利用單層加工技術的印刷電路的製造技術
2023-06-04 08:14:41 2
專利名稱：利用單層加工技術的印刷電路的製造技術
技術領域：
本發明涉及電路板的製造。更具體地說，本發明涉及用於形成多層電路結構的連續工藝。該工藝防止在多層電路結構形成過程中對導電箔造成損害，同時提高了電路的蝕刻精度和準確性。
背景技術：
電路板和印刷電路廣泛應用於電子領域。它們可用於大規模應用例如工業控制設備和小規模器件例如電話、無線電和個人計算機。在這種印刷電路的製造中，重要的是對於非常小的線和間隔寬度來說達到高的準確度和解析度，以確保電路的良好性能。
在小和大規模設備的製造中，製造具有非常小的尺寸、尤其是100μ或者更小的精確部件的能力極其重要。當電路圖形不斷變得更小時，蝕刻精度也變得更加重要。眾所周知使用已知的光刻技術以高精度製造具有小特徵的印刷電路板。一般，將導電箔澱積在襯底上，然後將光致抗蝕劑澱積在箔上。然後成影象曝光和顯影光致抗蝕劑，形成小的線和間隔的圖形，然後將小的間隔蝕刻深入到導電箔中(以去除)。
然後公知對該箔進行粘接加強例如「黑氧化」處理(氧化發黑處理)，其中通過化學微腐蝕預粗糙化銅，並且化學處理銅形成氧化銅(黑色)層。該處理有助於促進箔與其它材料牢固粘接。對於在箔的表面上形成黑色氧化物的討論，例如參見美國專利No.4997516公開的內容，這裡引入作為參考。通過黑氧化處理極大地增強了箔表面與預浸料坯或其它材料的粘接。結果使得到的多層電路結構更耐熱和耐潮溼。
在電路結構的形成中出現的一個問題是，金屬箔表面的損害、箔上的樹脂點和薄疊層體的操作已經公知會引起生產率降低。這種損害主要由人工搬運過程中對箔的過度操作例如那些目前廣泛用於本領域的。因此希望採用一種形成多層電路結構的方法，該方法避免或減小了金屬箔的損害和瑕疵，並且同時以高解析度和精度蝕刻電路線和間隔。本發明提供了一種解決上述問題的技術方案，即通過提供一種對銅箔的手工操作最少的連續工藝從而避免和減小對箔不必要的損害。
在撓性印刷電路的製造中使用連續工藝，該工藝使由於材料損害而導致的生產率損失最小。撓性襯底(通常是銅包覆的聚醯亞胺或聚酯膜)具有在其一側或者兩側上的圖形。典型工藝流程由J.Fjelstad在「Flexible CircuitTechnology，Silicon Valley Publishers Group，1994」中描述了。而且在由環氧樹脂疊層體製成的四層多晶片組件的製造中，D.Weiss等人在「『Manufacture of 4Layer MCM-L’s Using Reel to Reel Manufacturing Methods』，Institute forInterconnecting and packaging Electronic Circuits，1997」中也描述了卷到卷(reel toreel)技術。他主張如果環氧樹脂襯底極薄，那麼在連續工藝中應具有足夠的撓性以加工。環氧樹脂襯底的問題在於芯厚度限制在大約150微米，因此襯底喪失撓性。此外目前的撓性印刷電路工藝把厚度在50和200微米之間的襯底限定在50微米的增量內。本發明解決這些問題，以非常小的增量得到了寬範圍的最後產品厚度。
