攝像頭模組測試平臺的降壓電路的製作方法

2023-06-07 06:23:41

本實用新型涉及攝像頭模組測試技術領域，更為具體地，涉及一種攝像頭模組測試平臺的降壓電路。

背景技術：

在批量生產攝像頭模組時，通常採用測試平臺對攝像頭模組進行點亮並測試其性能，而有的攝像頭模組內部集成有LED等大電流的元件，因此，在通過測試平臺對攝像頭模組進行測試時，測試平臺需要向攝像頭模組提供大電流，以使攝像頭模組正常工作，但是攝像頭模組需要的電壓一般較小(如1.8V、2.8V、5V等)，此時，需要將測試平臺上提供的電壓降到攝像頭模組所需的電壓，通常情況下，在測試平臺中安裝一個用於降壓的低壓差線性穩壓器(low dropout regulator，LDO)，低壓差線性穩壓器最大提供的電壓為6.5V或10V(不同測試平臺所提供的最大電壓不同)，通過低壓差線性穩壓器將測試平臺的輸出電壓降到攝像頭模組所需的電壓，但低壓差線性穩壓器存在一定的缺陷，當低壓差線性穩壓器將測試平臺的輸出電壓降到攝像頭模組所需的電壓時，在低壓差線性穩壓器上就有產生較大的電壓差並伴有較大的電流，低壓差線性穩壓器的發熱量會很大(發熱量為低壓差線性穩壓器上的電流與電壓差的乘積)，當低壓差線性穩壓器的發熱量大於1W時，低壓差線性穩壓器的晶片就會發燙，當低壓差線性穩壓器的發熱量大於2W左右時，測試平臺會啟動過溫保護模塊使測試平臺關閉，從而不能對攝像頭模組的性能進行測試。

技術實現要素：

鑑於上述問題，本實用新型的目的是提供一種攝像頭模組測試平臺的降壓電路，以解決低壓差線性穩壓器的發熱量大導致測試平臺自動關閉的問題。

本實用新型提供的攝像頭模組測試平臺的降壓電路，連接在攝像頭模組測試平臺與攝像頭模組之間，攝像頭模組測試平臺的降壓電路包括：降壓晶片、電感、第一電容、第二電容、第三電容、第四電容、第五電容、第六電容、第一電阻和第二電阻；其中，降壓晶片的1引腳接入電源負極；降壓晶片的2引腳與電感的一端連接，電感的另一端與攝像頭模組的電壓輸入埠連接；從攝像頭模組至電感的方向，第一電容和第二電容的一端依次連接在攝像頭模組的電壓輸入埠與電感之間的線路上，第一電容和第二電容的另一端分別接入電源負極；降壓晶片的3引腳連接在攝像頭模組測試平臺的輸出埠；第三電容、第四電容和第五電容的一端分別連接在降壓晶片的3引腳與攝像頭模組測試平臺的輸出端之間的線路上，第三電容、第四電容和第五電容的另一端分別接入電源負極；第一電阻的一端與攝像頭模組的電壓輸入埠連接，第二電阻的一端接入電源負極，第一電阻的另一端和第二電阻的另一端分別與降壓晶片的4引腳連接；降壓晶片的5引腳與攝像頭模組測試平臺的輸出埠連接；降壓晶片的6引腳與第六電容的一端連接，第六電容的另一端連接在電感與降壓晶片的2引腳之間的線路上。

另外，優選的結構是，攝像頭模組測試平臺的輸出埠輸出的最大電壓為10V；第一電阻的阻值為25KΩ；第二電阻的阻值為11KΩ。

此外，優選的結構是，第一電容的容量與第二電容的容量分別為20-25μF；第三電容、第四電容與第五電容的容量分別為9-12μF；第六電容的容量為0.07-0.2μF；電感的電感量為0.8-1.3μH。

再者，優選的結構是，第一電容的容量與第二電容的容量分別為22μF；第三電容、第四電容與第五電容的容量分別為10μF；第六電容的容量為0.1μF；電感的電感量為1μH。

