電子器件及其製造方法

2023-09-23 09:04:55 6

電子器件及其製造方法
【專利摘要】本發明涉及一種電子器件(200)，用於防止高功率應用中的瞬變電壓。所述電子器件(200)包括：i)半導體襯底(220)，包括具有至少兩個端子(T1，T2)的有源元件(Dd)；ii)導電焊盤(225)，設置在所述襯底(220)上，並且電耦接至所述端子(T1，T2)之一；iii)導電互連材料(226)，設置在導電焊盤(225)上；iv)第一導電部件(230)，經由導電互連材料(226)電耦接至導電焊盤(225)。所述電子器件還包括：沿導電焊盤(225)的外圍設置的壁(229)，用於在導電焊盤(225)上形成互連材料(226)的橫向約束。本發明還涉及一種製造這種電子器件的方法。所提出的發明提供了針對兩種問題的解決方案：a)當使用鉛焊料時(由於焊料限制)有限的互連覆蓋；以及b)當使用無鉛材料時(由於政府限制)的限制。
【專利說明】電子器件及其製造方法
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及一種高功率應用防止瞬變電壓的電子器件。
[0002]本發明還涉及一種製造這種電子器件的方法。
【背景技術】
[0003]對於瞬變電壓抑制(TVS)電路已經進行了大量研究，具體地使用TVS 二極體來提供簡單的解決方案，以增加電子電路對於例如由閃電、電感負載切換和靜電放電(ESD)引起的瞬變的電學過應力的免疫級別。這種TVS 二極體典型地用於TVS保護電路，在現有技術中已經報導了 TVS保護電路的許多變體。所有這些電路至少具有的共同點在於它們都利用廣泛使用二極體的整流元件。備選的整流元件是電晶體，所述電晶體的柵極短接至源極或漏極。
[0004]TVS 二極體的功能性能顯著地受到封裝的影響。更準確地，最大峰值脈衝功率(PPP)依賴於可以從二極體的結區域耗散到封裝外部的瞬態熱量。當將管芯(包括二極體的襯底)的後側(具體地頂側)完全焊接到銅部件(夾條或引線框)上時，對散熱進行優化。
[0005]限制了焊接區域(結合焊盤)的最大尺寸以防止由於在回流期間始終形成的少量焊料殘餘導致的電短缺。
[0006]除此之外，歐洲政府限制使用廣泛用於各種設備的鉛焊料。免除將正在2014年進行修訂。目前，可以替代鉛焊料的所有無鉛材料不能夠選擇性地浸潤至管芯的結合焊盤(二極體連接端子之一)。這是因為這些材料缺乏選擇性浸潤的材料性質，即不能將對於焊盤的覆蓋最大化而沒有電短缺風險。
[0007]上述問題與高功率應用特別相關，諸如在通信(示例:防止感應耦接浪湧的充電器線路)、工業應用(示例:DC馬達EMI限制)以及汽車應用(示例:燃料噴射器瞬時限制)。在這裡描述的應用中，相應的二極體需要能夠在所謂的10/1000 μ s浪湧脈衝下耗散最高甚至超過600W。

【發明內容】

[0008]所提出的本發明提供了一種針對使用鉛焊料時的上述受限焊料覆蓋(由於焊料限制)以及對於使用無鉛材料時的限制(由於政府限定)兩者的解決方案。本發明由獨立權利要求限定。從屬權利要求限定了有利實施例。
[0009]根據本發明的第一方面，提出了一種如權利要求1所述的在高功率應用中防止瞬變電壓的電子器件。所述電子器件包括:
[0010]-半導體襯底，包括具有至少兩個端子的有源元件；
[0011]-導電焊盤，設置在所述襯底上，並且電耦接至所述端子之一；
[0012]-導電互連材料，設置在導電焊盤上；以及
[0013]第一導電部件，經由導電互連材料電耦接至導電焊盤。[0014]根據本發明的電子器件還包括沿導電焊盤的外圍設置的壁，用於在導電焊盤上形成互連材料的橫向約束。
[0015]所述電子器件構成了相對於現有技術器件的顯著改進。沿導電焊盤的外圍設置壁，以用於形成互連材料的橫向約束具有兩種效果。第一種效果(對於鉛焊料)是防止鉛焊料材料在回流期間到達導電焊盤(結合焊盤)外部，因為所述壁形成了對於這種焊料材料的約束。因此表現不同的是，更加容易增加結合焊盤尺寸與矽管芯尺寸的比率，從而在不需要增加管芯尺寸或封裝尺寸的情況下增加了產品PPP性能。第二種效果(對於無鉛互連材料)是所述壁使得更加易於施加無鉛互連材料，使得即使無鉛互連材料不會選擇性地浸潤至結合焊盤，也能夠完全覆蓋結合焊盤。