根據本發明，通過連續工藝形成多層電路結構，該連續工藝包括在銅箔的粗糙側塗覆和固化膜形成聚合物。任選但優選清潔箔的相對(光亮)側，用光致抗蝕劑塗覆該相對側，然後任選但優選乾燥該光致抗蝕劑。曝光和顯影該光致抗蝕劑，以便除去非圖象區域而留下圖象區域。然後蝕刻所除去的非圖象區域下面的箔以便形成銅圖形，任選但優選除去剩餘的光致抗蝕劑。然後將該箔切為區段，接著任選但優選衝定位孔。然後任選但優選用粘接增強處理處理銅圖形，任選但優選檢測缺陷，並將銅圖形層壓到襯底上，以便形成多層電路結構。該方法優選以卷到卷方式進行。由於可以利用通過溼處理步驟的最佳取向(面向下)，因此該技術實現了比已知方法更精確的蝕刻和更好的蝕刻一致性。
發明內容
本發明提供了一種用於形成多層電路結構的連續工藝，包括(a)銅箔卷退卷，該箔具有光亮表面側和粗糙表面側；(b)在箔的粗糙側上塗覆和固化膜形成聚合物，(c)任選地清潔箔的光亮側；(d)在箔的光亮側上塗覆和任選地乾燥光致抗蝕劑；
(e)成影象地將光致抗蝕劑暴露於光化輻射下，從而形成圖象區域和非圖象區域；(f)給光致抗蝕劑顯影，從而除去非圖象區域，留下圖象區域；(g)腐蝕掉位於除去的光致抗蝕劑的非圖象區域下面的箔，從而形成銅圖形；(h)任選地除去剩餘的光致抗蝕劑；(i)將箔切為區段；(j)任選地穿過箔衝定位孔；(k)任選地利用粘接增強處理劑處理銅圖形(l)任選地檢查銅圖形的缺陷；和(m)將至少一個箔區段層壓到襯底上；於是形成多層電路結構。
本發明還提供了一種用於形成多層電路結構的連續工藝，包括(a)銅箔卷退卷，該箔具有光亮表面側和粗糙表面側；(b)在箔的粗糙表面側上塗覆和固化膜形成聚合物；(c)清潔箔的光亮側；(d)在箔的光亮側上塗覆和乾燥光致抗蝕劑；(e)成影象地將光致抗蝕劑暴露於光化輻射(actinic radiation)下，從而形成圖象和非圖象區域；(f)顯影光致抗蝕劑，從而除去非圖象區域而留下圖象區域；(g)腐蝕掉所除去的光致抗蝕劑的非圖象區域下面的箔，從而形成銅圖形；(h)除去剩餘的光致抗蝕劑；(i)將箔切為區段；(j)穿過箔衝定位孔；(k)利用粘結增強處理劑處理銅圖形；(l)檢查銅圖形的缺陷；(m)將至少一個箔區段層壓在襯底上；從而形成多層電路結構。
本發明進一步提供一種用於形成多層電路結構的連續工藝，包括(a)銅箔卷退卷，該箔具有光亮表面側和粗糙表面側，兩側都利用粘結增強處理劑進行了處理；(b)在箔的任一側上塗覆和固化膜形成聚合物；
(c)任選地清潔箔的沒有塗覆膜形成聚合物的那一面；(d)在箔的未塗覆側上塗覆並任選地乾燥光致抗蝕劑；(e)成影象地將光致抗蝕劑暴露於光化輻射(actinic radiation)下，從而形成圖象和非圖象區域；(f)顯影光致抗蝕劑，從而除去非圖象區域而留下圖象區域；(g)腐蝕掉所除去的光致抗蝕劑的非圖象區域下面的箔，從而形成銅圖形；(h)任選地除去剩餘的光致抗蝕劑；(i)將箔切為區段；(j)任選地穿過箔衝定位孔；(k)任選地檢查銅圖形的缺陷；和(l)將至少一個箔區段層壓在襯底上；從而形成多層電路結構。
本發明再提供一種用於形成多層電路結構的連續工藝，包括(a)銅箔卷退卷，該箔具有光亮表面側和粗糙表面側，其光亮側已經利用粘結增強處理劑處理了；(b)在箔的光亮側上塗覆和固化膜形成聚合物；(c)任選地清潔箔的粗糙側；(d)在箔的光亮側上塗覆並任選地乾燥光致抗蝕劑；(e)成影象地將光致抗蝕劑暴露於光化輻射(actinic radiation)下，從而形成圖象和非圖象區域；(f)顯影光致抗蝕劑，從而除去非圖象區域而留下圖象區域；(g)腐蝕掉所除去的光致抗蝕劑的非圖象區域下面的箔，從而形成銅圖形；(h)任選地除去剩餘的光致抗蝕劑；(i)將箔切為區段；(j)任選地穿過箔衝定位孔；(k)任選地利用粘結增強處理劑對銅圖形進行處理；(l)任選地檢查銅圖形的缺陷；(m)將至少一個箔區段層壓在襯底上；從而形成多層電路結構。
