連接部件、接地結構、加熱器以及包括該連接部件的裝置的製作方法

2023-09-23 08:33:15

專利名稱：：連接部件、接地結構、加熱器以及包括該連接部件的裝置的製作方法
技術領域：
：本實用新型的示例性實施方式涉及連接部件、接地結構、加熱器以及包括所述連接部件的用於處理襯底的裝置。更具體地，本實用新型的示例性實施方式涉及用於將接地端連接於接地底座的連接部件、接地結構、加熱器以及包括所述連接部件的用於處理襯底的裝置。
背景技術：
：總的來說，半導體器件可通過用於在半導體襯底上形成電路的製造工藝、用於測試半導體器件的電特性的電管芯篩選(ESD)工藝、以及用於利用環氧樹脂對半導體器件進行封裝並將半導體襯底切割成半導體晶片的封裝工藝製成。製造工藝可包括用於在半導體襯底上形成層的沉積工藝、用於使層平坦的化學機械拋光(CMP)工藝、用於在層上形成光刻圖案的光刻工藝、用於在層上形成的具有電特性的圖案的腐蝕工藝、用於將雜質注入半導體襯底中的離子注入工藝、用於去除半導體襯底上異物的清洗工藝、用於使清洗後的半導體襯底乾燥的乾燥工藝以及用於檢測層或圖案中的缺陷的測試工藝。目前，等離子體增強型化學氣相沉積(PECVD)裝置可廣泛應用於製造工藝中，其可將處理氣體激發為等離子狀態以形成層或圖案。傳統的PECVD裝置可包括處理腔室，處理腔室具有可在其中處理半導體襯底的空間、位於處理腔室中用於加熱半導體襯底的加熱器以及用於將引入到處理腔室中的反應氣體形成等離子體氣體的電極。加熱器可包括加熱塊、構建於加熱塊中的加熱電^l以及構建於加熱塊中的接地結構。第0420693號韓國實用新型登記中公開了該接地結構的一種實施例。圖1示出了傳統的接地結構的透視圖，圖2示出了圖1的接地結構中的傳導片和夾具的透視圖。參照圖1和圖2，接地結構1包括用於夾持接地端20的夾具、以及連接於夾具30和4矣地基座IO之間以形成接地通路的傳導片40。4吏用螺釘50分別將夾具30和傳導片40、以及傳導片40和接地基座10相互固定。然而，由於使用螺釘50將夾具30、傳導片40和接地基座10裝配到一起，因此在夾具30和傳導片40、以及傳導片40和接地基座10之間可能產生接觸不良。因此，在夾具30和傳導片40、以及傳導片40和接地基座IO之間可產生電弧。此外，由於傳導片40是U形的，因此，用於將處理氣體轉化為等離子體的高頻功率可能會集中於傳導片40的彎曲部。因此，集中的高頻功率可能會切割傳導片40的彎曲部。
實用新型內容本實用新型的示例性實施方式提供一種能夠將接地端穩定地連接於接地底座的連接部件。本實用新型的示例性實施方式還提供一種包括上述連接部件的接地結構。本實用新型的示例性實施方式還提供一種包括上述連接部件的加熱器。本實用新型的示例性實施方式還提供一種包括上述連接部件的用於處理襯底的裝置。根據本發明一個方面的連接部件，包括夾持部、固定部和彎曲部。夾持部夾持接地端。固定部固定於接地底座。彎曲部連接於夾持部與固定部之間。彎曲部是彎曲的，用於允許夾持部沿著接地端的長度方向移動。根據一個示例性實施方式，夾持部、固定部和彎曲部可整體形成。根據另一個示例性實施方式，夾持部、固定部和彎曲部可包括基本相同的傳導材料。根據另一個示例性實施方式，夾持部、固定部和彎曲部可具有在其表面部分形成的不平坦部分。根據另一個示例性實施方式，彎曲部可具有平板形狀，貫穿所述平板形狀形成多個孔。此外，彎曲部可具有大約1mm到大約3mm的厚度。此外，彎曲部可具有不平坦的表面。才艮據另一個示例性實施方式，彎曲部與固定部之間、以及彎曲部和夾持部之間的連接部可為圓形形狀。此外，圓形的連4妻部可具有大約0.5mm到大約3mm的半徑。根據另一個示例性實施方式，夾持部可包括兩個平板和彎曲板，所述彎曲板連接於兩個平板之間，以形成用於容納接地端的容納孔。此外，連接部件可包括螺釘，所述螺釘插入板中以將接地端固定於容納孔中。