閃爍體板和放射線檢測面板的製作方法

2023-06-04 16:48:41

閃爍體板和放射線檢測面板的製作方法
【專利摘要】本發明的目的在於提供限定維持畫質所需的清晰性的厚度且發光亮度優異的閃爍體板和放射線檢測面板。一種閃爍體板，具有底襯層和螢光體層，其特徵在於，該螢光體層由以該底襯層側為根部的螢光體柱狀結晶構成，將螢光體層以其層疊方向的厚度成為一半的方式分開，分別作為螢光體柱狀結晶的前端側部分和根部側部分，根部側部分的透光率〔B〕相對於前端側部分的透光率〔A〕的比（B/A）為70%～99%。
【專利說明】閃爍體板和放射線檢測面板
【技術領域】
[0001]本發明涉及能夠在間接轉換方式的平板探測器〔FPD〕中使用的閃爍體板、由該閃爍體板構成的放射線檢測面板以及它們的製造方法。
【背景技術】
[0002]以往，如X射線圖像那樣的放射線圖像在醫療領域被廣泛用於病症的診斷。特別是基於增感紙-膜系的放射線圖像在長期發展中實現了高靈敏化和高畫質化，結果作為同時具有高可靠性和優異的性價比的攝像系統，至今仍在世界範圍的醫療領域使用。然而，這些圖像信息為所謂的模擬圖像信息，無法進行如近年來不斷發展的數字圖像信息那樣的自由的圖像處理、瞬時的傳送。
[0003]而且，近年來出現了以計算機X線攝影〔CR〕、平板型的放射線探測器(平板探測器)〔FPD〕等為代表的經數字處理的放射線圖像檢測裝置。它們能夠直接得到被數位化的放射線圖像，在陰極管、液晶面板等圖像顯示裝置上直接顯示圖像，因此，不需要在照片膜上形成圖像。其結果，這些X射線圖像檢測裝置減少了利用銀鹽照相方式形成圖像的必要性，大幅提高了在醫院、診療所的診斷操作的便利性。
[0004]作為X射線圖像的數位技術之一的計算機X線攝影〔CR〕現在已經在醫療領域應用。但是，清晰性不充分且空間解析度也不充分，沒有達到屏?膜系統的畫質等級。而且，作為更新型的數字X射線圖像技術，開發出例如在雜誌Physics Today的1997年11月號第 24 頁的 John Rowlands 論文 「Amorphous Semiconductor Usher in Digital X-rayImaging」、雜誌 SPI E 的 1997 年 32 卷第 2 頁的 L.E.Antonuk 論文「Development of a HighResolution, Active Matrix, Flat-Panel Imager with Enhanced Fill Factor，，等中記載的使用薄膜電晶體〔TFT〕的平板探測器〔FPD〕。
[0005]為了將放射線轉換成可見光，使用由具有利用放射線進行發光的特性的X射線螢光體製作的閃爍體，為了提高低射線量的攝影中的S/N比，必須使用發光效率高的閃爍體。通常閃爍體的發光效率取決於螢光體層的厚度、螢光體的X射線吸收係數，螢光體層的厚度越厚，越容易發生螢光體層內的發射光的散射，清晰性降低。與此相對，若規定畫質所需的清晰性，則要限定層厚，但發光亮度會降低。
[0006]例如，在專利文獻I中公開的閃爍體面板是在鋁基板的一個表面依次層疊由鋁構成的金屬反射層、SiO2膜(第I電介質層)和TiO2膜(第2電介質層)，而且反射膜保護膜覆蓋連同鋁基板在內的這些整體，由此構成支撐體，在支撐體的TiO2膜上的反射膜保護膜表面設有閃爍體(摻雜Ti或Na等的CsI的柱狀結晶等)。由於與SiO2膜相比TiO2膜的折射率更高，所以來自閃爍體的發射光的反射率變大，其結果，發光亮度提高。
[0007]另外，在專利文獻2中，公開了一種在支撐體上具有閃爍體和光檢測器、且以放射線依次入射到光檢測器、閃爍體的方式配置的放射線圖像檢測器，上述閃爍體含有由例如鉈激活碘化銫構成的柱狀結晶而構成，在閃爍體的放射線入射側存在柱狀結晶區域，在與閃爍體的入射側相反的一側存在非柱狀結晶區域。在柱狀結晶區域，得到高效率的發光的柱狀結晶存在於光檢測器附近，柱狀結晶的間隙成為光的導軌而抑制光擴散由此抑制圖像的模糊，並且到達閃爍體深部的光還能在非柱狀結晶區域被反射，發光亮度提高。
[0008]在專利文獻3中，公開了一种放射線圖像轉換面板，是在基板上具有底襯層和螢光體層的放射線圖像轉換面板，螢光體層由利用氣相沉積法用螢光體母體化合物和激活劑形成的螢光體的柱狀結晶構成，且螢光體的柱狀結晶的具有例如(200)的晶面指數的面的基於X射線衍射光譜的取向度與螢光體層的厚度方向的位置無關，在80?100%的範圍內。由此，防止螢光體的柱狀結晶的結構的散亂，抑制螢光體受X射線照射而發光並在光電轉換元件方向傳播的光成分的散射、折射，從而放射線圖像轉換面板的發光亮度提高。
[0009]如專利文獻I那樣即便提高了反射層的反射率，但柱狀結晶根部的透光率低(專利文獻2)，沒有發揮本來的能力，因此不能說發光亮度的提高充分，另外雖有柱狀結晶根部的改善技術(專利文獻3)，但尚有改善的餘地。
[0010]現有技術文獻
[0011]專利文獻
[0012]專利文獻1:日本特開2009-103676號公報
[0013]專利文獻2:日本特開2011-017683號公報
[0014]專利文獻3:國際公開第2011/089946號

【發明內容】

[0015]本發明的目的在於提供維持畫質所需的清晰性且發光亮度優異的閃爍體板和放射線檢測面板。
[0016]本發明涉及的上述課題通過以下舉出的方式解決。
[0017][I] 一種閃爍體板,具有底襯層和突光體層,其特徵在於,該突光體層由以該底襯層側為根部的突光體柱狀結晶構成，將突光體層以其層疊方向的厚度成為一半的方式分開，分別作為螢光體柱狀結晶的前端側部分和根部側部分，根部側部分的透光率〔B〕相對於前端側部分的透光率〔A〕(B/A)為70%以上。
[0018][2]如[I]所述的閃爍體板，其中，進一步具有基板，依次層疊該基板、上述底襯層和上述螢光體層而成。
[0019][3] 一种放射線檢測面板，其特徵在於，具有[I]或[2]所述的閃爍體板和光檢測器。
[0020][4]如[3]所述的放射線檢測面板，在上述光檢測器上依次層疊[I]或[2]所述的底襯層和突光體層而成。
[0021]本發明能夠提供維持畫質所需的清晰性，且構成螢光體層的螢光體柱狀結晶的根部的透光率高，即更多的發射光到達底襯層(優選為金屬反射層)，發射光的損失被減少所以發光亮度優異的閃爍體板和放射線檢測面板。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1是示意地表示本發明的閃爍體板(10)和放射線檢測面板(20)的一個實施方式的縱截面圖。箭頭表示層疊方向。
[0023]圖2是製造本發明的閃爍體板和放射線檢測面板時，適合製作它們具備的螢光體層的蒸鍍法中使用的蒸鍍裝置(31)的示意圖。點線的直線表示從支撐體(3)的重心(中心)垂直延伸的直線，點線的圓表示以該直線的某一點為中心的圓，在該圓周上的相互對著的位置配置有蒸發源(38)。
[0024]圖3是表示適合在本發明的閃爍體板的螢光體層側表面製作螢光體保護層的CVD蒸鍍裝置(41)的示意圖。
[0025]圖4是在裁切工序中使用的刀刃切割的例子的截面示意圖。
[0026]圖5是在裁切工序中使用的雷射裁切的例子的簡要立體圖。
[0027]符號說明
[0028]I...基板
[0029]2...底襯層
[0030]3...支撐體
[0031]4..?螢光體層
[0032]4a..?將突光 體層(4)在層疊方向分成一半時的突光體柱狀結晶(5)的前端側部分
[0033]4b..?將突光體層(4)在層疊方向分成一半時的突光體柱狀結晶(5)的根部側部分
[0034]5...螢光體柱狀結晶
[0035]t..?螢光體層(4)的厚度
[0036]6...保護層
[0037]10...閃爍體板
[0038]11..?光電轉換元件陣列
[0039]12...電路基板
[0040]13...光檢測器
[0041]20..?放射線檢測面板
[0042]31...蒸鍍裝置
[0043]32...真空容器
[0044]33...真空泵
[0045]35...支撐體支架
[0046]36...支撐體旋轉機構
[0047]37...支撐體旋轉軸
[0048]38...蒸發源
[0049]39...閘門
[0050]41...CVD 蒸鍍裝置
[0051]42..?氣化室
[0052]43...熱分解室
[0053]44...蒸鍍室
[0054]44a..?導入口
[0055]44b..?排出口
[0056]44c...轉臺[0057]45...冷卻室