圖1是表示根據本發明的工藝步驟的流程圖。
具體的實施方式本發明提供一種用於製造多層電路結構的連續工藝。本發明的工藝優選以卷到卷的方式進行。
本發明的一個實施例的第一步是銅箔卷的退卷，該銅箔具有光亮表面側和粗糙表面側。根據本發明，術語「銅箔」優選包括銅或者銅合金。銅合金可以包含鋅、鉻、鎳、鋁、不鏽鋼、鐵、鈦及其組合。銅箔可以通過眾所周知電沉積工藝製造。一個優選的工藝包括從銅鹽的溶液中將銅電沉積到旋轉的金屬鼓形圓筒上。緊鄰鼓形圓筒的箔側一般是光滑或者光亮側，而另一側具有相對粗糙的表面，而且亦稱粗糙側。該鼓形圓筒通常由不鏽鋼或者鈦製成，當從溶液中澱積銅時，上述鼓形圓筒作為陰極，並且接收銅。陽極通常由鉛合金構成。在陽極和陰極之間施加大約5-10伏的電解槽電壓以引起銅澱積，同時在陽極放出氧。然後從鼓形圓筒上取下該銅箔。
任選性地利用本領域已知的粘結增強處理劑對箔的光亮側、粗糙側或者兩側進行預處理，該處理劑對銅箔會起到粘結促進劑的作用。一個最佳的粘結增強處理劑包括可以在市場上買到McGean Rohco Inc.of Cleveland，Ohio生產的Durabond，即一種氧化錫。其它適當的粘結增強處理劑不排它地包括氧化物處理劑。一個最佳的氧化物處理劑是黑氧化物處理劑，這種處理劑利用氧化劑使銅箔氧化，從而將襯底上的銅轉化為光亮的氧化銅。黑氧化物處理劑優選使用，作為處理溶液，一種氧化劑的溶液例如次氯酸鈉。由於氧化劑溶液是鹼性的，因此用氧化劑溶液處理的銅箔在處理之後可能會需要清洗。該化學品的一個提供者是Electrochemicals Inc.of Maple Plains，MN。
然後在箔的一側塗覆膜形成聚合物組合物並固化。優選在箔的已經用粘結增強處理劑預處理了的側面上塗覆和固化膜形成聚合物組合物。可以在箔的任一側進行上述操作，但優選粗糙側。在如上所述利用粘結增強處理劑對箔的兩側都進行了預處理的實施例中，可以將聚合物組合塗覆和固化到箔的任一側上。在塗覆和固化膜形成聚合物組合物之前，優選部分或者完全退卷銅箔。適當的膜形成聚合物不排它地包括聚醯亞胺、聚酯、含聚酯的共聚物、聚芳醚、液晶聚合物、聚苯醚(polyphenylene ethers)、胺及其組合。其中，聚醯亞胺和聚酯是最優選的。膜形成聚合物組合物還可以任選地包含填料。可以通過常規技術例如噴霧、彎月面(meniscus)塗覆、刮板塗覆、濺射、蒸發、汽相澱積等塗覆膜形成聚合物組合物，以便進行聚合物厚度的控制和實現厚度的均勻性。然後優選將該聚合物固化到箔上，如此形成預浸料坯。優選通過常規技術例如爐內加熱進行固化。優選在大約100°F至大約600°F的溫度下進行熱固化，時間為大約1-10分鐘。固化後，根據本發明為了檢測和/或儲存可以再卷繞該銅箔，以備後來再退卷以便完成後續的步驟。這種預卷繞和退卷可以通過本領域已知的任何適當方法進行，例如利用收集器(accumulator)。
然後，任選地利用常規技術清潔箔的沒有塗覆膜形成聚合物的一側。在已經用聚合物塗覆了粗糙側的實施例中，任選地清潔光亮側。相反，在已經用聚合物塗覆了光亮側的實施例中，任選地清潔粗糙側。優選在清潔之前部分或者全部將箔退卷。可以通過本領域已知的任何常規方法進行清潔，例如用過硫酸鈉微蝕刻或者用稀硫酸漂洗。
