垂直磁記錄頭中用於減小返回極角部場的磁通分路結構的製作方法
2023-09-23 00:08:05
專利名稱：垂直磁記錄頭中用於減小返回極角部場的磁通分路結構的製作方法
技術領域：
本發明涉及電流垂直磁記錄，特別地，涉及一種新穎的磁屏蔽設計，其消除了寫過程中諸如來自磁寫頭的寫線圈或成形層的外磁場導致的數據擦除。
背景技術：
計算機長期存儲的核心是稱為磁碟驅動器的組件。磁碟驅動器包括旋轉磁碟、被與旋轉磁碟的表面相鄰的懸臂懸吊的寫和讀頭、以及轉動懸臂從而將讀和寫頭置於旋轉盤上選定環形道(track)之上的致動器。讀和寫頭直接位於具有氣墊面(ABS)的滑塊上。懸臂偏置滑塊朝向盤的表面，當盤旋轉時，鄰近盤的空氣與盤表面一起移動。滑塊在該移動空氣的墊上飛行於盤表面之上。當滑塊騎在氣墊上時，採用寫和讀頭來寫磁轉變到旋轉盤且從旋轉盤讀取磁轉變。讀和寫頭連接到根據電腦程式運行的處理電路以實現寫和讀功能。
寫頭傳統上包括嵌在第一、第二和第三絕緣層(絕緣堆疊)中的線圈層，絕緣堆疊夾在第一和第二極片層(pole piece layer)之間。在寫頭的氣墊面(ABS)處間隙(gap)通過間隙層形成在第一和第二極片層之間，極片層在背間隙(back gap)處連接。傳導到線圈層的電流在極片中感應磁通，其導致磁場在ABS處在寫間隙彌散出來，用於在移動介質上的道中寫上述磁轉變，例如在上述旋轉盤上環形道中。
在近來的讀頭設計中，自旋閥傳感器，也稱為巨磁致電阻(GMR)傳感器，已經被用於檢測來自旋轉磁碟的磁場。該傳感器包括下文中稱為間隔層(spacer layer)的非磁導電層，其被夾在下文中稱為被釘扎層和自由層的第一和第二鐵磁層之間。第一和第二引線(lead)連接到自旋閥傳感器以傳導通過那裡的檢測電流。被釘扎層的磁化被釘扎為垂直於氣墊面(ABS)，自由層的磁矩位於平行於ABS但可以響應於外磁場而自由旋轉。被釘扎層的磁化通常通過與反鐵磁層交換耦合來被釘扎。
間隔層的厚度被選擇為小於通過傳感器的傳導電子的平均自由程。採用此設置，部分傳導電子被間隔層與被釘扎層和自由層每個的界面所散射。當被釘扎層和自由層的磁化彼此平行時，散射最小，當被釘扎層和自由層的磁化反平行時，散射最大。散射的變化與cosθ成比例地改變自旋閥傳感器的電阻，其中θ是被釘扎層和自由層的磁化之間的角度。在讀模式中，自旋閥傳感器的電阻與來自旋轉盤的磁場的大小成比例地改變。當檢測電流傳導通過自旋閥傳感器時，電阻變化導致電勢變化，其被檢測到並作為重放信號(playback signal)被處理。
當自旋閥傳感器採用單被釘扎層時，其被稱為簡單自旋閥。當自旋閥採用反平行(AP)被釘扎層時，其被稱為AP被釘扎自旋閥。AP自旋閥包括由薄的非磁耦合層例如Ru分隔開的第一和第二磁層。選擇該間隔層的厚度從而反平行耦合被釘扎層的鐵磁層的磁化。根據釘扎層是在頂部(在自由層之後形成)還是底部(在自由層之前)，自旋閥還被稱為頂型或底型自旋閥。
自旋閥傳感器位於第一和第二非磁電絕緣讀間隙層之間，第一和第二讀間隙層位於鐵磁性的第一和第二屏蔽層之間。在合併式(merged)磁頭中，單個鐵磁層作為讀頭的第二屏蔽層和寫頭的第一極片層。在背負式(piggyback)頭中，第二屏蔽層和第一極片層是分開的層。
被釘扎層的磁化通常通過將鐵磁層之一(AP1)與反鐵磁材料例如PtMn的層交換偶合來被固定。雖然反鐵磁(AFM)材料例如PtMn本身沒有磁化，但是當與磁性材料交換耦合時，它可以強烈地釘紮鐵磁層的磁化。