[0016]為了便於理解本發明，下文中限定了一些表述。
[0017]貫穿說明書，術語「高功率」暗指數百甚至數千瓦特量級的ΙΟ/ΙΟΟΟμ s浪湧脈衝的功率級別，即600W或者甚至1500瓦特或以上。然而，必須強調的是儘管本發明在高功率應用中特別有利，但是本發明在低功率應用中也是有利的，即防止了管芯上的短路、以及無鉛互連材料情況下的更好浸潤性。
[0018]貫穿說明書，將術語「襯底」定義為上面或中間集成了有源元件(例如二極體和電晶體)的載體。這種襯底可以是半導體襯底，但是這並非是實質性的(例如絕緣體上矽襯底或任意物質上的矽襯底)。
[0019]貫穿說明書，將術語「有源元件」定義為電路的元件，例如電晶體、二極體、半導體閘流管等。所有這些元件可以用作瞬變電壓抑制電路中的整流元件。
[0020]貫穿說明書，將術語「端子」定義為有源元件的電連接，例如柵極連接、漏極連接、源極連接和體連接。
[0021]貫穿說明書，將術語「互連材料」定義適合於將部件焊接在一起的導電材料，使得實現了物理連接和電連接。
[0022]在電子器件的實施例中，所述壁包括有機材料。有機材料是在大多數製造環境(超淨室等)中易於使用的材料。此外，這些材料通常非常易於使用傳統技術來沉積和圖案化。
[0023]在電子器件的實施例中，所述壁包括從包括以下材料的組中選擇的材料:聚醯亞胺和環氧聚合物。這些材料是有機材料的示例。
[0024]在電子器件的實施例中，有源元件包括二極體、電晶體和半導體閘流管中的至少一個。這三個是用作瞬變電壓抑制電路中的整流元件的有源元件的最常見示例。
[0025]在電子器件的實施例中，導電互連材料包括從包括以下材料的組中選擇的材料:鉛焊料和無鉛互連材料，例如高導電粘合劑和燒結銀。如前面已經解釋的，本發明可應用於兩種互連材料，並且解決了針對各個類型而存在的相應問題。
[0026]電子器件的實施例還包括第二導電部件，所述第二導電部件電耦接至所述至少兩個端子中的另一個端子。諸如二極體之類的有源元件通常具有至少兩個端子。因此，該實施例方便地提供了這種可能的有源元件的外部連接。在將電晶體(具有三個端子)用作有源元件另一個實施例中，所述電子器件還包括電耦接至電晶體的相應第三端子的第三導電部件。在將半導體閘流管(具有四個端子)用作有源元件的再一個示例實施例中，所述電子器件還包括電耦接至電晶體的相應第四端子的第四導電部件。[0027]根據第二方面，本發明提出了一種包括本發明的電子部件的封裝半導體組件。對諸如二極體之類的半導體組件進行封裝通常意味著將矽襯底連接至銅部件、並且嵌入到環氧樹脂或樹脂材料中。
[0028]根據第三方面，本發明提出了一種包括本發明的電子部件的瞬變電壓抑制電路。TVS電路典型地受益於本發明的電子器件。然而，本發明不僅局限於這種應用。
[0029]根據第四方面，本發明提出了一種製造電子器件的方法，用於在高功率應用中防止瞬變電壓。本發明的方法包括:
[0030]-提供中間器件，所述中間器件包括:
[0031]i)包括有源元件的半導體襯底，所述有源元件具有至少兩個端子，以及
[0032]ii)導電焊盤，設置在所述襯底上並且電耦接至所述端子之一；
[0033]沿所述導電焊盤的外圍設置壁，用於形成在所述導電焊盤上施加的互連材料的橫向約束；以及
[0034]-在所述導電焊盤上提供導電互連材料。
[0035]本發明的方法的優勢和效果遵照本發明的電子器件的相應實施例的優勢和效果。
[0036]所述方法的實施例還包括:提供第一導電部件，並且將所述第一導電部件經由導電互連材料電耦接至導電焊盤。
[0037]本發明的方法的實施例還包括:提供第二導電部件，並且將所述第二導電部件電耦接至所述至少兩個端子的另一個端子。