接著，在箔的與塗覆了聚合物的側相反的側塗覆光致抗蝕劑，並任選地並且優選乾燥。該光致抗蝕劑的組成可以是正性(positive working)或者負性的，並且通常是在市場上可以買到的。適當的正性光致抗蝕劑在本領域是已知的，可以包括鄰-醌二疊氮輻射敏化劑(o-quinone diazide radiation sensitizer)。該鄰-醌二疊氮輻射敏化劑包括在美國專利Nos.2,797,213；3,106,465；3,148,983；3,130,047；3,201,329；3,785,825和3,802,885中公開的鄰-醌-4-或5-磺醯-二疊氮(diazides)。當使用鄰醌二疊氮時，優選的粘合樹脂包括水不溶性、鹼水溶液可溶或可溶脹粘合樹脂，優選線型酚醛清漆。適當正性感光介質樹脂可以在市場上買到，例如Clariant Corporation ofSomerville，New Jersey提供的AZ-P4620商標以及Shipley I-line光致抗蝕劑。負性光致抗蝕劑在市場上也能很容易得到。光致抗蝕劑優選通過常規技術例如上面提到的技術塗覆在箔的光亮側。光致抗蝕劑層的厚度可以隨著所用的澱積工序而變化。然後通過常規技術例如加熱任選地將光致抗蝕劑乾燥到箔上。在箔上塗覆和任選地乾燥光致抗蝕劑之後，根據本發明為了檢查和/或儲存可以重新卷繞該銅箔，後來再退卷以便完成後續的步驟。這種重新卷繞和退卷可以通過本領域已知的任何適當方法進行，例如利用收集器(accumulator)。
然後通過掩模將光致抗蝕劑成影象地曝光於光化輻射下，例如可見光、光譜的紫外或紅外區，或者通過電子束、離子或中子束或者X射線掃描光致抗蝕劑，由此形成圖象和非圖象區域。在曝光之前應使箔退卷。光化輻射可以是非相干光或相干光的形式，例如雷射。在一個實施例中，光致抗蝕劑曝光於輻射之後可以臨時或者永久停止本發明的工藝。
然後利用適當的溶劑例如鹼性水溶液成影象地顯影光致抗蝕劑，除去非圖象區域，留下圖象區域。優選的溶劑顯影劑在市場上可以很容易得到，可以包括氫氧化鈉水溶液、氫氧化鉀水溶液或碳酸鈉水溶液。
下一步在除去光致抗蝕劑層的非圖象區域的情況下任選地蝕刻掉部分銅箔，形成蝕刻了的銅圖形。該光致抗蝕劑圖形為高精度和高度準確地蝕刻導電層提供了優異質量的蝕刻掩模。可以通過常規技術例如酸蝕刻和鹼蝕刻形成該蝕刻了的圖形。適當的蝕刻劑非排它地包括鹼性溶液或酸性溶液，例如二氯化銅或硝酸。優選的還有三氯化鐵或過硫酸(sulfuric peroxide)。然後可以利用常規技術例如剝離或灰化任選地除去剩餘的光致抗蝕劑。在一個實施例中，本發明的工藝可以在除去光致抗蝕劑之後臨時或者永久停止。
然後優選通過常規技術將箔切割為區段。優選區段是正方形，但可以是特定應用或者工藝所需的任何其它形狀。然後任選地穿過箔衝定位孔。該孔優選利用衝孔系統製成，然後，也可以使用本領域已知的任何其它方法。優選在層壓箔之前衝定位孔。
然後，任選地利用粘結增強處理劑處理銅圖形，該處理劑起到銅箔與粘結材料(bonding material)(例如用環氧樹脂塗覆的纖維玻璃布)的粘結促進劑的作用。
根據本發明，下一步是將箔層壓到襯底上。在層壓之前，任選地檢查銅圖形的缺陷。任選的檢查可以通過本領域已知的任何適當方法進行。優選方法非排它地包括在線光學檢測、隨機抽樣、電氣測試和目檢。