為了滿足日益增長的對改善的數據速率和數據容量的需求，研究者近來已經將其努力集中到垂直記錄系統的開發。傳統縱向記錄系統，例如包括上述寫頭的系統，將數據存儲為磁碟表面平面中沿道縱向取向的磁位。該縱向數據位通過形成在由寫間隙分隔開的磁極對之間的彌散場(fringing field)記錄。
相反，垂直記錄系統將數據記錄為垂直於磁碟的平面取向的磁轉變。該磁碟具有由薄的硬磁頂層覆蓋的軟磁襯層(underlayer)。垂直寫頭具有橫截面很小的寫極和橫截面大得多的返回極。強的、高度集中的磁場沿垂直於磁碟表面的方向從該寫極發出，磁化該硬磁頂層。所得磁通然後通過軟磁襯層行進，返回到返回極，在那裡其充分展開且是弱的，從而當其在回到返回極的途中經過硬磁頂層時將不擦除寫極記錄的信號。
這樣的垂直記錄系統引起的一個問題是磁介質特別易受雜散磁場的影響。理想地，介質拾取的所有磁場將來自寫極，所得磁通然後經過介質的軟磁襯層從而回到返回極。然而，實際上，因為軟磁襯層對磁場敏感，其被來自寫線圈以及來自直接從成形層到介質的磁場的磁場影響。下面將更詳細地說明的成形層(shaping layer)是將磁通引導到寫極的磁結構。在垂直記錄設計中，已發現這些來自線圈和成形層的磁場產生集中在返回極和/或屏蔽件(shield)的拐角處的顯著量的磁通。當寫頭以高的寫電流運行時，這些拐角下方的磁場高且潛在地能引起數據擦除。當存在外磁場的情況下進行寫操作時該情況被惡化。
通過移動寫線圈和成形層遠離ABS可以改善該問題，然而，這會導致寫頭效率損失，使得難以用合理的寫電流從寫極產生強的寫場。克服線圈和成形層導致的磁信號擦除問題的一個嘗試是提供從返回極朝寫極延伸的屏蔽件。這樣的設計在標題為「PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDINGHEAD HAVING A REDUCED FIELD UNDER THE RETURN POLE ANDMINIMAL EDDY CURRENT LOSSES」的美國專利申請US2003/0227714A1中進行了說明。儘管上述專利申請中描述的設計有助於減輕這些不需要的場的影響，但是已發現軟磁襯層如此敏感，信號擦除取決於介質屬性和外場強度而仍將發生。
因此，強烈需要用於垂直寫入器(writer)的設計來克服作為不需要的磁場例如來自寫線圈和成形層的磁場的結果而發生的信號擦除問題。這樣的設計將優選允許線圈和成形層定位為足夠接近ABS從而提供卓越的磁寫入器性能，同時仍避免數據擦除。
發明內容
本發明提供一種用於垂直記錄的磁寫頭，其具有新穎的屏蔽件結構，該屏蔽件結構提供極好的保護以防止來自寫頭的部分例如寫線圈、返回極或成形層的外磁場導致的數據意外擦除。根據本發明一實施例的寫頭包括磁寫極，其具有ABS端和背端(back end)；返回極，其具有ABS端和背端，該返回極與該寫極磁連接；以及磁屏蔽件，其與該返回極的ABS端磁連接且朝向該寫極延伸。該屏蔽件有凹口(notch)，其確保該寫極與該屏蔽件之間足夠的物理和磁分隔，同時還允許該屏蔽件的非凹部分朝向寫極或在寫極旁邊進一步延伸。
該寫極的非凹部分可延伸至該寫極的底部或前導邊緣(leading edge)的層面(level)，且可以延伸超過該寫極的前導邊緣的層面從而延伸至與該寫極的側面相鄰的層面。該屏蔽件的非凹部分甚至可以延伸超過該寫極的頂部或尾隨邊緣。
在本發明的供選實施例中，該屏蔽件可以形成有開口(aperture)，所述寫極的ABS端延伸到該開口中，使得該屏蔽件實際上包圍該寫極的ABS端。
