用於離子源的發射器及其生產方法
2023-06-05 05:29:06
專利名稱：用於離子源的發射器及其生產方法
技術領域：
本發明涉及用於離子源的發射器，特別是用於液態金屬離子源(LMIS)或液態金屬合金離子源(LMAIS)的發射器。本發明還涉及生產這樣的發射器的方法。
背景技術：
聚焦離子束(FIB)技術是用於半導體工業的重要工具。聚焦離子束用於失效分析、透射電子顯微鏡試樣製備以及對電路和掩模的修改。FIB微納米製造可以用於降低傳統製造技術(特別是光刻、刻蝕和注入)中所需的複雜性，所述複雜性必需滿足在同一襯底上製造不同元件的各種要求。
FIB技術的成功應當分別歸功於液態金屬離子源(LMIS)和液態金屬合金離子源(LMAIS)。下文中，僅對LMIS或僅對LMAIS的分別引用也應當理解為對另一種離子源的引用，除非明顯只表示LMIS或LMAIS之一。現有三種LMIS基本設計，即針式發射器、毛細管式發射器和多孔發射器。圖8中示出了針式發射器和毛細管式發射器的示意圖以便進行對比。
在針式發射器中，將通常由W、Ta、Ti或Ni製成的微小髮夾(針尖)和燈絲用作發射器(參見圖7的左側)。用液態金屬源材料浸溼發射器並裝載到其中以提供液態金屬貯器。為了浸溼液態金屬源，必需以液體形式提供源材料。為此可以使用電阻加熱器或電子束加熱器。然後，在高真空下(約10-7Torr)將發射器浸入加熱的液態金屬中。在工作時，向燈絲供給電流從而使之受到電阻式加熱。被加熱的液態金屬向針尖流動。然後在針尖與引出電極之間施加高電壓。由於針尖處的電場強度很高，液體源材料更小的尖端形成所謂的泰勒錐(Taylor cone)，從泰勒錐發射離子。從而由源材料產生穩定的離子束。顯然，針尖的尖端應當形成發射器的最熱點，以使液態金屬離子基本產生於尖端處。
下面將參考圖8A和圖8B對針式發射器進行更詳細的說明。圖8A和圖8B是現有技術的針式液態金屬離子源的示意圖。發射器包括針尖10、燈絲11和支撐物50。通常，支撐物50安裝到陶瓷基座並為燈絲11提供電端子。燈絲11在兩個支撐物之間延伸並具有類似弧形的形狀。針尖10在弧形的頂點處連到燈絲11。如圖8B所示，針尖10通過焊接技術例如電點焊(electrical spot-welding)連到燈絲11，以形成焊點15。因此，對針尖10的加熱只是間接進行的，熱量必需由燈絲11經過焊點16傳遞到針尖10。因此不能確保針尖10的尖端確實是發射器的最熱部分。這樣可能降低發射器的效率。此外，必需對針尖10的貯器部分額外加熱，以使液態金屬材料從貯器蒸發。這樣，縮短了離子源的壽命，並增加了試樣和離子束裝置的汙染。
已知的第二類LMIS是毛細管式或貯器式發射器。毛細管式發射器的示例示於圖7的右側以及圖9中。對於毛細管式設計，發射器模塊10由帶有小型源金屬貯器30的兩個金屬板組成。每個板的一側精確地加工有尖銳的刃口。薄層材料濺射沉積到兩個板之一的其他三個側面作為隔離器；當將兩個發射器半部夾緊時，兩個刃口之間留下約1μm的狹縫17。此外，設有加熱器40用於加熱源材料以使之處於液態。液態源材料流經這個微型通道17，在狹縫17的出口處形成曲率半徑在1μm量級的自由表面。在發射器與直接位於其前方的引出電極之間施加電位差，在其產生的強電場作用下，由於靜電力和表面張力的共同效果，液態金屬的自由表面接近局部不穩定性條件。產生了凸出的尖端即泰勒錐。當電場達到約109V/m的值時，尖端處的原子發生自然電離，由電場釋放出具有推力的離子噴射，從尖端蒸發的原子被電離，而電子被液態金屬堆由隧道效應丟棄。
但是，這種毛細管式發射器的結構及其製造都比較複雜。此外，毛細管式發射器需要很高的加熱電流。
因此，希望提供一種用於液態金屬離子源或液態金屬合金離子源的改進的發射器。
發明內容
