用於雷射器的陶瓷墊片及雷射器的製作方法

2023-06-08 19:19:26 1

本實用新型涉及雷射器領域，尤其涉及一種雷射器封裝用的陶瓷墊片。

背景技術：

目前，光纖通信因其具有通信容量大、傳輸距離遠、抗電磁幹擾能力強等眾多優點而發展成為主要通信方式之一。半導體雷射器是光纖通信用的主要光源，是光纖通信的核心器件。現有的半導體雷射器一般包括管座、管腳及設置在管座頂面的陶瓷墊片，其中所述陶瓷墊片上分別放置有主晶片及監控光電二極體(Monitoring Photodiode；MPD)，所述主晶片及所述MPD分別通過金屬導線連接到相應的所述管腳。不過，由於金屬導線具有較大的長度，在高頻信號下會造成金屬導線之間的幹擾，同時會產生寄生電容電感，影響高頻信號的傳輸效果。另外，當所述主晶片的正極與負極均設置在其正面時或分別設置在其正面與反面時，相同的所述陶瓷墊片就不能同時適用於上述兩種情況，例如，當所述半導體雷射器為10G以內的垂直腔面發射雷射器(Vcsel雷射器)時，所述主晶片的正極通常在其正面，所述主晶片的負極通常在其反面，當所述半導體雷射器為14G及以上的Vcsel雷射器時，所述主晶片的正極與負極通常均在其正面。

技術實現要素：

本實用新型的目的之一在於提供一種用於雷射器的陶瓷墊片，能夠減少高頻信號下產生的金屬導線間的幹擾及寄生電容電感等的影響並適用晶片的正極與負極均設置在正面或分設在正面與反面的情況。

本實用新型的目的之二在於提供一種雷射器，能夠減少高頻信號下產生的金屬導線間的幹擾及寄生電容電感等的影響並適用晶片的正極與負極均設置在正面或分設在正面與反面的情況。

為了實現上述目的之一，本實用新型的用於雷射器的陶瓷墊片，所述雷射器包括管座以及設於所述管座的若干管腳，所述若干管腳包括雷射器正極管腳、雷射器負極管腳、MPD(監控光電二極體)正極管腳及MPD負極管腳，所述用於雷射器的陶瓷墊片包括：陶瓷墊片本體，設置在所述管座頂面且位於所述若干管腳之間；若干金屬鍍層，所述若干金屬鍍層包括布設在所述陶瓷墊片本體上的相互間隔的第一金屬鍍層、第二金屬鍍層、第三金屬鍍層及第四金屬鍍層，所述第一金屬鍍層及所述第二金屬鍍層沿所述陶瓷墊片本體的縱向間隔設置，所述第一金屬鍍層的相背離所述第二金屬鍍層的一端形成第一開口，所述第三金屬鍍層及所述第四金屬鍍層分別設置在所述第一開口的兩側，所述第三金屬鍍層與所述第四金屬鍍層之間連接有薄模電阻；主晶片，設置在所述第一金屬鍍層上，所述主晶片的正極與負極之一電性連接至所述第一金屬鍍層，所述第一金屬鍍層通過金屬導線連接至所述雷射器正極管腳與所述雷射器負極管腳之一，所述主晶片的正極與負極之另一通過金屬導線連接至所述第四金屬鍍層，所述第三金屬鍍層通過金屬導線連接至所述雷射器正極管腳與所述雷射器負極管腳之另一；MPD，設置在所述第二金屬鍍層上，所述MPD的正極與負極之一通過金屬導線相應連接至所述MPD正極管腳與所述MPD負極管腳之一，所述MPD的正極與負極之另一電性連接至所述第二金屬鍍層，所述第二金屬鍍層通過金屬導線連接至所述MPD正極管腳與所述MPD負極管腳之另一。

與現有技術相比，本實用新型的用於雷射器的陶瓷墊片，通過所述金屬鍍層的導通作用，有效縮短了晶片與管腳之間金屬導線的長度並使金屬導線的布局更加合理化，減少了高頻信號下產生的金屬導線間的幹擾及寄生電容電感等的影響，進而滿足高頻信號的傳輸要求。另外，通過所述金屬鍍層的設置，使得所述陶瓷墊片能適用晶片的正極與負極均設置在正面或分設在正面與反面的情況。

