Ffs型tft-lcd陣列基板及其製造方法
2023-06-04 10:49:26 1
專利名稱：Ffs型tft-lcd陣列基板及其製造方法
技術領域：
本發明涉及FFS型TFT-LCD陣列基板及其製造方法，尤其是涉及能夠通過3次 構圖工藝製備的FFS型TFT-LCD陣列基板及其製造方法。
背景技術：
薄膜電晶體液晶顯示裝置(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,簡稱 TFT-LCD)是一種主要的平板顯示裝置(Flat Panel Display，簡稱為FPD)。
根據驅動液晶的電場方向，TFT-LCD分為垂直電場型和水平電場型。其中，垂 直電場型TFT-LCD需要在陣列基板上形成像素電極，在彩膜基板上形成公共電極；然而 水平電場型TFT-LCD需要在陣列基板上同時形成像素電極和公共電極。因此，製作水平 電場型TFT-LCD的陣列基板時，需要額外增加一次形成公共電極的構圖工藝。垂直電 場型TFT-LCD包括扭曲向列(Twist Nematic,簡稱為TN)型TFT-LCD ；水平電場型 TFT-LCD包括邊緣電場切換(Fringe Field Switching，簡稱為FFS)型TFT-LCD，共平 面切換(In-Plane Switching，簡稱為IPS)型TFT-LCD。水平電場型TFT-LCD，尤其是 FFS型TFT-LCD具有廣視角、開口率高等優點，廣泛應用於液晶顯示器領域。
目前，FFS型TFT-LCD陣列基板是通過多次構圖工藝形成結構圖形來完成， 每一次構圖工藝中又分別包括掩膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝，其中刻蝕工藝包 括幹法刻蝕和溼法刻蝕，所以構圖工藝的次數可以衡量製造TFT-LCD陣列基板的繁簡程 度，減少構圖工藝的次數就意味著製造成本的降低。現有技術的FFS型TFT-LCD陣列 基板六次構圖工藝包括公共電極構圖、柵線和柵電極構圖、有源層構圖、源電極/漏 電極構圖、過孔構圖和像素電極構圖。
現有技術中公開有大量的，通過減少構圖工藝次數來降低製造成本，並通過工 藝的簡化來提高生產效率的技術文獻。
現有的4次構圖工藝製造FFS型液晶顯示器的陣列基板的方法如下
步驟1、沉積第一金屬薄膜，通過第一構圖工藝利用普通掩膜板形成柵線、公共 電極線和柵電極的圖形；
步驟2、沉積柵絕緣薄膜、有源層(半導體層和摻雜半導體層)薄膜，通過第二 構圖工藝利用普通掩膜板設置有源層(ACTIVE)的圖形；
步驟3、依次沉積第一透明導電薄膜和第二金屬薄膜，通過第三次構圖工藝利用 雙調掩膜板形成像素電極、源電極、漏電極及TFT溝道；
步驟4、沉積鈍化層及第二透明導電層，通過第四次構圖工藝利用雙調掩膜板形 成鈍化層、連接孔(用於將公共電極與公共電極線連接)、PAD區域連接孔以及公共電極 的圖形。
PAD區域即為壓接區域，是將柵線、數據線及公共電極線等信號線與外部的驅 動電路板的引線壓接的區域。PAD區域位於陣列基板的4個邊中的其中一個或相鄰的兩 個邊上。為了將引線和信號線電連接，PAD區域的信號線上方必須沒有絕緣層覆蓋，通常是在信號線上方刻蝕形成連接孔，將信號線暴露或將信號線與導電元件連接。