根據本發明，至少將一個箔區段層壓到襯底上，這樣形成多層電路結構。在本發明的實施中，可以將多個箔區段層壓在一起。而且，可以通過相鄰區段之間的襯底將多個箔區段層壓在一起。優選在大約160℃至大約320℃、更優選大約170℃至大約245℃、最優選在大約175℃至大約230℃的溫度下在加壓的情況下進行層壓。優選層壓時間為大約15分鐘至大約180分鐘，更優選30分鐘至大約120分鐘，最優選大約30分鐘至大約90分鐘。優選，熱壓機處在從至少25至大約30mm水銀柱的真空下，更優選大約28至大約30mm水銀柱，最優選大約大約29至大約30英寸水銀柱。壓機壓力優選保持在大約3.5kg/cm2至大約70kg/cm2，更優選從大約7kg/cm2至大約30kg/cm2，最優選從大約9kg/cm2至大約21kg/cm2。
典型的襯底是那些適合被加工成印刷電路或者其它微電子器件的襯底。適用於本發明的襯底非排它地包括環氧樹脂、聚醯亞胺、聚酯、氰酸酯、BT-環氧樹脂及其組合，用材料例如玻璃纖維增強的聚合物、有機紙、芳族聚醯胺(凱夫拉爾)、芳族聚醯胺紙(Thermount)、Polybenzoxolate紙及其組合。其中有玻璃纖維增強的環氧樹脂是最優選的襯底。襯底的最佳厚度在大約10至大約200μm的範圍內，更優選大約10至大約50μm。
在本發明的一個實施例中，清潔箔、乾燥光致抗蝕劑、除去剩餘光致抗蝕劑、穿過箔衝定位孔、用粘接增強處理劑處理銅圖形、和檢測銅圖形缺陷的任選步驟都進行。
在另一個實施例中，尤其當對箔的兩面都進行了粘接增強處理時，不進行用粘接增強處理劑對銅圖形進行處理的任選步驟。
在另一個實施例中，在層壓之前，可以對銅箔的光亮側進行電解處理，以便形成粗糙化的銅澱積，和對粗糙側電解處理以便澱積金屬或者合金的微瘤。這些瘤優選是銅或者銅合金，增加對襯底的粘接。通過輪廓儀例如可以從MahrFeinpruef Corporation of Cincinnati，Ohio買到的Perthometer model M4P或者S5P，測量箔的表面微結構。根據2115 Sanders Road，Northbrook，Illinois60062的互連和封裝電路協會的工業標準IPC-TM-650第2.2.172節進行峰和谷的表面晶粒結構的地形測量。在測量工序中，選擇樣品表面上的測量長度Im。Rz定義為測量長度Im內5個連續取樣長度的峰到谷的平均最大高度(I0為Im/5)。Rt為最大粗糙深度，並且是測量長度Im內最高峰和最低谷之間的最大垂直距離。Rp是最大測平深度(leveling depth)，並且是測量長度Im內最高峰的高度。Ra或平均粗糙度定義為測量長度Im內與中心線的粗糙輪廓的所有絕對距離的算術平均值。對於本發明來說重要的參數是Rz和Ra。進行的表面處理生成了具有峰和谷的表面結構，這樣生成粗糙度參數，其中Ra在大約1至大約10μm的範圍內，Rz在大約2至大約10μm的範圍內。
在光亮側進行表面處理生成了具有峰和谷的表面結構，這樣產生粗糙參數，其中Ra在大約1至大約4μm的範圍內，優選大約2至大約4微米的範圍內，最優選從大約3至大約4微米的範圍內。Rz值在大約2至大約4.5μm的範圍內，優選從大約2.5至大約4.5微米的範圍內，更優選在大約3至大約4.5μm的範圍內。
