排氣環組件以及包含其的基板處理裝置製造方法

2023-09-23 03:24:50

排氣環組件以及包含其的基板處理裝置製造方法
【專利摘要】本發明涉及一種基板處理裝置。上述基板處理裝置包括：處理腔；卡盤，其位於上述處理腔的內部，且支持基板；擋板，與上述卡盤相對地配置於上述卡盤的上部，且形成有可分配提供至上述處理腔內部的工藝氣體的分配孔；以及側部排氣環，其位於比上述卡盤更高的位置，環繞經上述分配孔的工藝氣體流入的處理空間，且其為形成有排氣孔的環狀。
【專利說明】
【技術領域】
[0001] 本發明涉及一種基板處理裝置，更具體地說，涉及一種包含排氣環組件的基板處 理裝置。 排氣環組件以及包含其的基板處理裝置

【背景技術】
[0002] 等離子體是指由離子或者電子、自由基（Radical)等構成的，發生離子化的氣體 狀態。等離子體可由極高溫、很強的電場或者高頻電磁場（RF Electromagnetic Fields) 而產生。
[0003] 上述等離子體以多種方式在使用光阻材料（photoresist)的平板印刷 (lithography)工藝中使用，所述工藝是為了製備半導體元件而進行。作為一例，其在基板 上形成如線（line)或者空間（space)圖案等微細的電路圖案時，或者去除在離子注入（ion implantation)工藝中作為掩膜（mask)使用的光阻材料的灰化（ashing)工藝中的利用度 逐漸增加。
[0004] 韓國公開專利第10-2007-0118482號公開了一種利用等離子體對基板進行工藝 處理的裝置。該裝置的處理腔的中央配置有靜電卡盤，而靜電卡盤的周圍配置有排氣部件， 從而可排出氣體。由於通過排氣部件排出的氣體的流動會發生變化，控制排氣部件對於工 藝的均一性會產生很大的影響。
[0005] 如果是上述公開專利所公開的排氣部件，其使氣體均勻流動的能力有限，因此氣 體的流動會發生偏向，從而導致工藝的均一性較差。並且，大部分的工藝氣體以較快的流速 通過排氣部件而排出，停留於處理腔內部的時間較短，因此工藝效率也較低。
[0006] 現有摶術f獻
[0007] 專利文獻：韓國公開專利第10-2007-0118482號


【發明內容】

[0008] 本發明要解決的摶術問是頁
[0009] 本發明提供一種可提高基板處理效率的基板處理裝置。
[0010] 並且，本發明提供一種可提升工藝均一性的基板處理裝置。
[0011] 並且，本發明提供一種可提升煙氣的排出效果的排氣環組件。
[0012] 摶術方案
[0013] 根據本發明實施例的基板處理裝置，包括：處理腔；卡盤，其位於上述處理腔的內 部，且支持基板；擋板，與上述卡盤相對地配置於上述卡盤的上部，且形成有可分配提供至 上述處理腔內部的工藝氣體的分配孔；以及側部排氣環，其位於比上述卡盤更高的位置，環 繞經上述分配孔的工藝氣體流入的處理空間，且其為形成有排氣孔的環狀。
[0014] 並且，多個上述側部排氣環可間隔地，沿上下方向發生層疊。
[0015] 並且，上述側部排氣環的排氣孔可沿上下方向，排列於同一條直線上。
[0016] 並且，上述側部排氣環的排氣孔可不沿上下方向，排列於同一條直線上。
[0017] 並且，上述側部排氣環至少可區分為兩個以上的群組，屬於相同群組的上述側部 排氣環的上述排氣孔沿上下方向排列於同一條直線上，而與屬於其他群組的上述側部排氣 環的排氣孔，可不沿上下方向，排列於同一條直線上。
[0018] 並且，上述側部排氣環具有自下而上按順序層疊的第1側部排氣環至第4側部排 氣環，上述第1側部排氣環的排氣孔和上述第3側部排氣環的排氣孔沿上下方向排列於同 一條直線上；上述第2側部排氣環的排氣孔和上述第4側部排氣環的排氣孔沿上下方向排 列於同一條直線上；而上述第1側部排氣環的排氣孔與上述第2側部排氣環的排氣孔可不 沿上下方向，排列於同一條直線上。
