磁定向碳納米管複合薄膜隱身材料的製備方法

2023-06-06 19:21:56 2

專利名稱：磁定向碳納米管複合薄膜隱身材料的製備方法
技術領域：
本發明涉及一種隱身材料製備方法。
背景技術：
由於雷達吸波材料在現代軍事領域的重要性，各種新型吸波材料應運而 生。而納米材料以其特殊結構引起的量子尺寸效應及隧道效應,導致它產生許 多不同於常規材料的特異性能，是世界各軍事強國競相研究的焦點，而現有的 碳納米管隱身材料內容單一，通常只利用了碳納米管本身的吸波性能而忽略了 傳統吸波材料電損耗和磁損耗的原理，碳納米管本身是電的良導體，但是在基 體中隨機排布的時候，只要出現一個彎折點(製備複合材料過程中的攪拌導致 了碳納米管彎折)，單根碳納米管的電阻率就上升兩個數量級(碳納米管/環
氧樹脂聚合物的電阻率大於109^m)。碳納米管在環氧樹脂基體中添加量增大 時，吸波效能顯著增加，厚度為lmm、碳納米管質量分數為4%的碳納米管/ 環氧樹脂薄膜在18 26.5GHz範圍內電磁波吸收峰值就可達到20dB。但是當 碳納米管在碳納米管與環氧樹脂混合物中的質量分數達到10%以上時，碳納米 管與環氧樹脂的混合物就不可形成薄膜，從而限制了碳納米管/環氧樹脂聚合 物的吸波效能(這是因為環氧樹脂粘度較大，碳納米管在環氧樹脂中難於分 散)，並且定向排布的長直碳納米管形成的薄膜由於其電阻率較低(電阻率為 106 107Q*m)，很大程度上增加了雷達波的電損耗。

發明內容
本發明所要解決的技術問題是為了解決碳納米管出現彎折點導致碳納米 管電阻率大的問題，提供了磁定向碳納米管複合薄膜隱身材料的製備方法。
本發明磁定向碳納米管複合薄膜隱身材料的製備方法如下 一、按重量
份數比分別稱取85 89份基體、10 15份的鍍鎳碳納米管和20~30份的固化 劑，然後將基體與鍍鎳碳納米管分別在50 12(TC的條件下乾燥12 24小時； 二、將步驟一處理後的基體與丙酮按照2 3 : l的體積比混合後攪拌10 15min， 再加入步驟一處理後的鍍鎳碳納米管，得到混合液，在超聲頻率為30Hz的條件下將混合液超聲分散30 45min，得到懸濁液；三、將固化劑與丙酮按照1: l的體積比混合，然後再加入步驟二得到的懸濁液中，攪拌15 20min，得到混 合物；四、將步驟三得到的混合物採用澆注方法倒入已塗覆脫模劑的模具中， 然後將模具平行磁場方向放置在磁場強度為10T的強磁場發生器中30min，得 到聚合物；五、將步驟四處理後的聚合物在真空度為60Pa的條件下常溫真空 脫泡30min，然後升溫至9(TC，保持lmin，再降溫至75匸保持12h，然後在 75t:條件下烘乾，再用打磨機打磨製得厚度為0.5mm lmm的碳納米管/基體 聚合物薄膜；六、將厚度為0.5mm lmm的納米Fe粉/基體聚合物薄膜、厚 度為0.5mm lmm的納米Fe3CV基體聚合物薄膜和厚度為0.5mm lmm的碳 納米管/基體聚合物薄膜按照電導率由高至低的順序沿電磁波傳導方向疊合；
或者將厚度為0.5mm lmm的納米SiC/基體聚合物薄膜、厚度為0.5mm lmm 的納米Al2(V基體聚合物薄膜和厚度為0.5mm lmm的碳納米管/基體聚合物 薄膜按照電導率由高,低的順序沿電磁波傳導方向疊合，即得磁定向碳納米管 複合薄膜隱身材料。
本發明方法步驟一中所述的鍍鎳碳納米管的直徑為8 15nm、長度為50 ym，鍍鎳碳納米管中碳納米管的含量大於38% (質量)；步驟四所述的脫模 劑為甲基矽油；步驟一所述的基體為矽橡膠或環氧樹脂；步驟三所述的固化劑 為己二胺或低分子聚醯胺樹脂650。