圖19為通過現有的4次構圖工藝得到的FFS型TFT-LCD陣列基板的平面示意 圖。如圖19所示，現有的FFS型TFT-LCD陣列基板包括多個像素單元1000。像素單 元1000包括透明基板、柵線1』、數據線2』、薄膜電晶體(以下簡稱為TFT) 3』、像 素電極4』、公共電極線5』、第六連接孔56、公共電極6』、狹縫63』、柵絕緣層以及 鈍化層。圖1中省略了透明基板、柵絕緣層和鈍化層，便於更清楚地表達結構之間的連 接關係。
具體地，透明基板上橫向設有柵線1』、公共電極線5』，縱向設有數據線 2』。柵線1』和數據線2』交疊處設有TFT3』和像素電極4』。像素電極4』為板狀 電極。公共電極6』為狹縫電極，具有狹縫63』。
柵線1』與TFT3，的柵電極連接，用於向TFT3』提供開啟信號；數據線2』 與TFT3，的源電極連接，像素電極4』與TFT3，的漏電極連接。TFT3』為有源開關 元件。公共電極線5』用於向公共電極6』提供公共信號。當柵線1』向TFT3』提供 了開啟信號後，數據線2』的數據信號可以經TFT3』的源電極、TFT溝道及漏電極輸入 至像素電極4』。像素電極4』就可以與公共電極6』形成液晶驅動電場。
柵絕緣層和鈍化層覆蓋整個基板，用於將上述各元件絕緣。公共電極線和信號 線PAD區域的上方的柵絕緣層及鈍化層上設有貫通的連接孔，用於暴露公共電極線和信 號線PAD區域的信號線。如圖19所述，公共電極線上方的柵絕緣層和鈍化層上設置有 貫通的第六連接孔56。
為了增強市場競爭力，提高市場的佔有率，需要不斷研發更加低成本的 TFT-LCD陣列基板。發明內容
本發明的目的是提供一種FFS型TFT-LCD陣列基板及其製造方法，使其能夠進 一步減少構圖工藝的次數，降低成本。
為實現上述目的，本發明提供了一種FFS型TFT-LCD陣列基板，包括多個像素 單元，每個像素單元包括柵線、公共電極線、柵絕緣層、數據線段、薄膜電晶體、像素 電極、鈍化層以及公共電極；
所述薄膜電晶體包括源電極、漏電極及柵電極，所述柵電極與柵線電連接，所 述漏電極通過第一連接線與像素電極連接，所述源電極與數據線段電連接；
所述柵絕緣層用於將柵線和柵電極與數據線、源電極及漏電極絕緣；
所述鈍化層用於將柵線、數據線、源電極、漏電極及像素電極與公共電極絕 緣；
所述陣列基板還包括第二連接線，第二連接線用於電連接相鄰的兩個像素單元 的數據線段，構成數據線；
所述第一連接線和第二連接線與公共電極同層設置。
為實現上述目的，本發明還提供了一種FFS型TFT-LCD陣列基板的製造方法， 所述陣列基板包括公共電極線區域、柵線區域、柵電極區域、數據線段區域、有源層區 域，源電極區域、漏電極區域、像素電極區域、狹縫區域、第一至第六連接孔區域、公共電極區域、第一連接線區域、第二連接線區域及信號線PAD區域，該製造方法包括
步驟1、沉積柵金屬薄膜、柵絕緣薄膜、有源層薄膜、源漏金屬薄膜，通過第一 構圖工藝，形成包括柵線、柵電極、柵絕緣層、數據線段、公共電極線的圖形；
步驟2、沉積第一透明導電薄膜，通過第二構圖工藝，形成包括像素電極、源電 極、漏電極、TFT溝道以及有源層的圖形；
步驟3、沉積鈍化層，通過第三構圖工藝，形成第一至第五連接孔、信號線PAD 區域的連接孔的圖形，沉積第二透明導電部，通過離地剝離工藝形成公共電極、第一連 接線以及第二連接線的圖形。
由上述技術方案可知，本發明FFS型TFT-LCD陣列基板及其製造方法，僅通過 三次構圖工藝即可完成TFT-LCD陣列基板的製造，相比現有技術降低了成本，提高了市場競爭力。