較佳地，所述第二金屬鍍層靠近所述第一金屬鍍層的一端形成有第二開口，所述第一金屬鍍層相應的形成有凸部，所述凸部位於所述第二金屬鍍層的第二開口處，藉此達成結構緊湊的效果。

較佳地，所述第一金屬鍍層、所述第二金屬鍍層、所述第三金屬鍍層及所述第四金屬鍍層整體呈橫向對稱結構，便於不同結構晶片的貼裝。

具體地，所述第一金屬鍍層連接所述雷射器負極管腳與所述主晶片的負極，所述第三金屬鍍層連接至所述雷射器正極管腳，所述第四金屬鍍層連接至所述主晶片的正極。

具體地，所述主晶片的正極與負極均位於所述主晶片的正面，所述主晶片的正極與負極之一與所述第一金屬鍍層通過金屬導線連接。

具體地，所述主晶片的正極與負極分別位於所述主晶片的正面與反面，所述主晶片的正極與負極之一位於所述主晶片反面並與所述第一金屬鍍層通過導電膠連接。

具體地，所述MPD的正極與負極之一位於所述MPD的正面，所述MPD的正極與負極之另一位於所述MPD反面並通過導電膠與所述第二金屬鍍層連接。

為了實現上述目的之二，本實用新型的雷射器，包括：管座；若干管腳，設置在所述管座，所述若干管腳包括雷射器正極管腳、雷射器負極管腳、MPD正極管腳及MPD負極管腳；陶瓷墊片本體，設置在所述管座頂面且位於所述若干管腳之間；若干金屬鍍層，所述若干金屬鍍層包括布設在所述陶瓷墊片本體上的相互間隔的第一金屬鍍層、第二金屬鍍層、第三金屬鍍層及第四金屬鍍層，所述第一金屬鍍層及所述第二金屬鍍層沿所述陶瓷墊片本體的縱向間隔設置，所述第一金屬鍍層位於所述雷射器正極管腳與所述雷射器負極管腳之間，所述第二金屬鍍層位於所述MPD正極管腳與所述MPD負極管腳之間，所述第一金屬鍍層的相背離所述第二金屬鍍層的一端形成第一開口，所述第三金屬鍍層及所述第四金屬鍍層分別設置在所述第一開口的兩側，所述第三金屬鍍層與所述第四金屬鍍層之間連接有薄模電阻；主晶片，設置在所述第一金屬鍍層上，所述主晶片的正極與負極之一電性連接至所述第一金屬鍍層，所述第一金屬鍍層通過金屬導線連接至所述雷射器正極管腳與所述雷射器負極管腳之一，所述主晶片的正極與負極之另一通過金屬導線連接至所述第四金屬鍍層，所述第三金屬鍍層通過金屬導線連接至所述雷射器正極管腳與所述雷射器負極管腳之另一；MPD，設置在所述第二金屬鍍層上，所述MPD的正極與負極之一通過金屬導線相應連接至所述MPD正極管腳與所述MPD負極管腳之一，所述MPD的正極與負極之另一電性連接至所述第二金屬鍍層，所述第二金屬鍍層通過金屬導線連接至所述MPD正極管腳與所述MPD負極管腳之另一。

與現有技術相比，本實用新型的雷射器，通過所述金屬鍍層的導通作用，有效縮短了晶片與管腳之間金屬導線的長度並使金屬導線的布局更加合理化，減少了高頻信號下產生的金屬導線間的幹擾及寄生電容電感等的影響，進而滿足高頻信號的傳輸要求。另外，通過所述金屬鍍層的設置，使得所述雷射器能適用晶片的正極與負極均設置在正面或分設在正面與反面的情況。

附圖說明

圖1是本實用新型陶瓷墊片的一實施例的示意圖。

圖2是本實用新型雷射器的一實施例的示意圖。

圖3是本實用新型雷射器的另一實施例的示意圖。

具體實施方式

為詳細說明本實用新型的技術內容、構造特徵、所實現的效果，以下結合實施方式並配合附圖詳予說明。

圖1至圖3揭示了一種陶瓷墊片10及具有所述陶瓷墊片10的雷射器100/100』。所述雷射器100/100』包括管座20、若干管腳及設置在所述管座20頂面且位於所述若干管腳之間的所述陶瓷墊片10。所述若干管腳包括雷射器正極管腳31、雷射器負極管腳32、MPD正極管腳33及MPD負極管腳34。