本發明方法採用強磁場使鍍鎳碳納米管磁化、沿磁場方向定向排布，且通 過強磁場的磁力把碳納米管拉直，使其彎折減少，使碳納米管的電阻率下降到 19^m以下，達到半導體的標準。本發明方法將三種薄膜按照電導率由高 至低的順序沿電磁波傳導方向疊合，相當於將三種薄膜並聯，使疊合後薄膜的 電阻率進一步下降，成為電阻率為10 8Q*m 10 9^m的半導體，這樣不僅使 所得磁定向碳納米管複合薄膜隱身材料在電磁屏蔽中的電損耗值增大、提高了 吸波效能，並且將其應用在飛機表面時，可以將雷擊閃電引起的強大電流得以 導出，使材料在應用時不致被電流擊穿而損毀。本發明方法得到的磁定向碳納 米管複合薄膜隱身材料，可以拓寬吸波材料的頻帶寬度，在l-40GHz的頻帶 範圍內峰值出現在13.75GHz，吸波峰值為36.13dB，反射率R<-5dB的帶寬為 7.00GHz。本發明方法所得的磁定向碳納米管複合薄膜隱身材料與定向排布的長直碳納米管形成的薄膜相比，本發明方法得到的磁定向碳納米管複合薄膜隱 身材料，可以使電磁波進行二次電損耗，吸波性能得到了提高。
具體實施例方式
本發明技術方案不局限於以下所列舉具體實施方式
，還包括各具體實施方 式間的任意組合。
具體實施方式
一本實施方式中磁定向碳納米管複合薄膜隱身材料的制
備方法如下 一、按重量份數比分別稱取85 89份基體、10 15份的鍍鎳碳 納米管和20~30份的固化劑，然後將基體與鍍鎳碳納米管分別在50 12(TC的 條件下乾燥12 24小時；二、將步驟一處理後的基體與丙酮按照2 3 : 1的體 積比混合後攪拌10 15min，再加入步驟一處理後的鍍鎳碳納米管，得到混合 液，在超聲頻率為30Hz的條件下將混合液超聲分散30 45min，得到懸濁液； 三、將固化劑與丙酮按照1: 1的體積比混合，然後再加入步驟二得到的懸濁 液中，攪拌15 20min，得到混合物；四、將步驟三得到的混合物採用澆注方 法倒入已塗覆脫模劑的模具中，然後將模具平行磁場方向放置在磁場強度為 10T的強磁場發生器中30min，得到聚合物；五、將步驟四處理後的聚合物在 真空度為60Pa的條件下常溫真空脫泡30min，然後升溫至90'C，保持lmin， 再降溫至75X:保持12h，然後在75"條件下烘乾，再用打磨機打磨製得厚度 為0.5mm lmm的碳納米管/基體聚合物薄膜；六、將厚度為0.5mm lmm的 納米Fe粉/基體聚合物薄膜、厚度為0.5mm lmm的納米Fe3(V基體聚合物薄 膜和厚度為0.5mm lmm的碳納米管/基體聚合物薄膜按照電導率由高至低的 順序沿電磁波傳導方向疊合；或者將厚度為0.5mm lmm的納米SiC/基體聚 合物薄膜、厚度為0.5mm lmm的納米^203/基體聚合物薄膜和厚度為 0.5mm lmm的碳納米管/基體聚合物薄膜按照電導率由高至低的順序沿電磁 波傳導方向疊合，即得磁定向碳納米管複合薄膜隱身材料。 本實施方式步驟四中所述的模具為有機玻璃。
本實施方式所得磁定向碳納米管複合薄膜隱身材料的電阻率為10 8"m 109^m，達到半導體的標準。
具體實施方式
二本實施方式與具體實施方式