根據本實用新型另一個方面的接地結構，包括接地底座、接地端以及連接部件。接地端可移動地插在接地底座中。連接部件將傳導夾持器電連接於接地底座。此外，根據接地端的熱膨脹，連接部件沿著接地端的長度方向彎曲。根據一個示例性實施方式，連接部件可包括用於夾持接地端的夾持部、固定於接地底座的固定部、以及連接於夾持部和固定部之間的彎曲部。彎曲部是彎曲的，用於允許夾持部沿著接地端的長度方向移動。根據另一個示例性實施方式，接地底座可進一步包括插入在接地底座和夾持部之間的絕緣部件。根據另一個示例性實施方式，接地底座可具有用於容納連接部件的容納空間。此外，容納空間可由絕緣罩蓋覆蓋。根據本實用新型另一方面的接地結構，包括接地底座、接地端、連接部件以及絕緣部件。接地底座具有容納空間。接地端可移動地插在接地底座中，並通過容納空間暴露。連接部件將接地端電連接於接地底座。連接部件包括用於彈性地夾持接地端的夾持部、固定於容納空間的側面的固定部、以及連接於夾持部和固定部之間的彎曲部。夾持部具有平板形狀，貫穿所述平板形狀形成多個孔。彎曲部是彎曲的，用於允許夾持部沿著接地端的長度方向移動。絕糹彖部件插入在接地底座和夾持部之間。根據一個示例性實施方式，接地結構可進一步包括用於覆蓋容納空間的絕緣罩蓋。根據另一個示例性實施方式，夾持部、固定部和彎曲部整體形成。根據另一個示例性實施方式，彎曲部與固定部之間的以及彎曲部和夾持部之間的連接部可為圓形形狀。;f艮據本實用新型另一個方面的加熱器，包括加熱塊、加熱元件、電極、接地底座、接地端以及連接部件。加熱元件構建於加熱塊中。電極構建於加熱塊中。接地底座安裝於加熱塊上。接地端可移動地插在接地底座中。此外，接地端電連接於電極。連接部件將傳導夾持器電連接於接地底座。此外，根據接地端的熱膨脹，連接部件沿著接地端的長度方向彎曲。根據本實用新型另一個方面的用於處理襯底的裝置包括腔室、加熱器、反應氣體提供部件以及上電極。腔室容納襯底。加熱器設置於腔室的下部空間，以加熱襯底。反應氣體提供部件位於腔室的上部空間，以將反應氣體提供到襯底上。上電極設置於腔室中，以由反應氣體形成等離子體。加熱器包括加熱塊、加熱元件、下電極、接地底座、接地端以及連接部件。加熱元件構建於加熱塊內。下電極構建於加熱塊內。接地底座安裝於加熱塊上。接地端可移動地插在接地底座中。此外，接地端電連接於下電極。連接部件將傳導夾持器電連接於接地底座。此外，根據接地端的熱膨脹，連接部件沿著接地端的長度方向彎曲。才艮據本實用新型，連接部件可具有一個主體，以將接地端電連接於接地底座。這樣，由於不會在連接部件的各部件之間產生接觸不良，因此不會產生電弧。此外，彎曲部和固定部之間的以及彎曲部和夾持部之間的連接部可具有圓形形狀。這樣，儘管高頻功率可能會集中於連接部，彎曲部也不會糹皮切割。通過以下結合附圖的詳細描述，本實用新型的上述和其他特徵以及優點將會更加清楚。其中圖1示出了傳統的接地結構的透視圖；圖2示出了圖1的接地結構中的夾具和傳導片的透視圖；圖；；…圖4示出了圖3的接地結構中的連接部件的透視圖；件的透視圖；圖8示出了根據本實用新型的示例性實施方式的加熱器的剖視圖；以及圖9示出了根據本實用新型的示例性實施方式的、用於處理襯底的裝置的透視圖。具體實施方式下文中將參照其中示出本實用新型的實施方式的附圖更加全面地描述本實用新型。然而，可以通過不同的形式實施本實用新型，並且本實用新型不應被解釋為受本文實施方式的限制。相反，提供這些實施方式的目的是使本公開徹底完全，並且將向本領域技術人員充分地傳達本實用新型的範圍。在附圖中，為了清晰起見可能對層和區域的尺寸和相對尺寸進行了放大。應當理解，當談到元件或層"位於"、"連接至"或者"耦合至"另一元件或層上時，其可以直接位於、連接至或者耦合至其他元件或層上，或者可能存在插入的元件或層。相反地，當談到元件"直接位於"、"直接連接至"或者"直接耦合至"另一元件或層上時，則不存在插入的元件或層。全文中相同的標號指代相同的元件。