布線基板的製作方法
2023-06-06 20:48:16 1
專利名稱：布線基板的製作方法
技術領域：
本發明涉及含樹脂的布線基板。
背景技術：
布線樹脂基板在它的主面上設置有用於安裝例如LSI或IC晶片之類電子部件的多個焊盤形電極，並且在它的另一主面上設置有多個與母板連接的多個端子焊盤導體(或電極)和配置在端子焊盤導體上的連接端子(例如焊球)。這種類型的布線樹脂基板是小尺寸的，並且需要增加連接端子的數量(例如球的數量)以增強將安裝到其上的例如LSI、IC晶片或晶片電容器之類電子部件的集成度和密度。
這種布線樹脂基板一般設置有由導體層和樹脂層構成的布線層疊部分，並位於芯基板的主面上，其具有通孔導體和在絕緣基板中形成的通孔中的填充材料，並且在樹脂層中埋置用於導通導體層的通路導體。已知JP-A-2000-91383、JP-A-10-341080、JP-A-2000-307220( 和 段)，JP-A-2000-340951( 和 段)、JP-A-2001-53507和JP-A-10-270483為背景技術。
發明內容
前面介紹的布線樹脂基板在為了製造它而執行的熱循環工序中將遇到以下問題。在作為布線樹脂基板核心的芯基板中，在由樹脂等構成的絕緣基板的預定位置形成通孔導體以把兩個主面導通。由於金屬和樹脂具有不同的熱膨脹係數，由熱循環引起的在芯基板的厚度方向上的膨脹/收縮會根據位置而不同。因此，在層疊在芯基板上的層中，由芯基板的膨脹/收縮施加的力成為各向異性的。結果，在通路導體的接合面中或諸如此類的地方產生破裂，由此產生了一個問題在導體層之間的電連接容易斷開。該問題導致不能保持例如布線樹脂基板所需的電特性之類的性能。
因此為了解決該問題，本發明的目的是提供一種含層疊在芯基板上的樹脂層和導體層並具有高可靠電特性的由樹脂構成的布線基板。
為了解決上述問題，按照發明，提供了一種布線樹脂基板，其中在芯基板的主面上層疊含導體層和樹脂層的布線層疊部分，芯基板具有在穿通其延伸的通孔中的基本上圓柱形的通孔導體和填充通孔空部分的填充材料。該布線樹脂基板包括覆蓋在芯基板主面上的通孔端面並連接到通孔導體的蓋形導體部分；和形成在布線層疊部分中並自蓋形導體層橫穿至少一層樹脂層的內部導體層。由埋置在樹脂層中的通路導體構成的連接部分使蓋形導體部分和內部導體層導通。構成連接部分的通路導體避開通孔上的位置。
通常，樹脂材料具有比金屬材料熱膨脹係數大的熱膨脹係數。在加熱布線樹脂基板501(如圖3A所示)的情況下，(金屬材料的)基本圓筒形的通孔導體22、填充通孔導體22的中空部分的(樹脂材料的)填充材料23、和(位於通孔導體22周圍，樹脂材料的)絕緣基板材料25，所有這些構成芯基板2，在厚度方向上分別膨脹。如圖3B所示，通孔導體22的膨脹小於周圍的樹脂材料23和25的膨脹。連接到通孔導體22的蓋形導體層4能保持通孔導體22的外端附近，以在那附近阻止填充材料23的膨脹。結果，填充材料23的膨脹集中在通孔21的中心軸附近以把蓋形導體層4和位於填充材料23上方的樹脂層3向上推。另一方面，在冷卻布線樹脂基板501的情況下，產生相反的現象，如圖3C所示，填充材料23的收縮集中在通孔21的中心軸附近以把上面的蓋形導體層4和樹脂層3向下拉。因此，如果通路導體61和62位於通孔21上方，那麼它們易受芯基板2的上推/下拉的影響。在蓋形導體層4和通路導體61之間、通路導體(即通路導體61和62)之間和通路導體62和內部導體層5之間產生過多應力聚集，以致蓋形導體層4和通路導體61易於電斷開(圖3C示出了這種情況，其中蓋形導體層4和通路導體61之間的連接斷開。)。這裡，由於通路導體布置在通孔上方使得高密集的布線，現有技術的布線基板不能避免此問題。