[0019] 並且，可進一步包括：下部排氣環，相比於上述卡盤，其設置於相同高度的位置或 者更低的位置，且其形成有排氣孔。
[0020] 並且，至少提供兩個以上的上述下部排氣環，可間隔地，沿上下方向發生層疊，且 上述下部排氣環的排氣孔可沿上下方向，排列於同一條直線上。
[0021] 並且，至少提供兩個以上的上述下部排氣環，可間隔地，沿上下方向發生層疊，上 述下部排氣環的排氣孔可不沿上下方向，排列於同一條直線上。
[0022] 根據本發明另一實施例的基板處理裝置，其包括：處理腔，其內部形成有空間；卡 盤，其位於上述處理腔的內部，且支持基板；等離子體發生部，其具有可產生等離子體的放 電空間，可將等離子體提供至上述處理腔內部；擋板，其位於上述卡盤的上部，且形成有可 分配提供至上述處理腔內部的等離子體的分配孔；以及側部排氣環，其位於比上述卡盤更 高的位置，環繞通過上述分配孔的等離子體流入的處理空間，且其為形成有排氣孔的環狀。
[0023] 並且，可進一步包括：下部排氣環，相比於所述卡盤，其設置於相同高度的位置或 者更低的位置，且其形成有排氣孔。
[0024] 並且，提供多個上述側部排氣環，其可間隔地，沿上下方向發生層疊。
[0025] 並且，上述側部排氣環的排氣孔可沿上下方向，排列於同一條直線上。
[0026] 並且，上述側部排氣環的排氣孔可不沿上下方向，排列於同一條直線上。
[0027] 並且，上述側部排氣環的排氣孔和上述下部排氣環的排氣孔可沿上下方向，排列 於同一條直線上。
[0028] 並且，上述側部排氣環的排氣孔和上述下部排氣環的排氣孔可不沿上下方向，排 列於同一條直線上。
[0029] 根據本發明實施例的排氣環組件，可包括：側部排氣環，其配置於較放置基板的卡 盤更高的位置，環繞上述卡盤的上部區域，且其為形成有排氣孔的環狀。
[0030] 並且，可進一步包括：下部排氣環，相比於上述卡盤，其設置於相同高度的位置或 者更低的位置，且其為形成有排氣孔的環狀。
[0031] 並且，提供多個上述側部排氣環，其可間隔地，沿上下方向發生層疊。
[0032] 並且，上述側部排氣環的排氣孔可沿上下方向，排列於同一條直線上。
[0033] 並且，上述側部排氣環的排氣孔可不沿上下方向，排列於同一條直線上。
[0034] 並且，上述側部排氣環至少可區分為兩個以上的群組，屬於相同群組的上述側部 排氣環的上述排氣孔沿上下方向排列於同一條直線上，而與屬於其他群組的上述側部排氣 環的排氣孔，可不沿上下方向，排列於同一條直線上。
[0035] 有益效果
[0036] 根據本發明的實施例，提升了排氣環組件的使工藝氣體停留的功能，從而基板處 理效率隨之提升。
[0037] 並且，根據本發明的實施例，基板感受到的煙氣的流動速率減慢，故能提升工藝均 一性。
[0038] 並且，根據本發明，可改善煙氣的流動，從而提升煙氣的排出效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0039] 圖1是簡要說明根據本發明的基板處理設備的平面圖。
[0040] 圖2是簡要說明根據本發明一實施例的基板處理裝置的剖視圖。
[0041] 圖3至圖8是放大圖2的A部分的附圖，表示根據本發明多種實施例的排氣環組 件。
[0042] 圖9是表示根據本發明實施例的基板處理裝置的附圖。

【具體實施方式】
[0043] 以下，將結合附圖詳細說明本發明的實施例。本發明的實施例可發生多種形態的 變形，且本發明的範圍不能解釋為僅限於下述實施例。本實施例僅是為了向具有本領域普 通知識的技術人員更加清楚的說明本發明而提供的。因此，為了強調以及更加明確的說明， 誇張地表示了附圖中要素的形態。
