Ito銀漿走線的製作方法
2023-06-05 05:55:41 1
專利名稱：Ito銀漿走線的製作方法
技術領域：
本發明涉及觸控螢幕製造領域，更具體的說，是涉及一種ITO(銦錫氧化物半導體) 銀漿走線的製作方法。
背景技術：
目前，在傳統的觸控螢幕的設計過程中，觸控螢幕的下方一般都設置有一層透明特殊金屬導電物質，該金屬導電物質用於偵測用戶手指或觸點觸摸時的電容變化。該透明特殊金屬導電物質的材料主要為ITO(銦錫氧化物半導體)導電膜。在觸控螢幕的設計過程中，該ITO導電膜與收集信號並進行處理的電路相連，而該電路所佔的空間與觸控螢幕屏幕的邊框寬度具有直接關係，即其是構成限制觸控螢幕屏幕邊框的主要因素。因此，在當前要求觸控螢幕窄邊化設計，即要求邊框的設計越小越好的前提下， 需要製作更細的電路走線。但是，在現有技術中，對於與ITO導電膜連接的電路走線一般採用絲印技術進行。 針對觸控螢幕的ITO絲印走線的工藝流程僅為先進行產品進行絲印銀漿走線，然後再對絲印的銀漿走線進行固化，從而構成與ITO導電膜相連的電路。通過現有技術的方法，其所能達到的銀漿走線的寬度一般為50um(微米)，不能滿足觸控螢幕窄邊化設計的要求，無法降低觸控螢幕的邊框厚度或寬度，以及擺脫寬邊框的束縛，影響觸控螢幕的外觀。
發明內容
有鑑於此，本發明提供了一種ITO銀漿走線的製作方法，以克服現有技術中所採用的絲印走線方式無法降低銀漿走線的寬度，造成無法窄化或降低觸控螢幕邊框厚度的問題。為實現上述目的，本發明提供如下技術方案一種ITO銀漿走線的製作方法，包括絲印銀漿，在TIO上構成整片銀漿；固化所述絲印後的整片銀漿；對所述固化後的整片銀漿執行雷射幹刻，獲取銀漿走線。優選地，所述執行雷射幹刻，獲取預設寬度的銀漿走線的具體過程包括依據預設的銀漿走線圖示，利用雷射幹刻的高溫氣化多餘的銀漿；獲取對應所述銀漿走線圖示中銀漿走線。優選地，所述銀漿走線的寬度的範圍包括30微米 50微米；優選地，各個所述銀漿走線之間的間距的範圍包括30微米 50微米。優選地，所述銀漿走線的寬度為40微米；所述銀漿走線的間距為30微米。經由上述的技術方案可知，與現有技術相比，本發明公開了一種ITO銀漿走線的製作方法，通過使用絲印構成整片的銀漿後，再使用雷射幹刻製作出預設寬度的銀漿走線， 通過獲取較細的銀漿走線構成位於觸控螢幕屏幕邊框處的電路走線，能夠實現滿足觸控螢幕對於窄化邊框的要求，減小觸控螢幕邊框寬度或厚度的目的。
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。圖1為本發明實施例公開的一種ITO銀漿走線的製作方法的工藝流程圖；圖2為採用本發明實施例公開的方法製作的觸控螢幕的邊框寬度與現有技術中的觸控螢幕的邊框寬度對比圖示。
具體實施例方式為了引用和清楚起見，下文中使用的技術名詞的說明、簡寫或縮寫總結如下ITO 銦錫氧化物半導體。下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。由背景技術可知，現有技術直接採用絲印的方式進行銀漿走線的製作，其所能達到的銀漿走線的最窄的寬度一般為50um(微米)，不能滿足觸控螢幕窄邊化設計的要求，無法降低觸控螢幕的邊框厚度，以及擺脫寬邊框的束縛，影響觸控螢幕的外觀。因此，本發明公開了一種ITO銀漿走線的製作方式，通過使用絲印構成整片的銀漿後，再使用雷射幹刻製作出預設寬度的銀漿走線，通過獲取較細的銀漿走線構成位於觸控螢幕屏幕邊框處的電路走線，能夠實現滿足觸控螢幕對於窄化邊框的要求，減小觸控螢幕邊框寬度或厚度的目的。具體過程通過以下內容進行詳細說明。請參閱附圖1，為本發明公開一種ITO銀漿走線的製作方式的流程圖，主要包括以下步驟步驟SlOl，絲印銀漿，在TIO上構成整片銀漿。步驟S102，固化所述絲印後的整片銀漿。步驟S103，對所述固化後的整片銀漿執行雷射幹刻，獲取銀漿走線。執行上述步驟SlOl至步驟S103的過程中，首先採用絲印的方式，即絲網印刷的方式對銀漿進行處理，在TIO上構成整片的銀漿。