一不同的是步驟六中所述的 厚度為0.5mm lmm的納米Fe粉/基體聚合物薄膜的製備方法如下 一、按重量份數比分別稱取84 86份基體、14 16份的納米Fe粉和20~30份固化 劑，然後將基體與納米Fe粉分別在50 12(TC的條件下乾燥12 24小時；二、 將步驟一處理後的基體與丙酮按照2 3 : 1的體積比混合後攪拌10 15min，再 加入步驟一處理後的納米Fe粉，得到混合液，在超聲頻率為30Hz的條件下 將混合液超聲分散30 45min，得到懸濁液；三、將固化劑與丙酮按照1: l的 體積比混合，然後再加入步驟二得到的懸濁液，攪拌15 20min，得到混合物； 四、將混合物在真空度為60Pa的條件下常溫真空脫泡30min，然後升溫至卯"C ， 保持lmin，再降溫至75'C保持12h，然後在75'C條件下烘乾，然後將烘乾後 的混合物用打磨機打磨得到厚度為0.5mm lmm的Fe/基體聚合物薄膜；其中 納米Fe粉的平均粒徑為30 100nm;步驟一所述的固化劑為己二胺或低分子 聚醯胺樹脂650。其它與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
三本實施方式與具體實施方式
一不同的是步驟六中所述的 厚度為0.5mm lmm的納米Fe3CV基體聚合物薄膜的製備方法如下 一、按 重量份數比分別稱取84 86份基體、14 16份的納米Fe304和20~30份固化 劑，然後將基體與納米Fe304分別在50 12(TC的條件下乾燥12 24小時；二、 將步驟一處理後的基體與丙酮按照2 3 : 1的體積比混合後攪拌10 15min，再 加入步驟一處理後的納米Fe304，得到混合液，在超聲頻率為30Hz的條件下 將混合液超聲分散30 45min，得到懸濁液；三、將20~30重量份的固化劑與 丙酮按照1:1的體積比混合，然後再加入步驟二得到的懸濁液，攪拌15 20min， 得到混合物；四、將混合物在真空度為60Pa的條件下常溫真空脫泡30min， 然後升溫至90。C，保持lmin，再降溫至75。C保持12h，然後在75。C條件下烘 幹，然後將烘乾後的混合物用打磨機打磨得到厚度為0.5mm lmm的納米 Fe3CV基體聚合物薄膜；其中納米Fe3O4的平均粒徑為20nm;步驟一所述的固 化劑為己二胺或低分子聚醯胺樹脂650。其它與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
四本實施方式與具體實施方式
一不同的是步驟六中所述的 厚度為0.5mm lmm的納米SiC/基體聚合物薄膜的製備方法如下 一、按重 量份數比分別稱取84 86份基體、14 16份的納米SiC和20-30份固化劑， 然後將基體與納米SiC分別在50 12(TC的條件下乾燥12 24小時；二、將 步驟一處理後的基體與丙酮按照2 3 : 1的體積比混合後攪拌10 15min，再加入步驟一處理後的納米SiC，得到混合液，在超聲頻率為30Hz的條件下將混 合液超聲分散30 45min，得到懸濁液；三、將20~30重量份的固化劑與丙酮 按照l: l的體積比混合，然後再加入步驟二得到的懸濁液，攪拌15 20min， 得到混合物；四、將混合物在真空度為60Pa的條件下常溫真空脫泡30min, 然後升溫至卯。C，保持lmin，再降溫至75。C保持12h，然後在75。C條件下烘 幹，然後將烘乾後的混合物用打磨機打磨得到厚度為0.5mm lmm的納米SiC/ 基體聚合物薄膜；其中納米SiC的平均粒徑為40nm;步驟一所述的固化劑為 己二胺或低分子聚醯胺樹脂650。其它與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
五本實施方式與具體實施方式
