一種應用pmw控制器ob2269的低損耗開關電源裝置製造方法
2023-10-06 23:14:24 1
一種應用pmw控制器ob2269的低損耗開關電源裝置製造方法
【專利摘要】一種應用PMW控制器OB2269的低損耗開關電源裝置，包括：電阻R5、電阻R6、電阻R7、電容C4、電容C3、MOSFET管和PMW控制器OB2269。與現有技術相比，本發明通過配置PMW控制器OB2269，其所具有的：低待機功耗特性、低啟動電流特性、低工作電流內置特性、前沿消隱內置特性和MOSFET軟碟機動特性等充分保證了電源的低損耗保護。輸出過流、短路消除後，電源仍能正常輸出，使得電源的工作效率大大提高。
【專利說明】-種應用PMW控制器0B2269的低損耗開關電源裝置
【技術領域】
[0001] 本發明涉及電子【技術領域】，具體為一種應用PMW控制器0B2269的低損耗開關電源 裝直。
【背景技術】
[0002] 現有技術中，很多開關電源都具有輸出過流、輸出短路保護功能，保護模式通常為 打嗝保護。這類保護線路可以有效地保護輸出負載設備，但由於打嗝保護的頻率通常不容 易控制，導致在保護線路被觸發後，整個電源裝置的損耗仍舊非常大。在長時間大損耗的保 護狀態下，電源裝置的功率器件可能會因為損耗過大，溫度過高而發生失效，進而造成電源 裝置失效。
【發明內容】
[0003] 本發明的目的在於提供一種應用PMW控制器0Β2269的能在過流、短路保護中實現 低損耗、高可靠性的低損耗開關電源裝置。
[0004] 為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：
[0005] -種應用PMW控制器0Β2269的低損耗開關電源裝置，包括：電阻R5、電阻R6、電 阻R7、電容C4、電容C3、M0SFET管和PMW控制器0Β2269 ;所述M0SFET管的第2引腳連接 PMW控制器0Β2269的FB端，所述M0SFET管的第3弓丨腳連接電阻R7的一端，電阻R7的另 一端連接電阻R9的一端，電阻R9的一端還與電容C3的一端連接，電阻R9的另一端與所述 M0SFET管的第1引腳連接，所述電容C3的一端連接電阻R7的一端，所述電容C3的另一端連 接電阻R7的另一端，所述電阻R6的一端連接所述電容C3的另一端，所述電阻R6的另一端 連接電阻R5的一端，所述電阻R5的另一端連接PMW控制器0Β2269的VDD端，所述電阻R6 的另一端還連接電容C4的一端，所述電容C4的另一端連接所述M0SFET管的第3引腳。所 述電阻R6的另一端連接三極體Q1的控制極，所述三極體的發射極連接PMW控制器0Β2269 的VDD端；所述三極體Q1的基極連接電容C2的一端，所述電容C2的另一端連接PMW控制 器0Β2269的VDD端，M0SFET管引腳與PMW控制器0Β2269的VDD端之間連接有電阻R8 ;所 述三極體Q1的基極連接電阻R3的一端，所述電阻R3的另一端連接PMW控制器0Β2269的 VDD端，所述電阻R3的一端還連接電阻R4的一端；所述電阻R4的另一端連接穩壓二極體 U1的負極，所述穩壓二極體U1的正極連接M0SFET管的第3引腳；所述穩壓二極體U1的控 制端還連接電阻R1的一端，所述電阻R1的另一端還連接PMW控制器0Β2269的VDD端，所 述電阻R1的一端還連接電阻R2的一端，所述電阻R2的另一端連接M0SFET管的第3引腳。
[0006] 與現有技術相比，本發明通過配置PMW控制器0Β2269,其所具有的：低待機功耗特 性、低啟動電流特性、低工作電流內置特性、前沿消隱內置特性和M0SFET軟碟機動特性等充 分保證了電源的低損耗保護。輸出過流、短路消除後，電源仍能正常輸出，使得電源的工作 效率大大提1?。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0007] 圖1為本發明提供開關電源的電路原理圖。
【具體實施方式】
[0008] 為了使本發明實現的技術手段、創作特徵、達成目的與功效易於明白了解，下面結 合具體圖示，進一步闡述本發明。