該凹口或開口可形成為使得所需的間隔維持在寫極的前導邊緣與該屏蔽件之間。該間隔可以為0.4μm-3.0μm，或者可以是大於從該寫極ABS表面到所述軟磁襯層的頂表面的距離的10倍的某一距離。在該屏蔽件與該寫極的側面之間可以維持2-10μm或大於3μm的距離。
本發明的屏蔽件構造有利地吸收來自諸如線圈、返回極、成形層的部件或磁頭的其它結構的磁場，確保僅來自寫極的場影響磁介質。
該屏蔽件構造提供了所述優異磁屏蔽，同時還提供該寫極與該屏蔽件之間的足夠間隔，從而防止將降低磁性能的寫極與屏蔽件之間的磁通洩漏。
本發明的這些和其它特徵和優點將通過結合附圖閱讀優選實施例的詳細說明而變得更加明顯，附圖中相似的附圖標記始終表示相似的元件。
為了充分理解本發明的本質和優點以及優選應用模式，請結合附圖參考下面的詳細說明，附圖不是按比例的。附圖中圖1是其中可實施本發明的盤驅動系統的示意圖；圖2是從圖1的線2-2截取的滑塊的ABS視圖，示出了其上磁頭的位置；圖3是根據本發明一實施例的磁寫頭的剖視圖，從圖2的線3-3截取並逆時針轉動90度；圖4是圖3的磁寫頭的放大顯示的ABS視圖，從圖3的線4-4截取；圖5是根據本發明一供選實施例的與圖4的結構類似的磁結構的視圖；圖6是根據本發明另一可行實施例的與圖4的結構類似的磁結構的視圖；圖7是根據本發明再一可行實施例的與圖4的結構類似的磁結構的視圖。
具體實施例方式
下面的描述是關於目前想到的實施本發明的優選方式。進行該描述以說明本發明的一般原理，而不是意圖限制這裡提出的發明概念。
現在參照圖1，示出實施本發明的盤驅動器100。如圖1所示，至少一個可旋轉磁碟112被支承在心軸(spindle)114上且通過盤驅動馬達118被旋轉。每個盤上的磁記錄是磁碟112上的同心數據道(未示出)的環形圖案形式。
至少一個滑塊113位於磁碟112附近，每個滑塊113支持一個或更多磁頭組件121。當磁碟旋轉時，滑塊113在磁碟表面122之上徑向進出移動，從而磁頭組件121可以存取磁碟的寫有所需數據的不同道。每個滑塊113藉助懸臂(suspension)115連到致動臂119。懸臂115提供輕微的彈力，該彈力偏置滑塊113倚著盤表面122。每個致動臂119連到致動器裝置127。如圖1所示的致動器裝置127可以是音圈馬達(VCM)。該VCM包括在固定磁場中可移動的線圈，該線圈移動的方向和速度通過控制器129提供的馬達電流信號被控制。
盤存儲系統運行期間，磁碟112的旋轉在滑塊113與盤表面122之間產生氣墊(air bearing)，其對滑塊施加向上的力或舉力。於是在正常運行期間該氣墊平衡懸臂115的輕微彈力，且支持滑塊113離開盤表面並且以小的基本恆定的距離稍微位於盤表面之上。
盤存儲系統的各種組元在運行中由控制單元129產生的控制信號來控制，例如存取控制信號和內部時鐘信號。通常，控制單元129包括邏輯控制電路、存儲裝置和微處理器。控制單元129產生控制信號從而控制各種系統操作，例如線123上的驅動馬達控制信號以及線128上的頭定位和尋道控制信號。線128上的控制信號提供所需的電流分布(current profile)，從而優化地移動並定位滑塊113到盤112上的所需數據道。寫和讀信號藉助於記錄通道125傳到寫和讀頭121且從其傳出。
參照圖2，可以更詳細地觀察滑塊113中磁頭121的取向。圖2是滑塊113的ABS視圖，可以看出包括感應寫頭和讀傳感器的磁頭位於滑塊的尾隨邊緣(trailing edge)。普通磁碟存儲系統的上述說明以及附圖1和2僅用於示例。顯然地，盤存儲系統可包括多個盤和致動器，每個致動器可支持多個滑塊。