[0058]46...排氣系統
[0059]51...切割裝置
[0060]52..?刀刃
[0061]52a..?旋轉軸
[0062]53..?切割臺
[0063]53a.--槽
[0064]54...噴嘴
[0065]55...支撐部件
[0066]61...雷射裁切裝置
[0067]62...雷射發光裝置
[0068]63...支撐臺
[0069]64...淨化 室
[0070]65..?排出管
[0071]66..?透光窗
【具體實施方式】
[0072]以下，對本發明詳細進行說明。
[0073]
[0074]如圖1所示，本發明的閃爍體板(10)具有底襯層(2)和螢光體層(4)，優選依次層疊基板(I)、底襯層(2)和螢光體層(4)。以下，本發明中，也將基板(I)和底襯層(2)合在一起稱為支撐體(3)。
[0075]本發明涉及的螢光體層(4)由以底襯層(2)側為根部的螢光體柱狀結晶(5)構成。應予說明，如圖1所示，一根一根螢光體柱狀結晶(5 )存在根部側細，越往前端側越粗的趨勢。
[0076]其特徵在於，將螢光體層(4)以其層疊方向的厚度〔t〕成為一半〔t/2〕的方式分開，分別作為螢光體柱狀結晶(5)的前端側部分(4a)和根部側部分(4b)，根部側部分(4b)的透光率〔B〕相對於前端側部分(4a)的透光率〔A〕(即，B/A)為70%~99%。
[0077]本發明的閃爍體板除具有底襯層、螢光體層以外，也可以具有各種功能層，作為功能層，例如，可舉出金屬反射層(以下也簡稱為「反射層」)、金屬保護層、螢光體保護層等。
[0078]另外，如圖1所示，本發明的放射線檢測面板(20)的特徵在於，具有本發明的閃爍體板(10)和光檢測器(13)。
[0079]作為本發明的放射線檢測面板的優選的方式，可舉出:
[0080](I)依次層疊基板、底襯層和螢光體層光檢測器而成的方式；以及
[0081](II)依次層疊光檢測器、底襯層和螢光體層而成的方式。
[0082]應予說明，本發明中「螢光體」(也稱為「閃爍體」)是指照射α射線、Y射線、X射線等電離放射線時，通過原子被激發而進行發光的螢光體，即將放射線轉換成紫外?可見光而釋放出的螢光體。
[0083]《基板》[0084]能夠在本發明中使用的基板是指在閃爍體面板的構成要素中，為了保持螢光體層而發揮底襯層的輔助作用的部件。應予說明，在本說明書中，也將閃爍體板稱為閃爍體面板。
[0085]作為構成這樣的基板的材料，例如，可以使用(I)碳(非晶碳、對木炭和紙進行碳化處理而堅實的材料等)、(2)樹脂(也包括碳纖維強化塑料〔CFRP:Carbon Fiber ReinforcedPlastics〕、玻璃纖維強化塑料〔Glass Fiber Reinforced plastics〕等。)(3)玻璃、(4)金屬、(5)將上述(I)?(4)的材料較薄地形成並用發泡樹脂夾持而成的材料等。這些可以單獨使用一種也可以層疊二種以上使用。
[0086]基板的厚度優選為20 μ m?3mm。
[0087]可以在基板上設置例如易粘接層、反射層、光吸收層、導電層、防翹曲層、平滑層等功能層。
[0088]作為能夠在本發明中使用的基板，優選樹脂膜。使用樹脂膜時，有以下三個優點，即，(i)能夠以卷對卷(roll to roll)的方式加工反射層、導電層、易粘接層等功能層這點，(ii)在對螢光體進行蒸鍍前、或對螢光體進行蒸鍍後，能夠容易裁切成製品尺寸這點，
(iii)在將閃爍體面板和平面受光元件耦聯時，因具有柔軟性所以與平面受光元件的密合性優異這點等。
[0089]作為構成這樣的樹脂膜的材料，例如，可舉出聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、乙酸纖維素、聚醯胺樹脂(芳族聚醯胺、尼龍等)、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、環氧樹月旨、聚醯胺醯亞胺、雙馬來醯亞胺樹脂、氟系樹脂、丙烯酸樹脂、聚氨酯、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚醚碸、聚碸、聚醚醚酮、液晶聚合物、碳纖維強化樹脂等。這些可以單獨使用一種也可以層疊二種以上使用。
[0090]在支撐體上蒸鍍螢光體時，優選支撐體的玻璃化轉變溫度為100°C以上，以使得支撐體不會受熱變形。具體而言，優選含有聚醯亞胺的樹脂膜。
[0091]使用樹脂膜作為基板時，基板的厚度優選為20?IOOOym,更優選為50?750 μ m。如果基板的厚度為50 μ m以上，則形成螢光體層後的操作性良好。另外，如果基板的厚度為750μπι以下，則以卷對卷(roll to roll)的方式加工反射層、導電層、易粘接層等功能層變得容易，從提高生產率的觀點出發，極其有用。
[0092]另外，基板優選是其彈性模量為0.1?20GPa「具有撓性的基板」。本發明中，所謂「彈性模量」是在使用拉伸試驗機、基於Jis C2318得到的樣品的標準線表示的形變和與其對應的應力顯示直線的關係的區域，求出應力對形變量的斜率而得到的。它是也被稱為楊氏模量的值，在本發明中，將上述楊氏模量定義為彈性模量。
[0093]可以使用尤其是彈性模量為IOGPa以上的剛性板作為基板，例如，可以無特別限制地使用由金屬、玻璃、碳、它們的複合材料等形成的剛性板。
[0094]為了防止閃爍體面板的翹曲，可以在基板上設置防翹曲層。通過在基板上粘接或塗布例如熱膨脹特性或熱收縮特性不同的材料，能夠抑制閃爍體面板的翹曲。
[0095]《反射層》
[0096]優選在基板的至少蒸鍍有螢光體層的一側的表面形成反射層。如果設置反射層，則能夠極高效地提取來自螢光體層的發光，有時閃爍體板的發光亮度飛躍性地提高。
[0097]反射層的表面反射率優選為80%以上，更優選為90%以上。[0098]作為構成反射層的材料，可舉出將金屬、光散射粒子分散在粘結劑中而成的材料。
[0099]作為構成反射層的金屬，例如，優選鋁、銀、鉬、鈀、金、銅、鐵、鎳、鉻、鈷、不鏽鋼等材料。其中從反射率、耐腐蝕性的觀點考慮，特別優選以鋁或銀為主成分。另外，這樣的金
屬薄膜可以層疊二層以上。
[0100]作為在基板上被覆金屬材料的方法，例如，蒸鍍、濺射、金屬箔的貼合等，沒有特別限制，但從基板與反射層的密合性的觀點考慮，優選濺射。
[0101]如果反射層的厚度優選為0.005?0.3 μ m，更優選為0.01?0.2 μ m，則從發射光
提取效率的觀點考慮是優選的。
[0102]另外，在本發明中，為了提高反射率，可以進一步設置由例如Si02、TiO2等金屬氧化物形成的增反射層。
[0103]作為使光散射粒子分散在粘結劑中而成的反射層，如下。
[0104]作為光散射粒子，例如，可以使用TiO2 (銳鈦礦型、金紅石型)、Mg0、PbC03.Pb (OH)
2、BaSO4'A1203、M (II)FX (其中，M (II)為選自Ba、Sr和Ca中的至少一種原子，X為Cl原子或原子)、CaCO3> ZnO, Sb203、SiO2, ZrO2、立德粉(BaSO4.ZnS〕、矽酸鎂、鹼式矽硫酸鹽、鹼式磷酸鉛、矽酸鋁等白色顏料。由於這些白色顏料遮蔽力強，折射率大，所以通過將光反射並折射從而使閃爍體的發光容易散射，能夠顯著提高得到的放射線圖像轉換面板的靈敏度。
[0105]作為其他的光散射性粒子，例如，也可以使用玻璃珠、樹脂微珠、粒子內存在中空部的中空粒子、粒子內存在多個中空部的多中空粒子、多孔粒子等。
[0106]這些物質可以單獨使用一種，或者組合二種以上使用。
[0107]作為氧化鈦〔Ti02〕的結晶結構，可以使用金紅石型、銳鈦礦型中的任一種，但從與樹脂的折射率的比率大，能夠實現高亮度的觀點考慮，優選金紅石型。
[0108]作為氧化鈦，具體而言，例如可舉出用鹽酸法製造的CR-50、CR-50-2、CR-57、CR-80、CR-90、CR-93、CR-95、CR-97、CR-60-2、CR-63、CR-67、CR-58、CR-58-2、CR-85 ;用硫酸法製造的 R-820、R-830、R-930、R-550、R-630、R-680、R-670、R-580、R-780、R-780-2、R-850、R-855、A-100、A-220、W-10 (以上為石原工業株式會社制的商品名)等。
[0109]氧化鈦的一次粒徑優選為0.1?0.5 μ m，更優選為0.2?0.3 μ m。
[0110]另外，作為氧化鈦，為了提高與作為粘結劑的聚合物的親和性、分散性，為了抑制該聚合物的劣化，特別優選用例如由Al、S1、Zr、Zn等形成的氧化物進行表面處理而得的氧化鈦。
