快速升溫和快速降溫的貼片加熱裝置的製作方法

2023-06-30 05:25:26 2

專利名稱：快速升溫和快速降溫的貼片加熱裝置的製作方法
技術領域：
本發明屬於光通信技術領域，具體說是半導體雷射器晶片及集成電路晶片的防氧化快速貼片加熱裝置。
背景技術：
目前普通的貼片機加熱裝置不僅體積龐大、價格昂貴，尤其在使用時因為採用了電熱絲加熱，被貼的晶片必須經歷較長時間的升溫、降溫過程。因而極易造成貼片焊接表面氧化。不但影響焊接質量，而且可能導致晶片性能下降或損壞。例如焊料蒸汽可能汙染光電器件的腔面。雖然較新穎的貼片機採用了氮氣保護措施，但仍不適用於一些對溫度敏感的晶片。在半導體雷射器的封裝過程中，往往由於貼片時晶片在高溫下滯留時間過長而導致晶片性能遭到嚴重破壞.

發明內容
為了克服貼片機因升溫、降溫時間過長而帶來的種種不利，本發明的目的在於，提供一種快速升溫和快速降溫的貼片加熱裝置，其可瞬間升溫、急速降溫，以防止貼片氧化。
本發明解決其技術問題的技術方案是；本發明一種快速升溫和快速降溫的貼片加熱裝置，其特徵在於，包括一小型的射頻加熱裝置；一微型加熱子，該微型加熱子與射頻加熱裝置電連接；一氮氣保護罩，該氮氣保護罩為矩形，在其上面的中間開有一矩形凹槽，所述的微型加熱子置於氮氣保護罩上的凹槽中。
其中所述的氮氣保護罩的四周壁板為中空的氮氣通道，該通道的一端裝有一進氣嘴。
其中所述的氮氣通道亦為氣冷通道，該氣冷通道朝向內側的壁板上開有多個氣孔。
本發明的有益效果是1、可快速完成貼片。
2、保護被貼的晶片，減少長時間高溫帶來的負面影響。
3、結構簡單，操作方便。


為進一步闡述本發明的具體技術內容，以下進行實施例及附圖詳細說明如後，其中圖1是本發明的結構圖。
具體實施例方式
請參閱圖1所示，本發明一種快速升溫和快速降溫的貼片加熱裝置，包括一小型的射頻加熱裝置1(該小型的射頻加熱裝置為現有技術)；一微型加熱子2(該微型加熱子為現有技術)，該微型加熱子2與射頻加熱裝置1電連接；一氮氣保護罩3，該氮氣保護罩3為矩形，在其上面的中間開有一矩形凹槽31，所述的微型加熱子2置於氮氣保護罩3上的凹槽31中。
其中所述的氮氣保護罩3的四周壁板為中空的氮氣通道32，該通道32的一端裝有一進氣嘴4，該進氣嘴4為氮氣通道32的入口。
其中所述的氮氣通道32亦為氣冷通道，該氣冷通道32朝向內側的壁板上開有多個氣孔33，以便放入氮氣時，氮氣可沿氮氣通道32從氣孔33流出給微型加熱子2降溫。
實施例請參閱圖1所示，圖中射頻加熱裝置1與微型加熱子2實行電連接(目前市場可買到體積在2mm3以下的加熱子)，微型加熱子2置於盒型半封閉式氮氣保護罩3內，通入氮氣後，先將微型加熱子3的溫度升致焊料熔點溫度的60-80％處，然後依次在微型加熱子2上放好要貼的晶片及焊料，合上射頻加熱裝置1的開關，微型加熱子2在瞬間可達到焊料的熔點溫度，焊料一熔化，立即斷開射頻加熱裝置1的開關，同時增加氮氣流量。對晶片進行風冷。達到快速完成防氧化貼片的效果。
附註1.根據不同熔點的焊料、不同外形的晶片可配用不同型號的微型加熱子。
2.晶片與被貼物體的材料應考慮膨脹係數的匹配。
全套設施由一小型的射頻加熱裝置、一僅夠容納晶片的微型加熱子和一流量可調的盒形半封閉式氮氣保護罩組成。由於加熱子的熱容量極小，當合上射頻加熱裝置的開關時，微型加熱子可在瞬間達到焊料的熔點溫度，當射頻加熱裝置的開關斷開、並吹以氮氣冷風時，微型加熱子的溫度可急速下降，完成貼片。
權利要求
1.一種快速升溫和快速降溫的貼片加熱裝置，其特徵在於，包括一小型的射頻加熱裝置；一微型加熱子，該微型加熱子與射頻加熱裝置電連接；一氮氣保護罩，該氮氣保護罩為矩形，在其上面的中間開有一矩形凹槽，所述的微型加熱子置於氮氣保護罩上的凹槽中。
2.根據權利要求1所述的快速升溫和快速降溫的貼片加熱裝置，其特徵在於，其中所述的氮氣保護罩的四周壁板為中空的氮氣通道，該通道的一端裝有一進氣嘴。
3.根據權利要求2所述的快速升溫和快速降溫的貼片加熱裝置，其特徵在於，其中所述的氮氣通道亦為氣冷通道，該氣冷通道朝向內側的壁板上開有多個氣孔。
全文摘要
一種快速升溫和快速降溫的貼片加熱裝置，其特徵在於，包括一小型的射頻加熱裝置；一微型加熱子，該微型加熱子與射頻加熱裝置電連接；一氮氣保護罩，該氮氣保護罩為矩形，在其上面的中間開有一矩形凹槽，所述的微型加熱子置於氮氣保護罩上的凹槽中。
文檔編號H05K13/00GK1764366SQ20041008380
公開日2006年4月26日 申請日期2004年10月18日 優先權日2004年10月18日
發明者謝亮, 俞芷萊, 祝寧華, 王欣 申請人:中國科學院半導體研究所