研磨墊的製作方法

2023-06-16 00:42:21

專利名稱：：研磨墊的製作方法
技術領域：
：本發明涉及通過化學機械研磨(CMP)使半導體晶片等被研磨體表面的凹凸平坦化時使用的研磨墊，具體而言，涉及具有用於通過光學手段來檢測研磨狀況等的孔的研磨墊以及使用該研磨墊的半導體器件的製造方法。
背景技術：
：製造半導體裝置時，進行在半導體晶片(以下也稱為晶片)表面形成導電膜並通過光刻法、蝕刻等形成布線層的工序、在布線層上形成層間絕緣膜的工序等，通過這些工序而在晶片表面上產生由金屬等導體或絕緣體構成的凹凸。近年來，為了實現半導體集成電路的高密度化而進行布線的微細化和多層布線化，與此相伴，使晶片表面凹凸的平坦化成為重要技術。作為使晶片表面凹凸的平坦化方法，一般釆用CMP法。CMP是在將晶片的被硏磨麵按壓到研磨墊的研磨麵上的狀態下、使用分散有磨粒的漿狀研磨劑(以下稱為漿料)進行研磨的技術。CMP中通常使用的研磨裝置，例如，如圖1所示，具有支撐研磨墊1的研磨平臺2、支撐被研磨體(晶片等)4的支撐臺(研磨頭)5、用於進行晶片的均勻加壓的背襯材料、及研磨劑3的供給機構。研磨墊1例如通過用雙面膠帶粘貼而安裝到研磨平臺2上。研磨平臺2和支撐臺5以各自支撐的研磨墊1和被研磨體4相對的方式進行設置，其各自具有旋轉軸6、7。另外，在支撐臺5—側設置用於將被研磨體4按壓到研磨墊1上的加壓機構。進行這樣的CMP時，存在晶片表面平坦度判斷的問題。即，需要檢測達到所希望的表面特性或平面狀態的時刻。以往，關於氧化膜的膜厚和研磨速度等，定期對試驗晶片進行處理，確認結果後對成為製品的晶片進行研磨處理。但是，該方法中，處理試驗晶片的時間和成本成為浪費，另外，完全不進行預加工的試驗晶片與製品晶片中，由於CMP特有的加載效果而研磨結果不同，如果不嘗試實際地加工製品晶片，則難以正確預計加工結果。因此，最近為了解決上述問題，期待在CMP工藝時、在該情況下能夠檢測得到所希望的表面特性和厚度的時刻的方法。關於這樣的檢測使用各種各樣的方法，從測定精度和非接觸測定中的空間分辨能力的觀點考慮，光學檢測手段正在成為主流。光學檢測手段，具體是指使光束通過孔(透光區域)而穿過研磨墊向晶片照射、通過監控由其反射而產生的幹涉信號來檢測研磨終點的方法。該方法中，通過監控晶片表面層的厚度變化，並且了解表面凹凸的近似深度，來確定終點。在這樣的厚度變化等於凹凸深度的時刻使CMP工藝結束。另外，關於通過這樣的光學手段檢測研磨終點的方法以及該方法中使用的研磨墊，提出了各種方案。例如，公開了一種研磨墊，其中至少一部分具有固體、均質並且透過l卯nm至350nm波長光的透明聚合物片(專利文獻l)。另外，公開了一種研磨墊，其中插入有階梯的透明塞(專利文獻2、3)。另外，公開了一種研磨墊，其中透光性構件含有非水溶性基質材料和在該非水溶性基質材料中分散的水溶性粒子，且400800nm的光4線透過率為0.1%以上(專利文獻4、專利文獻5)。均作為終點檢測用孔而公開。但是，現有的帶孔研磨墊，使用時由於砂輪修整機或漿料而使孔表面產生損傷，具有透光率逐漸降低的傾向。因此，如果通過與初期透光率(光反射率)對應的程序來進行終點檢測，則具有從研磨墊的使用中期至末期隨透光率的下降而產生終點檢測誤差的問題。專利文獻l:日本特表平11-512977號公報專利文獻2:日本特開平9-7985號公報專利文獻3:日本特開平10-83977號公報專利文獻4:日本特開2002-324769號公報專利文獻5:日本特開2002-324770號公報