考慮到上述原因，本發明提供了一種用於液態金屬離子源的發射器，它包括導線，所述導線包括基本彎曲的部分和表面，其中至少部分導線表面在所述基本彎曲的部分處變尖以形成發射器尖端。此外，還提供了製造用於液態金屬離子源的發射器的方法，所述方法包括提供導線的步驟，以及將導線的部分表面變尖以形成發射器尖端的步驟。
根據從屬權利要求、說明書和附圖將明白本發明的更多優點、特徵、方面和細節。
根據本發明的第一方面，提供了一種用於液態金屬離子源的發射器。在本文中，應當理解，術語液態金屬離子源包括液態金屬離子源和液態金屬合金離子源。此外，發射器包括具有基本彎曲的部分的導線。通常，這個基本彎曲的部分是U形或V形，並可以通過彎曲導線來形成。在本文中，導線應當理解為細長的導電元件，特別是由例如鎢、鉭、鈦或鎳的金屬製成的。此外，導線在U形或V形的基本彎曲的部分的尖端一側變尖，使至少部分導線表面是削尖的。這樣，在U形或V形的基本彎曲的部分的尖端一側形成發射器尖端。
上述發射器具有簡單的結構，特別是與毛細管式發射器相比，因為它大體上只包括適當成形的導線。因此，上述發射器形成了一種可以稱為無針發射器的新型LMIS或LMAIS。換句話說，通過上述發射器的設計不必進行將針尖焊接到燈絲的操作，並從而克服了與此相關的問題。特別是，上述發射器具有改善的溫度分布，因為發射器尖端是導線的一部分並因此受到了直接加熱。從而可以防止源材料從貯器的不期望的蒸發，並從而提高了發射器的壽命並減少了對離子束裝置和試樣的汙染。此外，可以加熱發射器的尖端，使得已經形成於導線表面上的腐蝕層能夠在使用發射器之前蒸發。此外，具有上述特性的發射器特別適合於具有高熔點的源材料。由於這種發射器的溫度分布，減少了這些具有高熔點的材料帶來的加熱問題。根據另一個方面，發射器的具體設計還使發射器可以裝載具有較差浸溼性的合金。上述發射器具有朝向發射器尖端連續平穩升高的溫度分布。由於這種溫度分布，發射器甚至可以裝載具有較差浸溼性的合金，例如In-Ga、Pb-Sn、Er-FeNiCr、Pr-Si。
根據另一種實施例，導線的尖端一側變尖的部分形成非對稱的錐形。開口或錐角通常在從50°到130°的範圍內。更通常使用的是90°到110°的錐角，其中98°的錐角對應於泰勒錐的理論值。如果發射器尖端選用上述範圍內的錐角，則有助於或便於形成泰勒錐。
根據本發明的另一種實施例，變尖部分中的導線寬度小於變尖部分外部的導線寬度。這樣，變尖部分中導線的電阻高於導線其餘部分。結果，導線在變尖部分更熱，從而確保了導線的變尖部分(即發射器尖端)是發射器的最熱部分。這進一步提高了發射器的壽命並進一步減少了從貯器蒸發的源材料造成的汙染。
根據另一種實施例，導線表面上至少在部分變尖部分處形成有微通道。通常，這些微通道以例如纏繞、彎曲或扭曲的方式朝向發射器尖端的尖端一側延伸。這提高了離子束的穩定性，因為微通道將源材料即液態金屬或液態金屬合金從貯器導向發射器尖端。在工作過程中，液態金屬或液態金屬合金從貯器經過微通道流入發射器尖端處形成的泰勒錐。
根據本發明的另一種實施例，發射器具有用於保持源材料(即液態金屬或液態金屬合金)的貯器。通常，貯器形成於U形或V形的基本彎曲部分的兩支之間。
根據另一種實施例，導線的兩支之間的角ξ在1°≤ξ≤25°範圍內。選自此範圍內的角ξ便於用源材料135浸溼貯器部分130並裝載到其中。此外，兩支可以形成為彼此基本相同並關於發射器尖端對稱布置。特別是，兩支可以具有相同的長度、厚度和外部形狀。如果兩支基本相同，則發射器尖端不會由於各支部分的熱膨脹而產生橫向偏移，因為一個支部分的熱膨脹由相反支部分的熱膨脹彌補了。因此，兩支部分的熱膨脹只會使發射器尖端沿光軸移動。
根據本發明的另一種實施例，提供了一種液態金屬離子源。液態金屬離子源包括導線，導線包括基本彎曲的部分和表面，其中至少部分導線表面在所述基本彎曲的部分處變尖以形成發射器尖端，其中發射器的貯器部分包括液態金屬；以及用於從發射器引出離子的引出電極。
