具有電池的半導體器件的製作方法
2023-10-07 06:58:59
專利名稱：具有電池的半導體器件的製作方法
技術領域：
本發明涉及半導體器件，更具體涉及引入有改進性能的小型微電池的封裝。
背景技術：
使用半導體器件的電子設備的多功能和小型化要求存儲器件的高集成度和高速度。存儲器件通常被分為易失性存儲器件和非易失性存儲器件。易失性存儲器件當它們的電源被切斷時丟失存儲數據，而非易失性存儲器件即使當它們的電源被切斷時繼續存儲它們的數據。
易失性存儲器件還可以被分為DRAM(動態隨機存取存儲器)和SRAM(靜態隨機存取存儲器)。在非易失性存儲器件當中，廣泛地使用快閃記憶體。數據可以容易地刪除或寫入快閃記憶體。但是，快閃記憶體被限制數據可以被寫入和擦除的次數，以及與DRAM和SRAM相比，其工作速度相對緩慢。
SRAM與DRAM相比通常具有快速的運行速度和低功耗，但是它具有不利於高集成度的結構。
DRAM被廣泛地用於各種電子設備，因為它具有比快閃記憶體件更快的運行速度，以及比SRAM更高的集成度。DRAM的存儲單元由電晶體和電容器構成。
因為種種原因，DRAM的電容器中存儲的電荷慢慢地洩漏，以致超過延長的時間周期，DRAM的存儲單元中存儲的數據最終可能消失。由此，DRAM需要用於保持其存儲數據的刷新操作。因此，由於該刷新操作的需要，與SRAM相比，DRAM具有較高的功率消耗。
SRAM需要約10μA的維持電流，以及DRAM需要約200μA的維持電流。
為了更快的運行速度和較長的數據保持，已經研究了偽非易失性存儲器。
在實現偽非易失性存儲器中，當主電源被切斷時，通過使用微電池(micro battery)，輔助電源可以被連續地提供給易失性存儲器件。在此情況下，微電池應該小到它不阻止電子設備的小型化，以及它應該具有能提供數據保持需要的輔助電源的足夠功率容量。
存儲晶片可以被連接到封裝內薄膜電池組。該薄膜電池可以被布置在PCB板上，以及在該薄膜電池上可以布置存儲晶片。該薄膜電池可以通過鍵合引線，連接在存儲晶片上的鍵合焊盤和PCB板上的電路之間。在此情況下，鍵合引線可以較長，以進行該連接。以及，較長的鍵合引線可能導致電性能的損壞，如較高的電阻。
在Kihara Yuji的、名稱為″Semiconductor memory device″的日本特開公開號2005-18825A中，公開了用於實現偽非易失性存儲器的其他技術(此後Kihara)。
根據Kihara，易失性存儲器和第二電池組被並聯連接。當主電源被切斷時，第二電池組提供電源到易失性存儲器，以保持易失性存儲器中存儲的數據。但是，需要一種用於有效地布置易失性存儲器和第二電池組的改進技術。
發明內容
根據本發明的實施例，一種偽非易失性存儲器件，包括，具有鍵合焊盤的DRAM晶片。該DRAM晶片可以被連接到框架。該框架具有對應於該鍵合焊盤的外部連接端子。為了將外部連接端子電連接到該鍵合焊盤，可以設置布線。鍵合焊盤和布線用密封劑覆蓋。在DRAM晶片之上可以設置微電池。該微電池可以提供電源到DRAM晶片。
根據本發明的某些實施例，微電池小於組合的框架、DRAM晶片和密封劑的尺寸。該微電池可以包括具有多個穿通孔的第一集電極；覆蓋穿通孔的內壁和第一集電極的至少一部分的第一活性材料層；與第一活性材料層相對的第二活性材料層；以及在第一活性材料層和第二活性材料層之間插入的電解質層。第二活性材料層可以填充該穿通孔。第一活性材料層可以覆蓋第一集電極的兩個相對側面。
根據本發明的另一實施例，該偽非易失性存儲器件包括電連接到第一集電極的第一連接器，以及電連接到第二活性材料層的第二連接器。
