一種抗靜電的led的製作方法
2023-10-06 18:59:44 2
一種抗靜電的led的製作方法
【專利摘要】本發明公開了一種抗靜電的LED，所述的一種抗靜電的LED包括晶片、電極、封裝、下層環氧樹脂和摻有抗靜電劑的上層環氧樹脂，所述的封裝為中部設有凹槽的六面體（以下簡稱封裝），此封裝摻有抗靜電劑，所述的晶片安裝在凹槽的底部中心，所述的電極連接在晶片正負極兩端，伸出封裝外，所述的下層環氧樹脂直接接觸凹槽底部的晶片，所述的摻有抗靜電劑的上層環氧樹脂在下層環氧樹脂之上。本發明通過在封裝和上層環氧樹脂中摻入抗靜電劑，從而使得LED具有抗靜電的特性。
【專利說明】—種抗靜電的LED
【技術領域】
[0001]本發明公開了一種LED，特別是一種抗靜電的LED。
【背景技術】
[0002]隨著社會的發展，LED已廣泛地被應用在各行各業之中。LED的主要結構為晶片、連接在在晶片上的正負極管腳以及密封包覆晶片的封裝。LED內部的PN結在應用到電子產品的製造、組裝篩選、測試、包裝、儲運及安裝使用等環節，難免不受靜電感應影響而產生感應電荷。若電荷得不到及時釋放，將在兩個電極上形成的較高電位差，當電荷能量達到LED的承受極限值，電荷將會在瞬間釋放。在極短的瞬間對LED晶片的兩個電極之間進行放電，瞬間將在兩個電極之間的導電層、發光層等晶片內部物質產生局部的高溫，溫度高達1400°C，這種極端高溫下將兩電極之間的材料層熔融，熔成一個小洞，從而造成各類漏電、死燈、變暗的異常現象。
【發明內容】
[0003]針對以上問題，本發明公開了一種抗靜電的LED，將抗靜電劑分別摻入凹槽底部上層環氧樹脂中和封裝內，在保證LED顯示質量的同時，降低摩擦係數、抑制和減少靜電荷產生，增加導電性，提高了 LED的可靠性。
[0004]本發明公開了一種抗靜電的LED,所述的一種抗靜電的LED包括晶片、電極、封裝、下層環氧樹脂和摻有抗靜電劑的上層環氧樹脂，所述的封裝為中部設有凹槽的六面體(以下簡稱封裝)，此封裝摻有抗靜電劑，所述的晶片安裝在凹槽的底部中心，所述的電極連接在晶片正負極兩端，伸出封裝外，所述的下層環氧樹脂直接接觸凹槽底部的晶片，所述的摻有抗靜電劑的上層環氧樹脂在`下層環氧樹脂之上。
[0005]本發明公開的一種抗靜電的LED，在封裝內摻入抗靜電劑。
[0006]本發明公開的一種抗靜電的LED，在凹槽底部上層環氧樹脂中摻入抗靜電劑。
[0007]本發明公開的一種抗靜電的LED，直接接觸凹槽底部晶片的下層環氧樹脂不添加或可添加微量抗靜電劑。
[0008]本發明公開的一種抗靜電的LED，在凹槽底部上層環氧樹脂中摻入的抗靜電劑質量百分比為0.1-20%。
[0009]本發明公開的一種抗靜電的LED，摻入的抗靜電劑可以為高分子永久型、陽離子型，陰離子型，兩性型和非離子型。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0010]圖1.本發明公開的一種抗靜電的LED結構示意圖。
1.晶片2.電極3.封裝
4.下層環氧樹脂 5.摻有抗靜電劑的上層環氧樹脂【具體實施方式】
[0011]下面結合附圖和【具體實施方式】，進一步闡明本發明，應理解下述【具體實施方式】僅用於說明本發明而不用於限制本發明的範圍，在閱讀了本發明之後，本領域技術人員對發明的各種等價形式的修改均落於本申請所附權利要求所限定的範圍。
[0012]如圖一所不，本發明公開了一種抗靜電的LED,所述的一種抗靜電的LED包括晶片
1、電極2、封裝3、下層環氧樹脂4和摻有抗靜電劑的上層環氧樹脂5，所述的封裝3為中部設有凹槽6的六面體(以下簡稱封裝)，此封裝3摻有抗靜電劑，所述的晶片I安裝在凹槽6的底部中心，所述的電極2連接在晶片I正負極兩端，伸出封裝外，所述的下層環氧樹脂4直接接觸凹槽6底部的晶片I，所述的摻有抗靜電劑的上層環氧樹脂5在下層環氧樹脂4之上。
[0013]作為一種優選，在封裝內摻入抗靜電劑。
[0014]作為一種優選，在凹槽底部上層環氧樹脂中摻入抗靜電劑。
[0015]作為一種優選，直接接觸凹槽底部晶片的下層環氧樹脂不添加或可添加微量抗靜電劑。
[0016]作為一種優選，在凹槽底部上層環氧樹脂中摻入的抗靜電劑質量百分比為
0.1-20%O
[0017]作為一種優選，摻入的抗靜電劑可以為高分子永久型、陽離子型，陰離子型，兩性型和非離子型。
【權利要求】
1.一種抗靜電的LED,其特徵在於:所述的一種抗靜電的LED包括晶片、電極、封裝、下層環氧樹脂和摻有抗靜電劑的上層環氧樹脂，所述的封裝為中部設有凹槽的六面體(以下簡稱封裝)，此封裝摻有抗靜電劑，所述的晶片安裝在凹槽的底部中心，所述的電極連接在晶片正負極兩端，伸出封裝外，所述的下層環氧樹脂直接接觸凹槽底部的晶片，所述的摻有抗靜電劑的上層環氧樹脂在下層環氧樹脂之上。
2.根據權利要求1所述的抗靜電的LED，其特徵在於:在封裝內摻入抗靜電劑。
3.根據權利要求1所述的抗靜電的LED，其特徵在於:在凹槽底部上層環氧樹脂中摻入抗靜電劑。
4.根據權利要求1所述的抗靜電的LED，其特徵在於:直接接觸凹槽底部晶片的下層環氧樹脂不含有抗靜電劑。
5.根據權利要求1所述的抗靜電的LED，其特徵在於:在凹槽底部上層環氧樹脂中摻入的抗靜電劑質量百分比為0.1-20%。
6.根據權利要求1所述的抗靜電的LED，其特徵在於:摻入的抗靜電劑可以為高分子永久型、陽離子型，陰離子型，兩性型和非離子型。
【文檔編號】H01L33/52GK103824930SQ201410046543
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2014年2月10日 優先權日:2014年2月10日
【發明者】朱長進, 于振波, 周夢雅 申請人:南京菱亞汽車技術研究院