根據本發明的另一個方面，提供了一種用於製造液態金屬離子源或液態金屬合金離子源所用發射器的方法。該方法包括提供導線的步驟和將導線在基本彎曲的部分中的部分變尖的步驟。這樣，在導線的基本彎曲的部分的尖端處形成發射器尖端。通常，導線是通過對導線表面的模製、磨削或刻蝕變尖的。但是，其他合適的方法也可以用於在基本彎曲的部分的尖端一側產生變尖的部分。
根據本發明的另一個方面，提供了一種用於產生離子束的方法。此方法包括下列步驟在帶電粒子束裝置中提供具有發射器的液態金屬離子源，所述發射器包括導線，所述導線包括基本彎曲的部分和表面；其中至少部分導線表面在所述基本彎曲的部分處變尖以形成發射器尖端，其中發射器的貯器部分包括液態金屬、以及用於從發射器釋放離子的引出電極，向所述導線施加電流，並在所述液態金屬與所述引出電極之間施加電壓以從所述液態金屬釋放離子產生離子束。
下面的說明書中將參考附圖對本發明的上述某些方面和其他更具體的方面進行說明並給出部分示例。其中圖1示出了根據本發明一種實施例的發射器。
圖2示出了根據本發明一種實施例的發射器尖端的放大圖。
圖3示出了根據本發明一種實施例的發射器的製造方法的步驟。
圖4示出了根據本發明一種實施例的發射器的另一製造方法的步驟。
圖5A到圖5C示出了對根據本發明一種實施例的發射器進行裝載的方法的步驟。
圖6是使用了根據本發明一種實施例的發射器的液態金屬離子源的示意圖。
圖7是示出根據現有技術的液態金屬離子源的示意圖。
圖8A和圖8B是根據現有技術的針式液態金屬離子源的示意圖。
圖9是根據現有技術的毛細管式液態金屬離子源的示意圖。
具體實施例方式
現在將要具體涉及到本發明的各種實施例，附圖中圖示了這些實施例中的一個或多個示例。每個示例是為了對本發明進行說明而提供的，不意味著對本發明的限制。例如，作為一種實施例的一部分而圖示或說明的特徵可以用在其他實施例上或與之結合從而產生另外的實施例。本發明意在包括這些改變和變化。
圖1的左側示出了根據本發明一種實施例的發射器100。發射器100包括基本上以彎曲方式延伸的金屬導線110，所述彎曲方式使導線110具有基本上U形或V形的部分115。通常，導線110由鎢、鉭、鈦或鎳製成。導線110在V形部分115處變尖以形成變尖的部分125。通常，變尖的部分125通過例如模製、磨削、刻蝕或微加工形成於導線110的外表面120處。除了V形部分115，導線110還包括可以安裝到支撐物(未示出)的燈絲部分140、145。通常，這些支撐物也作為導線110所用的電端子，以便可以將電流施加到發射器100。用於保持一定量源材料(即液態金屬或液態金屬合金)的貯器部分130形成於V形部分的左支140與右支145之間。
圖1的右側示出了V形部分115的放大視圖。其中示出了發射器的裝載情況，即源材料135位於貯器部分130中。通常，貯器部分的體積為5mm3或更小，例如在1mm3和5mm3之間。因此，貯器部分適於保持的源材料135的量相當於多達5mm3。此外，錐角φ在50°≤φ≤130°的範圍內，通常在90°≤φ≤110°範圍內。在圖1所示的具體實施例中，錐角φ等於98°，因為98°是泰勒錐的理論值。這樣便於在發射器工作期間由液態金屬或液態金屬合金形成泰勒錐。圖1還示出了另一個角ξ。這個角度ξ由燈絲部分140、145之間的角度限定。應當明白，角ξ是個近似或平均的角度，因為燈絲140、145可以具有一定的曲率。此外，應當明白，角ξ只限定於相當接近發射器尖端(即變尖的部分125)的區域中，因為燈絲部分140、145可以橫向彎曲以便將燈絲部分140、145固定到各個支撐物(未示出)。通常，角ξ在1°≤ξ≤25°範圍內。選自此範圍內的角ξ便於用源材料135浸溼貯器部分130並裝載到其中。
由圖1的右側，另一個明顯的特徵是變尖的部分125內部導線的寬度W小於變尖的部分125以外導線部分的寬度。由於變尖的部分125內部導線的截面縮小，變尖的部分125內部的電阻高於導線110的其餘部分。當電流施加到導線110時，變尖的部分125和發射器尖端因此加熱到超過導線的其餘部分。因此，發射器尖端成為導線110的最熱部分，從而在發射器上獲得幾乎理想的溫度分布。由於改善了發射器的溫度分布，從貯器蒸發的源材料減至最少，從而增加了發射器的壽命並減少了蒸發的源材料對離子源裝置和試樣的汙染。
