一種mocvd設備新型噴淋頭裝置的製作方法

2023-06-11 19:53:06 4

專利名稱：一種mocvd設備新型噴淋頭裝置的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種金屬有機化學氣相沉積設備，尤其是一種MOCVD設備新型噴 淋頭裝置。
背景技術：
金屬有機化學氣相沉積設備(Metal Organic Chemical VaporD印osition，簡稱 M0CVD)是製備高亮度發光二極體、大功率雷射器和高電子遷移率電晶體等薄膜器件的關鍵 工藝設備。組份均勻、厚度均勻、界面陡峭是薄膜生長的基本要求，提高薄膜生長的均勻性 是MOCVD反應器持續改進的核心任務。一種主流的垂直式反應器採用噴淋頭近距離噴射以 達到提高均勻性，多片生長的目的。提高均勻性的一個主要方法就是改進噴淋頭的結構，以 實現多組份氣體獨立送氣，接近襯底前充分混合，同時最大限度的減少寄生反應和噴淋頭 上的高溫寄生沉積的目的。一發明名稱為《用於金屬有機物化學氣相澱積設備的大面積梳狀噴淋頭》(中國申 請號CN200710035447. 2A，
公開日2008年2月13日)，介紹了一種大面積梳狀形式的噴淋 頭，可實現III族與V族源氣體分別從噴淋頭整體結構兩側獨立送氣，並在反應腔襯底上方 均勻噴射，其實現的方法採用總管1、4進氣，支管送氣，兩類氣源支管3交錯排列，並在同 側加工均勻布置的噴淋孔，這類裝置可採用長方形整體結構，也可採用圓形整體結構，如圖 1所示。該發明的優點是基本實現了送入兩種源氣體且使其在噴入反應室之前相互隔離， 到達襯底上方反應時混合均勻；其缺點是(1)以上發明儘管實現獨立送氣，但氣體從總管 接頭處到達每個支管末端可能存在壓力不均，使得從各支管小孔噴出氣體的流速不均，最 終導致襯底表面氣流不均影響外延效果。(2)噴淋頭要求氣體噴出方向必須垂直於襯底表 面，上述發明僅通過管壁鑽孔的結構很難保證做到這一點。⑶儘管當前所有MOCVD噴淋頭 整體結構上均為兩路氣體分隔進氣再混合，但不排除某些特殊方式下可能需要增加第三種 甚至更多種獨立進氣氣路，上述發明顯然不支持這種情況。另一篇發明名稱為《Multi-GAS Straight Channel Showerhead》的美國專利(申 請號US2009/0098276A1，
公開日2009年4月16日)是目前MOCVD設備最通用的噴淋頭 形式，圖2表達了它的結構特點，III族與V族源氣體分別從進氣口 131和132進入噴淋頭 裝置104的第一進氣總通道144和第二進氣總通道145，通過第一支路通道142和第二支路 通道143，最終進入混合通道150，出氣後向襯底噴射。該裝置的特點是(1)氣體分配通道 為水平分層直通道，與噴射室連接採用金屬空心管，空心管與進氣通道的連接處採用焊接， 保證兩路反應氣體的獨立輸運；(2)噴射室內氣路通道之間相間有與之平行的水冷通道， 用以冷氣噴射氣體，提高溫度均勻性。(3)噴淋裝置底部的噴射孔相間水冷通道交錯密集 排列，其方案中提及在靠近反應壁處，噴射孔採用大孔或密集孔以防止邊界流場不穩定，影 響周邊基片沉積的質量。(4)該專利還提出在噴淋裝置底部打孔時分區域完成，即一個區 域內只完成一種氣體的噴射，區域劃分的方法可採用徑向分割或同心圓式分割。以上發明 的優缺點在於優點基本實現了送入兩種源氣體且使其在噴入反應室之前相互隔離，到達襯底上方反應時混合均勻；缺點(1)裝置受水平式分層進氣通道的限制，通道之間的連 通只能採用金屬空心管焊接，但噴射室的小孔成千上萬，且數量隨面積增加而迅速增加，要 求穿管焊接的點太多，太密集，現有的焊接工藝很難保證其不變形且不漏氣。一旦有漏氣整 體就報廢。(2)水冷通道與氣體通道相互平行，勢必佔據裝置垂直於氣流方向的噴射有效面 積，降低了整個區域氣流噴射的均勻性。(3)利用靠近反應壁處的大孔或密集孔提高噴射氣 體的流速，這部分氣體包含有反應氣體，勢必造成反應氣體耗氣量增加，同時相間的水冷通 道，難於保證周邊流場的穩定性和均勻性。