在粗糙側上進行表面處理生成了具有峰和谷的表面結構，這樣產生粗糙參數，其中Ra在大約4至大約10μm的範圍內，優選大約4.5至大約8微米的範圍內，最優選從大約5至大約7.5微米的範圍內。Rz值在大約4至大約10μm的範圍內，優選從大約4至大約9微米的範圍內，更優選在大約4至大約7.5μm的範圍內。
優選，光亮側具有大約2至4.5μm厚的銅澱積，以便產生2μm或者更大的平均粗糙度(Rz)。更優選，粗糙側具有大約4-7.5μm的粗糙度Rz。金屬或者合金的微瘤將具有大約0.5μm的大小。如果需要，可以將其它金屬例如鋅、銦、錫、鈷、黃銅、青銅等澱積為微瘤。美國專利5,679,230中更全面地描述了該工藝，這裡引入作為參考。
光亮表面優選具有大約0.7kg/線性cm至大約1.6kg/線性cm範圍內的剝離強度，更優選在大約0.9kg/線性cm至大約1.6kg/線性cm範圍內。粗糙側優選具有大約0.9kg/線性cm至大約2kg/線性cm範圍內的剝離強度，更優選在大約1.1kg/線性cm至大約2kg/線性cm範圍內。根據工業標準IPC-TM-650第2.4.8節修訂C測量剝離強度。
下面利用非限制性的例子說明本發明。應理解光敏塗層組合物成份比例的變化和元素的選擇對本領域技術人員來說是顯而易見的，並且在本發明的範圍內。
例1在退卷輥上安裝電沉積的35μm、一盎司銅箔的卷，寬度為0.64米。穿過張緊輥、導輥將該箔裝到收繞輥上。然後在該箔上施加每英寸寬度4磅的張力。掛上收繞輥上的驅動馬達，並且設定為1.2米/分鐘。在不鏽鋼混合桶中用N-甲基吡咯烷酮調整液態聚醯亞胺樹脂，使其含25％固體，粘度為大約20,000釐泊。將聚醯亞胺溶液裝到配給系統，利用重力和液態聚合物粘度作為配給力將大約50μm的膜塗覆到移動箔的粗糙側。
調整刮刀以便生成43μm厚的溼膜，得到撓性複合物，該複合物具有大約7.6μm厚的已經乾燥的聚合物膜。在刮刀的上遊側保持連續的液壓頭高度和堆積材料的體積，以便保持連續的撓性複合物膜厚和不包含空氣的膜。
蒸發溶劑並且在425℃溫度下在爐中固化該聚合物。當塗覆的箔首先進入爐中時，應預見最初的溫度下降。一旦爐中達到穩定的溫度，通過下列方式檢查膜的厚度，即提取膜的樣品且比較箔的塗覆後的重量和基本重量以便利用聚醯亞胺的密度從重量換算為膜厚度。基於此測量調整配給聚醯亞胺的速度和箔上刮刀的高度。重複此工藝直到得到理想的膜厚。
然後清潔並用硫酸鈉微蝕刻箔的光亮側，接著用水漂洗並塗覆光致抗蝕劑。乾燥光致抗蝕劑，並利用UV曝光單元通過掩膜成影象地曝光於光化輻射下，從而形成圖象區域和非圖象區域。然後利用碳酸鈉水溶液顯影光致抗蝕劑，以便除去非圖象區域，留下圖象區域。然後在二氯化銅中蝕刻該箔，以便形成銅圖形。利用氫氧化鉀剝掉剩餘的抗蝕劑，留下想要的銅圖形。
將該箔切為矩形區段，然後利用光學定位機械衝孔機穿加工孔。然後利用含31g/l亞氯酸氫鈉、15g/l氫氧化鈉和12g/l磷酸三鈉的溶液處理箔區段上的銅圖形，在85℃下攪動3分鐘，從而提供黑氧化處理。
然後在275℃和10kg/cm2的水壓下將處理後的箔區段層壓到玻璃纖維增強的環氧樹脂襯底上，保持30分鐘。壓機在28英寸水銀柱的真空下。將第二箔區段層壓到第一箔區段上，從而形成多層電路結構。
例2重複例1，只是通過在85℃將銅箔浸入具有下列組分的黑氧化處理水溶液中3分鐘進行黑氧化處理步驟NaClO2-31g/lNaOH-15g/lNa3PO4-12g/l例3重複例1，只是在襯底上箔區段的聚醯亞胺表面之間層壓10μm的對亞苯基-2，6-苯並雙噁唑(benzobisoxazole)紙片。得到的產品具有改進的尺寸穩定性並且耐撕破。