根據本發明的再一實施例，該微電池被布置在密封劑內。
根據本發明的再一實施例，半導體封裝引入包括半導體晶片的微電池，該半導體晶片具有鍵合焊盤。該半導體晶片可以被連接到框架。框架具有對應於每個鍵合焊盤的外部連接端子。為了將每個鍵合焊盤電連接到每個外部連接端子，可以設置布線。鍵合焊盤和布線用密封劑覆蓋。在半導體晶片之上可以設置微電池。該微電池可以提供電源到半導體晶片。該微電池可以包括具有多個穿通孔的第一集電極；覆蓋穿通孔的內壁和第一集電極的至少一部分的第一活性材料層；與第一活性材料層相對的第二活性材料層；以及在第一活性材料層和第二活性材料層之間插入的電解質層。
根據本發明的某些實施例，該半導體晶片包括易失性存儲單元。
根據本發明的再一實施例，第一集電極包括選自由鎳、鋁、鉑、銅和SUS構成的組的一種材料。
根據本發明的再一實施例，如果第一集電極包括選自由鎳和SUS構成的組的一種材料，那麼第一活性材料層包括選自由Li、石墨LiC、Al、LiAl、Si、LiSi、Sn和LiSn構成的組的材料。以此方式，第二活性材料層包括選自由LiCoO、LiNiO、LiMnO和a-VO構成的組的材料。
根據本發明的再一實施例，電解質層包括LiPON或LiBO。
某些實施例提供接觸第二活性材料層的第二集電極。
下面相對於附圖中所示的幾個實施例描述本發明。在附圖中，相同的參考數字始終表示相同的示例性元件、組件或步驟，為了清楚層的厚度可以被放大。
圖1是說明根據例子實施例的微電池的透視圖。
圖2是圖1的區域B的透視圖。
圖3和4示出了根據例子實施例的部分微電池的透視圖。
圖5是沿圖1的線I-I′的剖面圖。
圖6至8是沿圖1的線II-II′的剖面圖。
圖9是說明根據例子實施例引入微電池的半導體封裝結構的剖面圖。
圖10是沿圖9的線III-III′的剖面圖。
圖11至圖13是說明根據另一例子實施例引入電池的半導體封裝的剖面圖。
具體實施例方式
下面參考相應的附圖詳細描述本發明的示例性實施例。這些實施例被提出作為教導例子。本發明的實際的範圍被隨後的權利要求限定。
參考圖1至3，設置第一集電極21和外殼11。第一集電極21可以用活性材料層23覆蓋。在第一集電極21上也可以形成電解質層24。隨後，在電解質層24上可以設置第二活性材料層25。電池單元27可以包括第一活性材料層23、電解質層24以及第二活性材料層25的疊層。第二活性材料層25接觸第二集電極19。在外殼11內可以平行布置多個第一集電極21。在多個第一集電極21之間可以布置隔板17。多個第一集電極2 1的每一個可以用電池單元27覆蓋。亦即，多個第一集電極21的每一個可以分別用第一活性材料層23、電解質層24和第二活性材料層25覆蓋。在此情況下，第二集電極19可以延伸以接觸多個第二活性材料層25的每一個。每個第一集電極21可以通過電極板18互相連接。隔板17包括絕緣材料。在某些實施例中，隔板17可以被省略。
在外殼11中分開地布置正電極端子13和負電極端子15。在外殼11內布置第一集電極21和第二集電極19。第一集電極21和第二集電極19可以用作導管，以運載電池單元27的電流。第一集電極21可以通過電極板18電連接到正電極端子13。以及，第二集電極19可以被電連接到負電極端子15。相反，第一集電極21可以通過電極板18電連接到負電極端子15，以及第二集電極19可以被電連接到正電極端子13。