一不同的是步驟六中所述的 厚度為0.5mm lmm的納米A1203粉/基體聚合物薄膜的製備方法如下一、 按重量份數比分別稱取84 86份基體、14 16份的納米A1203粉和20~30份 固化劑，然後將基體與納米Al203粉分別在50 12(TC的條件下乾燥12 24 小時；二、將步驟一處理後的基體與丙酮按照2 3 : 1的體積比混合後攪拌 10 15min，再加入步驟一處理後的納米Al203粉，得到混合液，在超聲頻率為 30Hz的條件下將混合液超聲分散30 45min，得到懸濁液；三、將20~30重量 份的固化劑與丙酮按照h l的體積比混合，然後再加入步驟二得到的懸濁液， 攪拌15 20min，得到混合物；四、將混合物在真空度為60Pa的條件下常溫真 空脫泡30min，然後升溫至9(TC，保持lmin，再降溫至75。C保持12h，然後 在75'C條件下烘乾，然後將烘乾後的混合物用打磨機打磨製得厚度為0.5mm lmm的納米SiC/基體聚合物薄膜；其中納米Al2O3粉的平均粒徑為20nm;步 驟一所述的固化劑為己二胺或低分子聚醯胺樹脂650。其它與具體實施方式
一 相同。
具體實施方式
六本實施方式與具體實施方式
一不同的是步驟一中所述的 鍍鎳碳納米管的直徑為8 15nm、長度為50um，鍍鎳碳納米管中碳納米管的 含量大於38% (質量)。其它與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
七本實施方式與具體實施方式
一不同的是步驟四所述的脫 模劑為甲基矽油。其它與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
八本實施方式與具體實施方式
一、二、三、四、五、六或
七不同的是步驟一所述的基體為環氧樹 。其它與具體實施方式
一、二、三、四、 五、六或七相同。
具體實施方式
九本實施方式與具體實施方式
一、二、三、四、五、六或 七不同的是步驟一所述的基體為矽橡膠。其它與具體實施方式
一、二、三、四、
五、 六或七相同。
本實施方式中使用矽橡膠作基體，因其彈性較大，使所得的薄膜薄膜不容 易變形。
具體實施方式
十本實施方式與具體實施方式
八或九不同的是步驟一所述 的固化劑為己二胺或低分子聚醯胺樹脂650。其它與具體實施方式
八相同。
本實施方式低分子聚醯胺樹脂650為市售商品。
具體實施方式
十一本實施方式與具體實施方式
一、二、三、四、五、六、
七或十不同的是步驟三中固化劑的加入量為25份。其它與具體實施方式
一、
二、三、四、五、六、七或十相同。
具體實施方式
十二本實施方式與具體實施方式
一不同的是步驟一中按重
量份數比分別稱取87份的基體。其它與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
十三本實施方式與具體實施方式
一不同的是步驟一中按重
量份數比分別稱取12份的鍍鎳碳納米的管。其它與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
十四本實施方式中納米Fe3(V基體聚合物薄膜的製備方法 如下 一、將84重量份環氧樹脂在12(TC的條件下乾燥18小時，然後將乾燥 後的與丙酮按照2.5 : 1的體積比混合後攪拌13min，得到混合液；二、將16 重量份的納米Fe304在120°C的條件下乾燥18小時，然後將乾燥後的納米Fe304 加入到步驟一得到的混合液中，在超聲頻率為30Hz的條件下超聲分散35min， 得到懸濁液；三、將25重量份的己二胺與丙酮按照1: l的體積比混合，然後 再加入步驟二得到的懸濁液，攪拌18min，得到混合物；四、將混合物在真空 度為60Pa的條件下常溫真空脫泡30min，然後在溫度為9(TC的條件下保持 lmin，再降溫至75"C保持12h固化、烘乾，然後將烘乾後的混合物用打磨機 打磨得到厚度為0.5mm lmm的納米Fe304/基體聚合物薄膜；其中納米Fe304 的平均粒徑為20nm。其它與具體實施方式