圖1為本發明FFS型TFT-LCD陣列基板的平面示意圖&為圖1的A-A向剖面圖Zb為圖1的B-B向剖面圖3為在透明基板上沉積柵金屬薄膜、柵絕緣薄膜、有源層薄膜、源漏金屬薄 膜後的剖面圖如-圖4b為在圖3的結構上塗覆了光刻膠後，對光刻膠進行了曝光及顯影處 理後的剖面圖5a-圖恥為對圖4a-圖4b的結構進行了第一刻蝕工藝後的剖面圖虹-圖冊為對圖5a-圖恥中的光刻膠進行了灰化工藝之後的剖面圖7a-圖7b為對圖6a-圖冊的結構進行了第二刻蝕工藝後的剖面圖8a-圖池為圖7a-圖7b的結構上剝離掉了剩餘光刻膠後的剖面圖如-圖9b為圖8a-圖池的結構上沉積第一透明導電薄膜後的剖面圖IOa-圖IOb為在圖9a-圖9b的結構上塗覆光刻膠並進行曝光和顯影處理後的 剖面圖Ila-圖lib為對圖IOa-圖IOb的結構連續進行第三至第五刻蝕工藝後的剖面 圖12a-圖1 為Ila-圖lib的結構上剝離掉了剩餘光刻膠後的剖面圖13a-圖13b為在圖12a-圖12b的結構上沉積鈍化層後的剖面圖
圖14a-圖14b為圖13a-圖13b的結構上塗覆光刻膠後，對光刻膠進行曝光和顯 影處理後的剖面圖15a-圖15b為對圖14a-圖14b的結構進行第五刻蝕工藝後的剖面圖16a-圖1 為對圖15a-圖15b中的光刻膠進行灰化工藝後的剖面圖17a-圖17b為在圖16a-圖16b的結構上沉積第二透明導電薄膜後的剖面圖18a-圖1 為對圖17a-圖17b中的結構進行了離地剝離工藝後的剖面圖19為通過現有的4次構圖工藝得到的FFS型TFT-LCD陣列基板的平面示意 圖。
具體實施方式
需要說明的是
1、本發明中所述的例如「X設置於Y上」或「X上設置有Y」中的「上」 一般包含了 X與Y接觸，並且X位於Y的上方的意思，本發明中如附圖所示，將透明基板 定義為設置於最下方；
2、本發明所稱的構圖工藝包括光刻膠塗覆、掩模、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠 剝離等工藝，光刻膠以正性光刻膠為例；
3、本發明中所述的「某某區域」是某某圖形在透明基板上映射的區域，即該區 域與某某圖形具有相同的形狀，例如柵線區域，即為柵線的圖形在透明基板上的映射的 區域，也可以理解為透明基板上將要設置柵線圖形的區域。
下面通過附圖和實施例，對本發明的技術方案做進一步的詳細描述。
圖1為本發明FFS型TFT-LCD陣列基板的平面示意圖。圖&為圖1的A_A向 剖面圖；圖沈為圖1的B-B向剖面圖。如圖1、圖&及圖沈所示，本發明的FFS型 TFT-LCD陣列基板包括第一像素單元2000、第二像素單元3000等多個像素單元，每個 像素單元包括透明基板10、柵線1、數據線2、TFT3、像素電極4、公共電極線5、公 共電極6、狹縫63、柵絕緣層12和鈍化層18。圖1中省略了透明基板、柵絕緣層和鈍化 層，便於更清楚地表達結構之間的連接關係。
具體地，透明基板上橫向設有柵線1、公共電極線5，縱向設有數據線2。柵線 1和數據線2交疊處設有TFT3和像素電極4。像素電極4為板狀電極。公共電極6為狹 縫電極，公共電極6與像素電極4交疊的區域設置有狹縫63。