參考圖1和4，穿通孔30穿過第一集電極21。第一集電極21可以包括選自由鎳、鋁、鉑、銅和SUS構成的組的一種材料。第一集電極21可以是具有約1μm至200μm厚度的導電薄膜。穿通孔30可以是具有約1μm至50μm直徑的圓形。穿通孔30也可以是矩形或多邊形。穿通孔30可以沿水平和垂直方向被布置在兩個方向上。穿通孔30可以具有約15μm直徑，例如，以及被整齊地布置在具有約80μm厚度的第一集電極21中。相反，可以用各種尺寸不規則地布置穿通孔30。
參考圖1和5，第一集電極21的側壁可以接觸電極板18。電極板18可以包括導電材料。第一集電極21的另一側壁可以用第一活性材料層23覆蓋。亦即，第一活性材料層23可以覆蓋與電極板18相對的第一集電極21的端部以及第一集電極21的兩個側壁。
在第一活性材料層23上可以層疊電解質層24和第二活性材料層25。第二活性材料層25可以接觸第二集電極19。如圖所示，根據一個實施例的微微電池10可以設置互相併行布置的多個集電極21。第二集電極19和電極板18也可以互相併行布置。
第一活性材料層23、電解質層24以及第二活性材料層25每個可以具有約0.1μm至5μm的厚度。第一活性材料層23、電解質層24以及第二活性材料層25每個可以具有約3μm的厚度，例如。
參考圖1和6，在穿通孔30的內壁上可以層疊第一活性材料層23、電解質層24以及第二活性材料層25。在此情況下，第一活性材料層23可以接觸第一集電極21，以及第二活性材料層25可以填充穿通孔30。在第一活性材料層23和第二活性材料層25之間可以插入電解質層24。
結果，第一活性材料層23可以覆蓋第一集電極21的側壁和穿通孔30的內壁。第二活性材料層25可以被布置為基本上平行於第一活性材料層23，在其間具有插入的第一電解質層24。
第一活性材料層23可以是陰極或陽極。如果第一活性材料層23是陰極，那麼第二活性材料層25可以是陽極。或，如果第一活性材料層23是陽極，那麼第二活性材料層25可以是陰極。電解質層24可以包括LiPON或LiBO。
如果第一活性材料層23是陰極，那麼第一活性材料層23可以包括選自由LiCoO2、LiNiO2、LiNiO2和a-V2O5構成的組的材料。a-V2O5意味著非晶的V2O5。在此情況下，第二活性材料層25可以包括選自由Li、石墨LiC6、Al、LiAl、Si、Li2Si、Li4Si、Sn和Li22Sn5構成的組的一種材料。
此外，如果第一活性材料層23是陰極，那麼第一集電極21可以包括選自由鎳、鋁和鉑構成的組的材料。在此情況下，第二集電極19可以包括選自由銅和SUS構成的組的材料。
相反，如果第一活性材料層23是陽極，那麼第一活性材料層23可以包括選自由Li、石墨LiC6、Al、LiAl、Si、Li2Si、Li4Si、Sn和Li22Sn5構成的組的一種材料。在此情況下，第二活性材料層25可以包括選自由LiCoO2、LiNiO2、LiNiO2和a-V2O5構成的組的一種材料。
此外，如果第一活性材料層23是陽極，那麼第一集電極21可以包括選自由銅和SUS構成的組的材料。在此情況下，第二集電極19可以包括選自由鎳、鋁和白金構成的組的材料。
表1示出了被用作陰極或陽極的各種材料的電容量。
表1所使用材料的電容
如表1所示，第一活性材料層23或第二活性材料層25中使用的材料具有不同的電容量。此外，電池單元27的電容量可以與第一活性材料層23或第二活性材料層25或兩者的體積成正比。第一活性材料層23或第二活性材料層25中使用的材料通常具有比第一集電極21或第二集電極19二者之一更低的導電性。因此，擴大第一集電極21和第一活性材料層23之間的接觸面積以增加微電池10的容量可能是有利的。