實用新型內容針對上述問題，本實用新型採用氣路垂直分隔的設計思想，氣流分隔完成後不同 氣體按各自通道交替間隔進氣，實現了不同氣體的隔離輸送並最終在同一空間實現均勻混 合，避免了焊接成千上萬個密集金屬空心管，採用簡單加工工藝即可實現。為了實現上述實用新型目的，本實用新型採用了如下技術方案—種MOCVD設備新型噴淋頭裝置，其特徵在於，所述噴淋頭裝置包括一氣體分配 單元和一噴射室圍設形成一密閉空間，其中所述氣體分配單元包括一進氣端面和若干進氣分組隔板，所述進氣端面包括若干 氣體通過區和若干氣體阻擋區，所述進氣分組隔板將所述進氣端面按照不同進氣組相互隔 斷；所述噴射室包括一出氣端面和若干出氣隔板，所述出氣端面上開設若干貫通出氣 孔，所述出氣隔板分隔所述噴射室；其中，所述氣體分配單元的氣體通過區和所述噴射室的出氣孔構成若干垂直分隔 氣路單元，所述同一進氣分組隔板內的若干垂直分隔氣路單元構成一組垂直分隔氣路。比較好的是，所述氣體分配單元和所述噴射室分別包括周邊閉合的第一環形部和 第二環形部，所述進氣端面、出氣端面分別為所述第一、第二環形部的一封閉端面。比較好的是，所述進氣端面上有交替的若干開口，所述開口部分形成所述氣體通 過區，所述未開口部分形成所述氣體阻擋區，所述進氣分組隔板和所述出氣隔板均為直板。比較好的是，以所述進氣端面中心點為圓心的若干扇形區內劃分若干環形區域， 在所述環形區域內有交替的若干開口，所述開口部分形成所述氣體通過區，所述未開口部 分形成所述氣體阻擋區，所述進氣分隔板為以進氣端面中心點為圓心的環形隔板，所述出 氣隔板為以所述出氣端面中心點為圓心的徑向隔板。比較好的是，以所述進氣端面中心點為圓心的若干同一圓環區域內，分別有開口 部分和未開口部分，所述開口部分形成所述氣體通過區，所述未開口部分形成氣體阻擋區， 所述出氣隔板為以所述出氣端面中心點為圓心的環形隔板。比較好的是，所述噴射室的出氣端面中心設置一第三環形部，所述出氣隔板自第 三環形部外周壁輻射狀延伸至所述第二環形部的內壁。比較好的是，所述出氣隔板包括直板，鋸齒形板或者的波浪狀板。比較好的是，所述噴射室包括一裙邊氣簾，所述裙邊氣簾嵌設在所述第二環形部 內外側之間的若干裙邊孔。比較好的是，所述噴射室的所述出氣孔兩兩之間設置一水冷通道。

下面，參照附圖，對於熟悉本技術領域的人員而言，從對本實用新型的詳細描述 中，本實用新型的上述和其他目的、特徵和優點將顯而易見。圖1是現有技術中一中國發明專利申請案的結構示意圖；圖2是現有技術中一美國發明專利申請案的結構示意圖；圖3a 3c是本實用新型噴淋頭裝置第一實施例結構示意圖，其中3a是其氣體分 配單元的下部結構示意圖，圖3b是噴射室的結構圖，圖3c是圖3a、3b組合後的噴淋頭裝置 示意圖；圖4a 4c是本實用新型噴淋頭裝置第二實施例結構示意圖，其中圖4a是氣體分 配單元的下部結構示意圖，圖4b是噴射室的結構圖，圖4c是圖4a、4b組合後的噴淋頭裝置 示意圖；圖5a 5b是前述第二實施例應用在兩種不同場合時由氣體分配單元入氣的示意 圖；圖6a 6c是圖5a和5b的一種變形的結構，其中，圖6c是圖4b的一種變形結構， 圖6a和6b是該結構應用在兩種不同場合時的氣體分配單元入氣示意圖；圖7a 7b是本實用新型噴淋頭裝置第三實施例的結構示意圖[0027]圖8是圖3b的一種變形結構示意圖；[0028]圖9是圖6c的一種變形結構示意圖；[0029]圖10是圖3b的A-A剖視圖；[0030]圖11是圖3b的另一種A-A剖視圖；[0031]圖12是將氣體分配單元和噴射室組合後的外部結構示意圖；[0032]圖13是帶有裙邊氣簾結構的噴射室結構示意圖；[0033]圖14是圖13的B-B剖視示意圖；[0034]圖15是圖7a和7b所示的同心圓式間隔示意圖；[0035]圖16是圖3c中氣體分配單元的一種變形結構；[0036]圖17(a)是加入了水冷結構的噴淋頭縱向剖視圖；[0037]圖17(b)是圖17(a)的A-A剖視圖；[0038]圖18是本實用新型噴淋頭裝置的剖視圖。