圖2示出根據本發明另一種實施例的發射器尖端的放大圖。其中，導線110表面上在貯器部分130與變尖的部分125的尖端一側之間設有微通道127。微通道127從貯器部分130向發射器尖端一側圍繞變尖的部分125纏繞。在發射器工作期間，微通道127便於液態金屬或液態金屬合金135朝向尖端一側形成的泰勒錐流動。這樣，實現了源材料穩定流入泰勒錐，提高了離子束的穩定性。
接下來將參考圖3對製造這樣的發射器進行說明。圖3示出了用於形成變尖的部分125的工具的截面圖。該工具包括具有凹陷210的模具200，凹陷210形成與期望的發射器尖端相反的形狀。此外，該工具包括適於裝入凹陷210中的衝模250。通過在模具100上設置導線110形成變尖的部分125。通過例如嚮導線110施加電流來加熱導線110，使導線材料變軟，可以模製。然後，將衝模250向下壓到導線110上並將可以模製的導線材料壓入凹陷210中。這樣，導線材料呈現出凹陷210的形狀，並在導線表面上形成變尖的部分125。此外，衝模250可以向下壓到從凹陷210推開導線材料的程度。結果，這樣產生的變尖的部分125的寬度小於導線110的其餘部分。
現在參考圖4對根據本發明製造發射器的另一種方法進行說明。其中，將導線110彎曲使之基本為U形或V形。將導線110夾在車床的卡盤400中。車床卡盤400具有旋轉軸AL，導線110沿軸線精確放置。因此，當導線110圍繞軸線AL以轉速ω1旋轉時，不發生橫向彎曲，即垂直於旋轉軸AL的彎曲。此外，設置磨床300對導線110的U形或V形部分進行磨削。研磨輪320安裝到磨床300的軸310上。軸310和研磨輪320可以圍繞軸線AG以轉速ω2旋轉。
為了在導線110的尖端產生變尖的部分125，車床卡盤400、導線110和研磨輪320分別以轉速ω1和ω2旋轉。之後，研磨輪320的表面325與導線110的外表面在將要變尖的部分125處接觸。通過磨削去除導線110的表面材料，使得導線110的外表面在U形或V形部分處變尖。這樣，沿旋轉軸AL看去，導線110的尖端是錐形。但是，由於彎曲導線的表面形狀，錐形是非對稱的。由圖4明顯可見，開口或錐角φ取決於導線的旋轉軸AL與磨床的旋轉軸AG之間的角度θ。其關係為θ＝90°-φ/2通常採用50°≤φ≤130°範圍內的錐角，以使角度θ通常在25°到55°範圍內。發射器尖端的錐形便於在發射器尖端形成泰勒錐，也便於源材料從貯器部分流到泰勒錐。由於泰勒錐的錐角理論值為98°，發射器尖端的通常錐角在90°≤φ≤110°範圍內，使角度θ通常在35°到45°範圍內。當然，可以採用98°的錐角，即泰勒錐的理論值，並且特別便於在發射器尖端處形成泰勒錐。因此，角度θ將是41°(41°＝90°-49°)。通過上述方法，可以通過簡單的方式生產具有各種開口角度的LMIS和LMAIS發射器。但是，部件的組裝和焊接處理不必通過上述方法實施。
根據用於製造根據本發明的發射器的第三種方法，發射器尖端處的變尖的部分125是通過刻蝕導線材料形成的。例如，如果用鎢作為導線材料，則可以使用NaOH來刻蝕鎢導線。
應當明白，可以用上述方法的任意組合來製造根據本發明的發射器。例如，可以用模製方法對發射器進行預處理，並通過磨削來精加工。或者，可以通過刻蝕對發射器進行預處理，並通過磨削來精加工。
