氧化物陶瓷濺射靶及其製備方法和所用的釺焊合金的製作方法

2023-06-05 14:18:36 2

專利名稱：氧化物陶瓷濺射靶及其製備方法和所用的釺焊合金的製作方法
技術領域：
本發明涉及磁控濺射靶的製備方法及濺射用陶瓷靶。具體涉及用含有Sn、Zn、In 的釺焊合金，以及採用這種釺料焊合金製備的濺射靶，以及這種濺射靶的製備方法。
背景技術：
目前，磁控濺射技術已成為工業化鍍膜製備各種功能薄膜及器件的常規手段。濺射鍍膜是由於荷能離子轟擊靶材的濺射效應，使靶面的原子(或原子團或分子)逸出後，沉積到基底上的過程。在濺射過程中，靶材受荷能離子轟擊吸收能量，其溫度會逐漸升高。為降低靶材的溫升，通常，將靶材與銅及其合金背板連接在一起，通過冷卻背板以降低靶材的溫升。在透明導電薄膜的製備中，採用氧化物燒結陶瓷靶濺射鍍膜的工藝性比採用金屬靶反應濺射鍍膜優越。靶材與銅背板的連接可通過耐熱導電樹脂膠或低熔點釺焊合金連接，其中最為常用的是純h或SnHn合金釺焊的方法。如JP特開平7-48667。但是，用純h或Sn-In合金釺焊的方法，有無法滿足透明導電玻璃大型化而要求靶材的大面積、高厚度化的問題。靶材面積大會因為自身翹曲從背板上剝落；靶材厚度增加使其熱阻變大，在較大靶功率密度的生產條件下，產生熱量堆積會使低熔點的純^或 Sn^n合金釺焊結合強度不夠，導致靶材剝落。此外，採用稀缺金屬h的含量均大於55%以上，存在著成本較高的問題。針對上述問題，CN 1880492A提出採用Sn-Si合金作為釺料連接靶材與背板，但是，該方法僅適合於連接以金屬或合金構成的靶材。對於陶瓷靶，由於陶瓷材料的配位鍵主要有離子鍵和共價鍵兩種，都非常穩定，很難被熔化的金屬所潤溼；此外，Sn-Si合金中的 Zn很容易被氧化，從而使合金的潤溼性下降。為提高靶材與背板連接時的潤溼性要求，可採用在靶材的連接面上濺射或蒸鍍Cu 或M-Cu合金膜的方法。但該方法因成膜設備較貴，致使生產成本高，同時工藝複雜，存在生產效率低下的問題。

發明內容
本發明的目的是要提供一種氧化物陶瓷濺射靶及其製備方法；本發明的另一個目的是提供氧化物陶瓷濺射靶製造過程中所採用的含Sn、ai和h的釺焊合金；本發明的第三個目的是提供一種氧化物陶瓷濺射靶的結構。本發明的目的是這樣實現的
一種氧化物陶瓷濺射靶用釺焊合金，用於連接靶材與Cu或Cu合金背板的釺焊合金組成為以重量百分比計Zn 3^8. 5%，In 4、％，其餘部分為Sn及無法去除的雜質。一種氧化物陶瓷濺射靶，在氧化物陶瓷靶材一側設有燒滲銀層，背板層通過釺焊合金層以及燒滲銀層與氧化物陶瓷靶材連接。
所述的氧化物陶瓷靶材為氧化物燒結陶瓷靶材。所述的氧化物燒結陶瓷靶材選用AZO靶材或ITO靶材。一種氧化物陶瓷濺射靶的製備方法，包括以下步驟
51準備氧化物陶瓷靶材、Cu或Cu合金背板以及權利要求1所述的Sn-Zn-h釺焊合
52在氧化物陶瓷靶材的連接面塗導電銀漿，燒滲銀層；
S3:經預燒滲銀層的靶材，通過使用有機溶劑等清洗脫脂，然後將其加熱到釺焊合金的熔點以上溫度，在其連接面塗上熔融狀態的釺焊合金，形成釺料層；
同時，對背板也同樣進行脫脂，並加熱到釺焊合金熔點以上的溫度；並也可在背板的連接面上，塗上熔融狀態的釺焊合金；
54對靶材與背板進行釺焊，將靶材與背板的連接面相對結合，施加壓力使之焊接；