本發明的數據線2由多個數據線段及電連接相鄰的兩個像素單元的數據線段的 第二連接線62構成。具體地，數據線2由設置於第一像素單元2000內的第一數據線段 21、設置於第二像素單元3000內的第二數據線段22等多個數據線段，及連接縱向相鄰第 一數據線段21和第二數據線段22的第二連接線62構成。每個數據線段的一端與柵線1 交疊，另一端與公共電極線5交疊。第一數據線段21與柵線1交疊處設置有第三連接孔 53；第二數據線段22與公共電極線5交疊處設置有第四連接孔M ；第二連接線62通過所 述第三連接孔53及所述第四連接孔M將第一數據線段21與所述第二數據線段22連接。
柵絕緣層12用於將柵線1和柵電極11與數據線2、源電極14及漏電極15絕緣， 本發明中柵絕緣層12隻形成在柵線1、柵電極11、公共電極線5上方，以及數據線段及 TFT3的下方。鈍化層18用於將柵線1、TFT3、數據線2及像素電極4與公共電極6絕 緣，鈍化層覆蓋在整個透明基板10上。
TFT3為有源開關元件，TFT3包括柵電極11、源電極14、漏電極15及TFT溝 道19，柵電極11與柵線1 一體成型，所述源電極14與第一數據線段21—體成型，漏電 極15通過第一連接線61與像素電極4連接。具體地第一連接線61的一端通過形成在像 素電極4上方的鈍化層18上的第一連接孔51與像素電極4連接，第一連接線61的另一 端通過形成在TFT3的漏電極15上方的鈍化層18上的第二連接孔52與TFT3連接。
值得一提的是，所述第一連接線61和第二連接線62與公共電極6同層設置，三 者皆為透明導電元件。
公共電極線5上方的鈍化層18上設置有第五連接孔55，所述公共電極6通過所 述第五連接孔55與所述公共電極線5電連接。
請繼續參閱圖&及圖沈，本發明的FFS型TFT-LCD陣列基板包括透明基板 10、柵線1、柵電極11、公共電極線5、柵絕緣層12、有源層13、第一半導體部I3'、 源電極14、漏電極15、像素電極4、第一透明導電部16、第二透明導電部17、鈍化層 18、TFT溝道19、公共電極6、第一連接孔51、第二連接孔52以及第一連接線61。
具體地、透明基板10上設置有柵線1、柵電極11、公共電極線5和像素電極4; 其中，柵線1和柵電極11 一體成型，且柵線1和柵電極11與公共電極線5和像素電極4 分別隔開一定距離而絕緣；柵絕緣層12設置於柵線1、柵電極11、公共電極線5上；柵 絕緣層12上分別設置有公共電極線5上方的第一半導體部13'以及柵電極11上方的有 緣層13 ；有源層13上設置有源電極14和漏電極15，且源電極14和漏電極15隔開一定 距離，源電極14和漏電極15之間的有源層13形成了 TFT溝道19;源電極14上設置有 第一透明導電部16，漏電極15上設置有第二透明導電部17 ；鈍化層18形成在上述結構 上，且覆蓋整個透明基板10;鈍化層上設置有第一連接孔51、第二連接孔52、第三連接 孔53、第四連接孔M、第五連接孔55及信號線PAD區域的連接孔；第一連接孔51形成 在像素電極4的上方，用於將像素電極4暴露出，便於將像素電極4與第一連接線61連 接；第二連接孔52形成在漏電極15的上方，用於將第二透明導電部17暴露，便於將漏 電極15、第二透明導電部17及第一連接線61連接；公共電極6和第一連接線61和第二 連接線62設置於鈍化層上，且公共電極6、第一連接線61和第二連接線62之間相互隔開 一定距離而絕緣，公共電極6通過第五連接孔55與公共電極線5連接。
本發明的FFS型TFT-LCD陣列基板工作原理如下