例4重複例1，只是利用連續熱輥層壓工藝在300℃和21kg/cm2下進行層壓。將該產品接受層壓後烘爐烘烤以實現最後的固化。
例5重複例1，只是利用擠出塗覆機進行塗覆，並且通過夾輥工藝進行層壓。填料與聚醯亞胺一起擠出。
例6重複例1，只是用瘤處理箔的粗糙側以便改進與聚醯亞胺的機械粘接。最大的瘤尺寸小於120微英寸以避免可能出現的高潛在性失效。
例7重複例1，只是用非滷化熱固性聚醯亞胺(Keramid601)浸漬纖維玻璃布，形成預浸料坯。然後部分固化該聚合物。該預浸料坯的厚度為大約68μm。然後將銅箔層壓到預浸料坯上，聚合物塗層面對預浸料坯。在275℃真空下(28英寸Hg)和14kg/cm2壓力下進行層壓，時間為90分鐘。
例8重複例7，只是非滷化環氧樹脂代替熱固性聚醯亞胺。在185℃進行層壓，時間為60分鐘。
例9重複例7，只是襯底是另一種玻璃纖維，且預浸料坯厚度為大約115μm。
儘管參考最佳實施例具體示出和描述了本發明，但本領域技術人員應理解在不離開本發明的精神和範圍的情況下，可以作出各種變化和修改。權利要求應理解為覆蓋所公開的實施例、上面已經討論的替代方案及其所有的等效物。
權利要求
1.一種用於形成多層電路結構的連續方法，包括(a)銅箔卷退卷，該箔具有光亮表面側和粗糙表面側；(b)在箔的粗糙側上塗覆和固化膜形成聚合物；(c)任選地清潔箔的光亮側；(d)在箔的光亮側上塗覆和任選地乾燥光致抗蝕劑；(e)成影象地將光致抗蝕劑暴露於光化輻射下，從而形成圖象區域和非圖象區域；(f)顯影光致抗蝕劑，從而除去非圖象區域，留下圖象區域；(g)腐蝕掉位於除去的光致抗蝕劑的非圖象區域下面的箔，從而形成銅圖形；(h)任選地除去剩餘的光致抗蝕劑；(i)將箔切為段；(j)任選地穿過箔衝定位孔；(k)任選地利用粘接增強處理劑處理銅圖形；(l)任選地檢查銅圖形的缺陷；和(m)將至少一個箔段層壓到襯底上；於是形成多層電路結構。
2.權利要求1的方法，其中膜形成聚合物包括聚醯亞胺、聚酯及其組合。
3.權利要求1的方法，包括將多個箔段層壓在一起。
4.權利要求1的方法，包括通過在相鄰的區段之間的襯底將多個箔區段層壓在一起。
5.權利要求4的方法，其中襯底包括增強的聚合物。
6.權利要求1的方法，其中襯底包括增強的聚合物，該聚合物本身包括環氧樹脂、聚醯亞胺、聚酯、氰酸酯、BT-環氧樹脂或其組合。
7.權利要求1的方法，其中使光致抗蝕劑暴露在輻射之後停止該方法。
8.權利要求1的方法，其中在剝離光致抗蝕劑之後停止該方法。
9.權利要求1的方法，其中通過酸腐蝕作用來腐蝕該箔。
10.權利要求1的方法，其中通過鹼腐蝕作用來腐蝕該箔。
11.權利要求1的方法，其中根據步驟(b)之後的步驟(c)清潔箔的光亮側。
12.權利要求1的方法，其中根據步驟(h)之後的步驟(i)穿過箔衝孔。
13.權利要求1的方法，其中根據步驟(j)之後的步驟(k)利用粘接增強處理劑處理銅圖形。
14.權利要求1的方法，其中根據步驟(j)之後的步驟(k)利用黑氧化處理劑處理銅圖形。
15.權利要求1的方法，其中根據步驟(c)不清潔箔的光亮側，並且根據步驟(k)不利用氧化物處理銅圖形。
16.權利要求1的方法，其中根據步驟(i)之後的步驟(j)給箔衝孔。
17.權利要求1的方法，其中根據步驟(k)之後的步驟(l)檢查銅圖形。
18.權利要求1的方法，其中根據步驟(b)固化膜形成聚合物之後卷繞箔，然後在步驟(c)之前將箔再退卷。