一相同。
本實施方式得到的納米Fe3(V基體聚合物薄膜在4 12GHz範圍內吸收峰 值達到17dB，達到電損耗與磁損耗的匹配最大值。
具體實施方式
十五本實施方式中磁定向碳納米管複合薄膜隱身材料的制
備方法如下 一、將86重量份基體在10(TC的條件下乾燥20小時，然後與丙 酮按照2.3 : 1的體積比混合後攪拌14min，得到混合液；二、將12重量份的 鍍鎳碳納米管在12(TC的條件下乾燥18小時，然後加入到步驟一得到的混合 液中，在超聲頻率為30Hz的條件下超聲分散30min，得到懸濁液；三、將25 重量份的己二胺與丙酮按照1: 1的體積比混合，然後再加入步驟二得到的懸 濁液中，攪拌20min，得到混合物；四、將步驟三得到的混合物採用澆注方法 倒入己塗覆脫模劑的模具中，然後將模具平行磁場方向放置在磁場強度為10T 的強磁場發生器中30min，得到固化的碳納米管/基體聚合物；五、將固化的碳 納米管/基體聚合物在真空度為60Pa的條件下常溫真空脫泡30min，然後在溫 度為9(TC的條件下保持lmin，再降溫至75°。保持12h固化、烘乾，然後將烘 幹後的碳納米管/基體聚合物用打磨機打磨製得厚度為0.5mm的碳納米管/基體 聚合物薄膜;六、將厚度為0.5mm的納米Fe粉虔體聚合物薄膜、厚度為0.5mm 的納米Fe3(V基體聚合物薄膜和厚度為0.5mm的碳納米管/基體聚合物薄膜按 照電導率由高至低的順序沿電磁波傳導方向疊合，即得磁定向碳納米管複合薄 膜隱身材料。
本實施方式所得磁定向碳納米管複合薄膜隱身材料的電阻率為10 8Q-m， 達到半導體的標準。本實施方式所得磁定向碳納米管複合薄膜隱身材料在 l-40GHz的頻帶範圍內峰值出現在13.75GHz，吸波峰值為36.13dB，反射率 R<-5dB的帶寬為7.00GHz。
具體實施方式
十六本實施方式與具體實施方式
十五不同的是步驟六 中將厚度為0.5mm的納米SiC/基體聚合物薄膜、厚度為0.5mm的納米A1203/ 基體聚合物薄膜和厚度為0.5mm lmm的碳納米管/基體聚合物薄膜按照電導 率由高至低的順序沿電磁波傳導方向疊合。其他與具體實施方式
十五相同。
本實施方式所得磁定向碳納米管複合薄膜隱身材料的電阻率為10 85Q-m, 達到半導體的標準。
權利要求
1、磁定向碳納米管複合薄膜隱身材料的製備方法，其特徵在於磁定向碳納米管複合薄膜隱身材料的製備方法如下一、按重量份數比分別稱取85～89份基體、10～15份的鍍鎳碳納米管和20～30份的固化劑，然後將基體與鍍鎳碳納米管分別在50～120℃的條件下乾燥12～24小時；二、將步驟一處理後的基體與丙酮按照2～3∶1的體積比混合後攪拌10～15min，再加入步驟一處理後的鍍鎳碳納米管，得到混合液，在超聲頻率為30Hz的條件下將混合液超聲分散30～45min，得到懸濁液；三、將固化劑與丙酮按照1∶1的體積比混合，然後再加入步驟二得到的懸濁液中，攪拌15～20min，得到混合物；四、將步驟三得到的混合物採用澆注方法倒入已塗覆脫模劑的模具中，然後將模具平行磁場方向放置在磁場強度為10T的強磁場發生器中30min，得到聚合物；五、將步驟四處理後的聚合物在真空度為60Pa的條件下常溫真空脫泡30min，然後升溫至90℃，保持1min，再降溫至75℃保持12h，然後在75℃條件下烘乾，再用打磨機打磨製得