[0111]作為與光散射粒子混合而構成反射層的材料(即粘結劑)，可舉出易粘接性的聚合物，例如，聚氨酯、氯乙烯共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-偏二氯乙烯共聚物、氯乙烯-丙烯腈共聚物、丁二烯-丙烯腈共聚物、聚醯胺樹脂、聚乙烯醇縮丁醛、聚酯、纖維素衍生物(硝化纖維素等)、苯乙烯-丁二烯共聚物、各種合成橡膠系樹脂、酚醛樹脂、環氧樹月旨、尿素樹脂、蜜胺樹脂、苯氧基樹脂、有機矽樹脂、丙烯酸樹脂、尿素-甲醯胺樹脂等。其中優選聚氨酯、聚酯、有機矽樹脂、丙烯酸樹脂、聚乙烯醇縮丁醛。另外，這些粘結劑可以單獨一種或混合二種以上使用。
[0112]塗布型的反射層可以通過將至少含有光散射粒子、粘結劑、溶劑的組合物塗布、乾燥來形成。塗布方式沒有特別限制，例如，可以使用凹版塗布、模塗、逗點塗布、棒塗、浸塗、噴塗、旋塗等一般的方式。
[0113]作為在反射層的形成中使用的溶劑，例如，可舉出甲醇、乙醇、正丙醇、正丁醇等低級醇；二氯甲烷、二氯乙烷等含氯原子的烴；丙酮、甲乙酮、甲基異丁酮等酮；甲苯、苯、環己烷、環己酮、二甲苯等芳香族化合物；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯等低級脂肪酸和低級醇的酯；二》?惡烷、乙二醇單乙酯、乙二醇單甲酯、甲氧基丙醇、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯等醚；以及它們的混合物等。
[0114]為了提高氧化鈦的分散性可以使用分散劑。作為分散劑，例如，可以使用多元醇、胺類、有機矽、表面活性劑等。
[0115]反射層的厚度優選為10~500 μ m。反射層的厚度為10 μ m以上得到充分的亮度，另外為500 μ m以內，反射層表面的平滑性提高。
[0116]優選在反射層中含有40~95重量％的氧化鈦，特別優選含有60~90重量％。為40重量％以上亮度提高，為95重量％以下，與基板或螢光體層的粘接性提高。
[0117]本發明中，為了提高基板與反射層的密合性，優選在基板與反射層之間設置中間層。作為構成中間層的材料，除一般的易粘接性的聚合物之外，可以設置由與反射層不同的材料形成的金屬層。作為這樣的不同種類金屬層，例如，優選使用選自鎳、鈷、鉻、鈀、鈦、鋯、鑰以及鎢中的至少一種金屬形成，其中更優選使用鎳、鉻中單獨一種或者混合二種使用。
[0118]《底襯層》 [0119]底襯層在本發明的閃爍體板中，作為螢光體柱狀結晶的基座，如果底襯層夠硬，則不需要使用上述基板，只要底襯層柔軟，就可以輔助性地使用基板。後者的情況下，底襯層還能夠提聞基板和突光體層的粘接性。
[0120]利用蒸鍍法等氣相沉積法形成螢光體層時，螢光體層的基底部分(螢光體柱狀結晶的與底襯層接觸的部分)通常由直徑數μ m的球狀結晶的凝聚體構成的情況較多。然而，形成底襯層的高分子結合材料如果由具有優選為300°c以下的熔點〔Tm〕或玻璃化轉變溫度〔Tg〕的聚合物構成，則即使在低溫下底襯層也柔軟，因此球狀的晶核難以移動，球狀結晶難以凝聚。對於林立生長的螢光體柱狀結晶而言，相近的螢光體柱狀結晶彼此難以接觸(也包括部分結合、附著的方式)，因此從導光的觀點考慮是優選的。
[0121]作為構成底襯層的具體的材料，可舉出易粘接性的聚合物，即高分子結合材料(粘結劑)，例如，聚氨酯、氯乙烯共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-偏二氯乙烯共聚物、氯乙烯-丙烯腈共聚物、丁二烯-丙烯腈共聚物、芳族聚醯胺和尼龍、聚乙烯醇縮丁醛、聚酯、纖維素衍生物(硝化纖維素等)、苯乙烯-丁二烯共聚物、各種合成橡膠系樹脂、酚醛樹月旨、環氧樹脂、尿素樹脂、蜜胺樹脂、苯氧基樹脂、有機矽樹脂、丙烯酸樹脂、尿素-甲醯胺樹脂等。其中優選聚氨酯、聚酯、有機矽樹脂、丙烯酸樹脂、聚乙烯醇縮丁醛、聚對二甲苯樹脂。另外，這些粘結劑可以單獨使用一種，或者並用二種以上。
[0122]從提高基板和螢光體層的粘接性的觀點考慮，優選粘結劑的玻璃化轉變溫度〔Tg〕為100°C以下。另外，如果為具有熔點的材料，則在常壓環境下的熔點為300°C以下且從提高基板和螢光體層的粘接性的觀點考慮，是優選的。
[0123]作為底襯層的形成方法，例如，除將溶解或分散在溶劑中的高分子結合材料塗布、乾燥來形成的方法之外，還可舉出利用CVD〔化學氣相沉積法〕法來形成聚對二甲苯樹脂膜的方法等。[0124]底襯層的塗布方式沒有特別限制，例如，可以使用凹版塗布、模塗、逗點塗布、棒塗、浸塗、嗔塗、旋塗等一般的方式。
[0125]作為能夠在底襯層的製備中使用的溶劑，例如，可舉出甲醇、乙醇、正丙醇、正丁醇等低級醇；二氯甲烷、二氯乙烷等含氯原子的烴；丙酮、甲乙酮、甲基異丁酮等酮；甲苯、苯、環己烷、環己酮、二甲苯等芳香族化合物；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯等低級脂肪酸和低級醇的酯；二》惡烷、乙二醇單乙酯、乙二醇單甲酯、甲氧基丙醇、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯等醚；以及它們的混合 物等。
[0126]底襯層的厚度優選為0.1~10 μ m,更優選為0.5~5 μ m。如果底襯層的厚度為0.5 μ m以上，則與螢光體層的粘接性提高，如果底襯層的厚度為5 μ m以下，則抑制底襯層內的光散射而提高清晰性。
[0127]為了防止螢光體(閃爍體)發出的光的散射，提高清晰性等，在底襯層中可以含有顏料、染料等。
[0128]《螢光體層》
[0129]本發明中，螢光體層優選為利用氣相沉積法得到的柱狀結晶，可以由多層形成。在形成螢光體柱狀結晶的過程中，分成螢光體柱狀結晶生長到膜厚50um左右時形成的第一螢光體層和它以外的第二螢光體層，將第一螢光體層也特別稱為「基底層」，另外將形成螢光體層的材料稱為「螢光體材料」或者簡稱為「螢光體」，是指只有螢光體母體化合物、或者螢光體母體化合物和激活劑的組合物。
[0130]作為形成螢光體層的材料，已知有各種螢光體材料,碘化銫〔Csl〕從X射線向可見光的轉換率較高，可以通過蒸鍍容易使螢光體形成為柱狀結晶結構，因此利用光導效果能夠抑制結晶內的發射光的散射，能夠使螢光體層變厚，所以優選。
[0131]以進一步提高僅由CsI構成的螢光體層的發光效率為目的，可以添加各種激活劑。例如，在日本特公昭54-35060號公報中，記載了以任意的摩爾比混合CsI和碘化鈉〔NaI)而成的物質。另外，在日本特開2001-59899號公報中，記載了優選含有鉈〔Tl〕、銪〔Eu〕、銦〔In〕、鋰〔Li〕、鉀〔K〕、銣〔Rb〕、鈉〔Na〕等激活物質的CsI的內容。
[0132]應予說明，本發明中，優選將含有一種以上的鉈化合物的添加劑和碘化銫作為螢光體材料，由於鉈激活碘化銫〔Csl:Tl〕具有達400~750nm的廣泛的發光波長，所以特別優選。
[0133]作為含有一種以上的鉈化合物的添加劑的鉈化合物，可以使用各種鉈化合物(+I和+ III的氧化數的化合物)。例如，可舉出碘化鉈〔T1I〕、溴化鉈〔!！Br〕、氯化鉈〔T1C1〕、氟化鉈〔HF〕或(TlF3)等。
[0134]本發明中，優選的鉈化合物為碘化鉈〔T1I〕，鉈化合物的熔點優選在400~700°C的範圍內。如果為700°C以內，則添加劑在柱狀結晶內均勻存在，發光效率提高。應予說明，本發明中，熔點是指常溫常壓下的熔點。
[0135]激活劑在螢光體層中的相對含量優選為0.1~5摩爾％。其中，在基底層中的相對含量優選為0.01~I摩爾％，更優選為0.1~0.7摩爾％。應予說明，激活劑的相對含量以激活劑相對於I摩爾螢光體母體化合物的摩爾％表示。特別是，在基底層中含有0.01摩爾％以上在發光亮度的提高和保存性的方面是重要的。
[0136]本發明中，優選基底層中的激活劑的相對含量比螢光體層中的相對含量低，基底層中的激活劑的相對含量相對於螢光體層中的激活劑的相對含量的比(即{基底層中的激活劑的相對含量} / {螢光體層中的相對含量})優選為0.1~0.7。
[0137]螢光體層的具有一定晶面指數的面的基於X射線衍射光譜的取向度與層厚方向的位置無關，優選為80~100%的範圍內。例如，鉈激活碘化銫〔Csl: Tl〕的晶面指數例如可為(100)、(110)、(111)、(200)、(211)、(220)、(311)等中的任一個，這些中優選(200)。應予說明，晶面指數參照X射線解析入門(東京化學同人)42~46頁。