本文中所使用的術語"和/或"包括所列舉的相關項目中的一個或多個的任意組合和全部組合。應當理解，雖然術語第一、第二等在本文中可以用來描述各種元件、組件、區域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區域、層和/或部分不應局限於這些項目。這些術語僅用來將一個元件、組件、區域、層和/或部分與另一個區域、層或部分區分開。因而，下文中討論的第一元件、組件、區域、層或部分也可稱作第二元件、組件、區域、層或部分，而不背離本實用新型的教導。本文中可以^使用空間上相對的術語，例如"在......之下"、"在.......下方"、"下方"、"上方"、"上部"等，以便於描述附圖中所示的一個元件或特徵與其他元件或特徵的相對關係。應當理解，空間上相對的術語旨在包含設備在使用或操作時除了附圖中所描述的定位之外的不同定位。例如，如果附圖中的設備翻轉，被描述成"在其他元件或特徵下方"或"在其他元件或特徵之下"的元件將被定向成"位於其他元件或特徵上方"。因而，示例性的術語"在......下方"能夠包含上方方向和下方方向。所述設備可以其他方式定向(轉動90度或處於其他方位)，從而相應地解釋本文中使用的空間上相對的描述語。本文使用的術語僅旨在描述特定的實施方式而非限制本實用新型。當用在本文中時，單數形式的"a"、"an"和"the"也旨在包括複數形式，除非上下文中另有明確說明。還可進一步理解，當在本說明書中使用時，術語"包括"(includes和/或including)表示存在所述的特徵、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但是並不排除存在或附加有一個或多個其它特徵、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其組合。除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)與本實用新型所屬領域的普通技術人員通常所理解的含義相同。進一步還可以理解，諸如常用字典中所定義的那些術語應該被解釋為具有與其相關領域中含義相一致的含義，並且除非本文明確地定義，不能以理想化或過於正規的方式對其進行解釋。接地結構圖3是示出根據本實用新型的示例性實施方式的接地結構的透牙見圖。參照圖3，此示例性實施方式中的接地結構100包括接地底座110、接地端120、連接部件130、絕緣部件140以及罩蓋150。接地底座110可具有圓柱形的形狀。在此示例性實施方式中，接地底座110可包括例如鋁的傳導材料。接地底座IIO具有容納空間112和第一孔114。容納空間112形成在接地底座110的側面。容納空間112通過才妾地底座110的上表面暴露。在該示例性實施方式中，容納空間112可具有四分之一圓形的截面。此外，連接至容納空間112的第二孔(未示出)可穿過接地底座IIO垂直地形成。第一孔114穿過接地底座IIO垂直地形成。加熱器(未示出)的加熱元件(未示出)以及用於向電極(未示出)供應電流的電纜(未示出)容納於第一孔114中。接地端120插入所述第二孔中。第二孔中的4妻地端120伸入容納空間112中。在該示例性實施方式中，接地端120的直徑可小於第二孔的直徑。這樣，接地端120穿過所述第二孔、沿垂直方向可移動地;故置。接地端120可包括4^。進一步，接地端120可通過銅焊接工藝連接至加熱器的電極(未示出)。連接部件130位於容納空間112中。連接部件130將接地底座110電連接於接地端120。圖4是示出圖3的接地結構中的連接部件的透視圖。參照圖3和圖4，連"l妻部件130包括夾持部132、固定部134、彎曲部136、第一螺釘138以及第二螺釘139。夾持部132位於容納空間112中。夾持部132可具有薄的彈性板。夾持部132可為中間部彎曲的U形。