厚度為0.5mm～1mm的碳納米管/基體聚合物薄膜；六、將厚度為0.5mm～1mm的納米Fe粉/基體聚合物薄膜、厚度為0.5mm～1mm的納米Fe3O4/基體聚合物薄膜和厚度為0.5mm～1mm的碳納米管/基體聚合物薄膜按照電導率由高至低的順序沿電磁波傳導方向疊合；或者將厚度為0.5mm～1mm的納米SiC/基體聚合物薄膜、厚度為0.5mm～1mm的納米Al2O3/基體聚合物薄膜和厚度為0.5mm～1mm的碳納米管/基體聚合物薄膜按照電導率由高至低的順序沿電磁波傳導方向疊合，即得磁定向碳納米管複合薄膜隱身材料。
2、 根據權利要求1所述的磁定向碳納米管複合薄膜隱身材料的製備方法， 其特徵在於步驟六中所述的厚度為0.5mm lmm的納米Fe粉/基體聚合物薄 膜的製備方法如下 一、按重量份數比分別稱取84 86份基體、14 16份的 納米Fe粉和20 30份固化劑，然後將基體與納米Fe粉分別在50 120。C的條 件下乾燥12 24小時；二、將步驟一處理後的基體與丙酮按照2 3 : 1的體積 比混合後攪拌10 15min,再加入步驟一處理後的納米Fe粉，得到混合液，在 超聲頻率為30Hz的條件下將混合液超聲分散30 45min，得到懸濁液；三、將 固化劑與丙酮按照1: 1的體積比混合，然後再加入步驟二得到的懸濁液，攪拌15 20min，得到混合物；四、將混合物在真空度為60Pa的條件下常溫真空 脫泡30min，然後升溫至9(TC，保持lmin，再降溫至75。C保持12h，然後在 75°。條件下烘乾，然後將烘乾後的混合物用打磨機打磨得到厚度為0.5mm lmm的Fe/基體聚合物薄膜；其中納米Fe粉的平均粒徑為30 100nm;步驟 一所述的固化劑為己二胺或低分子聚醯胺樹脂650。
3、 根據權利要求1所述的磁定向碳納米管複合薄膜隱身材料的製備方法， 其特徵在於步驟六中所述的厚度為0.5mm lmm的納米？6304/基體聚合物薄 膜的製備方法如下 一、按重量份數比分別稱取84 86份基體、14 16份的 納米Fes04和20 30份固化劑，然後將基體與納米Fe304分別在50 12(TC的 條件下乾燥12 24小時；二、將步驟一處理後的基體與丙酮按照2 3 : 1的體 積比混合後攪拌10 15min，再加入步驟一處理後的納米Fe304，得到混合液， 在超聲頻率為30Hz的條件下將混合液超聲分散30 45min,得到懸濁液；三、 將20 30重量份的固化劑與丙酮按照1: l的體積比混合，然後再加入步驟二 得到的懸濁液，攪拌15 20min，得到混合物；四、將混合物在真空度為60Pa 的條件下常溫真空脫泡30min，然後升溫至卯'C，保持lmin，再降溫至75°C 保持12h，然後在75"C條件下烘乾，然後將烘乾後的混合物用打磨機打磨得到 厚度為0.5mm lmm的納米？6304/基體聚合物薄膜；其中納米Fe304的平均粒 徑為20nm;步驟一所述的固化劑為己二胺或低分子聚醯胺樹脂650。
4、 根據權利要求1所述的磁定向碳納米管複合薄膜隱身材料的製備方法， 其特徵在於步驟六中所述的厚度為0.5mm lmm的納米SiC/基體聚合物薄膜 的製備方法如下 一、按重量份數比分別稱取84 86份基體、14 16份的納 米SiC和20 30份固化劑，然後將基體與納米SiC分別在50 12(TC的條件下 乾燥12 24小時；二、將步驟一處理後的基體與丙酮按照2 3 : 1的體積比混 合後攪拌10 15min，再加入步驟一處理後的納米SiC，得到混合液，在超聲頻 率為30Hz的條件下將混合液超聲分散30 