[0138]本發明中，「一定晶面指數的面的基於X射線衍射光譜的取向度」是指某個晶面指數的強度Ix在包含其他的晶面指數的面的整體的總強度I中所佔的比例。例如，X射線衍射光譜中的(200)面的強度I2tltl的取向度為「取向度=作為用於決定取向度的晶面指數的測定方法，例如可舉出X射線衍射〔XRD〕等。X射線衍射是利用對結晶性物質照射特定波長的固有X射線而引發滿足Bragg式的衍射，從而能夠得到與物質的鑑定、晶相的結構等相關的知識的通用性高的分析方法。照射系的靶使用Cu、Fe、Co等，照射時的輸出根據裝置能力而不同，但通常為O~50mA、O~50kV左右。
[0139]優選螢光體層為利用光導效果抑制結晶內的發射光的散射的柱狀結晶。作為形成柱狀結晶的方法，可舉出氣相沉積法。作為氣相沉積法，例如，可以使用蒸鍍法、濺射法、CVD法、離子鍍法等，在本發明中特別優選蒸鍍法。
[0140]螢光體層優選由以螢光體母體化合物和激活劑形成的螢光體構成，更優選基底層由螢光體母體化合物和激活劑構成，且空隙率顯示比螢光體層高的值。
[0141]為了滿足上述晶面指數的必要條件，螢光體柱狀結晶的形成方法優選包括在底襯層的表面形成空隙率顯示比螢光體層高的值的基底層的工序、和利用氣相沉積法在基底層的表面形成螢光體的工序。
[0142]應予說明，本發明中「空隙率」是指在將螢光體層與支撐體平行地切斷的截面，空隙的面積相對於柱狀結晶的截面積和空隙的面積的總和的比率，可以通過將閃爍體板的螢光體層與支撐體平行地切除，對截面的掃描式電子顯微鏡照片使用圖像處理軟體將螢光體部分和空隙部進行二值化來求出。
[0143]螢光體層的厚度優選為100~800 μ m,從平衡好地得到亮度和清晰性的特性的觀點考慮，更優選為120~700 μ m。
[0144]從高亮度.維持清晰性的角度出發，基底層的厚度優選為0.1~50 μ m，更優選為5 ~40 μ m0
[0145]螢光體層中含有的螢光體柱狀結晶優選從結晶生長的起點側起算在10 μ m的位置的平均當量圓直徑a和最表面的平均當量圓直徑b滿足1.5 ^ b/a ^ 30的關係。
[0146]從清晰性的角度出發，基底層的厚度c和第二螢光體層的厚度d優選滿足3 ( d/c ( 1000的關係，進一步優選10 ( d/c ( 1000。
[0147]《螢光體保護層》
[0148]作為本發明的閃爍體板可具有的功能層的一種的螢光體保護層(以下也簡稱為「保護層」)主要著眼於物理地或化學地保護螢光體層。即，由於碘化銫〔Csl〕吸溼性高，如果以露出的狀態直接放置則會吸溼空氣中的水蒸氣而潮解，所以以防止這個為目的。
[0149]優選在製造本發明`的閃爍體板之後，將閃爍體板裁切成規定的大小的工序之前，具有在螢光體層上形成保護層的工序。保護層也是用於進一步提高防止裁切工序中的裁切時的螢光體層的柱狀結晶的結晶破裂等損傷的抗損傷性的層。另外，保護層還具有能夠防止閃爍體和受光元件的接觸所引起的受光元件側的腐蝕這樣的側面。用光學補償材料將由螢光體柱狀結晶構成的螢光體層和光電元件等光檢測器耦聯時，該保護層還起到防止光學補償材料滲透到柱狀結晶間的防滲透層的作用。
[0150]保護層例如可以利用蒸鍍法、濺射法等，將SiC、Si02、SiN、Al203等無機物質層疊而形成。另外，可以將保護層用的塗布液直接塗布在螢光體層的表面來形成，也可以將預先另外形成的保護層與螢光體層粘接。保護層的厚度優選為0.1~2000 μ m。
[0151]保護層例如也可以由聚烯烴系、聚縮醛系、環氧系、聚醯亞胺系、有機矽系、聚對二甲苯系等聚合物材料形成。 [0152]作為保護層由聚對二甲苯系的聚合物材料形成時，優選利用CVD法以Ιμπι~20 μ m的厚度形成，由其他的聚合物材料形成時,優選利用塗布法以Ιμπι~100 μ m的厚度形成。
[0153]聚對二甲苯系的聚合物材料還具有水蒸氣和氣體的透過性均少的特徵，適用於原本具有潮解性的Cs1:Tl的保護膜。在此，聚對二甲苯除聚對二甲苯之外，還可以包括聚單氯對二甲苯、聚二氯對二甲苯、聚四氯對二甲苯、聚氟對二甲苯、聚四氯對二甲苯、聚氟對二甲苯、聚二甲基對二甲苯、聚二乙基對二甲苯等。
[0154]本發明中，可以在保護層上進一步存在與平面受光元件粘接時的粘接劑層，從確保粘接力的觀點考慮，其厚度優選為IOym以上，且保護層的厚度和粘接劑層的厚度的合計優選為100 μ m以下，更優選為50 μ m以下，在能夠防止在平面受光元件與閃爍體面板的間隙來自閃爍體的發光的擴散變大而作為平板探測器的清晰性降低的方面優選。
[0155]另外，作為其他方式的保護層，也可以使用熱熔樹脂形成。熱熔樹脂還能夠兼具粘接閃爍體板和平面受光元件面的功能。
[0156]本發明中的熱熔樹脂樹脂是不含有水和溶劑，室溫下為固體，由不揮發性的熱塑性材料構成的粘接性樹脂。若樹脂溫度上升則熔融，若樹脂溫度降低則固化。而且，在加熱熔融狀態具有粘接性，在常溫下為固體狀態不具有粘接性。
[0157]作為熱熔樹脂，優選以聚烯烴系樹脂、聚酯系、聚醯胺系樹脂為主成分的樹脂，從透光性的觀點考慮，優選聚烯烴系樹脂。
[0158]由熱熔樹脂構成的保護層的厚度優選為20 μ m以下。
[0159]另外，從TFT等平面受光元件的連續使用特性、防粘接剝離性等觀點考慮，熱熔樹脂的熔融起始溫度優選為60°C~150°C。熱熔樹脂的熔融起始溫度可以通過添加增塑劑來調節。
[0160]作為由熱熔樹脂形成保護層的方法，例如，可舉出以下所示的方法等。
[0161]?準備塗覆有剝離劑的剝離片，將熱熔樹脂塗設在該剝離片上，在閃爍體面板的螢光體層面配置該熱熔樹脂面，用加熱的輥加壓並使其貼合，冷卻後除去剝離片的方法。
[0162].或者將塗設有熱熔樹脂的片配置在螢光體層面後，在它們的上下設置樹脂膜在減壓下封閉上下樹脂膜的周邊部進行密封后，在大氣壓下進行加熱的方法。
[0163]作為後者的方法中的樹脂膜，例如，優選密封膠膜和聚對苯二甲酸乙二醇酯〔PET〕的乾式層壓膜等，由於其能在螢光體層整面得到由大氣壓產生的均勻的粘接壓，所以優選。
[0164]本發明人等發現使用碳、鋁或玻璃等剛直的基板時，通過預先在螢光體層表面形成聚對二甲苯、熱熔樹脂等的保護層，能夠在不伴有結晶破裂的情況下將閃爍體板刀刃切割成規定尺寸。應予說明，本發明中所說的刀刃切割是指使用矽片等的切割中通常使用的刀刃進行的裁切，基板為玻璃的情況下，也可以使用雷射切割。
[0165]通過使用聚對二甲苯覆蓋螢光體層的上部、側面和底襯層(優選基板)的螢光體層外周部，從而得到高的防溼性。另外，熱熔樹脂不僅具有防溼性，還兼具粘接閃爍體面板和平面受光元件面的功能。
[0166]從吸收衝擊這樣的觀點考慮，也優選像聚對二甲苯或熱熔樹脂那樣，可形成某種程度上進入螢光體柱狀結晶間的樹脂層的樹脂，另一方面，從清晰性這樣的觀點考慮，還優選可形成不怎麼進入螢光體柱狀結晶間的樹脂層的樹脂。
[0167]另外，作為其他方式的保護層，也可以在螢光體層上設置高分子膜(也稱為保護膜)。應予說明，作為高分子膜的材料，可以使用與作為上述基板的材料的高分子膜同樣的膜。
[0168]考慮到空隙部的形成性、螢光體層的保護性、清晰性、防溼性、操作性等，高分子膜的厚度優選為12?120 μ m,更優選為20?80 μ m。
[0169]另外，考慮到清晰性、放射線圖像不均、製造穩定性、操作性等，霧度值優選為3?40%，更優選為3?10%。霧度值表示利用日本電色工業株式會社制的NDH5000W測定的值。需要的霧度值可以從市售的高分子膜適當地選擇，容易獲得。
[0170]考慮到光電轉換效率、螢光體(閃爍體)發光波長等，保護膜的透光率在550nm優選為70%以上，99%以上的透光率的膜在工業上難以得到，實質上優選為99?70%。
[0171]考慮到螢光體層的保護性、潮解性等，保護膜的透溼度(40°C.90%RH)(基於JISZ0208測定)優選為50g/m2.day以下，更優選為10g/m2.day以下，由於0.01g/m2.day以下的透溼度的膜在工業上難以得到，所以實質上優選為0.01g/m2.day?50g/m2.day，更優選為 0.lg/m2.day ?10g/m2.day。
[0172]《光檢測器》
[0173]如圖1所示，光檢測器(13)優選具有光電轉換元件陣列(11)和電路基板(12)。
