一種用於製造太陽能電池的方法

2023-06-30 16:06:51 2

一種用於製造太陽能電池的方法
【專利摘要】本發明公開了一種用於製造太陽能電池的方法，該方法包括以下步驟：在具有第一導電類型的基板表面貼合活動選擇性模板；通過使用離子注入法來在基板的第一表面處形成與所述第一導電類型相反的第二導電類型的發射區；移除所述活動選擇性模板；在被定位為與所述基板的所述第一表面相反的第二表面上形成鈍化層；以及形成第一電極和第二電極，所述第一電極是含有摻雜劑的銀漿採用絲網印刷工藝印製並燒結而形成。本發明的用於製造太陽能電池的方法簡單易操作，且用該方法製造的太陽能電池效率非常高。
【專利說明】 —種用於製造太陽能電池的方法

【技術領域】
[0001]本發明涉及太陽能電池【技術領域】，特別是涉及一種用於製造太陽能電池的方法。

【背景技術】
[0002]近來，由於預期現有能源(諸如石油和煤)會被耗盡，所以對於代替現有能源的另選能源的興趣正在增加。在這些另選能源當中，用於從太陽能產生電能的太陽能電池尤其受到關注。
[0003]太陽能電池通常包括具有不同導電類型(例如，P型和η型)並形成ρ-η結的半導體部件以及分別連接到不同導電類型的半導體部件的電極。
[0004]當光入射在太陽能電池上時，在半導體部件中產生電子-空穴對。電子和空穴在Ρ-η結的影響下分別向η型半導體部件和P型半導體部件移動。電子和空穴分別由連接到η型半導體部件和P型半導體部件的電極來收集。利用電線將這些電極彼此連接，由此獲得電力。


【發明內容】

[0005]為了解決上述技術問題，本發明提供了一種用於製造太陽能電池的方法，該方法包括以下步驟:在具有第一導電類型的基板表面貼合活動選擇性模板；通過使用離子注入法來在基板的第一表面處形成與所述第一導電類型相反的第二導電類型的發射區；移除所述活動選擇性模板；在被定位為與所述基板的所述第一表面相反的第二表面上形成鈍化層；以及形成第一電極和第二電極，所述第一電極位於所述基板的所述第一表面上被活動選擇性模板遮蓋的位置，而所述第二電極位於所述基板的所述第二表面上並通過所述鈍化層選擇性地連接到所述基板；所述第一電極是含有摻雜劑的銀漿採用絲網印刷工藝印製並燒結而形成。
[0006]所述形成所述發射區的步驟可以包括以下步驟:使用所述離子注入法將所述第二導電類型的雜質注入到所述基板的所述第一表面中，以在所述基板的所述第一表面處形成雜質區；以及在氧氣環境中對具有所述雜質區的所述基板進行熱處理，以將所述雜質區轉變為所述發射區並在所述基板的所述第一表面和所述第二表面上形成第一熱氧化膜和第二熱氧化膜。
[0007]可以在大致700°C至900°C的溫度執行所述熱處理。
[0008]所述方法還可以包括以下步驟:去除所述第一熱氧化膜和所述第二熱氧化膜。
[0009]所述鈍化層可以形成在位於所述基板的所述第二表面上的所述第二熱氧化膜上。
[0010]所述方法還可以包括以下步驟:在位於所述基板的所述第一表面上的所述第一熱氧化膜上形成防反射層。
[0011]所述第一電極可以通過所述防反射層和所述第一熱氧化膜連接到所述基板。
[0012]所述防反射層可以由氮化矽形成。
[0013]所述第一熱氧化膜和所述第二熱氧化膜中的每一個可以具有大致15nm至30nm的厚度。
[0014]所述方法還可以包括以下步驟:在所述發射區上形成防反射層。
[0015]所述第一電極可以通過所述防反射層連接到所述發射區。
[0016]所述鈍化層可以由氮化矽形成。
[0017]所述形成所述鈍化層的步驟可以包括以下步驟:使用氧化矽形成第一鈍化層；以及使用氮化矽形成第二鈍化層。
[0018]所述形成所述鈍化層的步驟可以包括以下步驟:使用氧化鋁形成第一鈍化層；以及使用氮化矽形成第二鈍化層。
[0019]所述第一導電類型可以是P型，而所述第二導電類型可以是η型。另選地，所述第一導電類型可以是η型，而所述第二導電類型可以是P型。
[0020]所述方法還可以包括以下步驟:在形成所述發射區之前，在所述基板的所述第一表面和所述第二表面中的每一個上形成紋理表面。
[0021]所述方法還可以包括以下步驟:對形成在所述基板的所述第二表面上的所述紋理表面進行拋光(polish)，以形成平坦表面。
[0022]本發明的用於製造太陽能電池的方法簡單易操作，且用該方法製造的太陽能電池效率非常高。

