽和鋁的總重量的0.08-0. 2% (w/w)的鋁濃度。如本文所用的，「根據需要」表示將第二細碎矽連續地或定期地加入反應器，以在反應器中維持希望的鋁濃度。例如，當使用固定床或攪拌床時，通常在反應器中一些百分比的矽與有機滷化物反應之後加入第二細碎矽。在一些情況下，可在反應器中大多數矽反應後加入第二細碎矽。然而，當使用流化床反應器時，通常將矽連續地引入反應器，且矽加入的速率等於或幾乎等於矽與有機滷化物反應的速率。根據需要以足以維持基於未反應的矽和鋁的總重量的0.08-0. 2% (w/w)，可選擇地0.08-0. 15% (w/w)，可選擇地0. 10-0. 15% (w/w)的鋁濃度的量將第二細碎矽引入反應器中。如本文所用的，「未反應的矽和鋁」表示反應器中來自第一細碎矽和第二細碎矽的未與有機滷化物反應的全部矽及反應器中任何形式的全部鋁。未反應的矽的重量可根據作為第一細碎矽和第二細碎矽加入反應器的矽的重量與通過該方法產生的有機滷矽烷中矽的重量之間的差來確定。另外，反應器中矽的量可通過稱量反應器來確定。鋁濃度可通過例如獲得反應器中矽的樣本並通過X射線螢光、X射線衍射、等離子體發射光譜或原子吸收光譜法來測量該樣本中的鋁而確定。如本文所用的，「充足的量」表示將不會引起反應器中鋁的濃度下降到反應器中希望的濃度以下或上升到反應器中希望的濃度以上，而是相反，將維持鋁濃度在以上描述和示例的希望的範圍之內。通常，充足的量是被加入以補充反應器的全部矽的1-100% (W/w)，可選擇地20-80% (w/w)，可選擇地30-60% (w/w) 0可選擇地，可利用希望的鋁濃度範圍內的點來計算充足的量，然後利用反應器中希望的鋁濃度、補充反應器的矽的加入的速率或重量、未反應的矽的重量和第二細碎矽中的％鋁來反算所加入的第二細碎矽的量。第二細碎矽可以單獨引入，或與額外的第一細碎矽同時、交錯或交替地引入。方法還可包括持續引入第二細碎矽直到選擇率或矽轉化率在可接受的限度以外。可接受的限度是過程的經濟開始變得不利的限度。通常，第二細碎矽被引入直到選擇率在0. 35以上或矽轉化率在50%以下，可選擇地直到選擇率在0. 20以上且矽轉化率在65%以下，可選擇地直到選擇率在0. 10以上且矽轉化率在80%以下。如本文所用的，「選擇率」表示由本發明的過程產生的有機三滷代矽烷(例如，甲基三氯矽烷)與二有機二滷代矽烷(例如，二甲基二氯矽烷)的重量比。如本文所用的，「矽轉化率」是反應的矽的總重量除以供應到反應器的矽的累積重量乘以100。方法還可包括在將有機滷化物引入反應器之前預熱並氣化(如果是液體)該有機滷化物。方法還可包括在與有機滷化物接觸之前在惰性氣氛中且在高達350°C，可選擇地200j80°C的溫度下預熱第一細碎矽和/或第二細碎矽。方法還可包括(iii)在步驟(ii)之前、期間或之後將額外的第一細碎矽引入反應器中，以用矽補充反應器，並代替已與有機滷化物反應的矽。方法還可包括將反應器中催化劑和助催化劑的水平維持在以上對於步驟(i)所述的水平或接近該水平。催化劑和助催化劑水平通常通過向反應器中弓I入新的催化劑和助催化劑連同被加入以用矽補充反應器的第二細碎矽一起來維持。可利用如對於確定第一細碎矽和第二細碎矽中鋁濃度所描述的相同的測試方法來確定反應器中催化劑和助催化劑的水平。方法還可包括從反應器中除去氣體形式的有機滷矽烷並濃縮氣體以形成液體。方法還可包括通過例如蒸餾來分離有機滷矽烷產物的混合物。根據本方法製備的有機滷矽烷通常具有式RaHbSi)(4_a_b (II)，其中R是烴基，且X是滷素。由R表示的烴基和由X表示的滷素基團是如以上對於有機滷化物所描述和示例的。在式(II)中，下標「a」具有1、2或3的值；「b」具有值0、1或2，可選擇地0或1 ；且a+b具有值1、2或3。