[0044] 圖1是簡要說明根據本發明的基板處理設備的平面圖。參見圖1，基板處理設備1 包括：設備前端模塊（equipment front end module, EFEM) 10;以及工藝處理室20。設備 前端模塊10與工藝處理室20配置於一個方向。以下，將設備前端模塊10和工藝處理室20 排列的方向定義為第1方向X，而將從上部觀察時，垂直於第1方向X的方向定義為第2方 向Y。
[0045] 設備前端模塊10配置於工藝處理室20的前方，在容納有基板的載體16和工藝處 理室20之間移送基板W。設備前端模塊10包括：裝載埠 12和框架14。
[0046] 裝載埠 12配置於框架14的前方，且可提供多個裝載埠 12。裝載埠 12相 互間隔一定距離，沿第2方向Y，排列成一列。載體16(例如晶圓盒，前開式晶圓盒（F0UP) 等）分別裝置於裝載埠 12。載體16可容納要進行工藝處理的基板W以及完成工藝處理 的基板W。
[0047] 框架14配置於裝載埠 12和裝載閉鎖腔22之間。框架14的內部配置有可在裝 載埠 12和裝載閉鎖腔22之間移送基板的移送機械臂18。移送機械臂18可沿著移送軌 道19移動，其中移送軌道19沿著第2方向Y而配置。
[0048] 工藝處理室20可包括：裝載閉鎖腔22 ;傳送腔24 ;以及多個基板處理裝置30。
[0049] 裝載閉鎖腔22配置於傳送腔24與框架14之間，其為在移送至基板處理裝置30 之前的待進行工藝處理的基板W，或者為移送至載體16之前的完成了工藝處理的基板W提 供等待的空間。可提供一個或者多個裝載閉鎖腔22。根據實施例提供兩個裝載閉鎖腔22。 一個裝載閉鎖腔22可容納有為進行工藝處理而提供至基板處理裝置30的基板W ;而另一 個裝載閉鎖腔22則可以容納有在基板處理裝置30中完成了工藝的基板W。
[0050] 傳送腔24沿第1方向X配置於裝載閉鎖腔22的後方，從上部觀察時其具有多角 形的本體25。圍繞本體25的外側配置有裝載閉鎖腔22和多個基板處理裝置30。根據實 施例，從上部進行觀察時，傳送腔24具有六角星的本體。與設備前端模塊10相鄰的兩個側 壁分別配置有裝載閉鎖腔22,而其餘側壁均配置了基板處理裝置30。本體25的各個側壁 形成有基板W可出入的通道（未圖示）。通道在傳送腔24和裝載閉鎖腔22之間，或者傳送 腔24和基板處理裝置30之間，為基板提供可出入的空間。各個通道配置了可對通道進行 開關的門裝置（未圖示）。傳送腔24可根據所需要的工藝模塊，以多種不同的形狀提供。
[0051] 傳送腔24的內部配置有搬送機械臂26。搬送機械臂26可將在裝載閉鎖腔22內 等待備用的未處理基板W移送至基板處理裝置30，或者將在基板處理裝置30中完成了工藝 處理的基板W移送至裝載閉鎖腔22。搬送機械臂26可按順序地向基板處理裝置30提供基 板W。
[0052] 基板處理裝置30可將等離子體狀態的氣體提供至基板，從而進行工藝處理。等離 子體氣體可在半導體製備工藝中以多種形式被使用。
[0053] 以下，以基板處理裝置30進行的灰化工藝進行說明。然而，基板處理裝置30還可 進行蝕刻（etching)工藝和沉積（deposition)工藝等多種利用等離子體的工藝，而並不僅 限於此。
[0054] 圖2是簡要說明根據本發明一實施例的基板處理裝置的剖視圖。
[0055] 參照圖2,基板處理裝置30可提供電感耦合等離子體型裝置（Inductively Coupled Plasma :ICP)。基板處理裝置30包括：工藝處理部100和等離子體供給部200。工 藝處理部100可提供處理基板W的空間，而等離子體供給部200可產生用於基板W處理工 藝的等離子體，以向下順流（Down Stream)的方式將等離子體供給至基板W。以下，將詳細 說明各個構成。