因此，如上面介紹的發明，通過在避開通孔上方位置的位置布置構造連接部分的通路導體，幾乎不受上述來自芯基板的上推/下拉的影響。
在發明的布線樹脂基板具有夾在蓋形導體層和內部導體層之間的兩層或多層樹脂層的情況中，通過把填充通路的通路導體分別埋置在樹脂層中並使通路導體以多個彼此基本上同軸地相鄰接來構造層疊通路結構的連接部分。如上所述，通路導體不設置在通孔上方且幾乎不受自芯基板的上推/下拉的影響，由此構成連接部分為層疊通路結構。在這種情況中，可以節省布線層疊部分的內部空間以保留布線區。
在發明的布線樹脂基板中，從構造連接部分的通路導體的中心軸到通孔的外邊緣的距離可以設為大於或等於125μm且小於或等於500μm。為了在通孔上方充分不受芯基板的上推/下拉影響，優選上述特定距離為大於或等於125μm。另一方面，不特別限制上述距離的上限，從節省布線層疊部分內部空間和提高布線密度的觀點考慮上述距離的上限優選500μm。
這裡，「中心軸(或中心軸線)」定向為與通孔延伸穿通(即芯基板的厚度方向)的方向相同的方向，並通過基本圓形的投影圖像的中心位置，該投影圖像是通過把分別設計通孔、通路導體和端子焊盤導體分別投影到一與穿通方向垂直的平面上而形成的。
在現有技術的布線基板中，公知穿通樹脂層在多個接地導體層之間布置傳輸線的結構，稱之為「帶狀線結構」。另一方面，公知如在帶狀線結構中那樣穿通樹脂層在接地導體層之間布置傳輸線並且在與傳輸線公共的平面上布置接地導體層的結構，稱之為「共面(或公共平面型)結構」。在這些帶狀線和共面結構中，由接地導體封閉傳輸線以使傳輸線不受來自外界幹擾的影響。這裡，在該共面結構中，通過在公共平面上和傳輸線兩側上形成的接地導體線，用布置在公共平面上的另一個傳輸線來減小串擾噪聲以改善電特性。
而且最近幾年，有實驗來防止幹擾影響更大通過由通路導體連接布置在傳輸線周圍的各個接地導體(即帶狀線結構中的多層接地導體層或共面結構中的多層接地導體層和接地導體線)和通過封閉傳輸線以使接地導體可靠地保持在等電勢(或地電勢)。
但是在接地導體層由上述在一側的蓋形導體構成的情況中，引起了這樣的問題由如上述的芯基板的上推/下拉使層疊層之間的預定電連接斷開，即，在帶狀線結構或共面結構中封閉傳輸線的接地導體不能保持在等電勢。該問題導致不可能保持例如布線樹脂基板所需的電特性之類的性能。
因此，在帶狀線結構或共面結構中，通過應用與發明的上述布線樹脂基板結構相似的結構可以解決該問題。
按照發明，還提供了一種布線樹脂基板，包括含穿通絕緣基板形成的通孔、在通孔的內周邊上形成的基本上圓柱形的通孔、和填充通孔導體空部分的填充材料的芯基板；在芯基板的至少一個主面上並以包含通孔的端面和與通孔導體導通的形狀形成的第一接地導體層；在第一接地導體層上形成的多層樹脂層；形成在任意樹脂層之間並設置在第一接地導體層上的傳輸線；在樹脂層上並以含傳輸線的形狀形成的第二接地導體層；和含分別埋置在樹脂層中的通路導體、或在與傳輸線的情況一樣的樹脂層之間布置的通路導體和第三接地導體層的連接部分，並不與傳輸線導通，通路導體形成為使第一接地導體層和第二接地導體層導通。在連接部分如此設置連接到第一接地導體層的通路導體以避開通孔上的位置。