根據本方法製備的有機滷矽烷的實例包括但不限於二甲基二氯矽烷(艮口，(CH3)2SiCl2)、二甲基二溴矽烷、二乙基二氯矽烷、二乙基二溴矽烷、三甲基氯矽烷(即，(CH3)3SiCl)、甲基三氯矽烷(即，(CH3)SiCl3)、二甲基氯矽烷(即，(CH3)2HSiCl)、甲基二氯矽烷(即，(CH3)HSiCl2)、甲基氯二氫矽烷(methylchlorodihydrosilane)、苯基三氯矽烷、二苯基二氯矽烷和三苯基氯矽烷。方法還可產生小量的滷代矽烷和有機矽烷產物，諸如四甲基矽烷、三氯氫矽烷(trichlorohydrosilane)和四氯矽烷。本發明的方法通過延長使選擇率和轉化率維持在可接受的限度內的時間來延長直接法中的床壽命。該延長的床壽命導致與不是本發明的相似的過程相比，增加了 1. 3-1. 5因數的矽柱床體積反應性；增加了基於由不是本發明的過程通常產生的二有機二滷代矽烷的重量的2-3%的二有機二滷代矽烷的百分產率；並減少了基於由不是本發明的過程通常產生的有機三滷代矽烷的重量的10-12%的有機三滷代矽烷的產率。如本文所用的，「矽柱床體積反應性」表示停機前在直接法活動中可反應的矽的體積。而且，該方法通過降低停機、清除、處理和啟動循環的頻率而降低了與產生有機滷矽烷的直接法相關的生產成本。另外，該方法降低了反應器中的結焦。另外，該方法降低了反應床中金屬銅的沉積。然而，不是本發明的每個實施方案都意味著具有本文所討論的每種益處。通過本方法產生的有機滷矽烷是有機矽工業中大多數產品的前體。例如，二甲基二氯矽烷可被水解以產生線型的聚二甲基矽氧烷和環狀的聚二甲基矽氧烷。其它有機滷矽烷也可被用於製造其它含矽材料諸如矽樹脂或在多種工業和應用中出售。
實施例以下實施例被包括以說明本發明的方法的實施方案。然而，根據本公開內容，本領域的技術人員應理解，在不偏離本發明的精神和範圍的情況下在所公開的特定的實施方案中可進行很多變化，而仍然獲得相同的或類似的結果。除非另外註明，否則所有百分比以wt. % 計。在實施例中使用了三種不同類型的矽樣本(i)化學級或工業級(C-Si)含98. 5%的矽；(ii)高純矽(E-Si)含99. 99%的矽；及(iii)低鋁矽(低Al Si)含99%的矽。表1中給出了三種矽樣本的％鋁。C-Si代表第一細碎矽，而高純Si和低Al Si代表第二細碎娃。表1.所使用的各種矽樣本的鋁組成
名稱標記法鋁％ (w/w)高純SiE-Si0.0029低 Al SiLAlSi0. 02C-SiC-Si0. 12利用在40-250°C範圍內的程序升溫模式下使用RTX 40% TFP (0. 18mm X 40m)柱的Hewlett I^ackard氣相色譜儀來確定實施例中所產生的有機滷矽烷的重量。實施例中的選擇率(T/D比)是(CH3)SiCl3與(CH3)2SiCl2的重量比。對於實施例1和實施例2，矽轉化率通過在反應結束時反應器中矽重量損失除以加入反應器的矽的重量乘以100來確定，而對於實施例3、實施例4和實施例5，矽轉化率通過供給到反應器的Si的量與形成的產物中Si的量之差除以供給到反應器的矽的總量乘以100來確定。通過電感偶合等離子原子發射光譜法(ICP-AES)來確定矽中鋁的濃度。方法使用已知的用於固體樣本的元素分析的典型程序，其中固體被溶解於HF中，並關於含有已知量的關注元素的合適的標準品來確定水溶液中的濃度。通過利用固體樣本碳分析程序的商業碳分析儀(Leco)來確定百分比碳，該程序涉及確定由氧環境中材料的高溫氧化而產生的C02氣體的量，並與含有已知量的碳的標準品t匕較。實施例1 (比較實施例)在惰性條件下在振動碳鋼管式反應器(12」長，0.5」 I. D.)中將38. 4g的磨碎的Si與如本文前述的銅催化劑和助催化劑混合。在250°C下在氮氣流中預熱裝有反應物質的反應器30分鐘。該預處理之後，使溫度升高至320°C，並以IOgtT1的流速引入氯代甲烷(MeCl)。測試三種級別的矽⑴化學級Si (C-Si)，(ii)高純Si (E-Si)，及(iii)具有與銅催化劑一起加入的Al以使鋁的濃度達0. 