如上所述，根據本實施例的微電池10可以設置包括孔30的第一集電極21。第一活性材料層23可以覆蓋第一集電極21的側壁，以及延伸覆蓋第一集電極21的穿通孔30的內壁。因此，通過利用孔內壁的表面面積可以顯著地增加第一集電極21和第一活性材料層23之間的接觸面積，以致與常規技術相比，可以增加微電池10的電容量。因此，微電池10可以具有相對小的尺寸，同時具有大容量。
參考圖1和7，第二集電極19可以延伸覆蓋第一集電極21的側壁。
為了獲得具有大容量的微電池，可以通過，例如，延長第一集電極21之間的第二集電極19和圍繞第一集電極21的端部上的第一集電極21的拐角，增加第二集電極19和第二活性材料層25之間的接觸面積。電池單元27可以被布置在第一集電極21和第二集電極19之間。在此情況下，第一活性材料層23可以接觸第一集電極21，以及第二活性材料層25可以接觸第二集電極19。因此，可以增加第二活性材料層25和第二集電極19之間的接觸面積。隔板17可以被省略。
圖6所示的隔板17可以被省略，如圖8所示，以減小微電池的尺寸。
圖9是說明根據例子實施例引入微電池的半導體封裝的結構的部分透視圖。圖10是沿圖9的線III-III′的剖面圖。
參考圖9和10，半導體封裝可以包括框架51、半導體晶片60、微電池10以及密封劑59。引入微電池10的半導體封裝可以是，例如，FBGA(小間距球柵陣列)。
框架51可以是PCB(印刷電路板)或PI(聚醯亞胺)板。PI板與PCB相比具有較柔軟的特性。框架51可以包括連接到外部電路的導電球52。導電球52可以沿水平和垂直方向被布置在二維空間中。導電球52可以是焊球。
框架51可以包括外部連接端子57和58。外部連接端子57和58可以被布置在框架51的任何一個側面上。外部連接端子57和58可以被電連接到導電球52之一。
該半導體晶片60可以被連接到框架51。在框架51和半導體晶片60之間可以插入晶片粘合劑55。晶片粘合劑55可以將半導體晶片60固定在框架51上。半導體晶片60可以包括諸如DRAM單元的存儲單元。
此外，半導體晶片60可以包括鍵合焊盤53和54。通過布線63和64，鍵合焊盤53和54可以被電連接到外部連接端子57和58。布線63和64可以是金或鋁線。第一鍵合焊盤53可以通過第一布線63連接到外部連接端子57，以及第二鍵合焊盤54可以通過第二布線64連接到第二外部連接端子58。例如，第一鍵合焊盤53可以是Vdd端子，以及第二鍵合焊盤可以是Vss端子。
在半導體晶片60上可以布置微電池10。在微電池10和半導體晶片60之間可以插入電池粘合劑69。電池粘合劑69可以將微電池10固定到半導體晶片60。電池粘合劑69包括絕緣材料。
如圖1至8所示，微電池10可以包括第一集電極21、第一活性材料層23、電解質層24、第二活性材料層25以及第二集電極19。
微電池10可以通過第一連接器67和第二連接器68電連接到外部連接端子57和58。第一連接器67和第二連接器68也可以是Au或鋁線。第一外部連接端子57可以通過第一連接器67電連接到正電極端子13。此外，第一外部連接端子57可以通過第一連接器67直接連接到第一集電極21或第二集電極19。第二外部連接端子58可以通過第二連接器58電連接到負電極端子15。第二外部連接端子58可以通過第二連接器68直接連接到第二集電極21或第二集電極19。
在框架51上可以設置密封劑59。密封劑59可以是環氧樹脂模製複合物。密封劑59可以覆蓋微電池10、半導體晶片60、第一連接器67、第二連接器68、布線63和64、鍵合焊盤53和54以及外部連接端子57和58。微電池10可以具有比框架51、半導體晶片60和密封劑59的每一個更小的尺寸。