如上所述，在含通路導體或通路導體和第三接地導體層(或接地導體線)並形成為使第一接地導體層和第二接地導體層導通的連接部分中，通過如下那樣製造該結構，幾乎不受上述芯基板的膨脹/收縮的影響，其中要與第一接地導體層或與通孔最近的通路導體連接的通路導體(即埋置在多層樹脂層中最下層中的通路導體)不位於通孔上方。由通路導體構成連接部分的結構意指帶狀線結構，由通路導體和第三接地導體層(或接地導體線)構成連接部分的結構意指共面結構。
而且，在發明的布線樹脂基板中，連接部分不位於通孔上方，並構造成在帶狀線結構的層疊通路結構或在共面結構的該結構，在帶狀線結構的層疊通路結構中多個填充通路彼此同軸地相鄰接，在共面結構的該結構中，層疊通路結構中填充通路的任意接合通路之間連接第三接地導體層(或接地導體線)。由於通過在其上布置通路導體連接填充通路，構成連接部分的所有通路導體布置成如此的結構構成連接部分的通路導體都不位於通孔上方，由此幾乎不受芯基板的膨脹/收縮影響。此外，通過把填充通路製成同軸地彼此相鄰可以節省空間以保留布線區。
圖1是說明具有微帶狀線結構的布線樹脂基板的內部結構簡圖；圖2是說明具有共面結構的布線樹脂基板的內部結構簡圖；圖3A至3C是說明芯基板的膨脹/收縮對連接部分影響的簡圖；圖4是布線樹脂基板的整個內部結構示意圖；圖5用表格列出破裂百分率的評估結果；圖6是說明具有共面結構的比較例2的內部結構簡圖；圖7用表格列出電阻變化百分率的評估結果；圖8A和8B是說明實例3和比較例3的內部結構簡圖；圖9A和9D是通路接合評估方法的示意圖；圖10用表格列出通路接合的評估結果；圖11是說明按照發明第一實施例布線樹脂基板內部結構的示意圖；圖12是說明按照發明第二實施例布線樹脂基板內部結構的示意圖。
參考標號和標記的介紹1、101、201、301、401、501布線樹脂基板2芯基板
21通孔22通孔導體23填充材料3 樹脂層4 第一接地導體層(蓋形導體層)5 第二接地導體層(內部導體層)6 連接部分61通路導體(下側)62通路導體(上側)7 傳輸線8 第三接地導體層(接地導體線)具體實施方式
將參照附圖介紹發明的由樹脂構成的布線基板的實施例。圖11是說明按照發明的第一實施例布線樹脂基板1的部分內部結構簡圖。在頂視平面圖中該布線樹脂基板1形成為矩形形狀(長和寬為50mm，厚為1mm)。如圖4中示意圖的整體說明，在一個主面12上形成有多個連接焊盤121，用於安裝要與外部器件例如母板的連接部分連接的連接端子。在另一主面上，形成有用於連接將安裝的半導體集成電路元件IC的多個電極111。另一方面，在布線樹脂基板1的內部結構中，在芯基板2上層疊著內部布線層4、5和7和樹脂層3 (將在下文介紹)，在樹脂層3中形成有連接部分(或通路導體)6以使各個內部布線層彼此連接。圖1和2是在芯基板2的任一主面上圖4的放大圖。
芯基板2設置有大約150μm(優選100μm至350μm)直徑的通孔21，其穿通基板材料25以大約500μm(優選200μm至800μm)的間隔形成，該基板材料25由例如BT樹脂的樹脂材料構成並具有大約0.8mm(優選0.3mm至1.2mm)的厚度；由例如銅的金屬材料構成的通孔導體22，其形成在通孔21的內周邊上且為基本上圓筒形的形狀(具有大約25μm的厚度，優選10μm至50μm)；和填充通孔導體22的中空部分並由例如環氧樹脂、環氧丙烯酸酯樹脂、丙烯酸(脂)類樹脂或聚醯亞胺酯樹脂的樹脂材料構成的填充材料23。在芯基板2的主面上，形成有由導體層4和5和樹脂層31、32、33構成的布線層疊部分8。