[0174]光電轉換元件陣列是將由光電傳感器與薄層電晶體〔TFT〕或電荷耦合元件〔CCD〕構成的光電轉換元件(或平面受光元件)二維配置而成的。另外，電路基板是將利用光電轉換元件由螢光體層的發射光轉換的電荷作為電信號輸出，並且也可以發揮作為光電轉換元件陣列的基座的作用。
[0175]圖1中，由電路基板(12)和光電轉換元件陣列(11)構成的光檢測器(13)以與閃爍體板(10)的螢光體層(4)側對置的方式層疊，形成了本發明的放射線檢測面板(20)，優選在光電轉換元件陣列(11)與螢光體層(4)之間設有螢光體保護層，光電轉換元件陣列(11)和螢光體保護層被粘接(貼附)、或密合接觸。
[0176]另外，圖1中，螢光體層(4)由以底襯層(2)側為根部的螢光體柱狀結晶(5)形成，但也可以由以光電轉換元件陣列(11)側為根部的螢光體柱狀結晶(5)形成。S卩，可以將光檢測器(13)作為基板或支撐體，利用氣相沉積法使螢光體柱狀結晶(5)生長，形成螢光體層⑷。
[0177]應予說明，光電轉換元件陣列的與螢光體層對置的最表面的表面平均粗糙度〔Ra〕優選為0.001?0.5 μ m，更優選為0.001?0.1 μ m，進一步優選為0.001?0.05 μ m。在玻璃制的平面等依次形成電路基板和光電轉換元件陣列後，在光電轉換元件陣列表面形成由例如包含聚酯、丙烯酸等的有機樹脂構成的平坦化層，利用光刻法控制表面粗糙度，由此以滿足上述Ra的範圍的方式進行調整。
[0178]在本發明的放射線檢測面板中，優選閃爍體板為利用彈力部件(例如，海綿、彈簧等)壓附密合在光電轉換元件陣列上的方式。另外，也優選閃爍體板和光電轉換元件陣列的間隙通過減壓而互相密合，並且利用密合密封部件等密封其周邊的方式。密合密封部件優選由紫外線固化型樹脂組合物形成。
[0179]作為紫外線固化型樹脂，沒有特別限制，可以從以往使用的紫外線固化型樹脂中適當地選擇使用。該紫外線固化型樹脂組合物含有光聚合性預聚物或光聚合性單體、光聚合引發劑和光敏劑。
[0180]作為光聚合性預聚物，例如，可舉出聚酯丙烯酸酯系、環氧丙烯酸酯系、聚氨酯丙烯酸酯系、多元醇丙烯酸酯系等。其中優選聚氨酯丙烯酸酯系。另外，這些光聚合性預聚物可以單獨使用一種也可以並用二種以上。
[0181]作為光聚合性單體，例如，可舉出聚羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、己二醇(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯等。其中優選二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。
[0182]作為光聚合引發劑，例如，可舉出苯乙酮類、二苯甲酮類、α-戊基肟酯、一硫化四甲基秋蘭姆、噻噸酮類等。
[0183]作為光敏劑，例如，可以混合使用正丁胺、三乙胺、聚正丁基膦等。
[0184]《光學補償層》
[0185]本發明中，光學補償層是使用光學補償材料將由螢光體柱狀結晶構成的螢光體層和光電元件等光檢測器耦聯時，優選由光學補償材料形成的層。
[0186]根據如本發明這樣的間接轉換方式的閃爍體板和放射線檢測面板，作為閃爍體的螢光體柱狀結晶與光學補償層的折射率的差、以及光學補償層與平坦化層的折射率的差變小，因照射的放射線在螢光體層內發出的光在螢光體柱狀結晶與光學補償層的界面、光學補償層與平坦化層的界面被反射的程度變小。因此，在螢光體層內發出的光在面向被反射的程度減少，所以抑制由螢光體層的正下方的光電轉換元件以外的光電轉換元件受光。另夕卜，也確實地防止反射光被螢光體等吸收。由此，成為光的絕大多數量確實地入射到螢光體層的正下方的光電轉換元件的狀態，能夠得到高靈敏度且清晰性高的放射線圖像。
[0187]因此，在本發明中，光學補償層優選由熱固性的樹脂形成。作為熱固性的樹脂，例如，優選使用丙烯酸樹脂、環氧樹脂、有機矽樹脂等。
[0188]使熱固性的樹脂固化而形成光學補償層的方法在後述的閃爍體板等的製造方法中進行說明。
[0189]另外，代替用固化的樹脂等固體形成光學補償層，也可以用透明的液體、凝膠狀物質形成。此時，由液體、凝膠狀物質形成的光學補償層也可以以至少與閃爍體板的螢光體柱狀結晶的各前端部分和平坦化層的表面分別緊密接觸的狀態形成。
[0190]作為形成光學補償層的材料，例如，可使用丙烯酸系、環氧系、有機矽系等常溫固化型的粘接劑。[0191]特別是作為具有彈性的、形成光學補償層的材料，可使用橡膠系的粘接劑。作為橡膠系的粘接劑的樹脂，例如，可使用苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯等嵌段共聚物系、聚丁二烯、聚丁烯等合成橡膠系粘接劑以及天然橡膠等。作為市售的橡膠系的粘接劑，例如，優選一液型RTV橡膠KE420 (信越化學工業株式會社制)等。
[0192]另外，在閃爍體板與平面受光元件之間也可以使用具有粘性的光學脂膏等。只要透明性高且具有粘性，就可以使用公知的任何光學脂膏。作為市售的光學脂膏，例如，優選矽油KF96H (100萬CS:信越化學工業株式會社制)等。
[0193]另一方面，光學補償層優選以下述方式形成，S卩，其折射率是在閃爍體板的螢光體層的折射率和平坦化層的折射率中較小的一方的折射率以上且在較大的一方的折射率以下。
[0194]在本發明中，如上所述作為閃爍體板的螢光體柱狀結晶，例如使用了 Cs1:Tl，其折射率約為1.8。另外，作為形成平坦化層的材料，例如使用丙烯酸樹脂，其折射率約為1.5。因此，在本發明中，光學補償層以其折射率η為1.5?1.8的範圍的方式形成。
[0195]為了使通過放射線的照射在閃爍體板的螢光體層發出的光介由光學補償層、平坦化層到達光電轉換元件，光學補償層是透明的，優選光的透過率為90%以上的高透過率。
[0196]應予說明，形成光學補償層的樹脂例如為固化時易收縮、或者溫度變高時易膨脹的樹脂的情況下，光學補償層收縮或膨脹時，成為在面向對閃爍體板的螢光體柱狀結晶施加力的狀態。而且，會產生因該力而破壞柱狀結晶的可能性。因此，作為形成光學補償層的樹脂，優選固化收縮率、線膨脹係數低的樹脂。
[0197]應予說明，為了使粘接劑的固化更可靠地進行，也可以在上述的紫外線的照射後，進一步加熱閃爍體板，進行燒結粘接劑等處理，以此方式構成。此時，對於使熱固性的樹脂固化而形成的光學補償層而言，為了在粘接劑的燒結時不發生玻璃化轉變，優選形成光學補償層的熱固性的樹脂由具有比粘接劑的玻璃化轉變溫度高的玻璃化轉變溫度的材料形成。
[0198]而且，如果以該狀態使樹脂固化而形成光學補償層，則如上所述光學補償層具有減少在界面反射的光的比例的效果，因此在柱狀結晶的側壁被反射的光的比例減少，光容易漏出到螢光體柱狀結晶外。而且，如果光從柱狀結晶漏出，則在閃爍體面板的螢光體層內發出的光在面向擴散，結果產生得到的放射線圖像的清晰性無法變高這樣的問題。
[0199]因此，例如，在塗布形成光學補償層的樹脂時或其後，可以使樹脂增稠，或者使用具有不因毛細管現象進入螢光體柱狀結晶彼此的縫隙間的程度的粘度的樹脂。
[0200]
[0201]本發明涉及的閃爍體面板和放射線檢測面板的製造方法優選包括下述工序，SP，利用氣相沉積法，使用在真空容器內具有蒸發源和支撐體旋轉機構的蒸鍍裝置，在支撐體旋轉機構中設置支撐體，邊旋轉支撐體邊蒸鍍螢光體材料的工序。
[0202]本發明涉及的製造方法除包括這樣的「蒸鍍工序」以外，還可以包括上述的「在基板形成底襯層的工序」、「蒸鍍後的加熱工序」、「螢光體保護層的形成工序」、「光學補償層的形成工序」等工序。
[0203]《蒸鍍工序》
[0204]以下，參照圖2對本發明涉及的閃爍體面板的製造方法進行說明。[0205]在真空容器(32)的內部的底面附近，在以與支撐體(3)垂直的中心線為中心的圓的圓周上的相互對著的位置配置有蒸發源(38)。在這種情況下，支撐體(3)與蒸發源(38)的間隔優選為100?1500mm，更優選為200?1000mm。另外，與支撐體(3)垂直的中心線與蒸發源(38)的間隔優選為100?1500mm，更優選為200?1000mm。
[0206]應予說明，在本發明的閃爍體面板的優選的蒸鍍裝置(31)中也可以設置3個以上的多個(例如8個、16個、24個等)蒸發源，各蒸發源可以等間隔地配置，也可以改變間隔配置。另外，以與支撐體(3)垂直的中心線為中心的圓的半徑可以任意定。