[0038]所述方法的實施例還包括對所述電子器件進行封裝以獲得封裝的半導體部件。
[0039]在所述方法的實施例中，所設置的壁包括有機材料。
[0040]在所述方法的實施例中，所設置的壁包括從包括以下材料的組中選擇的材料:聚醯亞胺和環氧聚合物。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0041]本發明的這些和其他方面根據下文描述的實施例將變得清楚明白，並且將參考下文描述的實施例進行闡述。在附圖中:
[0042]圖1示出了包括TVS 二極體的兩種不同的內部保護電路；
[0043]圖2示出了包括TVS 二極體的半導體組件的示意圖；
[0044]圖3示出了如圖2所示的半導體組件的截面圖；
[0045]圖4示出了故障之後的TVS 二極體的照片；
[0046]圖5示出了根據本發明實施例的電子器件的示意概圖；
[0047]圖6示出了在設置了導電部件和互連材料之後的圖5所示電子器件的截面圖的照片;
[0048]圖7示出了包括根據本發明的多個電子器件的晶片的照片；
[0049]圖8示出了圖7的照片的放大視圖；
[0050]圖9示出了根據本發明的另一個實施例的電子器件的示意圖，其中已經不考慮所述壁，其中在結合焊盤下面實現了二極體；以及
[0051]圖10示出了圖9所示的電子器件的截面圖的詳細示意放大圖。
[0052]應該注意的是在不同的圖中具有相同參考數字的項目具有相同的結構特徵和相同的功能、或者相同的信號。在已經解釋了這種項目的功能和/或結構的情況下，不需要在詳細描述中進行重複的解釋。
[0053]參考數字列表:
[0054]50，50』瞬變電壓抑制電路的示例
[0055]100 TVS 二極體(本發明的電子器件的示例)
[0056]200接收機
[0057]300發射機
[0058]400邏輯電路
[0059]Vdd第一電源端子
[0060]Vss第二電源端子
[0061]Gnd接地端子
[0062]D_High接收機的高位I/O管腳(為了防止瞬變電壓)
[0063]D_Low接收機的低位I/O管腳(為了防止瞬變電壓)
[0064]I/O邏輯電路的I/O管腳(為了防止瞬變電壓)
[0065]110第二導電部件(弓丨線框)，
[0066]120襯底/管芯(包括有源元件)
[0067]130第一導電部件(引線框)
[0068]140環氧樹脂或樹脂
[0069]125結合焊盤的未焊接部件
[0070]126結合焊盤的焊接部件
[0071]999擊穿故障的位置
[0072]200根據本發明的電子器件
[0073]220根據本發明的電子器件的襯底
[0074]225根據本發明的電子器件的結合焊盤
[0075]228包圍外圍結合焊盤的絕緣層
[0076]229根據本發明的電子器件的(有機)壁
[0077]230根據本發明的電子器件的第一導電部件(夾條)
[0078]226互連材料(例如鉛焊料)
[0079]222晶片的劃線
[0080]77 由GOV掩模限定的結合焊盤的外圍(G0V邊緣)
[0081]88 由INSO掩模限定的結合焊盤的外圍(INS0邊緣)
[0082]220-1 η-型襯底(摻雜有銻)
[0083]220-2 η-型外延層(摻雜有磷)
[0084]220-3 η-阱(由DN掩模限定，摻雜有磷)
[0085]220-4 P-阱(由SP掩模限定，摻雜有硼)
[0086]220-5第一熱生長氧化物(由SP掩模限定)
[0087]220-6第二熱生長氧化物(由CO掩模限定)
[0088]220-7第一導電層(由IN掩模限定)
[0089]220-8玻璃覆蓋(G0V，氮化矽)層[0090]220-9第二導電層
[0091]Dd有源元件(二極體)
[0092]Tl 二極體的第一端子
[0093]T2 二極體的第二端子
【具體實施方式】
[0094]儘管本發明存在許多不同形式的實施例，在圖中將示出並且這裡將詳細描述一個或多個具體實施例，應該理解的是將本公開看作是本發明原理的示例，而並非意欲將本發明局限於這裡所示和所述的特定實施例。