圖5A到圖5C示出了對根據本發明一種實施例的發射器進行裝載的方法的步驟。在圖5A中，提供了根據本發明一種實施例的發射器100。向發射器100施加電流將發射器加熱到適當的溫度。此外，提供了加熱的熔煉坩鍋500，它盛有液態的源材料510。源材料510是液態金屬或液態金屬合金，熔煉的確切溫度取決於源材料。如圖5B所示，發射器100的尖端當時浸在液態源材料510中。因此，貯器130也可以浸入。由於毛細作用力，發射器100中裝載了源材料510，即導線110的V形部分被源材料浸溼，並在導線110兩支之間的貯器部分中形成了源材料的貯器135。由於浸溼的特性取決於導線110的溫度和合金的溫度，所以可以通過控制熔煉溫度和導線溫度來對導線的浸溼進行精確控制。對這些溫度的控制可以通過經過導線110的加熱電流以及對熔煉坩鍋500的溫度控制來進行。特別是，可以控制使發射器100上不要裝載太多的源材料。在發射器100裝載源材料後，將發射器從熔煉坩鍋500取出，見圖5C。當然，上述裝載方法是在真空中完成的，通常是優於5×10-7Torr的高真空。
圖6是使用了根據本發明一種實施例的發射器100的液態金屬離子源700的示意圖。發射器100的兩個燈絲部分140、145形成為彼此基本一樣，並且關於發射器尖端對稱布置。特別是，燈絲部分具有相同的長度、厚度和其他形狀。因此，發射器尖端不會由於燈絲部分的熱膨脹而發生橫向偏移，因為一個燈絲部分140的熱膨脹被相反的燈絲部分145的熱膨脹抵消了。這樣，燈絲部分140、145的熱膨脹只會造成發射器尖端沿光軸向上或向下移動。導線110的兩個燈絲部分140、145分別安裝到支撐物150、155。支撐物150、155還提供電端子以使得可以嚮導線110施加電流。從而可以對導線110進行電阻加熱。此外，發射器100裝載有燈絲部分140、145之間的貯器部分130中容納的源材料135。此外，還設有引出電極600，其中在引出電極600與源材料135之間施加有電壓。當然，這只是一種形式上的示意，因為電壓通常是施加在引出電極與支撐物150之間的。由於所施加的電壓，源材料135在發射器尖端處形成泰勒錐。
為了從發射器100釋放出源材料135的離子，通過支撐物150、155嚮導線110施加電流。導線110加熱，其中，發射器尖端成為導線110最熱的部分，因為其截面較小。源材料135從貯器部分向發射器尖端流動。蒸發的源材料原子在泰勒錐的尖端處電離並由引出電極600朝向試樣(未示出)加速。這樣，由圖6所示的LMIS或LMAIS形成了離子束。當然，上述液態金屬離子源700可以用於帶電粒子束裝置中產生離子束，例如用於FIB操作。
根據另一個方面，發射器非常適用於半導體製造處理中特別關心的含Si合金。例如，歐洲專利申請No.04017894.9中說明了使用二元合金PrSi的液態金屬合金離子源，其全文通過引用而結合於此。在歐洲專利申請No.04017894.9中說明，二元合金PrSi的優勢是因為這樣的離子源產生的只有Pr和Si以及少量離子群和分子離子。根據本發明實施例的發射器可以有利於用於PrSi離子源。為此，在鉭發射器或鎳發射器的貯器130中提供二元合金PrSi作為源材料。儘管對PrSi進行了說明，但是應當理解，根據本發明的發射器也可有利於用於難加工材料，如InGa、PbSn、ErFeNiCr。當然，本發明也完全適用於LMIS通常所用的材料，如Ga或類似物。
儘管已經對本發明進行了詳細說明，但是本領域技術人員應當明白，不脫離所附權利要求的精神和範圍，可以對本發明作出各種改變。
權利要求
1.一種用於液態金屬離子源的發射(100)，包括導線(110)，所述導線包括基本彎曲的部分(115)和表面(120)；其中，所述導線表面(120)的至少一部分(125)在所述基本彎曲的部分(115)處變尖以形成發射器尖端。
2.根據權利要求1所述的發射器(100)，其中，所述導線表面(120)的變尖的部分(125)是所述導線(110)的外表面。
3.根據權利要求1所述的發射器(100)，其中，當沿所述發射器(100)的光軸看去時，所述變尖的部分(125)形成錐形。
4.根據權利要求3所述的發射器(100)，其中，錐角φ在50°≤φ≤130°的範圍內。
5.根據權利要求4所述的發射器(100)，其中所述錐角φ等於98°。