在此示例性實施方式中，夾持部132包括兩個垂直^反132a和132b、以及彎曲豐反132c。兩個垂直板132a和132b分別具有第一螺釘孔132e。彎曲板132c連接於垂直板132a和132b的側面之間，以4吏垂直板132a和132b相互連接。彎曲板132c形成用於容納接地端120的容納孔132d。這樣，容納孔132d可具有與接地端120的直徑基本相同的直徑。因此，夾持部132包圍容納於容納孔132d內的接地端的外表面。第一螺釘138通過第一螺4丁孔132e固定兩個垂直板132a和132b。這樣，夾持部132固定接地端120。此外，夾持部132的內表面與接地端120的外表面緊密4妻觸。這樣，由於接地端120的上直徑大於夾持部132的容納孔132d的直徑，因此，不鬆開第一螺釘138，接地端120就不會從夾持部132脫離。固定部134位於容納空間112中。固定部134與接地底座IIO接觸。這樣，由於固定部134具有垂直平板的形狀，因此擴大了固定部134和接地底座110之間的接觸面積。此外，固定部134具有第二螺釘孔134a。第二螺釘139通過第二螺釘孔134a將固定部134和接地底座110彼此固定。這樣，固定部134與接地底座110緊密接觸。彎曲部136連接於夾持部132和固定部134之間。在此示例性實施方式中，彎曲部136可將夾持部132中的兩個垂直板132a和132b的上端中的任意一個連4妄於固定部134的上端。例如，彎曲部136可具有平板形狀，貫穿所述平板形成多個第三孔136a。此外，第三孔136a可具有各種形狀，例如四邊形、圓形、橢圓性等。這樣，由於彎曲部136具有第三孔136a,因此彎曲部136可容易地彎曲。作為一種選才奪，彎曲部136可具有沒有孔的平板形狀。在此示例性實施方式中，彎曲部136可具有大約1mm到大約3mm的厚度。當用於將反應氣體轉化為等離子體的高頻功率施加於彎曲部136時，彎曲部136的厚度可向彎曲部136提供耐久性。此外，彎曲部136是彎曲的，從而使得在接地端120熱膨脹的情況下，夾持住接地端120的夾持部132沿著4妄地端120的長度方向移動。此外，如上所述，由於夾持部132在縱向方向上移動，因此限制了由於加熱器的高溫而引起的接地端120的熱膨脹。因此，不會切割焊接於加熱器的接地端120。此處，當彎曲部136的厚度小於約1mm時，彎曲部136可能會由於高頻功率而斷裂。反之，當彎曲部136的厚度大於約3mm時，彎曲部136將不容易彎曲。此外，彎曲部136和固定部134之間以及彎曲部136和夾持部132之間的連接部可具有圓形的形狀。這樣，高頻功率可集中在連接部上。因此，圓形的連接部可具有厚的厚度，以允許連接部承受高頻功率。在此示例性實施方式中，圓形的連接部可具有大約0.5mm到大約3mm的半徑R。此處，當半徑R小於大約0.5mm時，連接部可能會由於高頻功率而斷裂。反之，當半徑大於大約3mm時，彎曲部136可能會因為連接部太厚而不容易彎曲。在此示例性實施方式中，夾持部132、固定部134和彎曲部136可具有不平坦的表面。夾持部132、固定部134和彎曲部136的不平坦的表面可用於增加連4妄部件130的表面面積。高頻功率通過連接部件130的表面傳輸。高頻功率的傳輸路徑與連接部件130的表面面積的增加成比例地變大。因此，高頻功率可分散地傳輸，由此連接部件130可不被損壞，從而延長連接部件130的使用壽命。可通過珠光處理工藝、噴沙工藝、化學蝕刻工藝等形成連接部件130的不平坦的表面。作為一種選擇，高頻功率可通過彎曲部136傳輸。這樣，不平坦的部分可僅在彎曲部136的表面形成。因此，高頻功率可分散地傳輸，由此彎曲部136可不被損壞，從而延長連接部件130的使用壽命。此外，夾持部132、固定部134和彎曲部136可整體形成。這樣，在夾持部132和彎曲部136之間以及固定部B4和彎曲部136之間不會產生接觸不良，以使得不會產生電弧。