[0095]圖1示出了包括TVS 二極體的兩個不同內部保護電路。兩個保護電路示例都集成到晶片上。然而，也存在晶片外保護電路，並且原理是相同的。本發明可應用於晶片外或晶片上解決方案。在圖1的左側，示出了要求功率浪湧和ESD保護的收發機1C。收發機IC具有四個管腳，即第一電源端子Vdd、第二電源端子Nss和兩個I/O管腳D_High、D_Low。收發機IC包括接收機200，所述接收機200耦接至需要保護的兩個相應的I/O管腳D_High、D_Low。瞬變電壓保護電路50設置用於保護所述輸入/輸出D_High、D_Low。收發機IC還包括發射機300，所述發射機300也耦接至所述I/O管腳D_High、D_Low。該示例中的瞬變電壓保護電路50包括TVS 二極體100 (在該示例中是齊納二極體)。
[0096]在圖1的右側，示出了要求功率和ESD保護的邏輯1C。邏輯IC包括邏輯電路400，所述邏輯電路400與第一電源端子Vdd和接地端子Gnd相耦接。邏輯IC包括交流瞬變電壓保護電路50』，所述交流瞬變電壓保護電路500包括二極體100的陣列。二極體100的陣列保護所述邏輯電路400的I/O管腳。
[0097]圖2示出了包括TVS 二極體的半導體部件的示意圖。圖3示出了圖2所示的半導體部件的截面圖。TVS 二極體設計為快速響應於過電壓。這使得TVS器件對於防止損壞電壓尖峰是有用的。通常在所謂的夾條結合封裝(clip-bonded package) (SOD128或SODl23W或SMA、SMB、SMC)中提供高功率TVS 二極體(典型地具有200-1500W10/1000 μ s浪湧功率容量)。圖2示出了 S0D128封裝的示例。這種封裝包括襯底/管芯120 (包括有源元件，這裡是TVS 二極體)、耦接至襯底/管芯120的底部一側的引線框110以及耦接至襯底/管芯120的頂部一側的夾條130。夾條130通常包括銅並且形成了如權利要求中所述的第一導電部件。引線框110通常包括銅並且形成如權利要求中所述的第二導電部件。在圖3中，上述組件周圍的密封(encapsulation)也是可見的,所述密封通常包括樹脂或環氧樹脂。
[0098]因此在S0D128封裝中，將矽管芯120夾持在兩個銅部件110、130之間，並且將在管芯120中產生的瞬變熱量散布在兩個銅部件110、130上(因此，從管芯中回收能量)。瞬變過電壓中的能量級別可以由峰值脈衝功率(PPP)來表示。PPP值依賴於在非常短的時間內(毫秒到微秒)從二極體表面耗散能量的能力。當從管芯表面回收不足的能量時，將在管芯120的頂部上發生擊穿，並且破壞產品。圖4示出了故障之後的TVS 二極體的照片。所述照片示出了鉛焊接TVS 二極體的頂側。結合焊盤的第一焊接部件126可以區別於第二未焊接部件125。擊穿故障999的位置正好在未焊接區域125的內部，因為在這種未焊接區域125內，由於缺乏焊料材料，不會從管芯表面適當地收回熱量。通過增加結合焊盤面積(從而在管芯的熱產生頂側附近允許更多的焊料)可以增加最大PPP級別。由於電短路的風險(在結合焊盤外部存在少量的焊料殘餘物)，不但對於無鉛互連材料、而且對於鉛焊料都存在限制。
[0099]廣泛的研究了用於替換鉛焊料的無鉛互連材料。發明人也可以看到了將這些新材料應用於TVS 二極體。焊料具有一個獨有的性質:在回流期間焊料變成液體。在這種液相中，焊料選擇性地浸潤結合焊盤材料。物理上，這意味著液體焊料材料和結合焊盤材料之間的粘合性較強。假設沒有塗覆過量的焊料，結合焊盤外部的材料在回流期間收縮至結合焊盤。只有少量的焊料可以保留在結合焊盤外部的區域上。
[0100]當前已經找到的所有無鉛材料不會選擇性地浸潤結合焊盤。這使得在現有技術中不能夠將無鉛材料實現到TVS產品中，同時不會存在浪湧功率耗散能力的顯著損失。因此，可以將現有技術的挑戰總結如下。在今天發展的解決方案中，為了增加PPP級別，管芯頂部一側的較大部分通過焊料相連。這將允許更多的熱耗散。然而，不允許與管芯側面的電短路。這限制了結合焊盤的擴展。在未來的無鉛解決方案中存在附加的問題:即無鉛材料不會選擇性地浸潤至結合焊盤。為了防止可能的電學短路，將少量的材料沉積到結合焊盤上。這導致了在管芯頂部一側上不足的結合焊盤覆蓋，從而導致了較低的PPP級別。