發明內容本發明是為了解決上述問題而進行的，其目的在於提供從使用初期至末期不會隨著透光率的下降而產生終點檢測誤差的研磨墊；以及提供使用該研磨墊的半導體器件的製造方法。本發明人鑑於以上現狀進行了反覆研究，結果發現，通過使用下述的透光區域作為研磨墊用的透光區域，可以解決上述問題。艮P，本發明涉及一種研磨墊，具有包含研磨區域及透光區域的研磨層，其特徵在於，所述透光區域的研磨麵側的表面經粗糙化處理，並且所述透光區域使用前的在波長600nm下的透光率為40~60%。本發明人發現通過預先對透光區域的研磨麵側表面進行粗糙化處理，可以抑制使用時透光區域的透光率變化。如果使用本發明的研磨墊，則即使是在通過與初期透光率(光反射率)對應的程序來進行終點檢測的情況下，從研磨墊的使用初期至末期也不會隨透光率的變化產生終點檢測誤差。另外，所述透光區域使用前的在波長600nm下的透光率需要為40~60%。使用前的在波長600nm下的透光率如果小於40。/。，則從使用初期就妨礙終點檢測。另一方面，如果超過60%，則粗糙化處理不充分，因此不能抑制使用時透光區域的透光率變化。所述透光區域的研磨麵側的表面，優選算術平均粗糙度(Ra)為l~2.2nm。算術平均粗糙度如果小於lpm,則從使用初期至末期的透光率變化變大，容易產生終點檢測誤差。另一方面，如果超過2.2pm，則由於光的散射造成透光區域的透光率降低，因此具有從使用初期就妨礙終點檢測的傾向。另外，本發明涉及一種半導體器件的製造方法，其中，包括使用所述研磨墊對半導體晶片的表面進行研磨的工序。圖1是表示CMP研磨中使用的現有研磨裝置的一例的示意構成圖。圖2是表示本發明的研磨墊的一例的示意截面圖。圖3是表示本發明的研磨墊的另一例的示意截面圖。圖4是表示本發明的研磨墊的另一例的示意截面圖。圖5是表示本發明的研磨墊的另一例的示意截面圖。圖6是表示具有本發明的終點檢測裝置的CMP研磨裝置的一例的示意構成圖。符號說明1:研磨墊2:研磨平臺3:研磨劑(漿料)4:被研磨體(晶片)5:支撐臺(研磨頭)6、7:旋轉軸8:透光區域9:研磨區域10、12:雙面膠帶11:緩衝層13:脫模紙(膜)14:堵住開口部的構件15:雷射幹涉計16:雷射束具體實施例方式本發明的研磨墊，至少具有研磨區域和透光區域，並且所述透光區域的研磨麵側表面進行了粗糙化處理。透光區域的主原料沒有特別限制，優選使用在進行研磨的狀態下能夠進行高精度的光學終點檢測、並且在波長600nm下的透光率為75%以上的材料，更優選80%以上的材料。材料自身的透光率低時，有可能隨著使用透光區域的透光率下降，因此妨礙終點檢測。作為材料，可以列舉例如聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、酚樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、環氧樹脂及丙烯酸類樹脂等熱固性樹脂；聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、纖維素類樹脂、丙烯酸類樹脂、聚碳酸酯樹脂、滷素類樹脂(聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯等)、聚苯乙烯及烯烴類樹脂(聚乙烯、聚丙烯等)等熱塑性樹脂；通過紫外線或電子射線等光進行固化的光固性樹脂；以及感光性樹脂等。