微電池10可以提供電源到半導體晶片60。半導體晶片60可以包括諸如DRAM單元的易失性存儲單元。半導體晶片60可以是，例如，DRAM晶片或SRAM晶片。當從易失性存儲器件單元切斷主電源的供電時，微電池10可以提供輔助電源，用於保持易失性存儲單元中存儲的數據。
另一方面，具有常規薄膜電池的半導體封裝通常具有薄膜電池上的半導體晶片的結構。在此情況下，必須取決於薄膜電池的尺寸相對延長將半導體晶片連接到外部連接端子的布線。因此，用於將半導體晶片連接到外部連接端子的布線可以導致效率和可靠性問題。
根據本發明的另一實施例，微電池10可以被布置在半導體晶片60上，不阻礙布線63和64的有效布置。
圖11至圖13是說明根據另一實施例引入電池的半導體封裝的剖面圖。
參考圖11，半導體封裝可以包括框架51、半導體晶片60、密封劑59、第一連接器73、第二連接器74以及微電池10。
框架51可以包括用於連接外部電路和外部連接端子57和58的導電球52。導電球可以被布置在框架51的下表面上，以及外部連接端子57和58可以被電連接到一個導電球52。該半導體晶片60可以被連接到框架51。在框架51和半導體晶片60之間可以插入晶片粘合劑55。半導體晶片60可以包括諸如DRAM單元或SRAM單元的易失性存儲單元。
此外，半導體晶片60可以包括鍵合焊盤53和54。鍵合焊盤53和54可以通過布線63和64電連接到外部連接端子57和58。在框架51上可以布置密封劑59。密封劑59可以覆蓋半導體晶片60、布線63和64、鍵合焊盤53和54以及外部連接端子57和58。
框架51可以被連接到系統板71。該系統板可以包括PCB。在此情況下，外部連接端子57和58可以通過相應的導電球52電連接到系統板71。
微電池10可以被連接到密封劑59。第一連接器73和第二連接器74可以被布置在密封劑59的外面。第一連接器73可以被電連接到正電極端子13。第二連接器74可以被電連接到負電極端子15。第一連接器73和第二連接器74都可以包括具有優越導電性的材料，如銅引線框或合金-42引線框。第一連接器73和第二連接器74可以將微電池10電連接到系統板71。換句話說，微電池10可以通過第一連接器73和第二連接器74電連接到外部連接端子57和58。
微電池10、第一連接器73和第二連接器74可以被完全地或部分地布置在密封劑59的外面。以此方式，微電池10可以容易地避免阻礙布線63和64的有效布置。
參考圖12，根據另一實施例，引入電池的半導體封裝可以包括框架51、半導體晶片60、密封劑59、第一連接器73、第二連接器74以及微電池10。框架51、半導體晶片60和密封劑82可以由倒裝封裝構成。
框架51可以包括用於連接到外部電路的導電球52。框架51可以包括外部連接端子(未所示)。每個外部連接端子可以被分別電連接到一個導電球52。該半導體晶片60可以被連接到框架51。半導體晶片60可以包括諸如DRAM單元或SRAM單元的易失性存儲單元。此外，半導體晶片60可以包括鍵合焊盤(未所示)。
在框架51和半導體晶片60之間可以布置布線81。布線81可以是焊劑凸塊或金凸塊。布線81可以將鍵合焊盤電連接到外部連接端子。在框架51和半導體晶片60之間可以插入密封劑82。密封劑82可以覆蓋布線81、外部連接端子和鍵合焊盤。在此情況下，半導體晶片60的背面可以從密封劑82的外部突出。
在半導體晶片60的突出背面上可以布置微電池10。第一連接器73和第二連接器74可以被布置在半導體晶片60和密封劑82的外面。第一連接器73和第二連接器74可以將微電池10電連接到框架51。