現在參照圖3，根據本發明一實施例的磁寫頭300包括寫極302和返回極304。寫極和返回極302、304每個延伸到氣墊面(ABS)306。因此，寫極具有ABS端308和背端310。類似地，返回極具有ABS端312和背端314。成形層316與寫極302磁連接且將磁通引導到寫極302。磁基座(pedestal)或背間隙層318在遠離ABS 306定位的背間隙位置處將成形層316與返回極304磁連接。還可在返回極的ABS端設置基座331，其朝向寫極延伸。成形層316、背間隙318和返回極304可由磁材料(優選地能被電鍍的材料)諸如NiFe或一些其它磁材料構成。寫極302優選地由高磁矩、高飽和(高Bsat)材料諸如CoFe或Ni50Fe50構成。
繼續參照圖3，磁寫頭包括導電非磁線圈320，優選地具有多匝，其一部分在成形層316和寫極302與返回極304之間穿過寫頭300。線圈320可以由例如Cu構成且通過絕緣層322與寫頭300的磁結構電絕緣，絕緣層322可以是例如一層或多層氧化鋁Al2O3、二氧化矽SiO2、一些其它材料的硬烘焙光致抗蝕劑或者材料的組合。
當電流通過線圈320傳導時，產生磁場，導致磁通流過返回極304、背間隙318、成形層316和寫極302。相鄰的具有薄的硬磁表面層326和軟磁襯層328的磁介質324完成磁路。從寫極302發出的場導致在磁介質中產生磁通，該磁通經過軟磁襯層328且返回到返回極312。來自寫極302的磁場強且集中，並局部地磁化介質324的高磁矩表面層326。經過軟磁襯層328之後，磁通返回到返回極，在那裡其充分展開且微弱從而不擦除寫極302產生的信號。
如上面在本發明的背景技術中論述的，現有技術的寫頭設計受到諸如來自寫線圈320和成形層316的外磁場足夠強從而擦除先前記錄的磁數據這一問題的困擾，特別是存在外部雜散場的情況下。儘管移動線圈320和成形層316遠離ABS 306會減輕這樣的問題，但這樣做將導致不可接受的磁頭性能損失。線圈320必須定位地足夠接近ABS 306從而從寫頭302提供足夠強的寫場。類似地，移動成形層316遠離ABS將不允許寫極302在ABS端308的足夠磁化。
本發明提供一種新穎的磁屏蔽件或「磁通捕集器」結構330，其防止磁場例如來自寫線圈320、成形層316或返回極304的磁場到達或影響磁介質324。屏蔽件330吸收來自寫線圈320、成形層316和返回極304的磁場，將這些場拉回到寫頭的磁結構中從而它們將不會負面影響磁介質。
現在參照圖4，磁通捕集器屏蔽件330的ABS視圖更好地說明了其新穎特徵。可以由許多磁材料構成且優選由NiFe構成的屏蔽件330可構造在磁基座(magnetic pedestal)331上，磁基座331磁連接到返回極304。為了確保寫極302的有效性能，某一最小間隙必須設置在屏蔽件330與寫極302之間。如果屏蔽件330構建得過於接近寫極302，來自寫極302的場將直接分流到屏蔽件330而不會如所希望的那樣到介質324(圖3)。然而，如上所論述的，需要顯著的屏蔽以防止來自線圈330和其它結構的場磁化介質324。