這些樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。在使用光固性樹脂的情況下，優選同時使用光聚合引發劑。這些材料中，優選使用能夠得到所希望的透光率、成形性好、且硬度容易調節的熱塑性聚氨酯樹脂。7作為將透光區域的單面粗糙化的方法，可以列舉例如1)對樹脂片的單面進行噴砂處理、紋理處理(壓紋處理)、蝕刻處理、電暈放電處理或者雷射照射處理等的方法；2)使用紋理加工後的模具進行注射成形或者模壓成形的方法；3)在將樹脂片擠出成形時在單面上形成圖案的方法；4)使用規定表面形狀的金屬輥、橡膠輥或者壓紋輥在樹脂片的單面上形成圖案的方法；及5)使用砂紙等研磨材料進行磨光的方法等。粗糙化處理面的形狀沒有特別限制，可以列舉例如連續圖案、非連續圖案、線形圖案、非線形圖案、紋理樣式以及梨皮樣式(梨子地模様)等。特別優選紋理樣式。粗糙化處理面的算術平均粗糙度(Ra)優選為l~2.2pm，更優選l.l~1.9pm。另外，未進行粗糙化處理的研磨平臺側的透光區域表面的算術平均粗糙度(Ra)通常為約0.3jim。另外，所述透光區域使用前的在波長600nm下的透光率優選為40~55%。透光區域的形狀沒有特別限制，但優選使其具有與研磨區域的開口部同樣的形狀和大小。透光區域的厚度沒有特別限制，優選與研磨區域的厚度相同或者其以下。透光區域比研磨區域厚時，研磨中有可能由於突出的部分而損傷晶片。研磨區域的形成材料只要是通常作為研磨層材料使用的材料即可，沒有特別限制，本發明中優選使用微細發泡體。可以列舉例如聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、丙烯酸類樹脂、聚碳酸酯樹脂、滷素類樹脂(聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯等)、聚苯乙烯、烯烴類樹脂(聚乙烯、聚丙烯等)、環氧樹脂、及感光性樹脂等。這些可以單獨使用或者兩種以上組合使用。聚氨酯樹脂的耐磨損性優良，通過將原料組成進行各種改變可以容易地得到具有所需物性的聚合物，因此，特別優選作為研磨區域的形成材料。使聚氨酯樹脂微細發泡的方法沒有特別限制，可以列舉例如通過添加中空微珠的方法、機械發泡法、以及化學發泡法等使其發泡的方法等。另外，各方法也可以組合使用，特別優選為使用聚垸基矽氧烷與聚醚的共聚物即有機矽類表面活性劑的機械發泡法。作為該有機矽類表面活性劑，可以例示SH-192、L-5340(東1/夕、々〕一二>夕、'、:/!;〕一V制)等作為適合的化合物。以下對製造研磨區域中使用的獨立氣泡型聚氨酯發泡體的方法的例子進行說明。所述聚氨酯發泡體的製造方法包括以下工序。1)製作異氰酸酯封端預聚物的氣泡分散液的發泡工序在異氰酸酯封端預聚物中添加有機矽類表面活性劑，在非反應性氣體的存在下進行攪拌，得到使非反應性氣體作為微小氣泡分散的氣泡分散液。所述預聚物在常溫下為固體的情況下預熱至適當的溫度、熔融後使用。2)固化劑(增鏈劑)混合工序在上述的氣泡分散液中添加增鏈劑，混合併攪拌，得到發泡反應液。3)注模工序將上述發泡反應液注入模具中。94)固化工序對注入模具的發泡反應液進行加熱，使其反應固化。作為用於形成微小氣泡的非反應性氣體，優選非可燃性氣體，具體可以例示氮氣、氧氣、二氧化碳、氦氣或氬氣等惰性氣體以及它們的混合氣體，從成本方面考慮，最優選使用乾燥除去水分後的空氣。