在此示例性實施方式中，夾持部132、固定部134以及彎曲部136可包括基本相同的傳導材料。傳導材料的示例可包括鈹(Be)、銅(Cu)及其合金等。部件的剖視圖。除了彎曲部的連接部之外，圖5至圖7中的連接部件130包括與圖3中的連接部件130基本相同的元件。因此，相同的附圖標號指代相同的元件，並且為了簡便起見，在此略去對這些相同元件的進一步說明。參照圖5,彎曲部136將夾持部132的兩個板132a和132b的下端中的任何一個連接於固定部134的下端。參照圖6，彎曲部136將夾持部132的兩個4反132a和132b的前端中的任^f可一個連^妻於固定部134的前端。參照圖7，彎曲部136將夾持部132的兩個板132a和132b的中間端面中的任何一個連接於固定部134的中間端面。再次參照圖3和圖4，將絕緣部件140插入接地底座110和連接部件130的夾持部132之間，以使接地底座IIO與夾持部132電絕緣。絕緣部件140包括第一絕緣體142和第二絕緣體144。第一絕緣體142設置於接地底座IIO的側面和夾持部132之間，即，位於容納空間112的側面。第二絕緣體144設置於接地底座的底面和夾持部132之間，即，位於容納空間112的底面。罩蓋150覆蓋容納空間112。罩蓋150防止接地端120和連接部件130暴露於外部。在此示例性實施方式中，罩蓋150可包括絕緣材料。這樣，在接地端120和罩蓋150之間以及連接部件130和罩蓋150之間不會產生電弧。根據此示例性實施方式，第一螺釘138固定夾持部132，以使夾持部132與接地端120緊密接觸。這樣，在接地端120和連接部件130之間就不會產生電弧。此外，由於夾持部132、固定部134和彎曲部136整體形成，因此也不會出現由於夾持部132和彎曲部136之間以及固定部134和彎曲部136之間的接觸不良而產生的電弧。此外，由於彎曲部136的存在，夾持部132可容易地沿垂直方向移動，以使接地端120的熱膨脹不會受到限制。這樣，接地端120就不會^皮切割。此外，夾持部132和彎曲部136之間以及固定部134和彎曲部136之間的連接部可具有圓形的形狀。這樣，儘管高頻功率就集中於連接部，但是彎曲部136不會被切割。加熱器圖8是示出根據本實用新型一個示例性實施方式的加熱器的剖視圖。參照圖8,該示例性實施方式的加熱器200包括加熱塊210、加熱元件220、電極230和接地結構100。加熱塊210包括其上放置有半導體襯底的圓形板，以及連接至圓形板的下部中心部分的垂直杆。在此示例性實施方式中，加熱塊210可包括陶瓷。陶瓷的實施例可包括A1203、Y203、A1203/Y203、Zr02、A1C、TiN、A1N、TiC、MgO、CaO、Ce02、Ti02、BxCy、BN、Si02、SiC、YAG、莫來石、A1F3等，以上材料可單獨使用或以組合的形式使用。加熱元件220構建於加熱塊210中。在此示例性實施方式中，力口熱元件220可以同心圓模式設置於加熱塊210的圓形板內。加熱塊220產生用於加熱半導體襯底的熱量。加熱塊220可包括金屬。所述金屬的示例可包括鴒(W)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、其合金、鐵鉻(Fe-Cr)合金、鎳鉻(Ni-Cr)合金等。電極230構建於加熱塊210中。例如，電極230可連接於高頻電源。這樣，電極230可將用於處理半導體襯底的等離子體引導到半導體襯底上。作為一種選擇，電極230可連接於直流(DC)電源。這樣，電極230可產生靜電，用於固定半導體村底。接地結構100包括接地底座、接地端、連接部件以及罩蓋。這裡，接地結構IOO與圖3至圖7中的接地結構基本相同。因此，為了筒便起見，在此略去對接地結構的任何進一步說明。接地結構100的接地底座安裝於加熱塊210的垂直杆的下端。接地結構100的接地端電連接於電極230。