衝擊電流試驗裝置製造方法
2023-05-31 05:11:11 4
衝擊電流試驗裝置製造方法
【專利摘要】衝擊電流試驗裝置，涉及衝擊電流試驗領域。它是為了解決在衝擊電流試驗中，無法遠程控制，功耗大的問題。本實用新型包括控制/顯示電路、通訊電路、CPU、充電A/D採集電路、可控矽控制電路、儲能/濾波電路、IGBT輸出電路、放電A/D採集電路、輸出波形採集反饋電路和IGBT控制電路；充電A/D採集電路的兩個信號輸出端分別連接CPU的一號電信號輸入端和可控矽控制電路的電信號輸入端，CPU的控制信號輸出端連接可控矽控制電路的控制信號輸入端，所述可控矽控制電路的控制信號輸出端連接儲能/濾波電路的二號電信號輸入端。本實用新型適用於衝擊電流試驗領域。
【專利說明】衝擊電流試驗裝置
【技術領域】
[0001 ] 本實用新型涉及衝擊電流試驗領域。
【背景技術】
[0002]隨著結構設計思想和方法的不斷改進，以及高新技術的應用，衝擊電流試驗中所遇到的問題廣泛受到關注。
[0003]目前，國內對於衝擊電流試驗的技術難點在於脈寬調製閉環反饋輸出、數據分析處理及大功率IGBT控制輸出波形及時間，存在的問題是無法遠程控制，功耗大的問題。
實用新型內容
[0004]本實用新型是為了解決在衝擊電流試驗中，無法遠程控制，功耗大的問題，進而提供了衝擊電流試驗裝置。
[0005]衝擊電流試驗裝置，它包括控制/顯示電路1、通訊電路2、CPU3、充電A/D採集電路4、可控矽控制電路5、儲能/濾波電路6、IGBT輸出電路7、放電A/D採集電路9、輸出波形採集反饋電路10和IGBT控制電路11 ；
[0006]控制/顯示電路I的控制信號輸出端連接通訊電路2的控制信號輸入端，控制/顯示電路I的顯示信號輸入端連接通訊電路2的顯示信號輸出端，所述通訊電路2的通信信號輸入或輸出端端連接CPU3的通信信號輸出或輸入端；
[0007]充電A/D米集電路4的兩個電信號輸出端分別連接CPU3的一號電信號輸入端和可控矽控制電路5的電信號輸入端，CPU3的控制信號輸出端連接可控矽控制電路5的控制信號輸入端，所述可控矽控制電路5的控制信號輸出端連接儲能/濾波電路6的控制信號輸入端；儲能/濾波電路6的兩個電信號輸出端分別連接IGBT輸出電路7的電信號輸入端和充電A/D採集電路4的電信號輸入端，所述IGBT輸出電路7的電信號輸出端連接負載的電信號輸入端，所述負載的一號電信號輸出端連接放電A/D採集電路9的電信號輸入端，所述放電A/D採集電路9的電信號輸出端連接CPU3的二號電信號輸入端，所述CPU3的IGBT控制信號輸出端連接IGBT控制電路11的信號輸入端；負載的二號電信號輸出端連接輸出波形採集反饋電路10的電信號輸入端，所述輸出波形採集反饋電路10的反饋信號輸出端連接IGBT控制電路11的反饋信號輸入端，所述IGBT控制電路11的控制信號輸出端連接IGBT輸出電路7的控制信號輸入端。
[0008]本實用新型實現了高電壓、高電流、高精度顯示、峰值保持設計、遠程控制等功能，具有輸出穩定度聞，紋波小，功耗低，可罪性聞等特點，同比提聞了 10%。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0009]圖1為本實用新型的整體結構示意圖。
【具體實施方式】[0010]【具體實施方式】一:下面結合圖1說明本實施方式，本實施方式所述的衝擊電流試驗裝置，它包括控制/顯示電路1、通訊電路2、CPU3、充電A/D採集電路4、可控矽控制電路
5、儲能/濾波電路6、IGBT輸出電路7、放電A/D採集電路9、輸出波形採集反饋電路10和IGBT控制電路11 ；
[0011]控制/顯示電路I的控制信號輸出端連接通訊電路2的控制信號輸入端，控制/顯示電路I的顯示信號輸入端連接通訊電路2的顯示信號輸出端，所述通訊電路2的通信信號輸入或輸出端端連接CPU3的通信信號輸出或輸入端；