作為使非反應性氣體成微小氣泡狀並分散至含有有機矽類表面活性劑的異氰酸酯封端預聚物中的攪拌裝置，可以沒有特別限制地使用公知的攪拌裝置，具體可以例示均化機、溶解器、雙軸行星式混合機(planetarymixer)等。攪拌裝置的攪拌葉片的形狀也沒有特別限制，如果使用攪打器型攪拌葉片，則可以得到微小氣泡，因此優選。在所述聚氨酯發泡體的製造方法中，對發泡反應液注入模具並反應至不流動而得到的發泡體進行加熱和後固化，具有提高發泡體的物理特性的效果，因此極其優選。可以作為將發泡反應液注入模具後立即放入加熱烘箱中進行後固化的條件，在這樣的條件下熱不會立即傳導到反應成分中，因此氣泡直徑不會變大。固化反應在常壓下進行時，氣泡形狀穩定，因此優選。所述聚氨酯樹脂的製造中，也可以使用叔胺類、有機錫類等公知的促進聚氨酯反應的催化劑。催化劑的種類、添加量，考慮混合工序後注入規定形狀的模具中的流動時間來進行選擇。所述聚氨酯發泡體的製造，可以是將各成分計量後投入容器並進行攪拌的間歇方式，也可以是向攪拌裝置中連續地供給各成分和非反應性氣體並進行攪拌、排出氣泡分散液來製造成形品的連續生產方式。研磨區域通過將以上製造的聚氨酯發泡體切割為規定尺寸來製造。包含微小發泡體的研磨區域，優選在與被研磨體接觸的研磨側表面上設置用於保持和更新漿料的溝。該研磨區域，由於是由微小發泡體形成，因此在研磨表面上具有許多開口，起到保持漿料的作用，但是為了更有效地進行漿料的保持性和漿料的更新，或者也為了防止由於與被研磨體的吸附而造成的被研磨體破壞，優選在研磨側表面上具有溝。溝只要是保持和更新漿料的表面形狀即可，沒有特別限定，可以列舉例如XY格子溝、同心圓狀溝、貫通孔、非貫通孔、多角稜柱、圓柱、螺旋狀溝、偏心圓狀溝、放射狀溝以及組合這些溝而成的形狀。另外，對於溝間距、溝寬度、溝深等也沒有特別限制，進行適宜選擇而形成。另外，這些溝一般具有規則性，但是為了得到期望的漿料保持和更新性，也可以在各自一定的範圍中使溝間距、溝寬度、溝深等變化。所述溝的形成方法沒有特別限制，可以列舉例如使用規定尺寸的車刀這樣的夾具進行機械切削的方法、將樹脂注入具有規定表面形狀的模具並使其固化的方法、用具有規定的表面形狀的壓板按壓樹脂而形成的方法、使用光刻法形成的方法、使用印刷方法形成的方法、以及通過使用二氧化碳雷射等的雷射形成的方法等。研磨區域的厚度沒有特別限制，為約0.8約4mm。作為製作所述厚度的研磨區域的方法，可以列舉使用帶鋸式或刨式的切片機使所述聚氨酯發泡體的塊狀物成為規定厚度的方法、將樹脂注入具有規定厚度的模穴的模具中並使其固化的方法、以及使用塗布技術或片成形技術的方法等。具有包含研磨區域和透光區域的研磨層的研磨墊的製造方法沒有特別限制，可以考慮各種方法，以下說明具體例子。另外，下述具體例中對設置有緩衝層的硏磨墊進行說明，但是，也可以是未設置緩衝層的研磨墊。首先第一例為如下方法如圖2所示，將開口為規定尺寸的研磨區域9與雙面膠帶IO粘貼，在其下方粘貼開口為規定尺寸的緩衝層11使其與研磨區域9的開口部對準，然後，在緩衝層11上粘貼帶脫模紙13的雙面膠帶12，將透光區域8嵌入研磨區域9的開口部，進行粘貼。在此，需要以透光區域8的粗糙化處理面為研磨麵側的方式進行嵌入。以下具體例也同樣。作為第二具體例，為如下方法如圖3所示，將開口為規定尺寸的研磨區域9與雙面膠帶IO粘貼，在其下方粘貼緩衝層ll，之後，將雙面膠帶10及緩衝層11開口為規定尺寸，使其與研磨區域9的開口部對準，然後，在緩衝層11上粘貼帶脫模紙13的雙面膠帶12，將透光區域8嵌入研磨區域9的開口部，進行粘貼。