55冷卻濺射靶組件，對濺射靶進行清理，完成氧化物陶瓷濺射靶製備。在S2步驟中，燒滲銀層時溫度控制在500 - 550°C。在S3步驟中，經預燒滲銀層的靶材，在其連接面塗上熔融狀態的釺焊合金，形成釺料層；以及，在背板的連接面上，塗上熔融狀態的釺焊合金時採用的是浸塗法或刮塗法。燒滲銀層以及釺料層所構成的連接層厚度在0. 1 - 2mm之間，優選0. 1 一 Imm之間。在步驟S4中靶材與背板進行施加焊接時採用壓力在0. 001 - 0. IMPa之間。陶瓷靶材的連接面預燒滲銀層的厚度控制在5(Γ200 μ m以內。本發明提供的氧化物陶瓷濺射靶，將以Sn為主要成分的含有特定含量的Si和^ 的三元系釺焊合金作為連接陶瓷靶材與Cu或Cu合金背板的連接材料，陶瓷靶材連接面中溫預燒滲極薄的銀過渡層，實施陶瓷靶材與Cu或Cu合金背板的連接，能夠低成本、高效率的生產，改善釺料潤溼性，提高靶材與銅背板的連接性能，實現穩定濺射的濺射靶。本發明的製造氧化物陶瓷濺射靶的方法，有效地實現了靶材與背板的連接，提高了靶的連接強度， 連接的抗剪強度達20MPa左右。在進行真空濺射時，能夠承受更大的靶功率密度靶功率密度可達8. 2W/cm2。


下面結合附圖和實施例對本發明作進一步說明。圖1為本發明所述靶材預燒滲銀層的工藝溫度曲線圖。圖2為本發明所述靶材與背板的釺焊方法的具體實施方式
流程圖。圖3至圖4本發明所述靶材與背板進行釺焊的實施示意圖。圖5是本發明得到的靶材結構圖。
具體實施例方式一、氧化物陶瓷濺射靶用釺焊合金
本發明的釺焊合金是在濺射靶製造時用於連接靶材與Cu或Cu合金背板的連接材料， 以質量百分比計 含量為3、. 5%，In含量為4 8%，其餘部分為Sn及無法去除的雜質。所述無法去除的雜質是指合金中所含的無法清除的、微量的，除Zn、In、Sn以外的其它元素。即本發明的釺焊合金實際上是以Sn、Zn與h構成。該釺焊合金中的含Si量在Sn-ai合金的亞共晶成分範圍，使焊料的熔點適當升高 (Sn-Zn共晶熔點為199°C )，並可減少焊接合金中Sn與背板中的Cu的反應，顯著降低Cu或 Cu合金背板的腐蝕。該焊接合金中Si含量若超過上述下限值將使合金的熔點上升較大，不利於釺焊的工藝性；另一方面，該焊接合金中Si含量若超過上述上限值，則容易生成Si的氧化物，釺焊工藝性下降，影響靶的結合強度。該釺焊合金中的含h量在上述特定範圍，所以能夠適當的降低焊料的熔點，增加焊料的潤溼性，提高濺射靶的結合強度。該焊接合金中^含量若超過上述下限值對合金的潤溼性的增加不顯著，濺射靶結合強度提高不明顯；另一方面，該焊接合金中^含量若超過上述上限值，則會使焊料的熔點下降過大，同時使Si在Sn基中的固溶度降低，容易生成 ai的氧化物，釺焊工藝性下降，影響靶的結合強度。上述釺焊合金的熔點優選為20(T220°C。當合金熔點超過220°C時，釺焊合金與背板的氧化加劇，釺焊的工藝性下降，濺射靶的結合強度有降低的危險，從而會影響生產效率及成品率。將本發明的釺焊合金製造成上述成分的上述含量時，可使用已有方法進行計量、 添加、攪拌、混合、加熱、熔融、冷卻等手段獲得，對其製造方法無特殊限制。二、燒滲銀層的方法
技術領域：
本發明中在陶瓷靶材的連接面預燒滲銀層，使靶材連接面預金屬化，增加釺焊合金對靶材連接面的潤溼性，能夠提高濺射靶的結合強度。本發明中在陶瓷靶材的連接面預燒滲銀層，採用中溫導電銀漿，燒滲溫度控制在 500 - 550°C，避免過高的溫度使靶材燒結體的內部組織與成分分布發生不利的轉變。本發明中在陶瓷靶材的連接面塗導電銀漿，可採用周知的刷塗、浸漬、絲網印刷等方法，待銀漿晾乾後，進行燒銀，燒銀工藝溫度嚴格控制如圖1所示。本發明中在陶瓷靶材的連接面預燒滲銀層的厚度優先控制在5(Γ200 μ m以內。連接面銀層厚度若超過上述上下限值，濺射靶的結合強度有降低的危險。三、濺射靶的製造方法