柵線1用於向TFT3提供開啟信號，數據線2用於提供數據信號，公共電極線5 用於向公共電極6提供公共信號。當柵線1向TFT3提供了開啟信號後，TFT溝道19導 通，數據線2的數據信號可以經TFT3的源電極14、TFT溝道19、及漏電極15和第二透 明導電部17輸入至像素電極4，像素電極4就可以與公共電極6形成液晶驅動電場。
上述結構的本發明的FFS型TFT-LCD陣列基板，能夠通過3次構圖工藝得到， 相比現有技術節省了製造成本、時間成本等，有利於提高市場競爭力。
下面說明本發明的一種FFS型TFT-LCD陣列基板的製造方法。
本發明一種FFS型TFT-LCD陣列基板的製造方法包括如下步驟
步驟1、沉積柵金屬薄膜、柵絕緣薄膜、有源層薄膜、源漏金屬薄膜，通過第一 構圖工藝，形成包括柵線、柵電極、柵絕緣層、數據線段、公共電極線的圖形；
步驟2、沉積第一透明導電薄膜，通過第二構圖工藝，形成包括像素電極、源電 極、漏電極、TFT溝道以及有源層的圖形；
步驟3、沉積鈍化層，通過第三構圖工藝，形成第一至第五連接孔、信號線PAD 區域的連接孔的圖形，沉積第二透明導電部，通過離地剝離工藝形成公共電極、第一連 接線以及第二連接線的圖形。
本發明能夠通過三次構圖工藝即可完成TFT-LCD陣列基板的製造，相比現有技 術降低了成本，提高了市場競爭力。
下面結合圖5-圖21b按照工藝步驟順序詳細說明本發明FFS型TFT-LCD陣列基板的製造方法。
圖3為在透明基板上沉積柵金屬薄膜、柵絕緣薄膜、有源層薄膜、源漏金屬薄 膜後的剖面圖。如圖3所示，首先採用等離子增強化學氣相沉積(PECVD)、磁控濺射、 熱蒸發或其它成膜方法，在透明基板10 (如玻璃基板或石英基板)上依次沉積柵金屬薄膜 100、柵絕緣薄膜200、有源層薄膜300、源漏金屬薄膜400。柵金屬薄膜和源漏金屬薄膜 可以是鉬、鋁、鋁釹合金、鎢、鉻、銅等金屬形成的單層薄膜，也可以是以上金屬多層 沉積形成的多層薄膜。有緣層薄膜包括半導體薄膜和摻雜半導體薄膜。柵絕緣薄膜可以 採用SiNx、SiOx或^iOxNy的單層薄膜，或上述材料多層沉積形成的多層薄膜。
圖4a_圖4b為在圖3的結構上塗覆了光刻膠後，對光刻膠進行了曝光及顯影處理 後的剖面圖。圖如與圖&的剖線位置相對應，圖4b與圖沈的剖線位置相對應。如圖 4a及4b所示，在源漏金屬薄膜400上塗覆光刻膠1000、通過雙調掩膜板對光刻1000膠 進行曝光和顯影處理，使得柵電極區域110、源電極區域140、漏電極區域150、TFT溝 道區域190以及數據線段區域(未圖示)的光刻膠1000具有第一厚度H，柵線區域111、 公共電極線區域50具有第二厚度h，包括柵線區域和公共電極線區域之間的區域的其餘 區域無光刻膠覆蓋，所述第一厚度H大於第二厚度h。
圖5&-圖恥為對圖4a-圖4b的結構進行了第一刻蝕工藝後的剖面圖。如圖5a-圖 恥所示，通過第一刻蝕工藝，對沒有被光刻膠1000覆蓋的區域的柵金屬薄膜100、柵絕 緣薄膜200、有源層薄膜300、源漏金屬薄膜400進行刻蝕，形成了柵線1、柵電極11、 數據線段(未圖示)、公共電極線5圖形。此步驟中，由於需要將柵線1和公共電極線5 隔離開各自形成信號線，因此必須將柵線1和公共電極線5之間的部分刻蝕掉，使兩者隔 離，此時，數據線也會被刻蝕成一段一段的數據線段。
圖6a-圖冊為對圖5a-圖恥中的光刻膠進行了灰化工藝之後的剖面圖。如圖 虹-圖冊所示，進行光刻膠的灰化工藝，去掉第二厚度h的光刻膠1000，暴露出柵線區 域111及公共電極線區域50的源漏金屬薄膜400。