具體實施方式
在該實施例部分，申請人介紹了三種主要的實施例形式及其變形結構，需要說明 的是，圖18反映了各種實施例情況下的噴淋頭裝置的剖視結構圖，在對各實施例進行介紹 時均可以參考該圖(為方便起見，申請人對圖18採用了第一實施例的標號)。附圖3a 3c所示的本實用新型第一實施例是一種平行直板式噴淋頭噴射裝置， 具體形狀和構造為該噴射裝置由氣體分配單元30和噴射室31上下兩部分組成，其中氣體分配單元 30如圖3a所示，該單元具有周邊閉合的第一環形部300，該第一環形部300的一端面封閉 形成進氣端面310，該進氣端面310上開設若干平行開口，開口部分與未開口部分交替排列構成氣體阻擋區3021和氣體通過區3022。在進氣端面310的另一側內，若干進氣分組隔板 將第一環形部300分為若干進氣組，如本實施例由進氣分組隔板308、309將進氣端面310 劃分為三個進氣組301，302，303，這樣在每進氣組301，302，303中，分別有若干氣體阻擋區 3021和氣體通過區3022的平行間隔分布。與該氣體分配單元30組合的噴射室31的結構如圖3b所示，包括一與前述第一環 形部300實質上相等的第二環形部310，即有效噴射面映射相等，第二環形部310的一端面 封閉形成出氣端面320，在出氣端面320上均勻開設有貫通的若干出氣孔321，在出氣端面 320的另一側內設置兩兩間距相等的出氣隔板311，若干出氣隔板311將第二環形部310內 分隔為若干平行空間。本實施例中出氣隔板311為平行直板式，但可以為其他幾何形狀，包 括但不限於弧形、鋸齒形等形狀。如圖3c給出了圖3a和3b組合後的示意圖，氣體分配單元30內的氣體通過區3022 與對應的噴射室31內貫通的出氣孔321組成垂直分隔氣路單元314，同一進氣組中的垂直 分隔氣路單元314構成一組垂直分隔氣路313。在使用時，氣體分配單元30與噴射室31組 合成圖12的結構，其中，三個進氣組301，302，303分別對應三個進氣嘴3011，3031和3041， 由進氣嘴進入氣體分配單元30與噴射室31組合的垂直分隔氣路單元314，由於進氣分組 隔板308，309的分隔，故，圖3c所示的垂直分隔氣路單元314構成三組垂直分隔氣路313， 具體地說，是各組氣體經分配單元30的進氣端面301上的氣體通過區3022進入噴射室31 的出氣隔板311間隔的區域，再由噴射室31上出氣端面320上貫通的出氣孔321噴出。另 外，還圖示了進水口 3051和出水口 3061。本實施例中，由於進氣端面310由兩片平行直板式的進氣分隔隔板308，309分為3 組垂直分隔氣路313，故本實施例適用於2種氣體進氣混合的情況。例如，一種是NH3，一種 是攜帶TMGa的H2或者N2，其中進氣組301和303兩組垂直分隔氣路通入同種氣體，當然， 該方案可以進一步設計為3路3種氣體，甚至更多路更多種氣體。此外，圖16給出了進氣分隔隔板308，309為圓弧形板的情況，同樣實現了垂直分