用於處理襯底的裝置圖9是示出根據本實用新型的一個示例性實施方式的、用於處理襯底的裝置的剖視圖。參照圖9，該示例性實施方式的裝置300包括腔室310、氣體提供部件320、噴射頭330、上電極340以及加熱器200。腔室310具有裝載和處理半導體襯底的空間。氣體提供部件320連接於腔室310的上表面。氣體提供部件320向腔室310中提供用於處理半導體襯底的反應氣體。噴射頭330設置於腔室310的上部空間。噴射頭330向半導體襯底均勻地提供反應氣體。上電極340連接於噴射頭330。上電極340向反應氣體施加高電壓，以將反應氣體轉化為等離子體。加熱器200包括加熱塊、加熱元件、下電極以及接地結構。這裡，加熱器200與圖8中的加熱器基本相同。因此，為了簡便起見，在此略去對加熱器200的任何進一步說明。加熱器200設置於腔室310的下部空間。半導體襯底設置於加熱器200的加熱塊上。根據彎曲部的厚度評估連接部件表1tableseeoriginaldocumentpage17如表l所示，將200W、500W、1,000W、1,500W、2,000W、2，500W和3,000W的高頻功率電平施加於彎曲部厚度改變的電極。當對彎曲部厚度為0.5mm的電極施加不小於3，000W的高頻功率電平時，彎曲部被切割。此外，當對彎曲部厚度為3.5mm的電極施加不小於2,500W的高頻功率電平時，當接地端熱膨脹時，彎曲部不彎曲，從而使得接地端彎曲。當對彎曲部厚度為4mm的電極施加不小於1，500W的高頻功率電平時，彎曲部和接地端損壞。因此，應該注意到，彎曲部的厚度有利地為大約1mm到大約3mm。具有上述厚度的彎曲部不會由於高頻功率而損壞。此外，彎曲部可容易地彎曲，以使接地端不會損壞。根據圓形連接部的半徑評估連接部件表2tableseeoriginaldocumentpage18如表2所示，將200W、500W、1,000W、1,500W、2,000W、2,500W和3,000W的高頻功率電平施加於圓形連接部的半徑改變的電極。此處，彎曲部具有2mm到2.5mm的厚度。當對連接部半徑為0mm(即，連接部不具有圓形形狀)的電極施加不小於1，500W的高頻功率電平時，高頻功率集中於連接部，從而彎曲部被切割。此外，當對連接部半徑為3.5mm或4.0mm的電極施加不小於3,000W的高頻功率電平時，當接地端熱膨脹時，彎曲部不彎曲，從而^f吏得接地端彎曲。因此，應該注意到，連接部的半徑有利地為大約0.5mm到大約3mm。具有上述半徑的連接部不會由於高頻功率而損壞。此外，彎曲部可容易地彎曲，以使接地端不會損壞。根據本實用新型，在用於將接地端連接於接地底座的連接部件處，不會產生電弧，以使連接部不會損壞。因此，接地結構、加熱器以及包括連接部件的用於處理村底的裝置不會損壞，從而具有長的使用壽命。雖然已經描述了本實用新型的優選實施方式，但是應當注意本領域技術人員可以根據上述教導進行各種變化和修改。因此，應當理解，在不偏離所附權利要求所限定的本實用新型的範圍和精神的情況下，可以對已公開的本實用新型的特定實施方式進行變化。權利要求1.接地結構的連接部件，包括夾持部，用於夾持所述接地結構的接地端；固定部，其固定於所述接地結構的接地底座；以及彎曲部，其連接於所述夾持部和所述固定部之間，所述彎曲部是彎曲的，用於允許所述夾持部沿著所述接地端的長度方向移動。2.如權利要求1所述的連接部件，其中，所述夾持部、所述固定部和所述彎曲部整體形成。3.如權利要求1所述的連接部件，其中，所述夾持部、所述固定部和所述彎曲部包括基本相同的傳導材料。4.如權利要求1所述的連接部件，其中，所述夾持部、所述固定部和所述彎曲部分別具有不平坦的表面。5.如權利要求1所述的連接部件，其中，所述彎曲部具有平板形狀，貫穿所述平板形狀形成有多個孔。6.如權利要求1所述的連接部件，其中，所述彎曲部的厚度為大約1mm到大約3mm。7.