19.權利要求1的方法，其中根據步驟(d)乾燥光致抗蝕劑之後卷繞箔，然後在步驟(e)之前將箔再退卷。
20.權利要求1的方法，其中通過收集器卷繞該箔。
21.一種用於形成多層電路結構的連續方法，包括(a)銅箔卷退卷，該箔具有光亮表面側和粗糙表面側；(b)在箔的粗糙表面側上塗覆和固化膜形成聚合物；(c)清潔箔的光亮側；(d)在箔的光亮側上塗覆和乾燥光致抗蝕劑；(e)成影象地將光致抗蝕劑暴露於光化輻射(actinic radiation)下，從而形成圖象和非圖象區域；(f)顯影光致抗蝕劑，從而除去非圖象區域而留下圖象區域；(g)蝕刻所除去的光致抗蝕劑的非圖象區域下面的箔，從而形成銅圖形；(h)除去剩餘的光致抗蝕劑；(i)將箔切為段；(j)穿過箔衝定位孔；(k)利用粘結增強處理劑處理銅圖形；(l)檢查銅圖形的缺陷；(m)將至少一個箔區段層壓在襯底上；從而形成多層電路結構。
22.一種用於形成多層電路結構的連續方法，包括(a)銅箔卷退卷，該箔具有光亮表面側和粗糙表面側，兩側都利用粘結增強處理劑進行了處理；(b)在箔的任一側上塗覆和固化膜形成聚合物；(c)任選地清潔箔的沒有塗覆膜形成聚合物的側面；(d)在箔的未塗覆側塗覆並任選地乾燥光致抗蝕劑；(e)成影象地將光致抗蝕劑暴露於光化輻射(actinic radiation)下，從而形成圖象和非圖象區域；(f)顯影光致抗蝕劑，從而除去非圖象區域而留下圖象區域；(g)腐蝕掉所除去的光致抗蝕劑的非圖象區域下面的箔，從而形成銅圖形；(h)任選地除去剩餘的光致抗蝕劑；(i)將箔切為段；(j)任選地穿過箔衝定位孔；(k)任選地檢查銅圖形的缺陷；和(l)將至少一個箔區段層壓在襯底上；從而形成多層電路結構。
23.一種用於形成多層電路結構的連續方法，包括(a)銅箔卷退卷，該箔具有光亮表面側和粗糙表面側，其光亮側已經利用粘結增強處理劑處理了；(b)在箔的光亮側塗覆和固化膜形成聚合物；(c)任選地清潔箔的粗糙側；(d)在箔的光亮側上塗覆並任選地乾燥光致抗蝕劑；(e)成影象地將光致抗蝕劑暴露於光化輻射(actinic radiation)下，從而形成圖象和非圖象區域；(f)顯影光致抗蝕劑，從而除去非圖象區域而留下圖象區域；(g)腐蝕掉所除去的光致抗蝕劑的非圖象區域下面的箔，從而形成銅圖形；(h)任選地除去剩餘的光致抗蝕劑；(i)將箔切為段；(j)任選地穿過箔衝定位孔；(k)任選地利用粘結增強處理劑對銅圖形進行處理；(l)任選地檢查銅圖形的缺陷；(m)將至少一個箔段層壓在襯底上；從而形成多層電路結構。
全文摘要
一種用於形成多層電路結構的連續方法，包括在銅箔的粗糙側上塗覆和固化膜形成聚合物。任選地而且優選清潔箔的相對側(光亮側)，用光致抗蝕劑塗覆然後任選但優選乾燥該光致抗蝕劑。曝光並顯影光致抗蝕劑，以便除去非圖象區域而留下圖象區域。然後蝕刻所除去的非圖象區域下面的箔，以便形成銅圖形。任選但優選除去剩餘的光致抗蝕劑。然後將箔切為段，然後任選地而且優選衝定位孔。然後任選但優選用粘結增強處理處理銅圖形，並將銅圖形層壓到襯底上，形成多層電路結構。
文檔編號B32B15/09GK1496670SQ01820940
公開日2004年5月12日 申請日期2001年12月11日 優先權日2000年12月26日
發明者J·安德雷薩基斯, D·帕圖雷爾, J 安德雷薩基斯, 祭錐 申請人:奧克-三井有限公司