所述陶瓷墊片10包括陶瓷墊片本體11，所述陶瓷墊片本體11上布設有相互間隔的第一金屬鍍層12、第二金屬鍍層13、第三金屬鍍層14及第四金屬鍍層15。其中，所述第一金屬鍍層12及所述第二金屬鍍層13沿所述陶瓷墊片本體11的縱向間隔設置，所述第一金屬鍍層12上設有主晶片17，所述第二金屬鍍層13上設有MPD 18，所述第一金屬鍍層12的相背離所述第二金屬鍍層13的一端形成第一開口120，所述第三金屬鍍層14及所述第四金屬鍍層15分別設置在所述第一開口120的兩側，所述第三金屬鍍層14與所述第四金屬鍍層15之間連接有薄模電阻16，通過所述薄模電阻16的設置可實現相應的阻抗匹配，另外，根據實際需要可設置不同電阻值的所述薄模電阻16。具體地，所述第二金屬鍍層13靠近所述第一金屬鍍層12的一端形成有第二開口130，所述第一金屬鍍層12相應的形成有凸部121，所述凸部121位於所述第二金屬鍍層13的第二開口130處，藉此達成結構緊湊的效果。具體地，所述第一金屬鍍層12、所述第二金屬鍍層13、所述第三金屬鍍層14及所述第四金屬鍍層15整體呈橫向對稱結構，進而方便不同結構的晶片貼裝與打線。

當所述陶瓷墊片10裝設在所述管座20後，所述第一金屬鍍層12位於所述雷射器正極管腳31與所述雷射器負極管腳32之間，所述第二金屬鍍層13位於所述MPD正極管腳33與所述MPD負極管腳34之間。其中所述主晶片17的正極與負極之一電性連接至所述第一金屬鍍層12，所述第一金屬鍍層12通過金屬導線40連接至所述雷射器正極管腳31與所述雷射器負極管腳32之一，所述主晶片17的正極與負極之另一通過金屬導線40連接至所述第四金屬鍍層15，所述第三金屬鍍層14通過金屬導線40連接至所述雷射器正極管腳31與所述雷射器負極管腳32之另一，所述MPD 18的正極與負極之一通過金屬導線40相應連接至所述MPD正極管腳33與所述MPD負極管腳34之一，所述MPD 18的正極與負極之另一電性連接至所述第二金屬鍍層13，所述第二金屬鍍層13通過金屬導線40連接至所述MPD正極管腳33與所述MPD負極管腳34之另一；優先地，所述第一金屬鍍層12連接所述雷射器負極管腳32與所述主晶片17的負極，所述第三金屬鍍層14連接至所述雷射器正極管腳31，所述第四金屬鍍層15連接至所述主晶片17的正極；具體地，當所述主晶片17的正極與負極均位於所述主晶片17的正面時(請參閱圖2)，所述主晶片17的正極與負極之一與所述第一金屬鍍層12通過金屬導線40連接，當所述主晶片17的正極與負極分別位於所述主晶片17的正面與反面時(請參閱圖3)，所述主晶片17的正極與負極之一位於所述主晶片17反面並與所述第一金屬鍍層12通過導電膠(優選為銀膠)連接，例如，當所述雷射器100為10G以內的Vcsel雷射器(垂直腔面發射雷射器)時，所述主晶片17的正極位於其正面，所述主晶片17的負極位於其反面，當所述雷射器100為14G或以上的Vcesl雷射器時，所述主晶片17的正極與負極均位於其正面；具體地，所述MPD 18的正極與負極分別設置在其正面與反面，所述MPD 18的正極與負極之另一位於所述MPD 18反面並通過導電膠(優選為銀膠)與所述第二金屬鍍層13連接。

與現有技術相比，本實用新型的所述陶瓷墊片10及所述雷射器100/100』通過所述金屬鍍層12、13、14、15的導通作用，有效縮短了晶片與管腳之間金屬導線的長度並使金屬導線的布局更加合理化，減少了高頻信號下產生的金屬導線間的幹擾及寄生電容電感等的影響，進而滿足高頻信號的傳輸要求。另外，通過所述金屬鍍層12、13、14、15的設置，使得所述陶瓷墊片10能適用晶片的正極與負極均設置在正面或分設在正面與反面的情況。

以上所揭露的僅為本實用新型的較佳實例而已，當然不能以此來限定本實用新型之權利範圍，因此依本實用新型申請專利範圍所作的等同變化，仍屬於本實用新型所涵蓋的範圍。