隔氣路。本實施例中的氣體分配單元30和噴射室31的第一、第二環形部截面是標準的圓 形，並不局限於此，也可以是其他包括橢圓形、方形等截面封閉的形狀。附圖4a 4c所示本實用新型第二實施例是一種徑向分隔式噴淋頭噴射裝置的結 構示意圖。較第一實施例相同之處在於，仍然是由一進氣端面401封閉的第一環形部400構 成氣體分配單元40，由一出氣端面411封閉的第二環形部410構成噴射室41，出氣端面411 上開設若干貫通的出氣孔412。而不同之處在於，垂直分隔氣路單元的分隔有所區別。具體 來說，氣體分配單元40的進氣端面401上以端面中心點為圓心劃分為若干扇形區。仍以中 心點為圓心在出氣端面411的另一側設置半徑不同的兩個進氣分組環形隔板408和409從 而劃分為若干環形區域。之前所述的扇形區在這些環形區域內部分開口，部分未開口，從而 使未開口環形區構成氣體阻擋區4012，開口環形區構成氣體通過區4011。由此形成的氣體 阻擋區4012和氣體通過區4011在徑向和周向交替排布。與此對應，在噴射室41的第二環 形部410內，在出氣端面411上以端面中心點為圓心徑向設置若干隔板413。噴射室41的一種變形實施例為，取消出氣端面411及其上的出氣孔412，氣體直接 從隔板413所分割的空間通道噴出。[0049]圖4c給出了分組單元40和噴射室41組合的示意圖，進氣端面401和出氣端面 411上的扇形分區相對應。由此，氣體分配單元40內的氣體通過區4011與對應的噴射室 41內貫通的出氣孔412組成垂直分隔氣路單元，同一進氣組中的垂直分隔氣路單元構成一 組垂直分隔氣路。圖5a和5b分別是圖4b所示噴射室應用於兩種不同進氣下的原理示意圖。前者 是NH3、TMGa兩種氣體通過H2或N2的載氣分隔的進氣示意圖，由於有載氣分隔，使氣體通 路內的另外兩種氣體不會發生混合使NH3，TMGa兩種氣體在噴出噴射室後不發生混合，形 成原子層外延(Atomic LayerEpitaxy，簡稱ALE，有時也稱為原子層沉積，即Atomic Layer D印ostion，簡稱ALD)的晶體生長模式。後者是NH3、TMGa兩種進氣沒有載氣分隔的進氣示 意圖，可用於一般 CVD 包括但不限於 MOCVD (Metal Organic ChemicalVapor Deposition), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) > HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy)等。圖6c是圖4b的另一種變形實施例結構示意圖，圖6a、6b應用於圖6c所示噴射室 的兩種不同進氣下的原理示意圖。圖6c較圖4b的不同之處在於，在噴射室41出氣端面的 中心垂直設置一第三環形部405，徑向設置的若干隔板413從第三環形部405的外周壁輻 射狀延伸至第二環形部410的內壁414。由此形成的垂直分隔氣路單元分布在該第三環形 部405與第二環形部410之間的區域，而該第三環形部405內可以通以載氣或者用於放置 測量儀器或者用作出氣通道。附圖7a 7b所示本實用新型第三實施例是一種同心圓式噴淋頭噴射裝置的結構 示意圖，較第一實施例相同之處在於，包括仍然是由一進氣端面701封閉的第一環形部700 構成的氣體分配單元70，由一出氣端面711封閉的第二環形部710構成的噴射室71，出氣 端面711上開設若干貫通的出氣孔712。較第一實施例不同之處在於，進氣端面701上以 其中心點為圓心劃分若干圓環。通過設置垂直安放的隔板將進氣端面701上的同心圓環進 行徑向劃分，同心圓環上有有未開口區域形成氣體阻擋區7012，開口區域形成氣體通過區 7011。在進氣端面701的上方。與此對應，在噴射室71的第二環形部710內，以出氣端面 711的中心點為圓心設置若干環形隔板713。由此，氣體分配單元70內的氣體通過區7011 與對應的噴射室71內貫通的出氣孔712組成垂直分隔氣路單元，同一進氣組中的垂直分隔 氣路單元構成一組垂直分隔氣路。