圖7a-圖7b為對圖ea-圖冊的結構進行了第二刻蝕工藝後的剖面圖。如圖7a-圖 7b所示，進行第二刻蝕工藝，刻蝕暴露出的源漏金屬薄膜400。此步驟去掉了柵線1和 公共電極線5上方的源漏金屬層400，防止形成寄生電容，影響柵線1的通信。
圖8a-圖池為圖7a-圖7b的結構上剝離掉了剩餘光刻膠後的剖面圖。
至此，通過圖3至圖7b完成了第一構圖工藝。
圖9a-圖9b為在圖8a-圖池的結構上沉積了第一透明導電薄膜後的剖面圖。如 圖9a-圖9b所示，可以採用一般的成膜方法，沉積一層第一透明導電薄膜500。第一透 明導電薄膜可以是ITO或IZO等。
圖IOa-圖IOb為在圖9a-圖9b的結構上塗覆光刻膠並進行曝光和顯影處理後的 剖面圖。如圖IOa-圖IOb所示，在第一透明導電薄膜500上塗覆光刻膠2000，通過普 通掩膜板進行曝光和顯影處理，在像素電極區域40、數據線段區域(未圖示)、源電極區 域140以及漏電極區域150保留光刻膠2000，包括TFT溝道區域190的其餘區域無剩餘 光刻膠。
圖Ila-圖lib為對圖IOa-圖IOb的結構連續進行第三至第五刻蝕工藝後的剖面 圖。如圖Ila-圖lib所示，進行第三刻蝕工藝，刻蝕暴露出的第一透明導電薄膜500，形成像素電極4的圖形；進行第四刻蝕工藝，刻蝕暴露出的源漏金屬薄膜400，形成源電 極14和漏電極15的圖形；進行第五次刻蝕工藝，刻蝕掉暴露出的部分有源層薄膜300， 形成TFT溝道19以及有源層13的圖形。 圖12a-圖12b為Ila-圖lib的結構上剝離掉了剩餘光刻膠後的剖面圖。至此，通過圖8a至圖12b完成了第二構圖工藝。圖13a-圖13b為在圖12a-圖12b的結構上沉積鈍化層後的剖面圖。如圖13a_圖 13b所示，採用一般的成膜方法沉積一層鈍化層18。鈍化層18可以採用SiNx、SiOx或 SiOxNy的單層薄膜，或上述材料多層沉積形成的多層薄膜。圖14a-圖14b為圖13a-圖13b的結構上塗覆光刻膠後，對光刻膠進行曝光和顯 影處理後的剖面圖。如圖14a-圖14b所示，在鈍化層18上塗覆光刻膠3000、通過雙調 掩膜板對光刻膠3000進行曝光和顯影處理，使得第一連接孔區域510、第二連接孔區域 520至第五連接孔區域(未圖示)、信號線PAD區域上無光刻膠覆蓋，第一連接線區域 610及第二連接線區域(未圖示)、除了狹縫區域之外的公共電極區域(未圖示)具有第 三厚度h'，包括狹縫區域的其餘區域具有第四厚度H'，所述第三厚度h'小於第四厚 度H'；圖15a-圖15b為對圖14a-圖14b的結構進行第五刻蝕工藝後的剖面圖。如圖 15a-圖15b所示，通過第六刻蝕工藝，對暴露出的鈍化層18進行了刻蝕，形成了第一至 第五連接孔的圖形，即第一連接孔51、第二連接孔52、第五連接孔55、第四連接孔54、 第三連接孔53、信號線PAD區域的連接孔的圖形。圖16a-圖16b為對圖15a-圖15b中的光刻膠進行灰化工藝後的剖面圖。如圖 16a-圖16b所示，進行光刻膠灰化工藝，去掉第三厚度的光刻膠h'。圖17a-圖17b為在圖16a-圖16b的結構上沉積第二透明導電薄膜後的剖面圖。 如圖17a-圖17b所示，可以採用一般的成膜方法，沉積一層第二透明導電薄膜600。第 二透明導電薄膜可以是ITO或IZO等。