作為第三具體例，為如下方法如圖4所示，將開口為規定尺寸的研磨區域9與雙面膠帶IO粘貼，在其下方粘貼緩衝層ll，之後，在緩衝層11的相反面上粘貼帶脫模紙13的雙面膠帶12，之後，從雙面膠帶10至脫模紙13開口為規定尺寸，使其與研磨區域9的開口部對準，將透光區域8嵌入研磨區域9的開口部，進行粘貼。此時，透光區域8的相反側為開放的狀態，有可能積存塵埃等，因此優選安裝將其堵住的構件14。作為第四具體例，為如下方法如圖5所示，將粘貼有帶脫模紙13的雙面膠帶12的緩衝層11開口為規定尺寸，然後將開口為規定尺寸的研磨區域9與雙面膠帶IO粘貼，使開口部對準來粘貼它們，然後將透光區域8嵌入研磨區域9的開口部，進行粘貼。此時，研磨區域的相反側為開放的狀態，有可能積存塵埃等，因此優選安裝將其堵住的構件14。所述研磨墊的製作方法中，將研磨區域或緩衝層等開口的方法沒有特別限制，可以列舉例如按壓具有切削能力的夾具進行開口的方法、利用二氧化碳雷射等的雷射的方法、利用車刀這樣的夾具進行磨削的方法等。另外，研磨區域的開口部的尺寸及形狀沒有特別限制。所述緩衝層是補充研磨區域(研磨層)的特性的層。在CMP中為了同時具有處於權衡關係的平面性和均勻性二者，緩衝片是必要的。平面性是指將具有形成圖案時產生的微小凹凸的晶片研磨時的圖案部的平坦性，均勻性是指晶片整體的均勻性。利用研磨層的特性，改善平面性，利用緩衝層的特性，改善均勻性。本發明的研磨墊中，優選使用比研磨層柔軟的緩衝層。所述緩衝層的形成材料沒有特別限制，可以列舉例如聚酯無紡布、尼龍無紡布、丙烯酸類無紡布等纖維無紡布、浸滲有聚氨酯的聚酯無紡布這樣的樹脂浸滲無紡布、聚氨酯泡沫體、聚乙烯泡沫體等高分子樹脂發泡體、丁二烯橡膠、異戊二烯橡膠等橡膠性樹脂、及感光性樹脂等。作為將研磨區域9中使用的研磨層與緩衝層ll粘貼的方法，可以列舉例如用雙面膠帶夾持研磨區域與緩衝層進行按壓的方法。雙面膠帶，一般具有在無紡布或膜等基材的雙面上設置膠粘層的結構。如果考慮防止漿料滲透到緩衝層中等，則優選使用膜作為基材。另外，作為膠粘層的組成，可以列舉例如橡膠類膠粘劑或丙烯酸類膠粘劑等。如果考慮金屬離子的含量，則丙烯酸類膠粘劑由於金屬離子含量低，因此優選。另外，也有時研磨區域與緩衝層的組成不同，因此，也可以使雙面膠帶的各膠粘層的組成不同，使各層的膠粘力最佳化。作為將緩衝層11與雙面膠帶12粘貼的方法，可以列舉在緩衝層上按壓雙面膠帶進行膠粘的方法。雙面膠帶與上述同樣一般具有在無紡布或膜等基材的雙面上設置膠粘層的結構。如果考慮研磨墊使用後從臺板上進行剝離，則在使用膜作為基材時能夠消除殘餘膠帶等，因此優選。另外，膠粘層的組成與上述相同。所述構件14隻要能夠堵住開口部則沒有特別限制。但是，在進行研磨時，必須能夠剝離。半導體器件，通過使用所述研磨墊對半導體晶片的表面進行研磨的工序來製造。半導體晶片一般是在矽晶片上層壓有布線金屬及氧化膜的晶片。半導體晶片的研磨方法、研磨裝置沒有特別限制，例如可以使用如下研磨裝置等進行，如圖1所示，所述研磨裝置具有支撐研磨墊1的研磨平臺2、支撐半導體晶片4的支撐臺5(研磨頭)、用於對晶片進行均勻加壓的背襯材料和研磨劑3的供給機構。研磨墊1例如通過用雙面膠帶粘貼而安裝在研磨平臺2上。研磨平臺2和支撐臺5以各自支撐的研磨墊1和半導體晶片4相對的方式進行設置，各自具有旋轉軸6、7。另外，在支撐臺5—側設置用於將半導體晶片4按壓到研磨墊1上的加壓機構。研磨時，使研磨平臺2和支撐臺5旋轉的同時將半導體晶片4按壓在研磨墊1上，供給酸性漿料的同時進行研磨。