結合圖15示意了圖7a、7b的同心圓式噴淋頭噴射裝置由不同圓環區通以氣體A、 B、C的噴射室情況原理圖。通常，III族或者V族氣體從這些同心圓環間隔空間的上方進 入，從下方流出。一般情況下，相鄰的兩個同心圓環間隔分別通過III族或者V族氣體，但 也可根據實際需要安排特定的數量和特定位置的同心圓環間隔空間通過特定種類的氣體。 其中一種安排是在某些條件下為避免III族和V族氣體的預反應，在每個III族和V族氣 體間隔中間的間隔用於流通載氣(如H2或N2)，但並非必須。噴射室71的一種變形實例為，取消出氣端面711及其上布置的出氣孔712，氣體直 接從隔板713所分隔的空間通道噴出。圖8是基於圖3b的一種變形結構，具體是在出氣端面320內形成的隔板811是鋸 齒形狀或者波浪狀(但不限於這些形狀)。圖9是圖6c所示噴射室91的變形結構的俯視圖。該噴射室91的中心區域設置有第三環形部914，鋸齒形或波浪形隔板913從第三環形部914的外周壁輻射狀延伸至第二 環形部910的內周壁。由此配合形成的帶中心孔式噴射裝置，中心可以通以載氣或者用於 放置測量儀器或者用作出氣通道。圖11給出的是圖3b中噴射室內出氣端面的A-A剖視圖，其中321為由出氣隔板 311形成的若干平行出氣通道，其中圖11的實例中有出氣孔321，出氣孔321直徑小於平行 通道的間距。一般情況下，小孔為矩陣均布結構或者輻射均布結構，但並非必須。圖10則是圖11的一種簡化變型結構的剖面，在此變型中取消了出氣端面及其上 布置的出氣孔，氣體直接由出氣隔板311形成的通道中噴出。圖12給出的是組合後噴淋頭裝置的外部結構圖。結合前述第一實施例已有介紹。圖13和圖14給出了基於圖4b徑向分割式噴淋頭的噴射室改進結構，區別是採用 了一個帶裙邊氣簾的結構，具體是，在第二環形部410上嵌設了若干裙邊孔416，通過該裙 邊孔416實現裙邊氣簾(通常用載氣H2或N2)噴射的效果。圖17(a)和(b)中，示意了在噴射室17下端的出氣孔171兩兩之間採用水冷通道 172垂直相間布置的示意圖，其中圖17(a)中的Θ符號表示出水孔，另一符號表示進水孔。綜上所述，本實用新型與以往噴淋頭設計相比，具有如下創新點(1)氣體分配單元採用垂直分隔(即在一個平面內將其分割為若干單元，這些單 元沿垂直於該平面的方向延伸，氣流方向與單元的延伸方向相同)，氣流分隔完成後不同 氣體按各自通道交替間隔進氣，實現了不同氣體的隔離輸送並最終在同一空間實現均勻混 合，避免了焊接成千上萬個密集金屬空心管，採用簡單加工工藝即可實現。氣體分配單元中 的分隔板形狀沒有限制，可為直板式、圓弧式、鋸齒式等多種形狀；(2)噴射室對進氣通道的分隔可採用徑向間隔分隔、同心圓式分隔、板式分隔等多 種方式，而且對分隔板的形狀沒有限制，可為直板式、圓弧式、鋸齒式等多種形狀；(3)本實用新型提出與氣流垂直相間布置的水冷方案，在保持控溫穩定性、均勻性 的前提下，增加了噴淋面積，避免以前文獻中水冷通道佔據噴淋面積的缺點，大幅度提高均 勻性，實現了噴淋裝置底部小孔全覆蓋，且完全均布；(4)靠近反應壁處增加載氣Η2或Ν2獨立通道，通道沿外圓周布置，形成裙邊氣簾 結構，大大改善了邊緣流場的分布，提高邊緣基片沉積的質量。(5)獨立通道數可自由配置，除安排常規的兩路氣體通道外(如III和V族、或者 II和VI族)，還可增加氣體通道數量(如隔離用的載氣H2或N2)以適應特殊外延方式的需 要(如ALE外延)；(6)提出的板式構造噴淋頭、徑向間隔進氣噴淋頭、同心圓環式垂直噴淋頭，原理 類似，但可根據反應器的具體結構以及氣源的種類合理選擇，拓寬了這類噴淋頭裝置的應 用範疇。前面提供了對較佳實施例的描述，以使本領域內的任何技術人員可使用或利用本 實用新型。對這些實施例的各種修改對本領域內的技術人員是顯而易見的，可把這裡所述 的總的原理應用到其他實施例而不使用創造性。因而，本實用新型將不限於這裡所示的實 施例，而應依據符合這裡所揭示的原理和新特徵的最寬範圍。