[0101]然而，本發明具有使用無鉛材料的能力，而沒有短路的風險。
[0102]圖5示出了根據本發明實施例的電子器件200的示意概圖。電子器件200包括襯底220，所述襯底200包括有源元件(未示出)。在襯底220的頂部一側上設置了結合焊盤225(導電焊盤)。在結合焊盤225的外圍周圍，設置了絕緣層228(例如氮化矽)。在絕緣層228的頂部上設置了壁229。這種壁可以包括有機材料，因為這種材料通常在半導體製造工廠(超淨室等)中容易使用。這種材料的示例是光致抗蝕劑、聚醯亞胺聚合物(PD和環氧聚合物(SU8)。所述壁的典型尺寸是20-50 μ m的高度和20-120 μ m的寬度。本發明的壁也減小了鉛焊料的溢出，允許相同管芯上的較大結合焊盤，增加了 PPP級別。有效地，所述結果是互連材料覆蓋和管芯尺寸的優化比率。
[0103]圖6示出了在設置導電部件和互連材料之後的圖5所示的電子器件的橫截面的照片。儘可能討論該圖與圖5的區別。所述圖示出了有機壁229和通過夾條230按壓抵靠的互連材料226。該圖中感興趣的部分是互連材料是無鉛的。
[0104]圖7示出了包括多個根據本發明的電子器件的晶片的照片。圖8示出了圖7的照片的放大視圖。在附圖中，只有結合焊盤225是可見的，因為二極體位於晶片內部。結合焊盤225通過劃線222彼此分離。另外，在相應結合焊盤225的外圍周圍，相應的壁229是可見的。
[0105]圖9示出了根據本發明另一個實施例的電子器件200的示意圖，其中在結合焊盤225下面實現了二極體Dd。圖10示出了如圖9所示的電子器件200的橫截面的詳細示意性放大視圖。
[0106]在兩個圖中，已經不考慮所述壁以簡化附圖。圖9的頂視圖示出了結合焊盤225。電子器件200包括η-型襯底220-1，在該示例中所述η-型襯底摻雜有銻。襯底220-1的頂部上存在η-型外延(EPI)層220-2，所述η-型外延層摻雜有磷。在EPI層220-2內部，設置了深的η-阱220-3，所述深的η-阱摻雜有磷並且由所謂的深-η阱(DN)掩模限定。同樣在EP1-層220-3內部，設置了淺P-阱220-4，所述淺ρ-阱摻雜有硼並且由所謂的淺ρ_阱(SP)掩模限定。另外，在襯底220的表面上設置了也由SP掩模限定的第一熱生長氧化物220-5和由所謂的接觸(CO)掩模限定的第二熱生長氧化物220-6。然而，這種第二氧化物層220-6不是必要的。圖10還示出了第一導電層220-7，所述第一導電層包括TiAl並且由所謂的互連(IN)掩模限定。沿著第一導電層220-7的外圍，設置了可以包括氮化矽的玻璃覆蓋(GOV)層220-8，並且在第一導電層220-7的頂部上還設置了可以包括TiNi的第二導電層。在襯底220中形成的有源元件構成了由P-阱220-4/N-阱220-3結限定的二極體Dd0 二極體Dd具有兩個端子，一個端子Tl連接至結合焊盤225，另一個端子連接至襯底220的背部一側。結合焊盤225的外圍示出了由兩個不同的掩模限定的兩個邊緣77、88。第一邊緣88由GOV掩模限定，並且限定了有效結合焊盤面積。第二邊緣88限定了第二導電層220-9在玻璃覆蓋層220-8上的交疊，並且由所謂的互連焊料(INSO)掩模限定。在圖10中沒有繪製本發明的壁。然而在本發明中，可以將所述壁設置在玻璃上覆層220-8上。
[0107]如對於本領域普通技術人員清楚的是，執行所述方法的許多不同方式是可能的。例如，可以改變步驟的順序，或者可以並行地執行一些步驟。此外，在步驟之間可以插入其他方法步驟。插入的步驟可以表示這裡所述方法的細微改良，或者可以與所述方法不相關。此外，在下一個步驟開始之前，給定的步驟可能還沒有完全結束。