[0207]為了收容螢光體並用電阻加熱法進行加熱，蒸發源(38 )可以由卷有加熱器的氧化鋁製的坩堝構成，也可以由舟皿或由高熔點金屬形成的加熱器構成。另外，加熱螢光體的方法除電阻加熱法以外也可以為利用電子束進行的加熱、利用高頻感應進行的加熱等方法，在本發明中從較簡單的構成且操作容易、低廉且適用於極多的物質的觀點考慮，優選流通直流電進行電阻加熱的方法、或用周圍的加熱器對坩堝進行間接電阻加熱的方法。另外，蒸發源(38)可以為基於分子束外延法的分子束源。
[0208]根據以上的蒸鍍裝置(31)或製造方法，通過設置多個蒸發源(38)從而能夠使蒸發源(38)的蒸氣流重合的部分整流化，使蒸鍍到支撐體(3)的表面的螢光體的結晶性均勻。此時，由於設置多個蒸發源時蒸氣流在多處位置被整流化，所以在更廣範圍內使螢光體的結晶性均勻。另外，通過在以與支撐體(3)垂直的中心線為中心的圓的圓周上配置蒸發源(38)，從而可以在支撐體(3)的表面各向同性地得到因蒸氣流的整流化而使結晶性變得均勻這樣的作用。
[0209]支撐體支架(35)成為支撐體(3)中形成螢光體層(4)的面與真空容器(32)的底面對置，且以與真空容器(32)的底面平行的方式保持支撐體(3)的構成。
[0210]另外，優選支撐體支架(35 )具備加熱支撐體(3 )的加熱器(未圖示)。通過用該加熱器加熱支撐體(3)，從而進行支撐體(3)對支撐體支架(35)的密合性的強化、螢光體層(4)的膜質調整。另外，脫離.除去支撐體(3)的表面的吸附物，防止在支撐體(3)的表面與螢光體之間產生雜質層。
[0211]另外，作為加熱裝置可以具有用於使溫介質或熱介質循環的機構(未圖示)。該裝置適合在螢光體蒸鍍時將支撐體(3)的溫度保持在50?150°C這樣的較低溫進行蒸鍍的情況。
[0212]另外，作為加熱裝置可以具有滷素燈(未圖示)。該裝置適合在螢光體蒸鍍時將支撐體(3)的溫度保持在150°C以上這樣的較高溫進行蒸鍍的情況。
[0213]此外，在支撐體支架(35)設有使支撐體(3)在水平方向旋轉的支撐體旋轉機構
(36)。支撐體旋轉機構(36)由在支撐支撐體支架(35)的同時使支撐體(3)旋轉的支撐體旋轉軸(37)、和配置在真空容器(32)的外部的作為支撐體旋轉軸(37)的驅動源的馬達(未圖示)構成。
[0214]在蒸鍍裝置(31)中，除上述構成之外，還可以在真空容器(32)中配設有真空泵(33)。由於真空泵(33)進行存在於真空容器(32)的內部的氣體的排氣，所以為了排氣至高真空區域，可以配置二種或二種以上的工作壓力區域不同的真空泵。作為真空泵(33)，例如，可以使用轉子泵、渦輪分子泵、低溫泵、擴散泵、機械增壓泵等。
[0215]為了調節腔室內的壓力，設有可向真空容器(32)內導入氣體的機構(未圖示)。導入的氣體通常使用例如Ne、Ar、Kr等惰性氣體。真空容器(32)內的壓力可以在用真空泵
(33)對真空容器(32)內進行排氣的同時用導入的氣體量進行調節，也可以進行真空排氣直至與所希望的壓力相比成為高真空後停止真空排氣，其後通過導入氣體達成所希望的壓力來進行調節。另外，可以通過在真空容器(32)與真空泵(33)之間設置壓力控制閥等來調節泵的排氣量而控制真空容器(32)內的壓力。
[0216]另外，在蒸發源(38)與支撐體(3)之間設有在水平方向可自由開關的用於阻斷從蒸發源(38)到支撐體(3)的空間的閘門(39)，通過該閘門(39)，能夠防止蒸發源(38)中附著於螢光體的表面的目的物以外的物質在蒸鍍的初始階段蒸發而附著在支撐體(3)上。
[0217]對使用了以上詳述的蒸鍍裝置(31)的本發明的閃爍體面板的製造方法進行詳述。
[0218]首先，在支撐體支架(35)上安裝支撐體(3)。另外，在真空容器(32)的底面附近，在以與支撐體(3)垂直的中心線為中心的圓的圓周上配置蒸發源(38)。接下來，向坩堝或舟皿等中填充螢光體母體化合物(Cs1:無激活劑)和激活劑(T1I)，安置在蒸發源(38)上。此時，坩堝、舟皿可以為多個。
[0219]為了在蒸鍍前除去所填充的螢光體母材和激活劑中的雜質，可以進行預加熱。預加熱優選為使用的材料的熔點以下。例如為CsI時，預加熱溫度優選為50?550°C，更優選為100?500°C。為TlI時，優選為50?500°C，更優選為100?500°C。
[0220]對蒸鍍裝置(31)內進行暫時排氣，然後導入氬氣，從形成獨立的柱狀結晶的觀點考慮，在壓力成為0.001?10Pa，優選成為0.01?IPa之後，使支撐體(3)旋轉。旋轉根據裝置的大小而不同，但轉速優選為2?15rpm,更優選為4?lOrpm。接著,加熱突光體母體化合物(Cs1:無激活劑)的坩堝對螢光體進行蒸鍍，形成基底層(第一螢光體層)。此時，支撐體(3)溫度優選為5?60°C，更優選為15?50°C。基底層的厚度根據晶粒直徑、螢光體層
(4)的厚度而不同，但優選為0.1?50 μ m。接下來，開始支撐體(3)的加熱，將該溫度加熱到150?250°C，開始剩餘的螢光體母體化合物(Cs1:無激活劑)和激活劑(TlI)的坩堝的蒸發。此時，考慮到生產率，優選以比基底層快的蒸鍍速度對螢光體母體化合物進行蒸發。蒸發速度根據基底層、螢光體層(4)的厚度而不同，但與基底層蒸鍍時相比優選以5?100倍的速度進行蒸鍍，更優選以10?50倍進行蒸鍍。激活劑的蒸發方法可以是使激活劑單體蒸發，也可以製作混合有CsI和TlI的蒸發源(38)，加熱到CsI不蒸發僅TlI蒸發的溫度(例如500°C)使其蒸發。
[0221]由於蒸鍍時進行了加熱的支撐體(3)是高溫，所以為了取出需要進行冷卻。通過使將螢光體層(4)冷卻到80°C的工序中的平均冷卻速度為0.5°C?10°C /分鐘的範圍內，從而能夠對支撐體(3)無損傷地進行冷卻。例如使用厚度50 μ m?500 μ m的高分子膜等較薄的基板作為支撐體(3)時特別有效。該冷卻工序特別優選在真空度I X KT5Pa?0.1Pa的氣氛下進行。另外，冷卻工序時，可以採用向蒸鍍裝置(31)的真空容器(32)內導入Ar、He等惰性氣體的方式。應予說明，在此所說的平均冷卻速度是指連續測定從冷卻開始(蒸鍍結束時)到冷卻至80°C期間的時間和溫度，求出此期間的每I分鐘的冷卻速度。
[0222]蒸鍍結束後，可以對螢光體層(4)進行加熱處理。另外，在蒸鍍法中可以根據需要進行導入02、H2等氣體進行蒸鍍的反應性蒸鍍。
[0223]《蒸鍍後的加熱工序》
[0224]是在常壓下或真空下對蒸鍍工序中得到的螢光體層實施加熱的工序。[0225]對於在真空下加熱的情況，可以在蒸鍍工序中形成螢光體層後，在真空容器內的真空度沒返回到常壓的情況下連續實施，也可以將螢光體移動到其他的真空加熱裝置中進行實施，但優選蒸鍍工序後在相同的真空容器內在真空度沒有返回到常壓的情況下進行加熱。
[0226]作為蒸鍍工序後在真空度沒有返回到常壓的情況下進行加熱的方法中的圖2的支撐體支架(35)的加熱機構，例如，可舉出用於使溫介質或熱介質循環的機構(未圖示)、滷素燈(未圖示)等。
[0227]作為加熱溫度，從結晶的透明度提高的觀點考慮，優選為80?350°C，更優選為100 ?300。。。
[0228]《螢光體的突起修補工序》
[0229]對於如上所述製作的閃爍體面板而言，在形成螢光體層時，有時產生以塵土等為起點因螢光體的蒸鍍結晶的異常生長所致的突起。成為突起的柱狀結晶體如下進行修補。
[0230]在閃爍體面板的支撐體的背面側和螢光體層的表面側，用2片剛性板夾住，接著，在對剛性板加壓的同時進行熱處理。
[0231]作為加壓的方法，有利用錘子的加壓、機械加壓等，沒有特別限制，優選使用袋狀的耐熱性的塑料膜容器進行密閉減壓的方法。更詳細而言，在支撐體背面側和螢光體層的表面側，用2片剛性板夾住後，收容到袋狀的塑料膜容器內，將該容器密閉並減壓，由此能夠進行利用大氣壓的加壓。該方法簡便且能夠對剛性板均勻加壓，另外，通過調節該容器內的減壓量能夠簡單地調節加壓量，所以優選。
[0232]另外，作為加壓量，優選為0.0OlMPa?lOMPa，如果為0.0lMPa?IMPa，則更優選。通過使加壓量至少為0.0OlMPa以上，從而能夠使突起部充分移動到樹脂層側。另一方面，通過使加壓量至少為IOMPa以下，從而能夠抑制對螢光體的損傷，不會損傷畫質。
[0233]熱處理溫度優選為50°C?200°C，進一步優選為90°C?160°C。通過使加熱溫度至少為50°C以上從而能夠使突起部容易位移到樹脂層側。另外，通過使加熱溫度至少為200°C以下，從而能夠抑制亮度降低等對畫質的影響。
[0234]《螢光體保護層的形成工序》