技術領域：
本發明的濺射靶是採用通常的方法，通過本發明的釺焊合金所形成的釺料連接層，連接預燒銀層的陶瓷靶材與Cu或Cu合金背板而獲得。此情況下，對可使用的靶材優先採用氧化物陶瓷靶材，例如AZ0、ITO等。對可使用的背板的材質優先採用導熱率高的Cu或Cu合金。且，這些靶材和背板的自身形狀並無特殊限制，只要其連接面實質性的平行即可。 為提高濺射靶的結合強度，可根據需要對靶材和背板的連接面進行粗化處理。經預燒滲銀層的靶材，通過使用有機溶劑等清洗脫脂，然後將其加熱到釺焊合金的熔點以上溫度，用浸塗法、刮塗法在其連接面塗上熔融狀態的釺焊合金，形成釺料層，同時，對背板也同樣進行脫脂，並加熱到釺焊合金熔點以上的溫度。然後，再將靶材與背板的連接面相對結合，施加壓力使之焊接，製造濺射靶。加壓時，對壓力大小無特殊限制，通常為 0. 00Γ0. IMPa即可。若需要，在實施焊接之前，也可用浸塗法、刮塗法對背板連接面塗上熔融狀態的釺焊合金。如上所述得到的濺射靶的釺料連接層，考慮降低內應力，提高結合強度，其厚度通常應在2mm以下，優選為0.廣1mm。下面結合附圖對本發明的具體實施步驟做必要的說明。參考圖2，本發明實施一種濺射靶的製造，包括如下步驟
步驟Si，提供氧化物陶瓷靶材、Cu或Cu合金背板和Sn-Zn-h釺焊合金。如圖3所示， 靶材和背板的自身形狀並無特殊限制，只要其連接面實質性的平行即可。對可使用的靶材優先採用氧化物陶瓷靶材，例如ΑΖ0、ΙΤ0等。對可使用的背板的材質優先採用導熱率高的 Cu或Cu合金。步驟S2，氧化物陶瓷靶材的連接面塗導電銀漿，中溫500 - 550°C，燒滲銀層，如圖 4所示。步驟S3，經預燒滲銀層的靶材，通過使用有機溶劑等清洗脫脂，然後將其加熱到釺焊合金的熔點以上溫度，用浸塗法、刮塗法在其連接面塗上熔融狀態的釺焊合金，形成釺料層；同時，對背板也同樣進行脫脂，並加熱到釺焊合金熔點以上的溫度；並也可在背板的連接面上，採用上述方法塗上熔融狀態的釺焊合金。步驟S4,對靶材與背板進行釺焊，將靶材與背板的連接面相對結合，施加壓力使之焊接，如圖5所示。步驟S5，冷卻濺射靶組件，對濺射靶進行清理。以下將根據實施例對本發明進行更具體的說明，但本發明並不限定於以下的實施例。實施例一
尺寸為120mmX IOOmmX IOmm的AZO陶瓷靶材，靶材相對密度為99%，對靶材連接面用 100#砂紙打磨，再進行清洗脫脂、烘乾。然後，在靶材連接面上刷塗導電銀漿，烘乾後在燒滲爐中550°C燒滲銀層，燒滲工藝如圖1，銀層厚度控制在100 μ m左右。然後，對這些預燒滲銀層的靶材進行清理後，在加熱板上加熱，保持在260°C。Cu 或Cu合金背板同樣加熱並保持在260°C。用原料Sn (純度 99. 99%)、Zn (純度 99. 99%)、In (純度 99. 99%)調製了 Sn-Zn-In 三元釺焊合金，釺焊合金是其中Sn、Si和h以質量百分計分別Sn :87. 5,Zn :6. 5,Ιη 6的合金組成物。將釺焊合金加熱熔融，採用刮塗法均勻地塗布在靶材連接面上。在背板上設置直徑0. 5mm的鎳線，再將靶材與背板結合，使釺料層厚度調整到0. 5mm。將其自然冷卻到室溫並獲得靶。把這樣獲得的靶設置在真空濺射裝置中，在抽真空後並在輸入氬氣或氧氣的情況下，加大濺射功率，靶功率密度在8. 2ff/cm2的條件下，進行濺射30分鐘，沒有發現此濺射靶開裂、剝落等情況。採用上述工藝方法製備壓剪試樣，進行剪切試驗，測得連接的抗剪強度平均為 20.5MPa。實施例二