參考圖13，根據再一實施例，引入電池的半導體封裝可以包括框架83和84、半導體晶片60、密封劑89、第一連接器73、第二連接器74以及微電池10。框架83和84、半導體晶片60以及密封劑89可以包括TSOP(薄型小尺寸封裝)。
框架83和84可以是具有第一外部連接端子83和第二外部連接端子84的引線框。引線框，例如，可以包括五十四個外部連接端子83和84。半導體晶片60可以被連接到框架83和84的下表面的第一集電極。在半導體晶片60和框架83和84之間可以插入晶片粘合劑85。晶片粘合劑85和86可以包括LOC(Lead On Chip)帶。晶片粘合劑85和86可以將半導體晶片60固定到框架83和84。存儲晶片60可以包括諸如DRAM單元的易失性存儲單元。
此外，半導體晶片60可以包括鍵合焊盤53和54。鍵合焊盤53和54可以通過布線63和64被電連接外部連接端子83和84。密封劑89可以覆蓋所有半導體晶片60、布線63和64、鍵合焊盤53和54、晶片粘合劑85和86以及框架83和84。外部連接端子83和84可以延伸，以從密封劑89的外部突出。
在密封劑89上可以布置微電池10。第一連接器73和第二連接器74可以被布置在密封劑59的外面。第一連接器73和第二連接器74可以將微電池10電連接到外部連接端子83和84。微電池10可以容易地避免阻礙外部連接端子83和84以及布線63和64的有效布置。
最後，某些實施例包括引入微電池的非易失性存儲器件，該微電池具有相對小尺寸的大電容量。
權利要求
1.一種偽非易失性存儲器件，包括具有鍵合焊盤的DRAM晶片；具有對應於該鍵合焊盤的外部連接端子的框架，該框架被連接到DRAM晶片；用於將外部連接端子分別電連接到該鍵合焊盤的布線；以及用於提供電源給DRAM晶片的微電池，該微電池位於DRAM晶片之上。
2.根據權利要求1的偽非易失性存儲器件，其中該微電池具有比框架和DRAM晶片的組合結構更小的尺寸。
3.根據權利要求1的偽非易失性存儲器件，其中該微電池包括具有多個穿通孔的第一集電極；覆蓋該穿通孔的內壁和第一集電極的至少一部分的第一活性材料層；在該第一活性材料層上的電解質層；以及在該電解質層上的第二活性材料層。
4.根據權利要求3的偽非易失性存儲器件，其中第二活性材料層填充該穿通孔。
5.根據權利要求3的偽非易失性存儲器件，其中第一活性材料層覆蓋第一集電極的兩個相對側面。
6.根據權利要求3的偽非易失性存儲器件，還包括電連接到第一集電極的第一連接器；以及，電連接到第二活性材料層的第二連接器。
7.根據權利要求1的偽非易失性存儲器件，其中該微電池被布置在覆蓋鍵合焊盤和布線的密封劑內。
8.一種引入微電池的半導體封裝，包括具有鍵合焊盤的半導體晶片；具有對應於每個鍵合焊盤的外部連接端子的框架，該框架連接到該半導體晶片；用於將該鍵合焊盤電連接到外部連接端子的布線；以及，用於提供電源給半導體晶片的微電池，該微電池位於半導體晶片之上，該微電池包括具有多個穿通孔的第一集電極；覆蓋該穿通孔的內壁和第一集電極的至少一部分的第一活性材料層；布置在第一活性材料層上的電解質層；以及布置在電解質層上的第二活性材料層。
9.根據權利要求8的引入微電池的半導體封裝，其中該半導體晶片包括易失性存儲單元。
10.根據權利要求8的引入微電池的半導體封裝，其中該第二活性材料層填充該穿通孔。
11.根據權利要求8的引入微電池的半導體封裝，其中該第一活性材料層覆蓋第一集電極的兩個相對側面。
12.根據權利要求8的引入微電池的半導體封裝，還包括電連接到第一集電極的第一連接器；以及電連接到第二集電極的第二連接器，該第二集電極被連接到第二活性材料層。
