一種控制晶圓邊緣缺陷的方法
2023-06-11 18:00:11
專利名稱：一種控制晶圓邊緣缺陷的方法
技術領域：
本發明涉及集成電路製造工藝領域的在線缺陷改善方法，且特別涉及一種控制晶圓邊緣缺陷的方法。
背景技術：
隨著集成電路工藝的發展和成本控制的考量，晶圓規格逐漸向大尺寸發展，12寸已逐漸成為集成電路製造的主流，未來甚至會發展到18寸及18寸以上。晶圓尺寸的擴大相應的引起晶圓邊緣面積的擴大，邊緣的製造工藝更加難以控制，從而造成許多晶圓邊緣剝落缺陷，嚴重影響良率提升甚至造成報廢。晶圓邊緣的缺陷控制一向是集成電路缺陷控制工作中的一個難點。傳統的晶圓邊緣缺陷控制方法是通過清洗晶圓邊緣的方式把可能的剝落源頭去除，以防止此類缺陷掉入晶圓內部影響良率。但是，此類方法首先需要找到剝落源頭及其對應的工藝步驟，然後對該步驟後的晶圓邊緣層次進行分析，決定清洗的厚度和相應的清洗程式，過程周期耗時太長而且如果清洗不到位或清洗過度會造成更多的剝落缺陷，甚至造成嚴重的金屬汙染。
發明內容
本發明提出一種控制晶圓邊緣缺陷的方法，通過在晶圓邊緣進行化學氣相沉積的方法，在晶圓邊緣長上一層氧化矽的保護膜，把晶圓邊緣脆弱易剝落的部分保護起來並固化在晶圓上，阻止其掉落在晶圓裡面對產品良率造成影響。為了達到上述目的，本發明提出一種控制晶圓邊緣缺陷的方法，包括下列步驟提供一沉積反應腔，所述反應腔包括相對而設的上極板和下極板；將晶圓放置於所述下極板上；提供一保護罩，設置於所述晶圓和所述上極板之間，其中，所述保護罩的面積小於所述晶圓，從而露出所述晶圓的邊緣部分；在所述露出的晶圓邊緣部分沉積一層保護膜。進一步的，所述保護罩邊緣距離所述晶圓邊緣的距離為0 3mm。進一步的，所述保護膜為氧化矽薄膜。進一步的，所述保護膜的厚度為50埃 10000埃。進一步的，所述沉積反應腔為化學氣相沉積反應腔。進一步的，所述保護膜的沉積方式為化學氣相沉積。本發明的技術原理是通過在晶圓邊緣進行化學氣相沉積的方法，在晶圓邊緣長上一層氧化矽的保護膜，把晶圓邊緣脆弱易剝落的部分保護起來並固化在晶圓上，阻止其掉落在晶圓裡面對產品良率造成影響。其具體設計原理是對傳統的化學氣相沉積機臺進行改造，在其反應腔室內部加裝一層保護罩，使之在化學氣相沉積反應過程中能夠保護晶圓表面中間的大部分面積，只曝露出邊緣容易剝落的部分進行沉積，然後在沉積過程中會長出一層氧化物薄膜，把易剝落的部分固化在晶圓上面，從而實現保護晶圓邊緣，消除剝落缺陷隱患的目的。此方法應用在易發生剝落缺陷的工藝步驟，可以很快阻止剝落髮生，及時解決問題。
圖1所示為本發明較佳實施例的控制晶圓邊緣缺陷的方法流程圖。圖2所示為本發明較佳實施例的沉積反應腔結構示意圖。圖3a和圖3b所示為本發明較佳實施例的固化晶圓邊緣前後的示意圖。
具體實施例方式請參考圖1，圖1所示為本發明較佳實施例的控制晶圓邊緣缺陷的方法流程圖。本發明提出一種控制晶圓邊緣缺陷的方法，包括下列步驟步驟SlOO 提供一沉積反應腔，所述反應腔包括相對而設的上極板和下極板；步驟S200 將晶圓放置於所述下極板上；步驟S300 提供一保護罩，設置於所述晶圓和所述上極板之間，其中，所述保護罩的面積小於所述晶圓，從而露出所述晶圓的邊緣部分；步驟S400 在所述露出的晶圓邊緣部分沉積一層保護膜。再請參考圖2，圖2所示為本發明較佳實施例的沉積反應腔結構示意圖。