特別是在芯基板的表面上，形成有蓋形導體層4，其具有包含通孔21的端部的形狀由此與通孔導體22導通。蓋形導體層4由例如銅的金屬材料構成，並具有大約30μm(優選15μm至150μm)的厚度。而且，在蓋形導體層4上，形成有由例如環氧樹脂、含氟樹脂或BCB(環苯丁烯)(Benzo Cyclo Butene)的樹脂材料構成的多層樹脂層3。例如，各個樹脂層的厚度設置到大約30μm(優選20μm至180μm)。而且在樹脂層之間形成有由例如銅的金屬材料構成的內部導體層5。在該實施例中，在蓋形導體層4和內部導體層5之間夾有兩層樹脂層31和32，而且它們不應限於兩層，可以是一層或三層，或更多層。在分別夾在蓋形導體層4和內部導體層5之間的樹脂層31和32中，埋置有用於把那些導體導通的通路導體61和62以形成連接部分6。這裡，分別布置通路導體61和62以避開通孔21上方的位置。
在該實施例中，埋置在下側樹脂層31中的通路導體61由保形通路(conformal via)構成，埋置在上側樹脂層32中的通路導體62由填充通路構成。保形通路61設置有主要由銅構成並沿穿通樹脂層形成的通孔的壁布置的金屬材料612；由與樹脂層3的成分相同的成分構成的樹脂材料613，用於填充其餘部分；和延伸並連接到填充通路62的連接層614。而且，通過用主要由銅構成的金屬材料填充穿通樹脂層形成的通路孔來形成該填充通路62。例如保形通路61和填充通路62形成為具有大約75μm的最大直徑。但是，由不含連接層614的部分(即通孔的內部)來規定保形通路61的直徑。而且，從構成連接部分6的通路導體61和62的中心軸到通孔21的外端的距離L61和L62分別設置為大於或等於125μm且小於或等於500μm。
這裡將介紹發明的布線樹脂基板的第二實施例。圖12是說明按照第二實施例的布線樹脂基板101的部分內部結構的簡圖。以下主要介紹不同於第一實施例之處，通過用與圖12的公共參考標號標明它們簡化了公共部分的介紹。如圖12所示，在按照第二實施例的布線樹脂基板101中，在樹脂層31和32中分別埋置由填充通路構成的通路導體61和62，並且通路導體61和62基本上同軸地層疊在避開通孔21上方位置的位置，由此構成層疊通路結構的連接部分6。結果，可以節省空間以保留布線區。而且，從形成連接部分6的通路導體61和62的中心軸(即層疊通路的中心軸)到通孔21的外邊緣的距離L6設置為大於等於125μm且小於等於500μm。
將參照附圖介紹發明的布線樹脂基板的應用實例。圖1和2是說明布線樹脂基板201和301的部分內部結構的簡圖。圖1說明帶狀線結構，圖2說明共面結構。在頂視平面圖中這些布線樹脂基板201和301形成為矩形形狀(長和寬為50mm，厚為1mm)。如圖4中示意圖的整體說明，在一個主面12上形成有多個連接焊盤121，用於安裝要與外部器件例如母板的連接部分連接的連接端子。在另一主面上，形成有用於連接將安裝的半導體集成電路元件IC的多個電極。另一方面，在布線樹脂基板201和301的內部結構中，在芯基板2上層疊著內部布線層4、5和7和樹脂層3(將在下文介紹)，連接部分(或通路導體)6形成在樹脂層3中以使各個內部布線層彼此連接。圖1和2是在芯基板2的任一主面上圖4的放大圖。