[0235]圖3是適於形成保護層的CVD蒸鍍裝置的示意圖，表示在閃爍體板(10)的螢光體層(4)表面形成由聚對二甲苯膜構成的保護層的一個例子。
[0236]CVD蒸鍍裝置(41)具備將作為聚對二甲苯的原料的二聚對二甲苯插入並使其氣化的氣化室(42)、將氣化的二聚對二甲苯加熱升溫進行自由基化的熱分解室(43)、將自由基化狀態的二聚對二甲苯蒸鍍到形成有閃爍體的支撐體(3)上的螢光體層(4)的蒸鍍室
(44)、進行防臭、冷卻的冷卻室(45)以及具有真空泵的排氣系統(46)而構成。
[0237]在此，蒸鍍室(44)具有將熱分解室(43)中經自由基化的聚對二甲苯導入的導入口(44a)和排出剩餘的聚對二甲苯的排出口(44b)，並且具有支撐進行聚對二甲苯膜的蒸鍍的試樣的轉臺(蒸鍍臺)(44c)。
[0238]首先，將閃爍體板(10 )的螢光體層(4 )朝上地設置在蒸鍍室(44 )的轉臺(44c )上。
[0239]接下來，在氣化室(42)中加熱到150?180°C使其氣化，在熱分解室(43)中加熱升溫到680?700°C，將自由基化的二聚對二甲苯從導入口(44a)導入到蒸鍍室(44)，以螢光體層(4)的保護層(聚對二甲苯膜)成為I?20 μ m的厚度的方式進行蒸鍍。此時，蒸鍍室(44)內維持在真空度I~lOPa。另外,轉臺(44c)以I~6rpm的速度旋轉。另外,剩餘的聚對二甲苯從排出口(44b)排出，導入到進行防臭、冷卻的冷卻室(45)和具有真空泵的排氣系統(46)。
[0240]或者，也可以在塗覆有剝離劑的剝離片上塗設熱熔樹脂後，將熱熔樹脂面配置在閃爍體面板的螢光體層面，用加熱到120°C的輥加壓的同時貼合，由此形成保護層。
[0241]在與平面受光元件面粘接時使用粘接劑的情況下，優選以保護層和粘接劑的厚度總計為20 μ m以下的方式調節保護層的厚度。
[0242]另外，使用樹脂膜作為基板時，保護層的形成也可以在裁切閃爍體板後實施。
[0243]《裁切工序》
[0244]本發明中，可以對應於使用的光電元件面的面積對具有比使用的光電元件面的面積大的面積的閃爍體面板進行裁切。此時，由於在支撐體上形成螢光體層後進行裁切，所以不需要對各個光檢測器進行蒸鍍等操作。即，以用蒸鍍裝置可製作的最大尺寸實施蒸鍍，根據需要，裁切成所希望的尺寸即可，在生產效率、發貨日期方面有優點。參照圖對在裁切本發明涉及的閃爍體面板的裁切工序中使用的方法的典型的例子進行說明。
[0245]圖4的(a)為側截面圖，(b)為正面截面圖，是形成了保護層6後對閃爍體板10進行裁切的刀刃切割的例子。閃爍體板10以保護層6側朝下的方式配置在切割裝置51的切割臺53。利用刀刃52從支撐體3側裁切閃爍體板10。支撐體3為厚度Imm的非晶碳。刀刃52通過以旋轉軸52a為中心旋轉而切斷閃爍體板10。在切割臺53設有槽53a。另外在刀刃的兩側設有支撐部件55。為了冷卻摩擦熱，冷卻風由噴嘴54從刀刃52的兩側吹向裁切部。冷卻風的溫度為4°C以下，為了防止結露，室內的溼度為20%以下。刀刃切割可優選用於支撐體以碳、鋁、玻璃為主成分的情況。
[0246]接下來示出雷射裁切的例子。
[0247]圖5是雷射裁切中使用的裝置的簡要立體圖，表示對沒有形成保護層的閃爍體板10進行裁切的雷射裁切的例子。雷射裁切裝置61具備形成為箱狀的淨化室64。淨化室64成為內部幾乎密閉的空間，以使得浮遊在外部的空間中的灰塵等不會侵入到內部。應予說明，淨化室64內優選為低溼環境。另外，在淨化室64的上表面設有透過雷射的透光窗66。另外設有將灰塵等浮遊物導出到淨化室64外的排出管65。
[0248]在雷射裁切裝置61的支撐臺63上載置閃爍體板10，在支撐臺63上吸附保持閃爍體板10。載置於支撐臺63上的閃爍體板10通過支撐臺移動裝置(未圖示)位於雷射產生裝置62的雷射照射部正下方。從雷射產生裝置62射出雷射，對閃爍體板10照射該雷射。
[0249]照射條件是YAG-UV (釔?鋁.石榴石結晶:波長266nm)、頻率5000Hz且雷射束直徑20 μ m的脈衝雷射、輸出功率300mW。通過支撐臺移動裝置(未圖示)將閃爍體板10向X方向和Y方向移動而進行裁切。本發明中使用的雷射優選為波長266nm左右的紫外雷射。波長266nm左右的雷射能夠利用熱作用對加工對象物進行加工，同時使有機材料中C-H鍵、C-C鍵等分子鍵解離。即螢光體層因熱作`用被裁切，支撐體因分子鍵解離而被裁切。因此，由於螢光體層因熱作用被切斷，支撐體因分子鍵的解離而被切斷，所以能夠進一步防止切斷部的結晶破裂。
[0250]支撐體為樹脂膜、玻璃時可使用雷射裁切，樹脂的情況下可優選使用圖5所示的雷射裁切裝置。[0251 ]《光學補償層的形成工序》
[0252]首先，在閃爍體板的光輸出面或光檢測器的受光面中的任一面塗布透明粘接劑。
[0253]透明粘接劑為添加固化劑的二液混合型的粘接劑時、或為了控制塗布厚度而混合有隔離物時，必須除去混合時產生的氣泡。
[0254]需要在塗布前進行真空脫泡處理，在脫泡時的真空壓比下述真空貼合的氣氛低的壓力下進行。這是由於如果壓力高則在真空貼合時將由粘接劑再次產生氣泡。
[0255]作為粘接劑的塗布方法，例如，可舉出旋塗、絲網印刷、噴塗機塗布等。
[0256]作為塗布所要求的條件，可舉出下述項目。(a)能夠進行10 μ m以上的厚膜塗布。(b)由於也要處理在室溫氣氛下經過長時間而固化的粘接劑，並且也有因固化而部件無法使用的情況，所以消耗部件要低廉。(C)由於有可能根據地點改變塗布厚度，所以要能夠簡單地變更塗布量。裝置本身低廉。
[0257]採用旋塗時，為了進行厚膜塗布，需要塗覆幾次。並且無法根據地點改變塗布厚度。因此，旋塗法不適合作為本發明涉及的閃爍體板等的製造方法中使用的方法。
[0258]對於絲網印刷而言，作為消耗品的印刷版昂貴，為了根據地點改變塗布厚度必須準備兩種印刷版，所以較麻煩。絲網印刷法也不適合。
[0259]另一方面,嗔塗機塗布能夠利用壓力和嗔針直徑使塗布厚度變厚，且由於塗布位置可機器人控制，所以部分變更塗布量是簡單的。另外，消耗部件為噴針和注射器時能夠較低廉地獲得。
[0260]由於噴塗機塗布僅能進行點狀或線狀塗布，所以膜厚不均與旋塗、絲網印刷相比較大。
[0261]擔心在貼合閃爍體時產生大的氣泡，但如果進行後述的真空下的貼合則氣泡在釋放大氣時變小，所以沒有問題。
[0262]另外，對於噴塗機塗布而言，為了實現正確的量、塗布形狀，噴針與塗布基板的間隔越小越好，本裝置的製造條件中設定在0.3mm以下。
[0263]可以將透明粘接劑塗布在閃爍體板和光檢測器中的任一個上，但如果考慮到被塗布材料的翹曲，在本發明中，優選用噴塗機將透明粘接劑塗布在閃爍體面板上。
[0264]預先決定透明粘接劑的量進行塗布，以使得成為規定的厚度，為了使透明粘接劑容易流動從上下分別對閃爍體板和光檢測器進行加壓。閃爍體中使用CsI時，CsI的強度較弱，耐壓僅為lkg/cm2左右，因此必須以比它低的壓力進行加壓。具體而言，IOOPa以下為且。
[0265]為了以低壓的加壓方式進行貼合，透明粘接劑的粘度越低越好，優選為50Pa以下。
[0266]粘接時，優選以10?500g/cm2的壓力加壓直至粘接劑固化。通過加壓，氣泡從粘接劑層被除去。使用熱熔樹脂作為保護層時以10?500g/cm2的壓力進行加壓，同時維持該狀態將外周氣氛從大氣壓1.2 X IO5Pa減壓到lOOPa。
[0267]一旦達到規定的真空壓，便將閃爍體板與光檢測器靠近，貼合上下基板。此時，有時在點狀的透明粘接劑之間產生氣泡。
[0268]貼合上下基板後，使外周氣氛返回到大氣壓。剛才產生的氣泡因大氣壓而縮小。
[0269]如果將殘留的氣泡假定為50 μ m高度的圓柱狀的氣泡，則為半徑37.8 μ m的氣泡。[0270]由於光電轉換元件的像素尺寸為100?160 μ m左右，所以如果為該大小的氣泡則連I像素缺陷都不到。
[0271]在大氣壓下放置約15?18小時，一旦氣泡完全變小，便賦予溫度使粘接劑固化。由於CsI的耐熱溫度為100°c，所以在固化溫度為90°C附近進行I小時左右的固化。
[0272]加熱到比熱熔樹脂的熔融開始溫度高10°C左右的溫度，靜置I?2小時後，緩緩冷卻。若驟冷則會因熱熔樹脂的收縮應力而平面受光元件的像素受損。優選以20°C/hour以下的速度冷卻到50°C以下。
[0273]實施例
[0274]以下，舉出實施例對本發明進一步詳細說明，但本發明的實施方式並不限於這些實施例。
[0275][實施例1]
[0276]《在基板形成底襯層的工序-幹法工藝_》