[0056] 工藝處理部100包括：處理腔110 ;卡盤120 ;擋板130 ;以及排氣環組件140。
[0057] 處理腔110提供進行處理的空間。處理腔110具有主體111和密閉蓋115。主體 111的上面開放，其內部形成有空間。主體111的側壁上形成有基板W可出入的開口（未 圖示），且開口由狹縫門（slit door)(未圖示）等開閉部件實現開閉。開閉部件在處理腔 110內對基板W進行處理期間封閉開口，而在基板W搬入處理腔110內部以及向處理腔110 外部搬出時則開放開口。主體111的下部壁形成有排氣孔112。排氣孔112與排氣管線113 相連接。通過排氣管線113可調節處理腔110內部的壓力，也可將工藝過程中產生的煙氣 (fume)和反應副產物排出至處理腔110外部。
[0058] 密閉蓋115可與主體111的上部壁結合，蓋住開放的主體111的上面，從而使主體 111內部密閉。密閉蓋115的上端與等離子體供給部200相連接。密閉蓋115內部形成有 誘導空間116。誘導空間116為倒置的漏鬥形狀。其可使從等離子體供給部200流入的等 離子體擴散，並移動至擋板130。卡盤120位於處理腔110內部，其可支持基板W。卡盤120 可提供通過靜電力固定基板W的靜電卡盤（Electro Static Chuck)。此外，卡盤120還可 提供通過真空而固定基板W的真空卡盤（Vaccum Chuck)等多種形態的卡盤。卡盤120還 可形成升降孔（未圖示）。升降孔可分別配置有升降銷（未圖示）。當基板W在卡盤120 上裝載/卸載時，升降銷可沿升降孔發生升降。卡盤120的內部可提供加熱器。加熱器可 對基板W進行加熱，從而維持適合於工藝的溫度。
[0059] 擋板130與主體111的上部壁向結合。擋板130為較薄的圓盤形狀，其與卡盤120 的上面相對地並行排列。與卡盤120的上面相對的擋板130的一面平坦。擋板130可具有 與基板W對應的半徑。擋板130形成有分配孔131。分配孔131是從擋板130的上面向底 面延長的貫通孔，其均勻的形成於擋板130的各個區域。從等離子體供給部200向處理腔 110內部提供的等離子體通過分配孔131，可均勻地分配於處理腔110內部。
[0060] 排氣環組件140配置於處理腔110內部。排氣環組件140發揮封存等離子體，從 而使其停留於處理空間114的作用，並且還可使產生於工藝過程的煙氣均勻地流動。處理 空間114為位於基板W上部的空間，是經過擋板130的大部分等離子體流入的空間。排氣 環組件140可包括：側部排氣環150和下部排氣環160。
[0061] 側部排氣環150是厚度較薄的圓環狀的板。側部排氣環150的內徑可與卡盤120 的外徑相對應，或者具有大於其的半徑。側部排氣環150位於比卡盤120更高的位置。根 據實施例，可提供多個側部排氣環150,它們互相相對，且沿上下方向發生層疊。側部排氣環 150與相鄰的側部排氣環維持一定的間隔。側部排氣環150可配置於自相鄰於卡盤120的 區域至相鄰於擋板130的區域。側部排氣環150圍繞處理空間114,可發揮使等離子體停留 於處理空間114的作用。
[0062] 側部排氣環150形成有排氣孔151。排氣孔151是從側部排氣環150的上面向底 面配置的貫通孔，其沿著側部排氣環150的周圍均勻地形成。排氣孔151可具有圓形截面。 此外，排氣孔151也可以其他形狀形成。
[0063] 分別形成於側部排氣環150的排氣孔151，可沿上下方向排列於同一直線上。此 夕卜，分別形成於側部排氣環150的排氣孔151也可不沿上下方向排列於同一直線上。並且， 側部排氣環150中的一部分排氣孔151可沿上下方向排列於同一直線上，而其餘排氣孔151 可不沿上下方向排列於同一直線上。