芯基板2設置有大約150μm直徑的通孔21，其穿通基板材料25以大約500μm的間隔形成，該基板材料25由例如BT樹脂的樹脂材料構成並具有大約0.8mm的厚度；由例如銅的金屬材料構成的通孔導體22，其形成在通孔21的內周邊上且為基本上圓筒形的形狀(具有大約25μm的厚度)；和填充通孔導體22的中空部分並由例如環氧樹脂、環氧丙烯酸酯樹脂、丙烯酸(酯)類樹脂或聚醯亞胺酯樹脂的樹脂材料構成的填充材料23。在芯基板2的表面上，形成有接地導體層4，其具有包含通孔21的端部的形狀由此與通孔導體22導通。接地導體層4由例如銅的金屬材料構成，並具有大約30μm(優選15μm至50μm)的厚度。
而且，在接地導體層4上，形成有由例如環氧樹脂、含氟樹脂或BCB(環苯丁烯)(Benzo Cyclo Butene)樹脂材料構成的多層樹脂層3。這裡，由下側樹脂層31和上側樹脂層32兩層構成多層樹脂層3，並且多層樹脂層3不限於那兩層，而可以由三層或多層構成。例如，各個樹脂層的厚度設置到大約30μm(優選20μm至180μm)。而且在上側樹脂層32上形成有由例如銅的金屬材料構成的第二接地導體層5。在下側樹脂層31和上側樹脂層32之間形成有傳輸線7，其具有大約30μm的寬度和具有大約30μm的厚度(分別優選15μm至50μm)並設置在第一接地導體層4和第二接地導體層5之間的區域。由此，圖1呈現帶狀線結構。在圖2中，在與傳輸線7公共的平面中(下側樹脂層31和上側樹脂層32之間)距傳輸線7的兩側預定距離(例如30μm，優選10μm至100μm)處形成第三接地導體層8(或接地導體線)，其主要由例如銅的金屬材料構成，具有大約30μm的寬度和大約30μm的厚度(分別優選15μm至50μm)，如此呈現了共面結構。
在上述結構中，按照發明的布線樹脂基板實施例，形成連接部分6製得第一接地導體層和第二接地導體層。構成連接部分6的填充通路分別形成為具有大約75μm(優選25μm至100μm)最大直徑的基本上圓柱形的形狀。在圖1的帶狀線結構中，連接部分6由填充通路(即下側61和上側62)構成，其分別埋置在多層樹脂層3中。這兩個填充通路61和62構成層疊通路，其中在例如距通孔21的外邊緣端大約150μm(優選在大於125μm且小於500μm的範圍)的位置它們同軸地彼此相鄰接。下填充通路61連接到第一導體層4的上側主面41，上側填充通路62連接到第二導體層5的下側主面51。
在圖2的共面結構中，由分別埋置在多層樹脂層3中的填充通路(即上側62和下側61)和第三接地導體層(即接地導體線)8構成連接部分6，兩個填充通路61和62同軸地布置並穿通第三接地導體層(或接地導體線)連接。下側填充通路61連接到第一導體層4的上側主面41，上側填充通路62連接到第二導體層5的下側主面51。而且在共面結構中，在傳輸線7的兩側上布置第三接地導體層(或接地導體線)8，由此在單個傳輸線7的兩側上存在兩個連接部分6。例如在距通孔21的外邊緣端大約500μm的距離處設置更鄰近通孔21的導體層8。
這裡，如專利公開公報3(JP-A-2000-307220，
段)或專利公開公報4(JP-A-2000-34051，
段)所介紹的，由公知的生產技術(例如差減方法、添加方法或半添加方法)製造發明的布線樹脂基板。