如權利要求1所述的連接部件，其中，所述彎曲部具有不平坦的表面。8.如權利要求1所述的連接部件，其中，所述彎曲部和所述夾持部之間、以及所述彎曲部和所述固定部之間的連接部具有圓形形狀。9.如權利要求8所述的連接部件，其中，所述圓形連接部的半徑為大約0.5mm到約3mm。10.如權利要求1所述的連接部件，其中，所述夾持部包括兩個平一反；以及彎曲板，其連接於所述平板之間，以形成用於容納所述接地端的容納孔。11.如權利要求IO所述的連接部件，其中，所述夾持部進一步包括螺釘，其插入到所述平板中以固定所述接地端。12.—種接地結構，包括接地底座；接地端，其可移動地插在所述接地底座中；以及連接部件，其用於夾持所述接地端，以將所述接地端電連接於所述接地底座，根據所述接地端的熱膨脹，所述連接部件沿著所述接地端的長度方向彎曲。13.如權利要求12所述的接地結構，其中，所述連接部件包括夾持部，用於夾持所述接地端；固定部，其固定於所述接地底座；以及彎曲部，其連接於所述夾持部和所述固定部之間，所述彎曲部是彎曲的，用於允許所述夾持部沿著所述接地端的長度方向移動。14.如權利要求13所述的接地結構，其中，所述連接部件進一步包括絕緣部件，所述絕緣部件插入所述接地底座和所述夾持部之間。15.如權利要求12所述的接地結構，其中，所述接地底座具有用於容納所述連"l妄部件的容納空間。16.如權利要求15所述的接地結構，進一步包括用於覆蓋所述容納空間的絕緣罩蓋。17.—種接地結構，包括具有容納空間的接地底座；接地端，其可移動地插在所述接地底座中，並通過所述容納空間暴露;連接部件，其電連接於所述接地端和所述接地底座之間，所述連接部件包括用於彈性夾持所述接地端的夾持部、固定於所述容納空間側面的固定部、以及連接於所述夾持部和所述固定部之間的彎曲部，所述彎曲部是彎曲的，用於允許所述夾持部沿著所述接地端的長度方向移動；以及絕緣部件，其插入於所述接地底座和所述夾持部之間。18.如權利要求17所述的接地結構，進一步包括用於覆蓋所述容納空間的絕緣罩蓋。19.如權利要求17所述的接地結構，其中，所述夾持部、所述固定部和所述彎曲部整體形成。20.如權利要求17所述的接地結構，其中，所述彎曲部和所述夾持部之間、以及所述彎曲部和所述固定部之間的連接部具有圓形形狀。21.—種加熱器，包括力口熱塊；加熱元件，其構建於所述加熱塊中；電極，其構建於所述加熱塊中；接地底座，其安裝於所述加熱塊上；接地端，其可移動地插在所述接地底座中，並連接於所述電極；以及連接部件，用於夾持所述接地端，以將所述接地端連接於所述接地底座，根據所述接地端的熱膨脹，所述連接部件沿著所述接地端的長度方向彎曲。22.用於處理襯底的裝置，包括腔室，用於容納所述襯底；加熱器，-沒置於所述腔室的下部空間，以加熱所述襯底；氣體提供部件，設置於所述腔室的上部空間，以向所述襯底提供反應氣體；以及上電極，設置在所述腔室中，以由所述反應氣體形成等離子體；其中，所述加熱器包括加熱塊、構建於所述加熱塊中的加熱元件、構建於所述加熱塊中的電極、安裝在所述加熱塊上的接地底座、可移動地插在所述接地底座中並與所述電極連接的接地端、以及用於夾持所述接地端以將所述接地端連接於所述接地底座的連接部件，根據所述接地端的熱膨脹，所述連接部件沿著所述接地端的長度方向彎曲。專利摘要一種接地結構，包括接地底座、接地端和連接部件。接地端可移動地插在接地底座中。連接部件將傳導夾持器電連接於接地底座。此外，根據接地端的熱膨脹，連接部件沿著接地端的長度方向彎曲。連接部件可包括用於夾持接地端的夾持部、固定於接地底座的固定部、以及連接於夾持部和固定部之間的彎曲部。彎曲部是彎曲的，用於允許夾持部沿著接地端的長度方向移動。文檔編號H01R4/42GK201171088SQ200720306529公開日2008年12月24日申請日期2007年12月19日優先權日2007年10月25日發明者崔在夏,崔正德,李盛玟申請人:高美科株式會社