為了提供必要的屏蔽且還提供屏蔽件330與寫極302之間的必要間隔，凹口(notch)402與寫極302相鄰地設置。如圖4所示的寫極302具有前導邊緣412、尾隨邊緣413、以及第一和第二橫向相對的側面415、417。寫極302還優選具有梯形形狀，當頭處在斜角例如在盤324上的外道和內道時其在避免相鄰道寫入方面是有利的。然而，這樣的梯形寫頭302不是實施本發明的必要條件。凹口402提供寫極302的前導邊緣412與屏蔽件330之間的所需最小間隔D1，該間隔可以是例如0.4μm至3.0μm且優選地是從寫極的ABS表面到磁介質324的軟磁襯層328的頂表面的距離的至少10倍。寫極302的側面415、417與屏蔽件330之間的所需最小間隔D2可以更寬鬆且優選為約3至10μm。還可看出，凹口402示出為具有梯形形狀以補償寫頭的梯形形狀，然而，凹口402可以具有許多其它形狀，諸如但不限於矩形、半圓形、不規則形狀或橢圓形。
繼續參照圖4，凹口402產生屏蔽件330的第一和第二延伸的或非凹的殘餘部分404、406。這些殘餘部分可以朝向但不完全到達寫極302的層面延伸，但優選地至少延伸到寫極302的層面。如圖4所示，在當前描述的實施例中，屏蔽件330的非凹部分404、406的最上(或尾隨)邊緣408、410延伸至與寫極302的前導邊緣412共面的層面。非磁電絕緣材料414例如Al2O3或一些其它材料包圍寫極302，將寫極302與屏蔽件330電絕緣且磁隔離。
現在參照圖5，另一可行實施例包括具有深凹口504的屏蔽件502。非凹部分510、512的上邊緣506、508延伸至寫極302的尾隨邊緣413。通過橫向設置在寫頭302兩側的屏蔽區域，此實施例相對參照圖4描述的實施例提供額外的屏蔽保護。此外，所需要的間隔D1和D2優選維持在寫極302與屏蔽件502之間，同時凹口504示出為梯形，其可以構造為許多不同形狀中的一種。
雖然圖4示出非凹部分404、406延伸到寫極302的前導邊緣412，圖5示出非凹部分510、512延伸到與寫極302的尾隨邊緣413相同的層面，但這些層面不是實踐本發明的必要條件。例如，非凹部分510、512的頂邊緣506、508可延伸至寫極302的尾隨413和前導412表面的層面之間某處的層面。
另外，如圖6所示，屏蔽件602可以構造為具有非凹部分604、606，其具有顯著超過寫極302的尾隨邊緣413延伸的上邊緣608、610。參照圖4、5、還是6所述地構造，非凹部分604、606延伸的量優選地由設計要求例如特定頭設計中所需的屏蔽量來決定從而避免不期望的寫入和信號擦除。
參照圖7，本發明的另一實施例包括屏蔽件702，其完全包圍寫極302。屏蔽件702延伸超過寫極302且具有寫極伸入到其中的空缺(void)或開口704。儘管開口704示出為具有梯形形狀以匹配寫極302的形狀，但是開口704實際上可以是諸如橢圓、圓形、矩形、不規則形或某些其它形狀的許多形狀中的一種。非磁電介質材料706將寫極302自屏蔽件702電絕緣且磁隔離。與其它實施例一樣，寫極302的側面415、417優選地與屏蔽件分隔開可以為例如2-10μm的距離D2，且寫極的前導邊緣412與屏蔽件分隔開0.4至3.0μm的距離或者運行期間寫極的ABS表面與磁介質324的軟磁襯層328之間距離的至少10倍。
儘管上面描述了各種實施例，但應理解，它們僅是以舉例而不是限制的方式給出。落在本發明的範圍內的其它實施例對本領域技術人員也會是顯而易見的。例如，儘管本發明描述為結合到垂直記錄系統中且將特別適於用在這樣的系統中，但本發明可以實施在包括縱向磁記錄系統的任何磁記錄系統中。因此，本發明的廣度和範圍不限於上述示例性實施例，而應僅根據權利要求及其等價物定義。
權利要求