實例這裡將介紹發明的布線樹脂基板的特定實例和它的比較例。在實例1和比較例1中，由布線樹脂基板501示例說明圖1的具有上述帶狀線結構的布線樹脂基板201，其中在通孔上方的中心線上布置由圖3說明的由通路導體構成的連接部分。
對於實例1和比較例1，分別存在製備的三種樣品①在熱循環之前；②100個循環之後；③500個循環之後(每個循環10分鐘)，其中在-55℃至125℃的溫度範圍重複加熱和冷卻，並進行截面SEM(掃描電子顯微鏡)觀測來評估破裂百分率。在圖5中用表格列出這些評估結果。在圖5中，破裂百分率的分母代表樣品的總數，分子代表破裂樣品數。
按照圖5的評估結果，在①在熱循環之前，②100個循環之後和③500個循環之後的實施1的所有樣品的SEM圖像中沒有發現例如破裂的缺陷。相反在比較例1中，在②100個循環之後和③500個循環之後在一半或更多樣品中發現了破裂。而且，發現在①在熱循環之前的某些樣品也是破裂的。看來是在製造時由熱處理產生破裂。
由具有圖2共面結構的布線樹脂基板301示例說明實例2，如圖6所示，由具有在通孔上方設置的一側連接部分6的布線樹脂基板401示例說明比較例2。如圖2和6所示，在布置成封閉傳輸線7的導體中，對兩條路徑測量在熱循環之前和之後(即100個循環之後)的電阻變化率從一個連接部分6穿過第一接地導體層4和另一個連接部分6的路徑(即通路-通路路徑)；和自一個連接部分6穿過第一接地導體層4和通孔導體22的路徑(即，在比較例2的情況自設置在通孔21上方的連接部分6的通路-TH(通孔)路徑)。但是，熱處理的條件與上述條件相似，由(熱循環之後的電阻-熱循環之前的電阻)/(熱循環之前的電阻)表示電阻變化率。在圖7中用表格列出這些測量結果。
按照圖7的測量結果，實例2的電阻變化率小於1％，在熱循環之前和之後(即100個循環)通路-通路路徑和通路-TH路徑都幾乎沒變化。相反，比較例2的電阻變化率對於通路-通路路徑為5％，對於通路-TH路徑為20％，在熱循環之前和之後(即100個循環之後)發現了變化。這是由於以下原因引起的。在比較例2中，在通孔21上方設置連接部分6，以致伴隨芯基板2的膨脹/收縮，由於通孔21的上推/下拉在連接部分6和第一接地導體層4或第二接地導體層5之間的接合面或在導體(即通路導體61和62和第三接地導體層(或接地導體線)8)之間的接合面上發生疲勞或破裂，由此在熱循環之後提高了電阻。
製備有一樣品，其中在芯基板2上方僅形成第一接地導體層4、下側樹脂層31和下側填充通路61。在實例3中，如圖8A所示，從填充通路61的中心軸到通孔21的外邊緣端的距離L設置為150μm。在比較例3中，在通孔21的中心軸上設置填充通路61。接著，在上述條件下進行熱處理100個循環。之後，如圖9A所示，應用RIE(反應離子刻蝕)以去除下側樹脂層31。之後，不鏽鋼針施加到填充通路61的直徑較大部分的下側，並用幾十克的力垂直向上提升。評估通路接面如圖9C所示，填充通路61沒有剝離第一接地導體層4，而僅是直徑較大部分變形，認為合格；如圖9D所示，填充通路61剝離第一接地導體層4，認為不合格。在圖10中用表格列出這些評估結果。在圖10中，通路剝離百分率的分母代表樣品的總數，分子代表不合格的樣品數。
按照圖10的評估結果，在實例3中對於所有樣品發現填充通路61沒有剝離。相反在比較例3中，對於大約一半的樣品發現填充通路61剝離。這是由於以下原因引起的。在比較例3中，填充通路61設置在通孔21上以致伴隨芯基板2的膨脹/收縮，由於通孔21的上推/下拉在填充通路61和第一接地導體層4之間的接合面發生疲勞或破裂，由此填充通路61變得容易剝離。