[0064] 下部排氣環160是厚度較薄的圓環狀的板。相比於卡盤120,下部排氣環160可 配置於相同的高度，或者較低的高度。根據實施例，下部排氣環160位於與卡盤120的上面 相應的高度。下部排氣環160具有與卡盤120的外徑相應的內徑，其沿著卡盤120的周圍 而配置。下部排氣環160形成有排氣孔161。排氣孔161是從下部排氣環160的上面向底 面配置的貫通孔，其沿著下部排氣環160的周圍均勻地形成。排氣孔161可具有圓形截面。 此外，排氣孔161也可以其他形狀形成。
[0065] 等離子體供給部200位於處理腔110上部，可由工藝氣體產生等離子體。等離子 體供給部200可包括：反應器210 ;氣體注入埠 220 ;感應線圈230 ;電源240 ;以及氣體供 給部250。
[0066] 反應器250為圓筒狀，上面以及下面開放，內部形成有空間。反應器210的內部形 成有工藝氣體放電的放電空間211。反應器210的下端與密閉蓋115的上端相連，而放電空 間211與誘導空間116相連。在放電空間211中放電的工藝氣體通過誘導空間116流入至 處理腔110內部。
[0067] 反應器210的上端與氣體注入埠 220結合。氣體注入埠 220與氣體供給部 250相連，並流入氣體。氣體注入埠 220的底面形成有誘導空間221。誘導空間211與為 倒置的漏鬥形狀，與放電空間211相通。流入誘導空間221的氣體發生擴散，並流入至放電 空間211。
[0068] 感應線圈230多次沿反應器210的周圍纏繞於反應器210。感應線圈230的一端 與電源240相連，另一端接地。電源240向感應線圈230施加高頻電源或者微波電源。 [0069] 氣體供給部250向放電空間211提供氣體。儲存於氣體儲藏部251的工藝氣體通 過氣體供給管線252提供至放電空間211。
[0070] 工藝氣體可包括選自nh3、o2、n2、h 3、nf3ch4中的一種以上。工藝氣體可進行灰化工 藝。
[0071] 圖3至圖8是放大圖2A的附圖，表示根據本發明多種實施例的排氣環組件。
[0072] 首先，參照圖3,排氣環組件140a包括多個側部排氣環150a和單個下部排氣環 160a。側部排氣環150a可提供4個側部排氣環311、312、313、314。側部排氣環311、312、 313、314的排氣孔321、322、323、324不沿上下方向彼此對齊。並且，側部排氣環311、312、 313、314的排氣孔321、322、323、324也可不與下部排氣環160a的排氣孔161對齊。此時， 側部排氣環311、312、313、314使處理空間114內的等離子體停留的功能提升，故基板處理 率（例如灰化率）也隨之提升。並且，基板W感受到的煙氣的流動速率也減小，因此工藝均 一·I"生提升。
[0073] 參照圖4,與圖3的實施例不同，側部排氣環331、332、333、334的排氣孔341、342、 343、344沿上下方向對齊。並且，側部排氣環331、332、333、334的排氣孔341、342、343、344 也可與下部排氣環160b的排氣孔162對齊。此時，對處理空間114內產生的煙氣的排出效 果優異，煙氣的流動也較均勻。並且，基板W感受到的煙氣的流動速率也減小，因此工藝均 一·I"生提升。