1.一種磁寫頭，包括寫極，其具有ABS端、前導邊緣、與該前導邊緣相對的尾隨邊緣、以及第一和第二橫向相對的側面；返回極，其具有ABS端，該返回極與該寫極磁連接；磁屏蔽件，其在該返回極的所述ABS端與該返回極磁連接，該磁屏蔽件朝向該寫極延伸且終止於尾隨邊緣；凹口，其在與該寫極接近的位置處形成在該磁屏蔽件的該尾隨邊緣中；且該磁屏蔽件的該尾隨邊緣形成從該凹口橫向延伸的第一和第二非凹部分。
2.如權利要求1所述的磁頭，其中該寫極的該尾隨邊緣定義第一平面且其中該屏蔽件的該非凹部分至少延伸到該第一平面。
3.如權利要求1所述的磁頭，其中該寫極的該前導邊緣定義第一平面且其中該屏蔽件的該非凹部分延伸超過該第一平面。
4.如權利要求1所述的磁頭，其中該寫極的該前導邊緣定義第一平面；該寫極的該尾隨邊緣定義第二平面；且該第一和第二非凹部分終止於該第一和第二平面之間的位置。
5.如權利要求1所述的磁頭，其中該凹口配置為維持該屏蔽件與該寫極的該前導邊緣之間0.4-3.0μm的距離。
6.如權利要求1所述的磁頭，其中該磁頭設計為飛行在具有軟磁襯層的磁介質之上；該磁頭設計為以在該寫極的該ABS端與該軟磁襯層之間維持間隔X的高度飛行；且該凹口配置為維持該屏蔽件與該寫極的該前導邊緣之間至少10X的距離D1。
7.如權利要求1所述的磁頭，其中該凹口配置為維持該屏蔽件的該非凹部分與該寫極的該第一和第二橫向相對的側面之間3-10μm的距離。
8.如權利要求1所述的磁頭，其中該凹口配置為維持該屏蔽件的該非凹部分與該寫極的該第一和第二橫向相對的側面之間至少3μm的距離。
9.如權利要求1所述的磁頭，其中該凹口配置為具有補償該寫極的形狀且維持該寫極的該前導邊緣與該屏蔽件之間的恆定距離D1並維持該寫極的所述側面與該屏蔽件的該非凹部分之間的距離D2，且其中D1為0.4-3.0μm且D2為3-10μm。
10.如權利要求1所述的磁頭，其中該凹口具有梯形構造。
11.如權利要求1所述的磁頭，其中該凹口具有矩形構造。
12.如權利要求1所述的磁頭，其中該凹口具有不規則形狀。
13.如權利要求1所述的磁頭，其中該凹口具有半圓形構造。
14.如權利要求1所述的磁頭，其中該凹口具有橢圓形構造。
15.一種磁寫頭，包括寫極，其具有ABS端、尾隨邊緣、與該尾隨邊緣相對的前導邊緣、以及第一和第二橫向相對的側面；返回極，其具有ABS端，該返回極與該寫極磁連接；以及磁屏蔽件，其在該返回極的所述ABS端與該返回極磁連接，該磁屏蔽件延伸超過該寫極且在該寫極的所述ABS端圍繞該寫極，該磁屏蔽件與該寫極電絕緣且磁隔離。
16.如權利要求15所述的磁頭，其中該屏蔽件與該寫極的所述前導邊緣分隔開0.4-3.0μm的距離。
17.如權利要求15所述的磁頭，其中該屏蔽件與該寫極的所述第一和第二側面分隔開3-10μm的距離。
18.如權利要求15所述的磁頭，還包括設置在該寫極與該屏蔽件之間的非磁電絕緣材料。
19.一種磁寫頭，包括寫極，其具有ABS端、尾隨邊緣、前導邊緣、以及第一和第二橫向相對的側面；返回極，其具有ABS端，該返回極與該寫極磁連接；磁屏蔽件，其在該返回極的所述ABS端與該返回極磁連接，該磁屏蔽件延伸超過該寫極；以及開口，其形成在該屏蔽件中，該寫極的所述ABS端延伸到該開口中，該寫極與該磁屏蔽件電絕緣且磁隔離。
20.如權利要求19所述的磁頭，其中該開口配置為在該開口內該寫極與該屏蔽件之間維持0.4-3.0μm的距離。
21.如權利要求19所述的磁頭，其中該開口配置為在該屏蔽件與該寫極的所述第一和第二側面之間提供3-10μm的間隔。