酸性漿料的流量、研磨負荷、研磨平臺轉數以及晶片轉數沒有特別限制，適當調節後進行。由此除去半導體晶片4表面的突出部分，研磨為平坦狀。之後，通過切割、接合、封裝等製造半導體器件。半導體器件用於運算處理裝置或存儲器等。實施例以下，對具體顯示本發明的構成和效果的實施例等進行說明。另夕卜，實施例等中的評價項目如下測定。[算術平均粗糙度(Ra)的測定]根據JISB0601-1994，測定透光區域的粗糙化處理面及未處理面的算術平均粗糙度。將粗糙化處理前的透光區域切割為10mmX50mm(厚度1.25mm)的大小，作為透光率測定用試樣。將該試樣放入填充有超純水的玻璃池(光程長10mmX光程寬10mmX高度45mm、相互理化學硝子製作所制)中，使用分光光度計(島津製作所制、UV-1600PC)，在測定波長600nm下測定。將所得到的透光率測定結果使用Lambert-Beer定律換算為厚度lmm的透光率。另外，使用粗糙化處理後的透光區域通過與前述同樣的方法測定透光率。將使用前的透光區域的波長600nm下的透光率設為A，對每片晶片(在8英寸矽晶片上形成lpm熱氧化膜的晶片)研磨1分鐘，並將其重複進行，將500片研磨後的透光區域的波長600nm下的透光率設為B，通過下式計算變化率。變化率優選30%以下。另外，透光率通過與前述同樣的方法進行測定。另外，使用SPP600S(岡本工作機械公司制)作為研磨裝置。研磨條件是在研磨中以150ml/分鐘的流量添加二氧化矽漿(SS12;年卞求、7卜公司制)作為漿料。研磨負荷為350g/cm2;研磨平臺轉數35rpm;晶片轉數30rpm。變化率(％)=[(A-B)/A]X100實施例1使用熱塑性聚氨酯(日本聚氨酯公司制，S，夕卜，^E567)，使用在單面進行#100噴砂處理後的模具通過注射成形來製作透光區域(縱56.5mm、橫19.5mm、厚1.25mm)。在反應容器內，將100重量份聚醚型預聚物(二二口^亇》公司制，7-7VyL-325，NCO濃度2.22meq/g)和3重量份有機矽類表面活性劑(東l/夕》〕一二yy、乂y〕一y公司制，SH-192)進行混合，並將溫度調節至8(TC。使用攪拌葉片以900rpm的轉數劇烈攪拌約4分鐘，使得氣泡進入反應體系內。在其中添加預先在12(TC下熔融後的4，4'-亞甲基雙(鄰氯苯胺)(一八，亇5;力少公司制，,八，年二7SyMT)26重量份。之後，繼續攪拌約1分鐘，並將反應溶液注入盤式開模中。在該反應溶液的流動性消失的時刻放入烘箱內，在11(TC下進行6小時後固化，得到聚氨酯發泡體塊狀物。用帶鋸型切片機(7工、;/^V公司制)將該聚氨酯發泡體塊狀物切片，得到聚氨酯發泡體片。然後，使用拋光機(7^亍、乂夕公司制)將該片進行表面拋光至規定厚度，得到調節厚度精度後的片(片厚1.27mm)。將該拋光處理後的片衝孔為規定直徑(61cm)，並使用溝加工機(東邦鋼機公司制)在表面上進行溝寬0.25mm、溝間距1.50mm、溝深0.40mm的同心圓狀的溝加工。使用層壓機在該片的溝加工面和相反一側的面上粘貼雙面膠帶(積水化學工業公司制，夕'7Vl/夕:y夕亍一y)，之後，在該溝加工後的片的規定位置上衝孔用於嵌入透光區域的開口部A(57mmX20mm)，製作帶雙面膠帶的研磨區域。將由對表面拋光並進行電暈處理後的聚乙烯泡沫體(東麗公司制，卜一^乂:7，厚度0.8mm)構成的緩衝層，使用層壓機粘貼在製作的帶雙面膠帶的研磨區域的粘合面上。然後，在緩衝層表面上粘貼雙面膠帶。