[0012]充電A/D米集電路4的兩個電信號輸出端分別連接CPU3的一號電信號輸入端和可控矽控制電路5的電信號輸入端，CPU3的控制信號輸出端連接可控矽控制電路5的控制信號輸入端，所述可控矽控制電路5的控制信號輸出端連接儲能/濾波電路6的控制信號輸入端；儲能/濾波電路6的兩個電信號輸出端分別連接IGBT輸出電路7的電信號輸入端和充電A/D採集電路4的電信號輸入端，所述IGBT輸出電路7的電信號輸出端連接負載的電信號輸入端，所述負載的一號電信號輸出端連接放電A/D採集電路9的電信號輸入端，所述放電A/D採集電路9的電信號輸出端連接CPU3的二號電信號輸入端，所述CPU3的IGBT控制信號輸出端連接IGBT控制電路11的信號輸入端；負載的二號電信號輸出端連接輸出波形採集反饋電路10的電信號輸入端，所述輸出波形採集反饋電路10的反饋信號輸出端連接IGBT控制電路11的反饋信號輸入端，所述IGBT控制電路11的控制信號輸出端連接IGBT輸出電路7的控制信號輸入端。
[0013]上述實施方式中，衝擊電流技術主電路採用R— L一C電路充放電原理，產生要求的衝擊電流，根據GB/T17215要求為主導思想設計；採用脈寬調製技術，脈寬調製閉環反饋輸出，運用大功率IGBT器件，相位模糊控制，並根據電磁兼容性理論，採用特殊屏蔽、接地和隔離等措施；通過嵌入式程序、ADC採集反饋計算處理、一路IGBT模塊控制施加波形和時間；在電流迴路中採樣，通過峰值保持電路直讀瞬間產生的衝擊電流值；
[0014]硬體方面使用單片機系統、超大功率IGBT模塊、愛普科斯放電電容、可靠性高、低功耗設計。
[0015]【具體實施方式】二:本實施方式對【具體實施方式】一所述的衝擊電流試驗裝置的進一步限定，本實施方式中，衝擊電流大於1000A且小於6000A。
【權利要求】
1.衝擊電流試驗裝置，其特徵在於:它包括控制/顯示電路(I)、通訊電路(2)、CPU(3)、充電A/D採集電路(4)、可控矽控制電路(5)、儲能/濾波電路(6)、IGBT輸出電路(7)、放電A/D採集電路(9 )、輸出波形採集反饋電路(10 )和IGBT控制電路(11);控制/顯示電路(I)的控制信號輸出端連接通訊電路(2)的控制信號輸入端，控制/顯示電路(I)的顯示信號輸入端連接通訊電路(2 )的顯示信號輸出端，所述通訊電路(2 )的通信信號輸入或輸出端端連接CPU (3)的通信信號輸出或輸入端；充電A/D米集電路(4)的兩個電信號輸出端分別連接CPU (3)的一號電信號輸入端和可控矽控制電路(5)的電信號輸入端，CPU (3)的控制信號輸出端連接可控矽控制電路(5)的控制信號輸入端，所述可控矽控制電路(5)的控制信號輸出端連接儲能/濾波電路(6)的控制信號輸入端；儲能/濾波電路(6)的兩個電信號輸出端分別連接IGBT輸出電路(7)的電信號輸入端和充電A/D採集電路(4)的電信號輸入端，所述IGBT輸出電路(7)的電信號輸出端連接負載的電信號輸入端，所述負載的一號電信號輸出端連接放電A/D採集電路(9)的電信號輸入端，所述放電A/D米集電路(9)的電信號輸出端連接CPU (3)的二號電信號輸入端，所述CPU (3)的IGBT控制信號輸出端連接IGBT控制電路(11)的信號輸入端；負載的二號電信號輸出端連接輸出波形採集反饋電路(10)的電信號輸入端，所述輸出波形採集反饋電路(10)的反饋信號輸出端連接IGBT控制電路(11)的反饋信號輸入端，所述IGBT控制電路(11)的控制信號輸出端連接IGBT輸出電路(7)的控制信號輸入端。
2.根據權利要求1所述的衝擊電流試驗裝置，其特徵在於:儲能/濾波電路(6)中的衝擊電流大於1000A且小於6000A。
【文檔編號】G01R31/00GK203444048SQ201320613969
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2013年9月30日 優先權日:2013年9月30日
【發明者】吳冬峰, 張俊卿, 鄭啟東, 高紅巖 申請人:黑龍江省電工儀器儀表工程技術研究中心有限公司