尺寸為120mmX IOOmmX IOmm的AZO陶瓷靶材，靶材相對密度為95%，對靶材連接面用 100#砂紙打磨，再進行清洗脫脂、烘乾。然後，在靶材連接面上刷塗導電銀漿，烘乾後在燒滲爐中540 V燒滲銀層，燒滲工藝如圖1，銀層厚度控制在150 μ m左右。
然後，對這些預燒滲銀層的靶材進行清理後，在加熱板上加熱，保持在260°C。Cu 或Cu合金背板同樣加熱並保持在260°C。用原料Sn (純度 99. 99%)、Zn (純度 99. 99%)、In (純度 99. 99%)調製了 Sn-Zn-In 三元釺焊合金，釺焊合金是其中Sn、Si和h以質量百分計分別Sn :87,Zn :6、In :7的合金組合物。將釺焊合金加熱熔融，採用刮塗法均勻地塗布在靶材連接面上。在背板上設置直徑0. 5mm的鎳線，再將靶材與背板結合，使釺料層厚度調整到0. 5mm。將其自然冷卻到室溫並獲得靶。把這樣獲得的靶設置在真空濺射裝置中，在抽真空後並在輸入氬氣或氧氣的情況下，加大濺射功率，靶功率密度在8. 2ff/cm2的條件下，濺射30分鐘，沒有發現此濺射靶開裂、剝落等情況。採用上述工藝方法製備壓剪試樣，進行剪切試驗，測得連接的抗剪強度平均為 20. OMPa。實施例三
尺寸為120mmX IOOmmX IOmm的AZO陶瓷靶材，靶材相對密度為99%，對靶材連接面用 300#砂紙打磨，再進行清洗脫脂、烘乾。然後，在靶材連接面上絲網印刷導電銀漿，烘乾後在燒滲爐中530°C燒滲銀層，燒滲工藝如圖1，銀層厚度控制在60 μ m左右。然後，對這些預燒滲銀層的靶材進行清理後，在加熱板上加熱，保持在260°C。Cu 或Cu合金背板同樣加熱並保持在260°C。用原料Sn (純度 99. 99%)、Zn (純度 99. 99%)、In (純度 99. 99%)調製了 Sn-Zn-In 三元釺焊合金，釺焊合金是其中Sn、Si和h以質量百分計分別Sn :87. 5,Zn :4. 5,Ιη 8的合金組成物。將釺焊合金加熱熔融，採用塗布的方法均勻地塗布在靶材連接面上。在背板上設置直徑0. 5mm的鎳線，再將靶材與背板結合，使釺料層厚度調整到0. 5mm。將其自然冷卻到室溫並獲得靶。把這樣獲得的靶設置在真空濺射裝置中，在抽真空後並在輸入氬氣或氧氣的情況下，加大濺射功率，靶功率密度在8. 2ff/cm2的條件下，進行濺射30分鐘，沒有發現此濺射靶開裂、剝落等情況。採用上述工藝方法製備壓剪試樣，進行剪切試驗，測得連接的抗剪強度平均為 20.3MPa。實施例四
尺寸為120mmX IOOmmX IOmm的AZO陶瓷靶材，靶材相對密度為95%，對靶材連接面用 100#砂紙打磨，再進行清洗脫脂、烘乾。然後，在靶材連接面上刷塗導電銀漿，烘乾後在燒滲爐中500°C燒滲銀層，燒滲工藝如圖1，銀層厚度控制在100 μ m左右。然後，對這些預燒滲銀層的靶材進行清理後，在加熱板上加熱，保持在260°C。Cu 或Cu合金背板同樣加熱並保持在260°C。用原料Sn (純度 99. 99%)、Zn (純度 99. 99%)、In (純度 99. 99%)調製了 Sn-Zn-In 三元釺焊合金，釺焊合金是其中Sn、Zn和h以質量百分計分別Sn :88、Zn :8. 5、h :4。將釺焊合金加熱熔融，採用刮塗法均勻地塗布在靶材連接面上。在背板上設置直徑0. 5mm的鎳線，再將靶材與背板結合，使釺料層厚度調整到0. 5mm。將其自然冷卻到室溫並獲得靶。把這樣獲得的靶設置在真空濺射裝置中，在抽真空後並在輸入氬氣或氧氣的情況下，加大濺射功率，靶功率密度在8. 2ff/cm2的條件下，進行濺射30分鐘，沒有發現此濺射靶開裂、剝落等情況。採用上述工藝方法製備壓剪試樣，進行剪切試驗，測得連接的抗剪強度平均為 19.8MPa。實施例五