[0277]將宇部興產株式會社制的聚醯亞胺膜「UPILEX-125S」(厚度125 μ m)作為基板安裝在圖3的CVD裝置,在其單面形成由熔點290°C的Parylene C (Parylene Japan, Inc.制)構成的底襯層。底襯層的厚度為3μπι。以下，將基板和底襯層一體化而成的部件作為支撐體。
[0278]應予說明,Parylene C具有苯環介由-CH2-聚合而成的基本結構,該苯環的一個氫被氯取代。
[0279]《蒸鍍工序》
[0280]參照圖2進行說明。
[0281]首先，將作為螢光體母體化合物的碘化銫〔Csl〕和激活劑(TlI)分別填充到二個電阻加熱坩堝中，將它們作為蒸發源(38)，在支撐體支架(35)的金屬制的框(未圖示)中設置支撐體(3)，將支撐體(3)與蒸發源(38)的間隔調節到400mm。
[0282]接著,對蒸鍍裝置(I)內暫時排氣，導入気氣將真空度調節到0.05Pa後，以6rpm的速度使支撐體支架(35 )和支撐體(3 )旋轉。此時，利用支撐體支架(35 )的加熱器(未圖示)使支撐體(3)的溫度為30°C。
[0283]接下來，對蒸發源(38)的電阻加熱坩堝進行加熱，開始螢光體的蒸鍍。
[0284]使支撐體的溫度為30°C形成10 μ m基底層。其後開始支撐體的加熱，將其溫度加熱到200°C時開始螢光體層的形成。
[0285]螢光體層的厚度為400 μ m時(螢光體柱狀結晶的高度為400 μ m時)結束蒸鍍，得到具有基板、底襯層以及螢光體層的閃爍體板。
[0286]《透光率的測定》
[0287]分別如下測定得到的閃爍體板的螢光體柱狀結晶的前端側部分的透光率〔A〕和根部側部分的透光率〔B〕。
[0288]〈前端側部分的透光率〔A〕〉
[0289]I)從底襯層剝離螢光體層。
[0290]2)使用金剛石刀或玻璃刀等將螢光體層從根部側切削直至螢光體層變成一半的厚度。
[0291]3)將呈環狀配置有白色LED的LED光源(松電舍株式會社制)以光電二極體受光元件(Hamamatsu Photonics Κ.K.株式會社制「S2281」)來到該環的中心的方式配置在離光電二極體受光元件IOcm的距離處，將透過成為一半厚度的螢光體層的光的強度與不介有該螢光體層測定的光的強度的比作為透光率。
[0292]透光率=(在受光元件前面配置該螢光體層時的光量)/ (不配置螢光體層時的光量)
[0293]〈根部側部分的透光率〔B〕〉
[0294]在上述2)中，除從前端側實施切削以外，其他與透光率〔Α〕同樣地測定。
[0295]《突起修補工序》
[0296]在支撐體面和螢光體面重合Corning制玻璃(EAGLE2000或EAGLE XG),以施加
0.1MPa的負載的狀態在100°C、2小時的條件下進行熱處理。
[0297]《裁切工序》
[0298]使用裁切條件設定為YAG-UV (釔?鋁.石榴石結晶:波長266nm)、頻率5000Hz且雷射束直徑20 μ m的脈衝雷射、輸出功率300mW的雷射裁切裝置，將得到的閃爍體裁切成規定尺寸。
[0299]《形成保護層的工序》
[0300]將已裁切的閃爍體板安裝在圖3的CVD裝置，在螢光體層的表面形成由聚對二甲苯構成的保護層。保護層的厚度為3μπι。
[0301 ]《形成光學補償層的工序》
[0302]在形成於閃爍體板的螢光體層的表面的保護層上進一步形成光學補償層。
[0303]光學補償層是用噴塗機塗布方式將熱固化型的環氧樹脂透明粘接劑以厚度成為15 μ m的方式塗布在保護層上，其後加熱使其固化而形成的。
[0304]此外，預先在玻璃制的平面上依次形成電路基板和光電轉換元件陣列後，以光電轉換元件陣列的與螢光體層對置的最表面的表面平均粗糙度〔Ra〕為0.003 μ m的方式，在光電轉換元件陣列表面塗布丙烯酸樹脂形成平坦化層。形成光學補償層的環氧樹脂的折射率η約為1.55，作為螢光體柱狀結晶的CsI = Tl的折射率η約為1.8，形成平坦化層的丙烯酸樹脂的折射率η約為1.5，因此滿足與折射率相關的上述條件。
[0305]《發光亮度的測定》
[0306]在進一步形成有保護層和光學補償層的閃爍體板的螢光體層側的面，安裝IOcmX IOcm大小的CMOS平板(Teledyne Rachicon公司制的X射線CMOS攝像系統「Shad-o-Box4KEV」)，製成放射線檢測面板。
[0307]從內置於各放射線面板的閃爍體板的基板側的面照射管電壓SOkVp的X射線，將測定計數值作為發光亮度(靈敏度)，用將由比較例I的閃爍體板得到的放射線檢測面板的發光亮度設為100的相對值表示。
[0308]將實施例1的測定結果示於表1。
[0309][實施例2]
[0310]在實施例1中，將真空度從0.05Pa變更為0.1Pa,除此之外，與實施例1同樣地製造閃爍體板。
[0311][實施例3]
[0312]在實施例1中，如下變更在基板形成底襯層的工序，除此之外，與實施例1同樣地製造閃爍體板。
[0313]《在基板形成底襯層的工序-溼法工藝_》
[0314]在作為基板的厚度125 μ m的聚醯亞胺膜(宇部興產株式會社制的「UPILEX-125S」)上，以膜厚為1000人(=IOOnm)的方式濺射銀。
[0315]將玻璃化轉變溫度為67°C的VYLON (註冊商標)「200 (牌子)」(東洋紡織株式會社制)溶於甲乙酮〔MEK〕，以乾燥膜厚成為3μπι的方式進行塗布，由此形成底襯層。
[0316][實施例4]
[0317]在實施例3中，將真空度從0.05Pa變更為0.1Pa,除此之外，與實施例3同樣地製造閃爍體板。
[0318][實施例5]
[0319]在實施例3中，將真空度從0.05Pa變更為0.3Pa，除此之外，與實施例3同樣地製造閃爍體板。
[0320][實施例6]
[0321]在實施例5中，在蒸鍍後維持蒸鍍裝置內的真空度的狀態用滷素燈在200°C對螢光體柱狀結晶的根部部分加熱I小時，除此之外，與實施例3同樣地製造閃爍體板。
[0322][比較例I]
[0323]在實施例1中，作為底襯層，從熔點290°C的Parylene C變更為熔點為420°C的Parylene NCParylene Japan, Inc.制)，並且將蒸鍍工序的支撐體溫度從30°C變更為80°C，除此之外，與實施例1同樣地製造閃爍體板。應予說明,Parylene N具有苯環介由-CH2-聚合而成的結構。
[0324][比較例2]
[0325]在實施例2中，作為底襯層，從熔點290°C的Parylene C變更為熔點為420°C的Parylene NCParylene Japan, Inc.制)，並且將蒸鍍工序的支撐體溫度從30°C變更為80°C，除此之外，與實施例2同樣地製造閃爍體板。
[0326][比較例3]
[0327]在實施例2中，作為底襯層，從熔點290°C的Parylene C變更為熔點為420°C的Parylene NCParylene Japan, Inc.制)，並且將蒸鍍工序的支撐體溫度從30°C變更為80°C，另外將真空度從0.1Pa變更為0.3Pa，除此之外，與實施例2同樣地製造閃爍體板。
[0328][比較例4]
[0329]在實施例1中，將底襯層由熔點290°C的Parylene C變更為玻璃化轉變溫度為330°C的聚醯亞胺樹脂「PET1-330」(宇部興產株式會社制)，除此之外，與實施例1同樣地製造閃爍體板。
[0330]對實施例2?6和比較例I?4中得到的各閃爍體板與實施例1同樣地測定透光率比和發光亮度。將這些結果示於表I。
[0331]表I
【權利要求】
1.一種閃爍體板，具有底襯層和突光體層，其特徵在於， 該螢光體層由以該底襯層側為根部的螢光體柱狀結晶構成， 將螢光體層以其層疊方向的厚度成為一半的方式分開，分別作為螢光體柱狀結晶的前端側部分和根部側部分，根部側部分的透光率B相對於前端側部分的透光率A的比即B/A為 70% ?99%ο
2.根據權利要求1所述的閃爍體板，其中，進一步具有基板，依次層疊該基板、所述底襯層和所述螢光體層而成。
3.一种放射線檢測面板，其特徵在於，具有權利要求1或2所述的閃爍體板和光檢測器。
4.根據權利要求3所述的放射線檢測面板，在所述光檢測器上依次層疊所述底襯層和所述螢光體層而成。
【文檔編號】G01T1/20GK103675885SQ201310379152
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年8月27日 優先權日:2012年8月28日
【發明者】近藤真史, 板屋敬子 申請人:柯尼卡美能達株式會社