13.根據權利要求8的引入微電池的半導體封裝，其中第一集電極包括選自由鎳、鋁、鉑、銅和SUS構成的組的一種材料。
14.根據權利要求13的引入微電池的半導體封裝，其中第一活性材料層包括選自由Li、石墨LiC、Al、LiAl、Si、LiSi、Sn和LiSn構成的組的一種材料；第二活性材料層包括選自由LiCoO、LiNiO、LiMnO和a-VO構成的組的一種材料。
15.根據權利要求8引入微電池的半導體封裝，其中該電解質層包括LiPON或LiBO。
16.一種微電池，包括具有多個穿通孔的第一集電極；覆蓋該第一集電極的至少一部分和穿通孔內壁的第一活性材料層；在該第一活性材料層上的電解質層；以及在該電解質層上的第二活性材料層。
17.根據權利要求16的微電池，其中該第二活性材料層填充該穿通孔。
18.根據權利要求16的微電池，其中該第一活性材料層覆蓋第一集電極的兩個相對側面。
19.根據權利要求16的微電池，其中該第一集電極包括選自由鎳、鋁、鉑、銅和SUS構成的組的一種材料。
20.根據權利要求19的微電池，其中第一集電極包括選自由鎳、鋁和鉑構成的組的一種材料；第一活性材料層包括選自由LiCoO、LiNiO、LiMnO和a-VO構成的組的一種材料；第二活性材料層包括選自由Li、石墨LiC、Al、LiAl、Si、LiSi、Sn和LiSn構成的組的一種材料。
21.根據權利要求19的微電池，其中第一活性材料層包括選自由Li、石墨LiC、Al、LiAl、Si、LiSi、Sn和LiSn構成的組的一種材料；第二活性材料層包括選自由LiCoO、LiNiO、LiMnO和a-VO構成的組的一種材料。
22.根據權利要求16的微電池，其中該電解質層包括LiPON或LiBO。
23.根據權利要求16的微電池，還包括接觸第二活性材料層的第二集電極。
24.一種包括電池單位的微電池，包括在第一方向上的平面中延伸、電連接到正或負極端之一的第一集電極；布置在第一集電極的平面中並基本上垂直於該第一集電極的平面以形成其內表面的穿通孔；以及布置在第一集電極和穿通孔的內表面上的電池單元，該電池單元在正和負端子之間電連接。
25.根據權利要求24的微電池，其中該電池單元包括接觸第一集電極的至少一部分和穿通孔的內表面的第一活性材料層；第一活性材料層上的電解質層；以及該電解質層上的第二活性材料層，電連接到正或負端子的另一個，第一電流收集被連接到正或負端子的該另一個。
26.根據權利要求25的微電池，還包括在互相平行的平面中布置的多個電池單位，該每個電池單位的第一集電極電連接到正或負極端子的一個，以及第二活性材料層電連接到正或負極端的另一個。
27.根據權利要求25的微電池，還包括在電池單位之間布置的絕緣隔板。
28.根據權利要求24的微電池，還包括包封該微電池的外殼。
29.根據權利要求24的微電池，其中穿通孔被布置在水平和垂直行中。
30.根據權利要求26的微電池，其中第二集電極電連接到第二活性材料層，並且正或負極端子的另一個被布置來覆蓋電池單位的端部的至少一部分並布置在電池單位之間。
全文摘要
引入大容量微電池的偽非易失性存儲器件的實施例，包括具有鍵合焊盤的DRAM。該DRAM晶片可以被連接到框架。該框架可以具有對應於每個鍵合焊盤的外部連接端子。用於將該鍵合焊盤電連接到外部連接端子的布線。鍵合焊盤和布線可以用密封劑覆蓋。在DRAM晶片之上可以設置微電池。該微電池可以提供電源到DRAM晶片。
文檔編號H01L23/488GK101026147SQ20071000597
公開日2007年8月29日 申請日期2007年2月15日 優先權日2006年2月22日
發明者朱耿嬉, 呂寅碩 申請人:三星電子株式會社