6.根據權利要求1所述的發射器(100)，其中，在所述變尖的部分(125)中所述導線(110)的直徑(W)小於在所述變尖的部分(125)之外所述導線(110)的直徑。
7.根據權利要求1所述的發射器(100)，其中，在所述導線表面(120)上至少在部分所述V形部分(115)處提供微通道(127)。
8.根據權利要求1所述的發射器(100)，其中，所述導線(110)還具有燈絲部分(140、145)用於將所述導線(110)與支撐裝(150)相連接。
9.根據權利要求8所述的發射器(100)，其中，所述燈絲部分(140、145)形成為彼此基本上相同，並關於所述發射器尖端對稱布置。
10.根據權利要求8所述的發射器(100)，其中，所述燈絲部分(140、145)之間的角度ξ在1°≤ξ≤25°範圍內。
11.根據權利要求1所述的發射器(100)，還具有用於保持源材料(135)的貯器部分(130)，所述貯器部分(130)形成於所述燈絲部分(140、145)之間。
12.根據權利要求1所述的發射器(100)，其中，所述導線(110)是金屬導線或線形的導體材料。
13.根據權利要求12所述的發射器(100)，其中，所述導線由鎢、鉭、鈦或鎳製成。
14.根據權利要求1所述的發射器(100)，其中，所述發射器(100)是用於含Si成分合金的液態金屬合金離子源。
15.根據權利要求13所述的發射器(100)，其中，所述發射器(100)是用於二元合金PrSi的液態金屬合金離子源。
16.一種液態金屬離子源(700)，包括發射器(100)，所述發射器(100)包括導線(110)，所述導線包括基本彎曲的部分(115)和表面(120)；其中，所述導線表面(120)的至少一部分(125)在所述基本彎曲的部分(115)處變尖以形成發射器尖端，其中，所述發射器的貯器部分(130)包括液態金屬(135)，以及用於從所述發射器(100)釋放出離子的引出電極(600)。
17.根據權利要求16所述的液態金屬離子源，其中，所述發射器(100)根據權利要求1到15中的任一項進行設置。
18.一種帶電粒子束裝置，包括根據權利要求16所述的液態金屬離子源(700)。
19.一種製造用於液態金屬離子源的發射器的方法，包括下列步驟(a)提供導線，(b)將所述導線的部分表面變尖以形成發射器尖端。
20.根據權利要求19所述的方法，其中，所述變尖包括模製。
21.根據權利要求19所述的方法，其中，所述變尖包括磨削。
22.根據權利要求19所述的方法，其中，所述變尖包括刻蝕。
23.根據權利要求19所述的方法，其中，所述變尖包括微加工。
24.一種產生離子束的方法，包括下列步驟(a)在帶電粒子束裝置中提供液態金屬離子源(700)，所述液態金屬離子源(700)包括發射器(100)，所述發射器(100)包括導線(110)，所述導線包括基本彎曲的部分(115)和表面(120)；其中，所述導線表面(120)的至少一部分(125)在所述基本彎曲的部分(115)處變尖以形成發射器尖端，其中，所述發射器的貯器部分(130)包括液態金屬(135)、以及用於從所述發射器(100)引出離子的引出電極(600)，(b)向所述導線(100)施加電流，以及(c)在所述液態金屬(135)與所述引出電極(600)之間施加電壓以從所述液態金屬(135)引出離子而產生離子束。
全文摘要
本發明提供了一種用於液態金屬離子源的發射器(100)，所述發射器包括導線(100)，所述導線包括基本彎曲的部分(115)和表面(120)；其中，導線表面(120)至少一部分(125)在所述基本彎曲的部分(115)處變尖以形成發射器尖端。此外，還提供了用於這種發射器的製造方法。
文檔編號H01J9/02GK1909147SQ200610099530
公開日2007年2月7日 申請日期2006年7月26日 優先權日2005年7月27日
發明者沃夫岡·皮爾茨, 羅薩爾·比斯徹夫 申請人:Ict半導體集成電路測試有限公司