圖18a-圖18b為對圖17a-圖17b中的結構進行了離地剝離工藝後的剖面圖。如 18a-圖18b所示，通過進行離地剝離工藝(liftoff)，剝離光刻膠3000的同時，將光 刻膠3000上方的第二透明導電薄膜600 —並去除，形成了公共電極6、第一連接線61及 第二連接線62。至此，通過圖13a至圖18b完成了第三構圖工藝。本發明能夠通過三次構圖工藝即可完成TFT-LCD陣列基板的製造，相比現有技 術降低了成本，提高了市場競爭力。最後應說明的是以上實施例僅用以說明本發明的技術方案而非對其進行限 制，儘管參照較佳實施例對本發明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理 解其依然可以對本發明的技術方案進行修改或者等同替換，而這些修改或者等同替換 亦不能使修改後的技術方案脫離本發明技術方案的精神和範圍。
權利要求
1.一種FFS型TFT-LCD陣列基板，包括多個像素單元，其特徵在於每個像素單元 包括柵線、公共電極線、柵絕緣層、數據線段、薄膜電晶體、像素電極、鈍化層以及公 共電極；所述薄膜電晶體包括源電極、漏電極及柵電極，所述柵電極與柵線電連接，所述漏 電極通過第一連接線與像素電極連接，所述源電極與數據線段電連接；所述柵絕緣層用於將柵線和柵電極與數據線、源電極及漏電極絕緣；所述鈍化層用於將柵線、數據線段、源電極、漏電極及像素電極與公共電極絕緣；所述陣列基板還包括第二連接線，第二連接線用於電連接相鄰的兩個像素單元的數 據線段，構成數據線；所述第一連接線和第二連接線與公共電極同層設置。
2.根據權利要求1所述的FFS型TFT-LCD陣列基板，其特徵在於，所述像素電極上 方的鈍化層上設置有第一連接孔，所述源電極上方的鈍化層上設置有第二連接孔，所述 第一連接線通過所述第一連接孔與第二連接孔將所述像素電極與所述漏電極進行連接。
3.根據權利要求1所述的FFS型TFT-LCD陣列基板，其特徵在於，所述數據線段的 一端與柵線交疊，另一端與公共電極線交疊。
4.根據權利要求2所述的FFS型TFT-LCD陣列基板，其特徵在於，所述陣列基板包 括第一像素單元及第二像素單元，所述第一像素單元與所述第二像素單元相鄰；其中第 一像素單元具有第一數據線段，所述第二像素單元具有第二數據線段；所述第一數據線 段與柵線交疊處設置有第三連接孔，所述第二數據線段與公共電極線交疊處設置有第四 連接孔；所述第二連接線通過所述第三連接孔及所述第四連接孔將所述第一數據線段與 所述第二數據線段連接。
5.根據權利要求1所述的FFS型TFT-LCD陣列基板，其特徵在於，所述公共電極線 上方的鈍化層上設置有第五連接孔，所述公共電極通過所述第五連接孔與所述公共電極 線電連接。
6.根據權利要求1所述的FFS型TFT-LCD陣列基板，其特徵在於，所述公共電極與 像素電極交疊的區域設置有狹縫。
7.—種FFS型TFT-LCD陣列基板的製造方法，其特徵在於，所述陣列基板包括公共 電極線區域、柵線區域、柵電極區域、數據線段區域、有源層區域，源電極區域、漏電 極區域、像素電極區域、狹縫區域、第一至第六連接孔區域、公共電極區域、第一連接 線區域、第二連接線區域及信號線PAD區域，該製造方法包括步驟1、沉積柵金屬薄膜、柵絕緣薄膜、有源層薄膜、源漏金屬薄膜，通過第一構圖 工藝，形成包括柵線、柵電極、柵絕緣層、數據線段、公共電極線的圖形；步驟2、沉積第一透明導電薄膜，通過第二構圖工藝，形成包括像素電極、源電極、 漏電極、TFT溝道以及有源層的圖形；步驟3、沉積鈍化層，通過第三構圖工藝，形成第一至第五連接孔、信號線PAD區 域的連接孔的圖形，沉積第二透明導電部，通過離地剝離工藝形成公共電極、第一連接 線以及第二連接線的圖形。