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權利要求1.一種MOCVD設備新型噴淋頭裝置，其特徵在於，所述噴淋頭裝置包括一氣體分配單 元和一噴射室圍設形成一密閉空間，其中所述氣體分配單元包括一進氣端面和若干進氣分組隔板，所述進氣端面包括若干氣體 通過區和若干氣體阻擋區，所述進氣分組隔板將所述進氣端面按照不同進氣組相互隔斷；所述噴射室包括一出氣端面和若干出氣隔板，所述出氣端面上開設若干貫通出氣孔， 所述出氣隔板分隔所述噴射室；其中，所述氣體分配單元的氣體通過區和所述噴射室的出氣孔構成若干垂直分隔氣路 單元，所述同一進氣分組隔板內的若干垂直分隔氣路單元構成一組垂直分隔氣路。
2.根據權利要求1所述的MOCVD設備新型噴淋頭裝置，其特徵在於，所述氣體分配單元和所述噴射室分別包括周邊閉合的第一環形部和第二環形部，所述 進氣端面、出氣端面分別為所述第一、第二環形部的一封閉端面。
3.根據權利要求2所述的MOCVD設備新型噴淋頭裝置，其特徵在於，所述進氣端面上有交替的若干開口，所述開口部分形成所述氣體通過區，所述未開口 部分形成所述氣體阻擋區，所述進氣分組隔板和所述出氣隔板均為直板。
4.根據權利要求2所述的MOCVD設備新型噴淋頭裝置，其特徵在於，以所述進氣端面中心點為圓心的若干扇形區內劃分若干環形區域，在所述環形區域內 有交替的若干開口，所述開口部分形成所述氣體通過區，所述未開口部分形成所述氣體阻 擋區，所述進氣分隔板為以進氣端面中心點為圓心的環形隔板，所述出氣隔板為以所述出 氣端面中心點為圓心的徑向隔板。
5.根據權利要求2所述的MOCVD設備新型噴淋頭裝置，其特徵在於，以所述進氣端面中心點為圓心的若干同一圓環區域內，分別有開口部分和未開口部 分，所述開口部分形成所述氣體通過區，所述未開口部分形成氣體阻擋區，所述出氣隔板為 以所述出氣端面中心點為圓心的環形隔板。
6.根據權利要求3所述的MOCVD設備新型噴淋頭裝置，其特徵在於，所述噴射室的出氣端面中心設置一第三環形部，所述出氣隔板自第三環形部外周壁輻 射狀延伸至所述第二環形部的內壁。
7.根據權利要求3或6所述的MOCVD設備新型噴淋頭裝置，其特徵在於，所述出氣隔板包括直板，鋸齒形板或者波浪狀板。
8.根據權利要求3、4、5或6所述的MOCVD設備新型噴淋頭裝置，其特徵在於，所述噴射 室包括一裙邊氣簾，所述裙邊氣簾包括嵌設在所述第二環形部內外側之間的若干裙邊孔。
9.根據權利要求8所述的MOCVD設備新型噴淋頭裝置，其特徵在於，所述噴射室的所述出氣孔兩兩之間設置一水冷通道。
專利摘要本實用新型公開了一種MOCVD設備新型噴淋頭裝置，該裝置包括一氣體分配單元和一噴射室圍設形成一密閉空間，該氣體分配單元包括一進氣端面和若干進氣分組隔板，進氣端面包括若干氣體通過區和若干氣體阻擋區，進氣分組隔板將所述進氣端面按照不同進氣組相互隔斷；噴射室包括一出氣端面和若干出氣隔板，出氣端面上開設若干貫通出氣孔，出氣隔板分隔噴射室；氣體分配單元的氣體通過區和所述噴射室的出氣孔構成若干垂直分隔氣路單元，同一進氣分組隔板內的若干垂直分隔氣路單元構成一組垂直分隔氣路。本實用新型採用氣路垂直分隔設計思想，氣流分隔完成後不同氣體按各自通道交替間隔進氣，實現了不同氣體的隔離輸送並最終在同一空間實現均勻混合。
文檔編號C23C16/18GK201785486SQ20102029361
公開日2011年4月6日 申請日期2010年8月17日 優先權日2010年8月17日
發明者彭繼忠 申請人:彭繼忠