12wt% Al (w/w)的高純Si (E-Si)。矽(i)和矽(iii)是第一細碎矽的實例。以不同的時間間隔在乾冰-丙酮冷阱中收集反應產物，並通過在40-250°C範圍內的程序升溫模式下使用RTX 40% TFP (0. 18mm X 40m)柱的Hewlett I^ackard氣相色譜儀來分析。表2中顯示了 20小時後反應的結果。該實施例說明具有第一細碎矽的鋁濃度起始直接法反應對於最佳選擇率和矽轉化率的重要性以及Al可被加入以形成第一細碎矽。表2.以各種水平的鋁起始做出的試驗的比較
權利要求
1.一種製備有機滷矽烷的方法，所述方法包括(i)在包含銅的直接法催化劑和助催化劑的存在下，在250-350°C的溫度下在反應器中使包含0. 08-0. 25% (w/w)的鋁的第一細碎矽與有機滷化物接觸；及(ii)根據需要以足以維持基於未反應的矽和鋁的總重量的0.08-0.2% (w/w)的鋁濃度的量將包含0. 001至く 0. 10% (w/w)的鋁的第二細碎矽引入所述反應器中。
2.如權利要求1所述的方法，其中所述方法產生特徵為式RaHbSi)(4_a_b(II)的有機滷矽烷，其中R是烴基，X是滷素，a具有1、2或3的值；b具有0、1或2的值；且a+b具有1、2或 3的值。
3.如權利要求2所述的方法，其中所述有機滷化物的特徵為式RX(I)，其中R是烴基， 且X是滷素。
4.如權利要求3所述的方法，其中所述R是烷基。
5.如權利要求1-4中任一項所述的方法，其中所述包含銅的催化劑選自顆粒狀銅粉、 衝壓銅、Cu-Si合金、Cu-Si合金、Cu-Sb合金、氧化亞銅、氧化銅、氯化銅、氯化亞銅、氮化銅、 氫氧化銅，及甲酸銅。
6.如權利要求5所述的方法，其中所述催化劑為每100重量份的所述第一細碎矽 0.01-10重量份的銅。
7.如權利要求1-6中任一項所述的方法，其中所述第一細碎矽和所述第二細碎矽具有高達200 μ m的最大粒徑，及特徵為第10百分位數為1-6 μ m、第50百分位數為5_25 μ m，且第90百分位數為25-60 μ m的粒度質量分布。
8.如權利要求1-7中任一項所述的方法，其中所述助催化劑選自磷、磷化合物、鋅、鋅化合物、錫、錫化合物、銻、銻化合物、砷、砷化合物、銫、銫化合物、鋁和鋁化合物。
9.如權利要求1-8中任一項所述的方法，其中所述反應器是流化床反應器。
10.如權利要求9所述的方法，其中所述第二細碎矽被連續地引入所述流化床反應器中。
11.如權利要求9或10所述的方法，其中所述流化床反應器的床由所述有機滷化物或所述有機滷化物與惰性氣體的混合物流化。
12.如權利要求1-11中任一項所述的方法，其中所述的在所述反應器中使包含 0. 08-0. 25% (w/w)的鋁的所述第一細碎矽與所述有機滷化物接觸是在觀0-340で的溫度下。
13.如權利要求2-12中任一項所述的方法，其中引入所述第二細碎矽直到所述有機滷矽烷以0. 20以上的選擇率或65%以下的矽轉化率產生。
14.如權利要求1-13中任一項所述的方法，還包括(iii)在步驟(ii)之前、期間或之後引入額外的第一細碎矽。
全文摘要
本發明涉及製備有機滷矽烷的方法。該方法包括在包含銅的直接法催化劑和助催化劑的存在下，在250-350℃的溫度下在反應器中使包含0.08-0.25％(w/w)的鋁的第一細碎矽與有機滷化物接觸；及根據需要以足以維持基於未反應的矽和鋁的重量的0.08-0.2％(w/w)的鋁濃度的量將包含0.001至＜0.10％(w/w)的鋁的第二細碎矽引入反應器中。
文檔編號C07F7/16GK102574874SQ201080046676
公開日2012年7月11日 申請日期2010年7月28日 優先權日2009年10月16日
發明者J·D·瓦恩蘭, 溫尼克裡什南·R·皮萊, 約瑟夫·彼得·科哈尼 申請人:道康寧公司