然後，在用於嵌入透光區域而衝孔的孔部分中，以51mmX14mm的大小將緩衝層衝孔，形成開口部B。然後，將製作的透光區域嵌入開口部A內使得粗糙化處理面為上面(研磨麵側)，由此製成研磨墊。實施例2在透光區域的製作中，使用單面進行#220噴砂處理後的模具代替單面進行#100噴砂處理後的模具，除此以外，通過與實施例1同樣的方法來製作透光區域。除使用該透光區域以外，通過與實施例1同樣的方法製作研磨墊。實施例3使用熱塑性聚氨酯(日本聚氨酯公司制，5:，夕卜，yE567)，使用模具通過注射成形來製作透光區域(縱56.5mm、橫19.5mm、厚1.25mm)。之後，使用具有#400砂紙的砂帶磨光機對透光區域的單面進行拋光。除使用該透光區域以外，通過與實施例1同樣的方法製作研磨墊。比較例1使用熱塑性聚氨酯(日本聚氨酯公司制，^，夕卜，乂E567)，使用模具通過注射成形製作透光區域(縱56.5mm、橫19.5mm、厚1.25mm)。除使用該透光區域以外，通過與實施例1同樣的方法製作研磨墊。比較例2將聚醚型預聚物(工二口^亇少公司制，7-:7VyL-325)與4,4，-亞甲基雙(鄰氯苯胺)(一八，亇^力^公司制，,八，年工7^乂MT)按NCO指數為1.10進行混合，並攪拌約l分鐘。然後，將反應溶液注入盤式開模中。在該反應溶液的流動性消失的時刻放入烘箱內，在110x:下進行6小時後固化，得到聚氨酯樹脂塊狀物。用帶鋸型切片機(7工、乂亇y公司制)將該聚氨酯樹脂塊狀物切片，得到聚氨酯樹脂片(厚度1.25mm)。然後，將該片衝孔為縱56.5mm、橫19.5mm的大小，製成透光區域。除使用該透光區域以外，通過與實施例1同樣的方法製作研磨墊。比較例3使用熱塑性聚氨酯(日本聚氨酯公司制，^，夕卜歹乂E567)，使用單面進行紋理加工處理(7亇7夕'V公司，AHO-1012型處理)後的模具，通過注射成形製作透光區域(縱56.5mm、橫19.5mm、厚1.25mm)。除使用該透光區域以外，通過與實施例1同樣的方法製作研磨墊。比較例4使用熱塑性聚氨酯(日本聚氨酯公司制，^，夕卜，乂E567)，使用雙面進行#220噴砂處理後的模具通過注射成形製作透光區域(縱56.5mm、橫19.5mm、厚1.25mm)。除使用該透光區域以外，通過與實施例1同樣的方法製作研磨墊。表1tableseeoriginaldocumentpage18權利要求1.一種研磨墊，具有包含研磨區域及透光區域的研磨層，其特徵在於，所述透光區域的研磨麵側的表面經粗糙化處理，並且所述透光區域使用前的在波長600nm下的透光率為40～60％。2.如權利要求l所述的研磨墊，其中，所述透光區域的研磨麵側的表面的算術平均粗糙度(Ra)為12.2pm。3.—種半導體器件的製造方法，其中，包括使用權利要求l所述的研磨墊對半導體晶片的表面進行研磨的工序。全文摘要本發明的目的在於提供從使用初期至末期不會隨著透光率的下降而產生終點檢測誤差的研磨墊；以及提供使用該研磨墊的半導體器件的製造方法。本發明涉及一種研磨墊，具有包含研磨區域及透光區域的研磨層，其特徵在於，所述透光區域的研磨麵側的表面經粗糙化處理，並且所述透光區域使用前的在波長600nm下的透光率為40～60％。文檔編號B24B37/20GK101636247SQ20088000853公開日2010年1月27日申請日期2008年3月12日優先權日2007年3月15日發明者下村哲生,小川一幸,數野淳,木村毅申請人:東洋橡膠工業株式會社