此外，優選的結構是，攝像頭模組測試平臺的輸出埠輸出的最大電壓為10V；第一電阻的阻值為55KΩ；第二電阻的阻值為10KΩ。

另外，優選的結構是，第一電容的容量與第二電容的容量分別為20-25μF；第三電容、第四電容與第五電容的容量分別為9-12μF；第六電容的容量為0.07-0.2μF；電感的電感量為0.8-1.3μH。

再者，優選的結構是，第一電容的容量與第二電容的容量分別為22μF；第三電容、第四電容與第五電容的容量分別為10μF；第六電容的容量為0.1μF；電感的電感量為1μH。

利用上述根據本實用新型的攝像頭模組測試平臺的降壓電路，能夠代替攝像頭模組測試平臺內的低壓差線性穩壓器，將攝像頭模組測試平臺輸出的電壓降至攝像頭模組所需要的電壓，並將降壓後的電壓輸送至攝像頭模組，因此，低壓差線性穩壓器不會產生較大的電壓差，也就不會導致其發熱量過大而關閉攝像頭模組測試平臺。

附圖說明

通過參考以下結合附圖的說明，並且隨著對本實用新型的更全面理解，本實用新型的其它目的及結果將更加明白及易於理解。在附圖中：

圖1為根據本實用新型實施例的攝像頭模組測試平臺的降壓電路的電路結構示意圖。

其中的附圖標記包括：攝像頭模組測試平臺1、低壓差線性穩壓器LDO、攝像頭模組2、降壓晶片Chip、電感L、第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第五電容C5、第六電容C6、第一電阻R1、第二電阻R2。

具體實施方式

在下面的描述中，出於說明的目的，為了提供對一個或多個實施例的全面理解，闡述了許多具體細節。然而，很明顯，也可以在沒有這些具體細節的情況下實現這些實施例。在其它例子中，為了便於描述一個或多個實施例，公知的結構和設備以方框圖的形式示出。

圖1示出了根據本實用新型實施例的攝像頭模組測試平臺的降壓電路的電路結構。

如圖1所示，本實用新型提供的攝像頭模組測試平臺的降壓電路，連接在攝像頭模組測試平臺1與攝像頭模組2之間，用於對攝像頭模組測試平臺1輸出的電壓進行降壓，將攝像頭模組測試平臺1輸出的電壓降至攝像頭模組2所需的電壓後傳輸至攝像頭模組2。

攝像頭模組測試平臺1中的低壓差線性穩壓器LDO會對攝像頭模組測試平臺1輸出電壓進行一級降壓，但降壓的幅度不能過大，再通過本實用新型提供的降壓電路對低壓差線性穩壓器LDO降壓後的電壓進行二級降壓，最終輸送至攝像頭模組2，由於低壓差線性穩壓器LDO的降壓幅度不能過大，並不會產生很大的電壓差，因此，低壓差線性穩壓器LDO的發熱量不會太大，攝像頭模組測試平臺1的過溫保護模塊不會啟動，自然也不會關閉攝像頭模組測試平臺1。

通常攝像頭模組測試平臺1的輸出埠輸出的最大電壓為10V。

例如：攝像頭模組測試平臺1輸出的電壓為10V，通過低壓差線性穩壓器LDO將10V電壓降至9V，再通過降壓電路將9V電壓降至2.5V。

具體地，攝像頭模組測試平臺的降壓電路包括：降壓晶片3、電感L、第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第五電容C5、第六電容C6、第一電阻R1和第二電阻R2。

降壓晶片Chip包括1-6引腳，其中，降壓晶片Chip的1引腳接地，即接入電源負極；降壓晶片Chip的2引腳與電感L的一端連接，電感L的另一端與攝像頭模組2的電壓輸入埠連接；降壓晶片Chip的3引腳與攝像頭模組測試平臺1中低壓差線性穩壓器LDO的輸出埠；降壓晶片Chip的5引腳也與攝像頭模組測試平臺1中低壓差線性穩壓器LDO的輸出埠連接；降壓晶片Chip的6引腳與第六電容C6的一側電極連接，第六電容C6另一側的電極連接在電感L與降壓晶片Chip的2引腳之間的線路上。