【具體實施方式】
[0023]以下通過特定的具體實例說明本發明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭露的內容輕易地了解本發明的其他優點與功效。本發明還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應用，本說明書中的各項細節也可以基於不同觀點與應用，在沒有背離本發明的精神下進行各種修飾或改變。
[0024]該方法包括以下步驟:在具有第一導電類型的基板表面貼合活動選擇性模板；通過使用離子注入法來在基板的第一表面處形成與所述第一導電類型相反的第二導電類型的發射區；移除所述活動選擇性模板；在被定位為與所述基板的所述第一表面相反的第二表面上形成鈍化層；以及形成第一電極和第二電極，所述第一電極位於所述基板的所述第一表面上被活動選擇性模板遮蓋的位置，而所述第二電極位於所述基板的所述第二表面上並通過所述鈍化層選擇性地連接到所述基板；所述第一電極是含有摻雜劑的銀漿採用絲網印刷工藝印製並燒結而形成。
[0025]所述形成所述發射區的步驟可以包括以下步驟:使用所述離子注入法將所述第二導電類型的雜質注入到所述基板的所述第一表面中，以在所述基板的所述第一表面處形成雜質區；以及在氧氣環境中對具有所述雜質區的所述基板進行熱處理，以將所述雜質區轉變為所述發射區並在所述基板的所述第一表面和所述第二表面上形成第一熱氧化膜和第二熱氧化膜。
[0026]可以在大致700°C至900°C的溫度執行所述熱處理。
[0027]所述方法還可以包括以下步驟:去除所述第一熱氧化膜和所述第二熱氧化膜。
[0028]所述鈍化層可以形成在位於所述基板的所述第二表面上的所述第二熱氧化膜上。
[0029]所述方法還可以包括以下步驟:在位於所述基板的所述第一表面上的所述第一熱氧化膜上形成防反射層。
[0030]所述第一電極可以通過所述防反射層和所述第一熱氧化膜連接到所述基板。
[0031 ] 所述防反射層可以由氮化矽形成。
[0032]所述第一熱氧化膜和所述第二熱氧化膜中的每一個可以具有大致15nm至30nm的厚度。
[0033]所述方法還可以包括以下步驟:在所述發射區上形成防反射層。
[0034]所述第一電極可以通過所述防反射層連接到所述發射區。
[0035]所述鈍化層可以由氮化矽形成。
[0036]所述形成所述鈍化層的步驟可以包括以下步驟:使用氧化矽形成第一鈍化層；以及使用氮化矽形成第二鈍化層。
[0037]所述形成所述鈍化層的步驟可以包括以下步驟:使用氧化鋁形成第一鈍化層；以及使用氮化矽形成第二鈍化層。
[0038]所述第一導電類型可以是P型，而所述第二導電類型可以是η型。另選地，所述第一導電類型可以是η型，而所述第二導電類型可以是P型。
[0039]所述方法還可以包括以下步驟:在形成所述發射區之前，在所述基板的所述第一表面和所述第二表面中的每一個上形成紋理表面。
[0040]所述方法還可以包括以下步驟:對形成在所述基板的所述第二表面上的所述紋理表面進行拋光(polish)，以形成平坦表面。
【權利要求】
1.一種用於製造太陽能電池的方法，該方法包括以下步驟: 在具有第一導電類型的基板表面貼合活動選擇性模板； 通過使用離子注入法來在基板的第一表面處形成與所述第一導電類型相反的第二導電類型的發射區； 移除所述活動選擇性模板； 在被定位為與所述基板的所述第一表面相反的第二表面上形成鈍化層；以及 形成第一電極和第二電極，所述第一電極位於所述基板的所述第一表面上被活動選擇性模板遮蓋的位置，而所述第二電極位於所述基板的所述第二表面上並通過所述鈍化層選擇性地連接到所述基板； 所述第一電極是含有摻雜劑的銀漿採用絲網印刷工藝印製並燒結而形成。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述形成所述發射區的步驟包括以下步驟: 使用所述離子注入法將所述第二導電類型的雜質注入到所述基板的所述第一表面中，以在所述基板的所述第一表面處形成雜質區；以及 在氧氣環境中對具有所述雜質區的所述基板進行熱處理，所述熱處理與印刷完銀漿的燒結步驟同時進行，以將所述雜質區轉變為所述發射區並在所述基板的所述第一表面和所述第二表面上形成第一熱氧化膜和第二熱氧化膜。
3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述鈍化層形成在位於所述基板的所述第二表面上的所述第二熱氧化膜上。
4.根據權利要求2所述的方法，該方法還包括以下步驟:在位於所述基板的所述第一表面上的所述第一熱氧化膜上形成防反射層， 其中，所述第一電極通過所述防反射層和所述第一熱氧化膜連接到所述基板。
5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述防反射層由氮化矽形成。
6.根據權利要求2所述的方法，其中，所述第一熱氧化膜和所述第二熱氧化膜中的每一個具有15nm至30nm的厚度。
7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述鈍化層由氮化矽形成。
8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述形成所述鈍化層的步驟包括以下步驟: 使用氧化矽形成第一鈍化層；以及 使用氮化矽形成第二鈍化層。
9.根據權利要求1所述的方法，該方法還包括以下步驟:在形成所述發射區之前，在所述基板的所述第一表面和所述第二表面中的每一個上形成紋理表面。
10.根據權利要求9所述的方法，該方法還包括以下步驟:對形成在所述基板的所述第二表面上的所述紋理表面進行拋光，以形成平坦表面。
【文檔編號】H01L31/18GK104465866SQ201410670667
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年11月21日 優先權日:2014年11月21日
【發明者】黃繼昌, 黃漫卿 申請人:廣西智通節能環保科技有限公司