45min,得到懸濁液；三、將20-30 重量份的固化劑與丙酮按照1: 1的體積比混合，然後再加入步驟二得到的懸 濁液，攪拌15 20min，得到混合物；四、將混合物在真空度為60Pa的條件下 常溫真空脫泡30min，然後升溫至9(TC，保持lmin，再降溫至75'C保持12h， 然後在75'C條件下烘乾，然後將烘乾後的混合物用打磨機打磨得到厚度為/ 0.5mm lmm的納米SiC/基體聚合物薄膜；其中納米SiC的平均粒徑為40nm; 步驟一所述的固化劑為己二胺或低分子聚醯胺樹脂650。
5、 根據權利要求1所述的磁定向碳納米管複合薄膜隱身材料的製備方法， 其特徵在於步驟六中所述的厚度為0.5mm lmm的納米八1203粉/基體聚合物 薄膜的製備方法如下 一、按重量份數比分別稱取84 86份基體、14 16份 的納米Al203粉和20~30份固化劑，然後將基體與納米八1203粉分別在50 120'C的條件下乾燥12 24小時；二、將步驟一處理後的基體與丙酮按照2 3 :1的體積比混合後攪拌10 15min，再加入步驟一處理後的納米Al203粉，得到混合液，在超聲頻率為30Hz的條件下將混合液超聲分散30 45min，得到懸 濁液；三、將20 30重量份的固化劑與丙酮按照1: l的體積比混合，然後再 加入步驟二得到的懸濁液，攪拌15 20min，得到混合物；四、將混合物在真 空度為60Pa的條件下常溫真空脫泡30min，然後升溫至9(TC，保持lmin，再 降溫至75"C保持12h，然後在75t:條件下烘乾，然後將烘乾後的混合物用打 磨機打磨製得厚度為0.5mm lmm的納米SiC/基體聚合物薄膜；其中納米 八1203粉的平均粒徑為20nm;步驟一所述的固化劑為己二胺或低分子聚醯胺樹 脂650。
6、 根據權利要求1所述的磁定向碳納米管複合薄膜隱身材料的製備方法， 其特徵在於步驟一中所述的鍍鎳碳納米管的直徑為8 15nm、長度為50um， 鍍鎳碳納米管中碳納米管的含量大於38% (質量)。
7、 根據權利要求1所述的磁定向碳納米管複合薄膜隱身材料的製備方法， 其特徵在於步驟四所述的脫模劑為甲基矽油。
8、 根據權利要求1、 2、 3、 4、 5、 6或7所述的磁定向碳納米管複合薄 膜隱身材料的製備方法，其特徵在於步驟一所述的基體為矽橡膠或環氧樹脂。
9、 根據權利要求8所述的磁定向碳納米管複合薄膜隱身材料製備的方法， 其特徵在於步驟一所述的固化劑為己二胺或低分子聚醯胺樹脂650。
10、 根據權利要求1、 2、 3、 4、 5、 6、 7或9所述的磁定向碳納米管復 合薄膜隱身材料的製備方法，其特徵在於步驟三中固化劑的加入量為25份。
全文摘要
磁定向碳納米管複合薄膜隱身材料的製備方法，它涉及一種隱身材料製備方法。本發明方法解決了碳納米管出現彎折點導致碳納米管電阻率大的問題。本方法如下製備碳納米管/基體聚合物薄膜，與納米Fe粉/基體聚合物薄膜和納米Fe3O4/基體聚合物薄膜，或者與納米SiC/基體聚合物薄膜和納米Al2O3/基體聚合物薄膜按電導率由高至低的順序沿電磁波傳導方向疊合，即得磁定向碳納米管複合薄膜隱身材料。本發明方法採用強磁場使鍍鎳碳納米管磁化、沿磁場方向定向排布，且通過強磁場的磁力把碳納米管拉直，使其彎折減少，電阻率為108Ω·m～109Ω·m。
文檔編號G12B17/02GK101604555SQ20091007240
公開日2009年12月16日 申請日期2009年6月30日 優先權日2009年6月30日
發明者冷勁松, 劉彥菊, 吳春霞, 迪 宋 申請人:哈爾濱工業大學