從攝像頭模組2至電感L的方向，第一電容C1和第二電容C2的一側電極依次連接在攝像頭模組2的電壓輸入埠與電感L之間的線路上，第一電容C1和第二電容C2的另一側電極分別接地，即接入電源負極。

從降壓晶片Chip的3腳至攝像頭模組測試平臺1的方向，第三電容C3、第四電容C4和第五電容C5的一側電極依次連接在降壓晶片Chip的3引腳與攝像頭模組測試平臺1的輸出端之間的線路上，第三電容C3、第四電容C4和第五電容C5的另一側電極分別接地，即接入電源負極。

第一電阻R1的一端與攝像頭模組2的電壓輸入埠連接，第一電阻R1的另一端與降壓晶片Chip的4引腳連接。

第二電阻R2的一端接入電源負極，第二電阻的另一端與降壓晶片Chip的4引腳連接。

在上述降壓電路中，第一電容C1至第六電容C6均起到平穩電壓的作用，電感L起到儲能的作用，第一電阻R1和第二電阻R2起到分壓的作用。

在本實用新型中，可以根據攝像頭模組2所需要的電壓來選擇第一電阻R1和第二電阻R2的阻值，從而將攝像頭模組測試平臺1的輸出埠輸出的電壓進行降至攝像頭模組2所需要的電壓。

在本實用新型中，降壓晶片Chip的4腳的VFB(voltage feedback)電壓為0.768V，根據輸出電壓Vout(輸出電壓Vout為攝像頭模組所需要的電壓)的計算公式為：

Vout＝0.768*(1+R1/R2)；

從上述公式可以得出，可以通過調節第一電阻R1和第二電阻R2的阻值比來改變輸出電壓Vout。

例如：當輸出電壓Vout為2.5V時，R1/R2＝2.2，可選擇R1＝22kΩ，R2＝10kΩ，也可選擇R1＝25kΩ，R2＝11kΩ，只要第一電阻R1的阻值與第二電阻R2的阻值滿足R1/R2＝2.2即可。

再例如：當輸出電壓Vout為5V時，R1/R2＝5.5，可選擇R1＝55kΩ，R2＝10kΩ，也可選擇R1＝82.5KΩ，R2＝15KΩ，只要第一電阻R1的阻值與第二電阻R2的阻值滿足R1/R2＝5.5即可。

當輸出電壓Vout為其他伏特值時，第一電阻R1的阻值與第二電阻R2的阻值的選擇同理可得。

另外，在本實用新型的一個具體實施方式中，第一電容C1的容量與第二電容C2的容量分別為20-25μF；第三電容C3、第四電容C4與第五電容C5的容量分別為9-12μF；第六電容C6的容量為0.07-0.2μF；電感L的電感量為0.8-1.3μH。

在本實用新型的一個優選實施方式中，第一電容C1的容量與第二電容C2的容量分別優選為22μF；第三電容C3、第四電容C4與第五電容C5的容量分別優選為10μF；第六電容C6的容量優選為0.1μF；電感的電感量優選為1μH

上述內容對本實用新型提供的攝像頭模組測試平臺的降壓電路的電路結構進行了詳細的說明，可以得出，攝像頭模組測試平臺1內的低壓差線性穩壓器LDO只需小幅度對電壓進行一級降壓，而大幅度的二級降壓工作由降壓電路來完成，從而限制低壓差線性穩壓器LDO產生較大的電壓差，從而保證低壓差線性穩壓器LDO的發熱量不至於過大。

以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式，但本實用新型的保護範圍並不局限於此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術範圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本實用新型的保護範圍之內。因此，本實用新型的保護範圍應所述以權利要求的保護範圍為準。