[0074] 參照圖5,側部排氣環150c可根據排氣孔的對其與否區分成多個群組。根據實施 例，側部排氣環150c自下而上為側部排氣環351、352、353、354，其按順序發生層疊。形成於 第1側部排氣環351以及第3側部排氣環353的排氣孔361、363沿上下方向，排列於同一 條直線上，因此被視為同一群組。而形成於第2側部排氣環352以及第4側部排氣環354 的排氣孔362、364沿上下方向，排列於同一條直線上，因此被視為同一群組。而第1排氣環 351以及第3側部排氣環353的排氣孔361、363與第2側部排氣環352以及第4側部排氣 環354的排氣孔362、364不互相對其，因此被視為是不同群組。排氣孔361、362、363、364相 互間不對齊的側部排氣環351、352、353、354可以交替反覆地形式配置。在包含於同一群組 的側部排氣環150c中，煙氣的流動相類似，相反，在包含於不同群組的側部排氣環150c中， 煙氣的流動則以不同的形態發生。此時，不僅側部排氣環150c使等離子體在處理空間內停 留的功能提升，還由於改善了煙氣的流動，其排出效果也將提升。並且，基板W感受到的煙 氣的流動速率減慢，故能提升基板處理均一性。
[0075] 並且，可提供多個下部排氣環160b。下部排氣環160b間隔地，沿上下方向發生層 疊。根據實施例，兩個下部排氣環171U72可環繞於卡盤的周圍。形成於下部排氣環171、 172的排氣孔181U82可沿上下方向，排列於同一條直線上。這些排氣孔181U82可改善煙 氣的流動。
[0076] 與此不同地，圖6的下部排氣環173、174的排氣孔183、184可不沿上下方向，排列 於同一條直線上。
[0077] 如圖7所示，排氣環組件140e可僅由側部排氣環150d構成。根據產生的煙氣的 流動，可不在相比於卡盤120的相同高度的位置或者更低的位置形成排氣環。
[0078] 並且，上述實施例中，僅說明了提供有4個側部排氣環的情況，但如圖8所示，還可 僅提供一個側部排氣環150e。排氣環組件140f可考慮側部排氣環150e使等離子體停留的 性能和所排出煙氣的流動，從而決定側部排氣環150e的數量。
[0079] 圖9是表示根據本發明實施例的基板處理裝置的附圖。
[0080] 參照圖9,基板處理裝置40可配置有電容稱合等離子體（Capacitively Coupled Plasma :CCP)型裝置。基板處理裝置40包括：處理腔510 ;卡盤520 ;下部電極530 ;電源 540 ;擋板550 ;氣體供給部560 ;以及排氣環組件560。
[0081] 處理腔510的內部形成空間。卡盤520在處理腔510的內部支持基板W。卡盤520 的內部配置有下部電極530。下部電極530連接於外部電源540。擋板550位於卡盤520的 上部，其底面與卡盤520的上部相對。擋板550的內部形成緩衝空間551，而底面形成有分 配孔552。擋板550接地，被設置為是上部電極。氣體供給部560連接於擋板550,向緩衝 空間551提供工藝氣體。工藝氣體在緩衝空間551擴散後，通過分配孔552提供至處理腔 510內部的處理空間511。停留於處理空間511的工藝氣體，由於下部電極530施加電力， 通過形成於擋板550和卡盤520之間的電場，被激發為等離子體狀態。
[0082] 排氣環組件570包括側部排氣環610和下部排氣環620。側部排氣環610在比卡 盤520更高的位置環繞處理空間511。相比於卡盤520,下部排氣環620配置於相同高度的 位置，或者更低的位置。排氣環組件570也可與上述圖3至圖8的實施例相同，配置有側部 排氣環和下部排氣環的多種組合。
[0083] 以上的詳細說明僅為例示本發明。並且，上述內容表示本發明的優選實施形態，而 本發明可在多種不同的組合、變更以及環境下使用。即在本說明書中公開的發明的概念範 圍、與上述公開內容等同的範圍以及/或者本領域技術或者知識的範圍內，可進行變更或 者修改。上述實施例是為了體現本發明的技術思想而說明的本發明的最佳狀態，可根據本 發明具體適用領域以及用途，進行所需要的多種變更。因此，以上的發明的詳細說明並不是 以公開的實施狀態限制本發明。並且，應解釋為所附的權利要求書還可包括其他實施狀態。