22.一種磁頭，包括滑塊，其具有端部和氣墊面；磁磁致電阻傳感器，其形成在該滑塊的所述端部上；以及磁寫頭，其形成在該滑塊的所述端部上，該磁寫頭包括寫極，其具有ABS端、尾隨邊緣、與該尾隨邊緣相對的前導邊緣、以及第一和第二橫向相對的側面；返回極，其具有ABS端，該返回極與該寫極磁連接；磁屏蔽件，其在該返回極的所述ABS端與該返回極磁連接，該磁屏蔽件朝向該寫極延伸且終止在遠離該返回極定位的上邊緣；凹口，其在接近於該寫極的位置形成在該磁屏蔽件的所述上邊緣；且該磁屏蔽件的所述上邊緣在該凹口的第一和第二側形成第一和第二非凹部分。
23.一種磁頭，包括滑塊，其具有端部和氣墊面；磁致電阻傳感器，其形成在該滑塊的所述端部上；及磁寫頭，其形成在該滑塊的所述端部上，該磁寫頭包括寫極，其具有ABS端；返回極，其具有ABS端，該返回極與該寫極磁連接；及磁屏蔽件，其在該返回極的所述ABS端與該返回極磁連接，該磁屏蔽件延伸超過該寫極且在該寫極的所述ABS端圍繞該寫極，該磁屏蔽件與該寫極電絕緣且磁隔離。
24.一種磁頭，包括滑塊，其具有端部和氣墊面；磁磁致電阻傳感器，其形成在該滑塊的所述端部上；及磁寫頭，其形成在該滑塊的所述端部上，該磁寫頭包括寫極，其具有ABS端和背端；返回極，其具有ABS端，該返回極與該寫極磁連接；及磁屏蔽件，其在該返回極的所述ABS端與該返回極磁連接，該磁屏蔽件延伸超過該寫極；及開口，其形成在該屏蔽件中，該寫極的所述ABS端延伸到該開口中，該寫極與該屏蔽件電絕緣且磁隔離。
25.一種磁數據記錄系統，包括磁介質；致動器；滑塊，其與該致動器連接用於鄰近該磁介質的表面移動；及寫頭，其與該滑塊連接，該寫頭包括寫極，其具有ABS端；返回極，其具有ABS端，該返回極與該寫極磁連接；及磁屏蔽件，其在該返回極的所述ABS端與該返回極磁連接，該磁屏蔽件朝向該寫極延伸且終止在遠離該返回極定位的上邊緣；凹口，其在接近該寫極的位置形成在該磁屏蔽件的所述上邊緣；且該磁屏蔽件的所述上邊緣在該凹口的第一和第二側形成第一和第二非凹部分。
26.一種磁數據記錄系統，包括磁介質；致動器；滑塊，其與該致動器連接用於鄰近該磁介質的表面移動；及寫頭，其與該滑塊連接，該寫頭包括寫極，其具有ABS端；返回極，其具有ABS端，該返回極與該寫極磁連接；及磁屏蔽件，其在該返回極的該ABS端與該返回極磁連接，該磁屏蔽件延伸超過該寫極且在該寫極的該ABS端圍繞該寫極，該磁屏蔽件與該寫極電絕緣且磁隔離。
27.一種磁數據記錄系統，包括磁介質；致動器；滑塊，其與該致動器連接用於鄰近該磁介質的表面移動；及寫頭，其與該滑塊連接，該寫頭包括寫極，其具有ABS端；返回極，其具有ABS端，該返回極與該寫極磁連接；及磁屏蔽件，其在該返回極的該ABS端與該返回極磁連接，該磁屏蔽件延伸超過該寫極；及開口，其形成在該屏蔽件中，該寫極的該ABS端延伸到該開口中，該寫極與該屏蔽件電絕緣且磁隔離。
全文摘要
本發明涉及一種用於垂直記錄系統的具有新穎屏蔽件結構的磁頭，其提供了與諸如來自寫頭的寫線圈、成形層或返回極的外磁場的卓越磁屏蔽。該磁頭包括寫極、返回極和磁屏蔽件，該磁屏蔽件與該返回極在ABS附近磁連接且朝向該寫極延伸。該屏蔽件在其接近於該寫極的邊緣形成有凹口。該凹口確保該寫極與該屏蔽件之間足夠的物理、磁、以及電隔離，同時允許該屏蔽件的非凹部分提供額外的磁屏蔽。
文檔編號G11B5/187GK1855229SQ20061007712
公開日2006年11月1日 申請日期2006年4月27日 優先權日2005年4月27日
發明者徐一民, 李鄺, 羅傑·W·伍德 申請人:日立環球儲存科技荷蘭有限公司