尺寸為120mmX IOOmmX IOmm的ITO陶瓷靶材，靶材相對密度為99%，對靶材連接面用 200#砂紙打磨，再進行清洗脫脂、烘乾。然後，在靶材連接面上刷塗導電銀漿，烘乾後在燒滲爐中520°C燒滲銀層，燒滲工藝如圖1，銀層厚度控制在100 μ m左右。然後，對這些預燒滲銀層的靶材進行清理後，在加熱板上加熱，保持在260°C。Cu 或Cu合金背板同樣加熱並保持在260°C。用原料Sn (純度 99. 99%)、Zn (純度 99. 99%)、In (純度 99. 99%)調製了 Sn-Zn-In 三元釺焊合金，釺焊合金是其中Sn、Si和h以質量百分計分別Sn :88,Zn :6、In :6的合金組成物。將釺焊合金加熱熔融，採用塗布的方法均勻地塗布在靶材連接面上。在背板上設置直徑0. 5mm的鎳線，再將靶材與背板結合，使釺料層厚度調整到0. 5mm。其上放置3kg重石加壓後，將其自然冷卻到室溫並獲得靶。把這樣獲得的靶設置在真空濺射裝置中，在抽真空後並在輸入氬氣或氧氣的情況下，加大濺射功率，靶功率密度在8. 2ff/cm2的條件下，進行濺射30分鐘，沒有發現此濺射靶開裂、剝落等情況。採用上述工藝方法製備壓剪試樣，進行剪切試驗，測得連接的抗剪強度平均為 20.5MPa。比較例一
尺寸為120mmX IOOmmX IOmm的AZO陶瓷靶材，靶材相對密度為95%，對靶材連接面用 100#砂紙打磨，再進行清洗脫脂、烘乾。然後，在靶材連接面上刷塗導電銀漿，烘乾後在燒滲爐中540°C燒滲銀層，燒滲工藝如圖1，銀層厚度控制在100 μ m左右。然後，對這些預燒滲銀層的靶材進行清理後，在加熱板上加熱，保持在190°C。Cu 或Cu合金背板同樣加熱並保持在190°C。用原料Sn (純度99. 99%)、In (純度99. 99%)調製了 Sn-In 二元釺焊合金，釺焊合金是其中Sn/In的質量比為45/55的合金組成物。將釺焊合金加熱熔融，採用刮塗法均勻地塗布在靶材連接面上。在背板上設置直徑0. 5mm的鎳線，再將靶材與背板結合，使釺料層厚度調整到0. 5mm。將其自然冷卻到室溫並獲得靶。把這樣獲得的靶設置在真空濺射裝置中，在抽真空後並在輸入氬氣或氧氣的情況下，加大濺射功率，最大靶功率密度在4. 2ff/cm2的條件下，濺射30分鐘，發現此濺射靶出現剝落等情況。採用上述工藝方法製備壓剪試樣，進行剪切試驗，測得連接的抗剪強度平均為9.8MPa。本發明雖然以較佳實施例公開如上，但其並不是用來限制本發明，任何本領域技術人員在不脫離本發明的精神和範圍內，都可以做出可能的變動和修改，因此本發明的保護範圍應當以本發明權利要求所界定的範圍為準。本發明的製造氧化物陶瓷濺射靶的方法，有效地實現了靶材與背板的連接，提高了靶的連接強度。在進行真空濺射時，能夠承受更大的靶功率密度。四、所得到的氧化物陶瓷濺射靶