本發明對傳統的化學氣相沉積機臺進行改造，在其反應腔室內部加裝一層保護罩，所述沉積反應腔 100包括相對而設的上極板200和下極板300，晶圓400放置於所述下極板300上，而所述保護罩500設置於所述晶圓400和所述上極板200之間，使之在化學氣相沉積反應過程中能夠保護晶圓400表面中間的大部分面積，只曝露出邊緣容易剝落的部分進行沉積，然後在沉積過程中會長出一層氧化物薄膜600，把易剝落的部分固化在晶圓400上面，從而實現保護晶圓400邊緣，消除剝落缺陷隱患的目的。再請參考圖3a和圖3b，圖3a和圖3b所示為本發明較佳實施例的固化晶圓邊緣前後的示意圖。晶圓400放置於所述下極板300上，所述保護罩500邊緣距離所述晶圓400 邊緣的距離為0 3mm，進行化學氣相沉積處理，在所述晶圓400的邊緣部分沉積一層氧化物薄膜600作為保護膜，其中所述保護膜為氧化矽薄膜，其厚度範圍為50埃 10000埃。綜上所述，本發明的技術原理是通過在晶圓邊緣進行化學氣相沉積的方法，在晶圓邊緣長上一層氧化矽的保護膜，把晶圓邊緣脆弱易剝落的部分保護起來並固化在晶圓上，阻止其掉落在晶圓裡面對產品良率造成影響。其具體設計原理是對傳統的化學氣相沉積機臺進行改造，在其反應腔室內部加裝一層保護罩，使之在化學氣相沉積反應過程中能夠保護晶圓表面中間的大部分面積，只曝露出邊緣容易剝落的部分進行沉積，然後在沉積過程中會長出一層氧化物薄膜，把易剝落的部分固化在晶圓上面，從而實現保護晶圓邊緣， 消除剝落缺陷隱患的目的。此方法應用在易發生剝落缺陷的工藝步驟，可以很快阻止剝落髮生，及時解決問題。雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作各種的更動與潤飾。因此，本發明的保護範圍當視權利要求書所界定者為準。
權利要求
1.一種控制晶圓邊緣缺陷的方法，其特徵在於，包括下列步驟 提供一沉積反應腔，所述反應腔包括相對而設的上極板和下極板； 將晶圓放置於所述下極板上；提供一保護罩，設置於所述晶圓和所述上極板之間，其中，所述保護罩的面積小於所述晶圓，從而露出所述晶圓的邊緣部分；在所述露出的晶圓邊緣部分沉積一層保護膜。
2.根據權利要求1所述的控制晶圓邊緣缺陷的方法，其特徵在於，所述保護罩邊緣距離所述晶圓邊緣的距離為0 3mm。
3.根據權利要求1所述的控制晶圓邊緣缺陷的方法，其特徵在於，所述保護膜為氧化矽薄膜。
4.根據權利要求1所述的控制晶圓邊緣缺陷的方法，其特徵在於，所述保護膜的厚度為50埃 10000埃。
5.根據權利要求1所述的控制晶圓邊緣缺陷的方法，其特徵在於，所述沉積反應腔為化學氣相沉積反應腔。
6.根據權利要求1所述的控制晶圓邊緣缺陷的方法，其特徵在於，所述保護膜的沉積方式為化學氣相沉積。
全文摘要
本發明提出一種控制晶圓邊緣缺陷的方法，包括下列步驟提供一沉積反應腔，所述反應腔包括相對而設的上極板和下極板；將晶圓放置於所述下極板上；提供一保護罩，設置於所述晶圓和所述上極板之間，其中，所述保護罩的面積小於所述晶圓，從而露出所述晶圓的邊緣部分；在所述露出的晶圓邊緣部分沉積一層保護膜。本發明提出的控制晶圓邊緣缺陷的方法，通過在晶圓邊緣進行化學氣相沉積的方法，在晶圓邊緣長上一層氧化矽的保護膜，把晶圓邊緣脆弱易剝落的部分保護起來並固化在晶圓上，阻止其掉落在晶圓裡面對產品良率造成影響。
文檔編號H01L21/314GK102361008SQ20111033514
公開日2012年2月22日 申請日期2011年10月28日 優先權日2011年10月28日
發明者倪棋梁, 郭明升, 陳宏璘, 龍吟 申請人:上海華力微電子有限公司