[0084] 附圖標記
[0085] 1 ： 基板處理設備
[0086] 10 ： 設備前端模塊
[0087] 12: 裝載埠
[0088] 14 ： 框架
[0089] 16 ： 載體
[0090] 18 ： 移送機械手
[0091] 19: 移送軌道
[0092] 20 ： 工藝處理室
[0093] 22： 裝載閉鎖腔
[0094] 24 ： 傳送腔
[0095] 25 ： 本體
[0096] 26 ： 搬送機械臂
[0097] 30,40 ： 基板處理裝置
[0098] 100 ： 工藝處理部
[0099] 110、510: 處理腔
[0100] 111 ： 主體
[0101] 112、151、161、162、181、182、
[0102] 183、184、321、322、323、324、
[0103] 341、342、343、344、361、362、
[0104] 363、364: 排氣孔
[0105] 113 ： 排氣管線
[0106] 114,511 ： 處理空間
[0107] 115 ： 密閉蓋
[0108] 116,221 ： 誘導空間
[0109] 120、520 : 卡盤
[0110] 130、550: 擋板
[0111] 13U552 ： 分配孔
[0112] 140、140a、140e、140f、570 : 排氣環組件
[0113] 150、150a、150c、150d、150e、
[0114] 311、312、313、314、331、332、
[0115] 333,334,610 ： 側部排氣環
[0116] 160、160a、160b、170、171、
[0117] 172、173、174、620 : 下部排氣環
[0118] 200 ： 等離子體供給部
[0119] 210 ： 反應器
[0120] 211 ： 放電空間
[0121] 220 ： 氣體注入埠
[0122] 230 ： 感應線圈
[0123] 240、540: 電源
[0124] 250,560 ： 氣體供給部
[0125] 351 ： 第1側部排氣環
[0126] 352 ： 第2側部排氣環
[0127] 353 ： 第3側部排氣環
[0128] 354 ： 第4側部排氣環
[0129] 530 ： 下部電極
[0130] 551 ： 緩衝空間
[0131] W ： 基板
[0132] X： 第1方向
[0133] Y： 第2方向
【權利要求】
1. 一種基板處理裝置，其特徵在於，包括： 處理腔； 卡盤，其位於所述處理腔的內部，且支持基板； 擋板，與所述卡盤相對地配置於所述卡盤的上部，且形成有可分配提供至所述處理腔 內部的工藝氣體的分配孔；以及 側部排氣環，其位於比所述卡盤更高的位置，環繞經所述分配孔的工藝氣體流入的處 理空間，且其為形成有排氣孔的環狀。
2. 根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特徵在於，多個所述側部排氣環間隔地，沿 上下方向發生層疊。
3. 根據權利要求2所述的基板處理裝置，其特徵在於，所述側部排氣環的排氣孔沿上 下方向，排列於同一條直線上。
4. 根據權利要求2所述的基板處理裝置，其特徵在於，所述側部排氣環的排氣孔不沿 上下方向，排列於同一條直線上。
5. 根據權利要求2所述的基板處理裝置，其特徵在於，所述側部排氣環至少區分為兩 個以上的群組，屬於相同群組的所述側部排氣環的所述排氣孔沿上下方向排列於同一條直 線上，而與屬於其他群組的所述側部排氣環的排氣孔，不沿上下方向，排列於同一條直線 上。