在氧化物陶瓷靶材10 —側設有燒滲銀層11，背板層20通過釺焊合金層30以及燒滲銀層11與氧化物陶瓷靶材10連接。本發明雖然以較佳實施例公開如上，但其並不是用來限制本發明，任何本領域技術人員在不脫離本發明的精神和範圍內，都可以做出可能的變動和修改，因此本發明的保護範圍應當以本發明權利要求所界定的範圍為準。本發明的製造氧化物陶瓷濺射靶的方法，有效地實現了靶材與背板的連接，提高了靶的連接強度。在進行真空濺射時，能夠承受更大的靶功率密度。
權利要求
1.一種氧化物陶瓷濺射靶用釺焊合金，其特徵在於用於連接靶材與Cu或Cu合金背板的釺焊合金組成為以重量百分比計Zn 3^8. 5%，In 4、％，其餘部分為Sn及無法去除的雜質。
2.一種氧化物陶瓷濺射靶，其特徵在於在氧化物陶瓷靶材(10) —側設有燒滲銀層 (11)，背板層(20 )通過釺焊合金層(30 )以及燒滲銀層(11)與氧化物陶瓷靶材(10 )連接。
3.根據權利要求2所述的氧化物陶瓷濺射靶，其特徵在於所述的氧化物陶瓷靶材為氧化物燒結陶瓷靶材。
4.根據權利要求3所述的氧化物陶瓷濺射靶用焊接合金，其特徵在於所述的氧化物燒結陶瓷靶材選用AZO靶材或ITO靶材。
5.一種氧化物陶瓷濺射靶的製備方法，其特徵在於包括以下步驟51準備氧化物陶瓷靶材、Cu或Cu合金背板以及權利要求1所述的Sn-Zn-h釺焊合52在氧化物陶瓷靶材的連接面塗導電銀漿，燒滲銀層；53經預燒滲銀層的靶材，通過使用有機溶劑等清洗脫脂，然後將其加熱到釺焊合金的熔點以上溫度，在其連接面塗上熔融狀態的釺焊合金，形成釺料層；同時，對背板也同樣進行脫脂，並加熱到釺焊合金熔點以上的溫度；並也可在背板的連接面上，塗上熔融狀態的釺焊合金；54對靶材與背板進行釺焊，將靶材與背板的連接面相對結合，施加壓力使之焊接；55冷卻濺射靶組件，對濺射靶進行清理，完成氧化物陶瓷濺射靶製備。
6.根據權利要求5所述的氧化物陶瓷濺射靶的製備方法，其特徵在於在S2步驟中， 燒滲銀層時溫度控制在500 - 550°C。
7.根據權利要求5所述的氧化物陶瓷濺射靶的製備方法，其特徵在於在S3步驟中， 經預燒滲銀層的靶材，在其連接面塗上熔融狀態的釺焊合金，形成釺料層；以及，在背板的連接面上，塗上熔融狀態的釺焊合金時採用的是浸塗法或刮塗法。
8.根據權利要求5所述的氧化物陶瓷濺射靶的製備方法，其特徵在於燒滲銀層以及釺料層所構成的連接層厚度在0. 1 - 2mm之間，優選0. 1 一 Imm之間。
9.根據權利要求5所述的氧化物陶瓷濺射靶的製備方法，其特徵在於在步驟S4中靶材與背板進行施加焊接時採用壓力在0. 001 - 0. IMPa之間。
10.根據權利要求5所述的氧化物陶瓷濺射靶的製備方法，其特徵在於陶瓷靶材的連接面預燒滲銀層的厚度控制在5(Γ200μπι以內。
全文摘要
一種氧化物陶瓷濺射靶及其製備方法和所用的釺焊合金，將以Sn為主要成分的含有特定含量的Zn和In的三元系釺焊合金作為連接陶瓷靶材與Cu或Cu合金背板的連接材料，陶瓷靶材連接面中溫預燒滲極薄的銀過渡層，實施陶瓷靶材與Cu或Cu合金背板的連接，能夠低成本、高效率的生產，改善釺料潤溼性，提高靶材與同背板的連接性能，實現穩定濺射的濺射靶。本發明的製造氧化物陶瓷濺射靶的方法，有效地實現了靶材與背板的連接，提高了靶的連接強度，連接的抗剪強度達20MPa左右，在進行真空濺射時，能夠承受更大的靶功率密度，靶功率密度可達8.2W/cm2。
文檔編號B23K1/19GK102409300SQ20111026289
公開日2012年4月11日 申請日期2011年9月7日 優先權日2011年9月7日
發明者呂鑫, 孫宜華 申請人:三峽大學, 孫宜華, 湖北三峽新型建材股份有限公司