[0108]應該注意的是上述實施例說明而不是限制本發明，並且本領域普通技術人員將能夠設計許多替代實施例。
[0109]在權利要求中，不應該將括號中放置的任意參考符號解釋為限制權利要求。動詞「包括」及其同義詞的使用不排除在任何權利要求中整體所列元件或步驟以外的元件或步驟的存在。元件前面的「一」或「一個」不排除多個該元件的存在。本發明可以通過包括幾個不同的元件的硬體來實現，也可以通過適當地編程的計算機來實現。在列舉了幾種裝置的設備權利要求中，可以將這些裝置的幾個由一個或相同項目的硬體來具體實現。唯一的事實在於在多個彼此不同的從屬權利要求引用的特定措施不表示不能有利地使用這些措施的組合。
【權利要求】
1.一種電子器件(200)，用於防止高功率應用中的瞬變電壓，所述電子器件(200)包括: -半導體襯底(220)，包括具有至少兩個端子(T1，T2)的有源元件(Dd)； -導電焊盤(225)，設置在所述襯底(220)上，並且電耦接至所述端子(Τ1，Τ2)之一； -導電互連材料(226)，設置在導電焊盤(225)上； -第一導電部件(230)，經由導電互連材料(226)電耦接至導電焊盤(225)， 所述電子器件還包括: 沿導電焊盤(225)的外圍設置的壁(229)，用於在導電焊盤(225)上形成互連材料(226)的橫向約束。
2.根據權利要求1所述的電子器件(200)，其中所述壁(229)包括有機材料。
3.根據權利要求2所述的電子器件(200)，所述壁(229)包括從包括以下材料的組中選擇的材料:聚醯亞胺和環氧聚合物。
4.根據前述權利要求中任一項所述的電子器件(200)，其中所述有源元件包括二極體(Dd)、電晶體和半導體閘流管中的至少一個。
5.根據前述權利要求中任一項所述的電子器件(200)，其中所述導電互連材料(226)包括從包括以下材料的組中選擇的材料:鉛焊料和無鉛互連材料，例如高導電粘合劑和燒結銀。
6.根據前述權利要求中任一項所述的電子器件(200)，還包括:第二導電部件，所述第二導電部件電耦接至所述至少兩個端子(Τ1，Τ2)中的另一個端子。
7.一種封裝半導體組件，包括根據前述權利要求中任一項所述的電子器件(200)。
8.一種瞬變電壓抑制電路，包括根據權利要求1至6中任一項所述的電子器件(200)。
9.一種製造電子器件(200)的方法，用於防止高功率應用中的瞬變電壓，所述方法包括: -提供中間器件，所述中間器件包括: i)半導體襯底(220)，包括具有至少兩個端子(T1，T2)的有源元件(Dd)，以及?)導電焊盤(225)，設置在所述襯底(220)上並且電耦接至所述端子(T1，T2)之一；-沿所述導電焊盤(225)的外圍提供壁(229)，用於形成要在所述導電焊盤(225)上施加的互連材料(226)的橫向約束；以及 -在所述導電焊盤(225)上提供導電互連材料(226)。
10.根據權利要求9所述的方法，所述方法還包括: -提供第一導電部件(230)，並且將所述第一導電部件經由導電互連材料(226)電耦接至導電焊盤(225)。
11.根據權利要求10所述的方法，所述方法還包括: -提供第二導電部件，並且將所述第二導電部件電耦接至所述至少兩個端子(Tl，Τ2)中的另一個端子。
12.根據權利要求11所述的方法，所述方法還包括: -對所述電子器件(200)進行封裝以獲得封裝的半導體組件。
13.根據權利要求9至12中任一項所述的方法，其中所設置的壁(229)包括有機材料。
14.根據權利要求13所述的方法，其中所設置的壁(229)包括從包括以下材料的組中選擇的材料:聚醯亞胺和環氧`聚合物。
【文檔編號】H01L29/861GK103515447SQ201310238283
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年6月17日 優先權日:2012年6月19日
【發明者】埃德溫·泰傑森, 斯文·沃爾茲克, 洛爾夫·安科·約科伯·格羅恩休斯, 呂迪格·韋伯, 智·文·提 申請人:Nxp股份有限公司