6. 根據權利要求2所述的基板處理裝置，其特徵在於，所述側部排氣環具有自下而上 按順序層疊的第1側部排氣環至第4側部排氣環，所述第1側部排氣環的排氣孔和所述第 3側部排氣環的排氣孔沿上下方向排列於同一條直線上；所述第2側部排氣環的排氣孔和 所述第4側部排氣環的排氣孔沿上下方向排列於同一條直線上；而所述第1側部排氣環的 排氣孔與所述第2側部排氣環的排氣孔可不沿上下方向，排列於同一條直線上。
7. 根據權利要求1至6的任意一項所述的基板處理裝置，其特徵在於，包括：下部排氣 環，相比於所述卡盤，其設置於相同高度的位置或者更低的位置，且其形成有排氣孔。
8. 根據權利要求7所述的基板處理裝置，其特徵在於，至少提供兩個以上的所述下部 排氣環，其彼此間隔地，沿上下方向發生層疊，且所述下部排氣環的排氣孔沿上下方向，排 列於同一條直線上。
9. 根據權利要求7所述的基板處理裝置，其特徵在於，至少提供兩個以上的所述下部 排氣環，其彼此間隔地，沿上下方向發生層疊，所述下部排氣環的排氣孔可不沿上下方向， 排列於同一條直線上。
10. -種基板處理裝置，其特徵在於，其包括： 處理腔，其內部形成有空間； 卡盤，其位於所述處理腔的內部，且支持基板； 等離子體發生部，其具有可產生等離子體的放電空間，可將等離子體提供至所述處理 腔內部； 擋板，其位於所述卡盤的上部，且形成有可分配提供至所述處理腔內部的等離子體的 分配孔；以及 側部排氣環，其位於比所述卡盤更高的位置，環繞通過所述分配孔的等離子體流入的 處理空間，且其為形成有排氣孔的環狀。
11. 根據權利要求10所述的基板處理裝置，其特徵在於，包括：下部排氣環，相比於所 述卡盤，其設置於相同高度的位置或者更低的位置，且其形成有排氣孔。
12. 根據權利要求10或者11所述的基板處理裝置，其特徵在於，提供多個所述側部排 氣環，其彼此間隔地，沿上下方向發生層疊。
13. 根據權利要求12所述的基板處理裝置，其特徵在於，所述側部排氣環的排氣孔沿 上下方向，排列於同一條直線上。
14. 根據權利要求12所述的基板處理裝置，其特徵在於，所述側部排氣環的排氣孔不 沿上下方向，排列於同一條直線上。
15. 根據權利要求11所述的基板處理裝置，其特徵在於，所述側部排氣環的排氣孔和 所述下部排氣環的排氣孔沿上下方向，排列於同一條直線上。
16. 根據權利要求11所述的基板處理裝置，其特徵在於，所述側部排氣環的排氣孔和 所述下部排氣環的排氣孔不沿上下方向，排列於同一條直線上。
17. -種排氣環組件，其特徵在於，包括：側部排氣環，其配置於較放置基板的卡盤更 高的位置，環繞所述卡盤的上部區域，且其為形成有排氣孔的環狀。
18. 根據權利要求17所述的排氣環組件，其特徵在於，進一步包括：下部排氣環，相比 於所述卡盤，其設置於相同高度的位置或者更低的位置，且其為形成有排氣孔的環狀。
19. 根據權利要求17或者18所述的排氣環組件，其特徵在於，提供多個所述側部排氣 環，其彼此間隔地，沿上下方向發生層疊。
20. 根據權利要求19所述的排氣環組件，其特徵在於，所述側部排氣環的排氣孔沿上 下方向，排列於同一條直線上。
21. 根據權利要求19所述的排氣環組件，其特徵在於，所述側部排氣環的排氣孔不沿 上下方向，排列於同一條直線上。
22. 根據權利要求19所述的排氣環組件，其特徵在於，所述側部排氣環至少區分為兩 個以上的群組，屬於相同群組的所述側部排氣環的排氣孔沿上下方向排列於同一條直線 上，而與屬於其他群組的所述側部排氣環的排氣孔，不沿上下方向，排列於同一條直線上。
【文檔編號】H01L21/67GK104124187SQ201410166157
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年4月23日 優先權日:2013年4月23日
【發明者】梁承國 申請人:Psk有限公司