8.根據權利要求7所述的FFS型TFT-LCD陣列基板的製造方法，其特徵在於，所述 步驟1具體包括提供透明基板；在所述透明基板上沉積柵金屬薄膜、柵絕緣薄膜、有源層薄膜、源漏金屬薄膜； 在所述源漏金屬薄膜上塗覆光刻膠、通過雙調掩膜板對光刻膠進行曝光和顯影處 理，使得柵電極區域、源電極區域、漏電極區域、TFT溝道區域以及數據線段區域的光 刻膠具有第一厚度，柵線區域、公共電極線區域具有第二厚度，包括柵線區域和公共電 極線區域之間的區域的其餘區域無光刻膠覆蓋，所述第一厚度大於第二厚度；通過第一刻蝕工藝，對沒有被光刻膠覆蓋的所述其餘區域的柵金屬薄膜、柵絕緣薄 膜、有源層薄膜、源漏金屬薄膜進行刻蝕；進行光刻膠的灰化工藝，去掉第二厚度的光刻膠，暴露出柵線區域及公共電極線區 域的源漏金屬薄膜；進行第二刻蝕工藝，刻蝕暴露出的源漏金屬薄膜； 剝離剩餘光刻膠。
9.根據權利要求7所述的FFS型TFT-LCD陣列基板的製造方法，其特徵在於，所述 步驟2具體包括沉積第一透明導電薄膜；塗覆光刻膠，通過普通掩膜板進行曝光和顯影處理，在像素電極區域、數據線段區 域、源電極區域以及漏電極區域保留光刻膠，其餘區域無剩餘光刻膠；進行第三刻蝕工藝，刻蝕暴露出的第一透明導電薄膜，形成像素電極的圖形； 進行第四刻蝕工藝，刻蝕暴露出的源漏金屬薄膜，形成源電極和漏電極圖形； 進行第五次刻蝕工藝，刻蝕掉暴露出的部分有源層薄膜，形成TFT溝道以及有源層 的圖形；剝離剩餘光刻膠。
10.根據權利要求7所述的FFS型TFT-LCD陣列基板的製造方法，其特徵在於，所 述步驟3具體包括沉積鈍化層；塗覆光刻膠、通過雙調掩膜板對光刻膠進行曝光和顯影處理，使得第一至第五連接 孔區域、信號線PAD區域上無光刻膠覆蓋，第一連接線區域、第二連接線區域、除狹縫 區域之外的公共電極區域具有第三厚度，包括狹縫區域的其餘區域具有第四厚度，所述 第三厚度小於第四厚度；通過第六刻蝕工藝，對暴露出的鈍化層進行刻蝕； 進行光刻膠灰化工藝，去掉第三厚度的光刻膠； 沉積第二透明導電薄膜；進行離地剝離工藝，剝離光刻膠的同時，將光刻膠上方的第二透明導電薄膜一併去除。
全文摘要
本發明公開了一種FFS型TFT-LCD陣列基板及其製造方法。該陣列基板，包括多個像素單元，每個像素單元包括柵線、公共電極線、柵絕緣層、數據線段、薄膜電晶體、像素電極、鈍化層以及公共電極；薄膜電晶體包括源電極、漏電極及柵電極，柵電極與柵線電連接，漏電極通過第一連接線與像素電極連接，源電極與數據線段電連接；陣列基板還包括第二連接線，第二連接線用於電連接相鄰的兩個像素單元的數據線段，構成數據線；第一連接線和第二連接線與公共電極同層設置。本發明FFS型TFT-LCD陣列基板及其製造方法，僅通過三次構圖工藝即可完成TFT-LCD陣列基板的製造，相比現有技術降低了成本，提高了市場競爭力。
文檔編號H01L27/02GK102023432SQ20091009338
公開日2011年4月20日 申請日期2009年9月18日 優先權日2009年9月18日
發明者劉聖烈, 宋泳錫, 崔承鎮 申請人:北京京東方光電科技有限公司