本申請基於2003年2月28日申請的日本專利公開公報JP2003-54477和2004年1月30日申請的日本專利公開公報JP2004-23495，其全部內容引證在此供參考，如果詳細闡述將是相同的。
權利要求
1.一種布線基板，其中在一芯基板的一主面上層疊一包括一導體層和樹脂層的布線層疊部分，芯基板包括一在一穿通其延伸的通孔中的基本上圓筒形的通孔導體和填充所述通孔的中空部分的填充材料，該布線基板包括覆蓋在所述芯基板主面正上方的所述通孔的端面並連接到所述通孔導體的一蓋形導體部分；和設置在所述布線層疊部分中並自所述蓋形導體層橫穿至少一個所述樹脂層的內部導體層，其中由埋置在所述樹脂層中的通路導體構成的一連接部分使所述蓋形導體部分和所述內部導體層導通，和構成所述連接部分的所述通路導體不設置在所述通孔上方。
2.按照權利要求1的布線基板，其中在所述蓋形導體層和所述內部導體層之間夾有至少兩層所述樹脂層，和在每層所述樹脂層中埋置由填充通路構成的所述通路導體，並且所述通路導體基本上同軸地多個層疊以構成所述連接部分。
3.按照權利要求1的布線基板，其中從構成所述連接部分的所述通路導體的中心軸到所述通孔的外邊緣的距離為從125μm到500μm。
4.按照權利要求2的布線基板，其中從構成所述連接部分的所述通路導體的中心軸到所述通孔的外邊緣的距離為從125μm到500μm。
5.一種布線基板，包括一芯基板，其包括一穿通一絕緣基板設置的通孔、一在所述通孔的內周邊上設置的基本上圓筒形的通孔導體、和填充所述通孔導體的中空部分的填充材料；在所述芯基板的至少一個主面上並以包含所述通孔的端面和與所述通孔導體導通的形狀設置的第一接地導體層；在所述第一接地導體層上方設置的多層樹脂層；設置在任意所述樹脂層之間並位於所述第一接地導體層上方的傳輸線；在所述樹脂層上方並以包含所述傳輸線的形狀設置的第二接地導體層；和一連接部分，其包括分別埋置在所述樹脂層中的通路導體或不與所述傳輸線導通並在與所述傳輸線一樣的樹脂層之間設置的第三接地導體層和所述通路導體，所述通路導體設置為使所述第一接地導體層和所述第二接地導體層導通，其中在所述連接部分中設置要連接到所述第一接地導體層的所述通路導體，以使所述通路導體不在所述通孔上方。
6.按照權利要求5的布線基板，其中設置有一層疊通路結構或另一結構，在層疊通路結構中在避開所述通孔上方的位置多個填充通路同軸地彼此相鄰接，在另一結構中，所述層疊通路結構中所述填充通路的任意相鄰接通路之間連接所述第三接地導體層。
全文摘要
一種布線基板，其中在芯基板的主面上層疊含導體層和樹脂層的布線層疊部分，芯基板含在穿通其延伸的通孔中的基本上圓柱形的通孔導體和填充所述通孔中空部分的填充材料，包括覆蓋在所述芯基板主面上的所述通孔端面並連接到所述通孔導體的蓋形導體部分；和設置在所述布線層疊部分中並自所述蓋形導體層橫穿至少一個所述樹脂層的內部導體層，其中由埋置在所述樹脂層中的通路導體構成的連接部分使所述蓋形導體部分和所述內部導體層導通，和構成所述連接部分的所述通路導體不設置在所述通孔上。
文檔編號H01L23/12GK1525556SQ20041000726
公開日2004年9月1日 申請日期2004年2月27日 優先權日2003年2月28日
發明者齊木一, 中田道利, 利 申請人:日本特殊陶業株式會社