所謂銀漿是指由高純度的(99.9%)金屬銀的微粒、粘合劑、溶劑、助劑所組成的一種機械混和物的粘稠狀的漿料。在執行步驟SlOl時，在TIO上採用絲印的方式構成整片的銀漿；然後，執行步驟 S102的固化過程，即在整片銀漿進行固化，使銀漿微粒形成緊密相連，實現所需性能的縮合或聚合過程；最後，再執行步驟S103，對固化後的整片銀漿進行雷射幹刻，獲取銀漿走線。其中，在執行步驟S103獲取預設寬度的銀漿走線的過程，主要是基於預設的銀漿走線圖示，即依據所要形成的銀漿走線的圖示，採用雷射幹刻的高溫方式，將整片固化後的所述銀漿上的多餘銀漿進行氣化處理，形成所需的圖形，即獲取預設對應所述銀漿走線圖示中銀漿走線。需要說明的是，在進行雷射幹刻的過程中，該雷射幹刻的相關參數主要與雷射能量、速度有關。對於本發明所公開的方法中並不對其進行具體的限定，只要符合對多餘銀漿進行氣化的要求即可。通過上述雷射幹刻整片固化後的銀漿，氣化多餘的銀漿，能夠獲取寬度在30um 50um之間的銀漿走線，並且，各個銀漿走線之間的間距也可以細化至30um 50um之間。此外，為滿足觸控螢幕窄化的要求，根據觸控螢幕具體要求的外框區域，可視區域以及操作區域進行預設的話。較優地情況下所述銀漿走線的寬度可以小於40微米。但是，本發明並不僅限於此。如圖2所示，為採用本發明上述實施例公開的方法製作的觸控螢幕的邊框寬度A與現有技術中的觸控螢幕的邊框寬度B對比圖示，其中A的寬度小於B的寬度。因此，採用本發明實施例公開ITO銀漿走線的製作方法，通過使用絲印構成整片的銀漿後，再使用雷射幹刻製作出預設寬度的銀漿走線，獲取較細的銀漿走線構成位於觸控螢幕屏幕邊框處的電路走線，能夠實現滿足觸控螢幕對於窄化邊框的要求，可以大大縮小觸控螢幕屏幕邊框，實現減小觸控螢幕屏幕邊框寬度或厚度的目的。上述對所公開的實施例的詳細說明，能夠使本技術領域的專業技術人員實現或使用本發明。對基於這些實施例的多種修改對本領域的專業技術人員來說將是顯而易見的， 本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，在其它實施例中實現。因此，本發明將不會被限制於本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的範圍。
權利要求
1.一種ITO銀漿走線的製作方法，其特徵在於，包括 絲印銀漿，在TIO上構成整片銀漿；固化所述絲印後的整片銀漿；對所述固化後的整片銀漿執行雷射幹刻，獲取銀漿走線。
2.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述執行雷射幹刻，獲取預設寬度的銀漿走線的具體過程包括依據預設的銀漿走線圖示，利用雷射幹刻的高溫氣化多餘的銀漿； 獲取對應所述銀漿走線圖示中銀漿走線。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特徵在於，所述銀漿走線的寬度的範圍包括30 微米 50微米。
4.根據權利要求3所述的方法，其特徵在於，各個所述銀漿走線之間的間距的範圍包括30微米 50微米。
5.根據權利要求1或2所述的方法，其特徵在於，所述銀漿走線的寬度為40微米；所述銀漿走線的間距為30微米。
全文摘要
本發明公開了一種ITO銀漿走線的製作方法，主要包括首先，絲印銀漿，在TIO上構成整片銀漿；然後再固化所述絲印後的整片銀漿；最後，對所述固化後的整片銀漿執行雷射幹刻，獲取預設寬度的銀漿走線。通過上述本發明公開的製作方法，在使用絲印構成整片的銀漿後，再使用雷射幹刻製作出預設寬度的銀漿走線，通過獲取較細的銀漿走線構成位於觸控螢幕屏幕邊框處的電路走線，能夠滿足觸控螢幕對於窄化邊框的要求，減小觸控螢幕邊框的寬度或厚度。
文檔編號G06F3/041GK102221936SQ20111020254
公開日2011年10月19日 申請日期2011年7月19日 優先權日2011年7月19日
發明者呂一帆, 蔡漢業 申請人:信利半導體有限公司