[0009] 如圖1、所示的一種應用PMW控制器0B2269的低損耗開關電源裝置，包括：電阻 R5、電阻R6、電阻R7、電容C4、電容C3、M0SFET管和PMW控制器0B2269,所述M0SFET管的第 2引腳連接PMW控制器0B2269的FB端，所述M0SFET管的第3引腳連接電阻R7的一端，電 阻R7的另一端連接電阻R9的一端，電阻R9的一端還與電容C3的一端連接，電阻R9的另 一端與所述M0SFET管的第1引腳連接，所述電容C3的一端連接電阻R7的一端，所述電容 C3的另一端連接電阻R7的另一端，所述電阻R6的一端連接所述電容C3的另一端，所述電 阻R6的另一端連接電阻R5的一端，所述電阻R5的另一端連接PMW控制器0B2269的VDD 端，所述電阻R6的另一端還連接電容C4的一端，所述電容C4的另一端連接所述M0SFET管 的第3引腳。所述電阻R6的另一端連接三極體Q1的控制極，所述三極體的發射極連接PMW 控制器0B2269的VDD端；所述三極體Q1的基極連接電容C2的一端，所述電容C2的另一端 連接PMW控制器0B2269的VDD端，M0SFET管引腳與PMW控制器0B2269的VDD端之間連接 有電阻R8 ;所述三極體Q1的基極連接電阻R3的一端，所述電阻R3的另一端連接PMW控制 器0B2269的VDD端，所述電阻R3的一端還連接電阻R4的一端；所述電阻R4的另一端連接 穩壓二極體U1的負極，所述穩壓二極體U1的正極連接M0SFET管的第3引腳；所述穩壓二 極管U1的控制端還連接電阻R1的一端，所述電阻R1的另一端還連接PMW控制器0B2269 的VDD端，所述電阻R1的一端還連接電阻R2的一端，所述電阻R2的另一端連接M0SFET管 的第3引腳。
[0010] PMW控制器0B2269通過特別的低功耗間歇工作模式設計不僅可以讓整個系統在 空載的狀態下輕易達到國際能源機構最新的推薦標準，而且允許系統在較輕負載（約1/30 滿載以下）的情況下同樣具有超低耗的性能。無噪聲工作：使用PMW控制器0B2269設計的 電源無論在空載，輕載和滿載的情況下都不會產生音頻噪聲。優化的系統設計可以使系統 任何工作狀態下均可安靜地工作。更低啟動電流：PMW控制器0B2269VIN/VDD啟動電流低 至4uA，可有效地減少系統啟動電路的損耗，縮短系統的啟動時間。更低工作電流：PMW控 制器0B2269的工作電流約為2. 3mA，可有效降低系統的損耗，提高系統的效率。PMW控制器 0B2269內置前沿消隱：內置前沿消隱（LEB)，可以為系統節省了一個外部的R-C網絡，降低 系統成本。:PMW控制器0B2269內置了 0CP補償功能，使系統在不需要增加成本的情況下輕 易使得全電壓範圍內系統的0CP曲線趨向平坦，提高系統的性價比。PMW控制器0B2269集 成了較完善的保護功能模塊。PMW控制器0B2269的M0SFET軟碟機動：可有效的改善系統的 EMI。較少的外圍器件：PMW控制器0B2269外圍比較簡單，可有效提高系統的功率密度，降 低系統的成本。PMW控制器0B2269具有優良的EMI特性：PMW控制器0B2269內置的頻率抖 動設計可以很有效的改善系統的EMI特性，同時可以降低系統的EMI成本。
[〇〇11] 對於本領域技術人員而言，顯然本發明不限於上述示範性實施例的細節，而且在 不背離本發明的精神或基本特徵的情況下，能夠以其他的具體形式實現本發明。因此，無論 從哪一點來看，均應將實施例看作是示範性的，而且是非限制性的，本發明的範圍由所附權 利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權利要求的等同要件的含義和範圍內的所有 變化囊括在本發明內。不應將權利要求中的任何附圖標記視為限制所涉及的權利要求。 [0012] 此外，應當理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但並非每個實施方式僅包 含一個獨立的技術方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領域技術人員應當 將說明書作為一個整體，各實施例中的技術方案也可以經適當組合，形成本領域技術人員 可以理解的其他實施方式。
【權利要求】
1. 一種應用PMW控制器0B2269的低損耗開關電源裝置，其特徵在於：包括：電阻R5、電 阻R6、電阻R7、電容C4、電容C3、MOSFET管和PMW控制器0B2269,所述MOSFET管的第2弓丨 腳連接PMW控制器0B2269的FB端，所述MOSFET管的第3引腳連接電阻R7的一端，電阻 R7的另一端連接電阻R9的一端，電阻R9的一端還與電容C3的一端連接，電阻R9的另一端 與所述MOSFET管的第1引腳連接，所述電容C3的一端連接電阻R7的一端，所述電容C3的 另一端連接電阻R7的另一端，所述電阻R6的一端連接所述電容C3的另一端，所述電阻R6 的另一端連接電阻R5的一端，所述電阻R5的另一端連接PMW控制器0B2269的VDD端，所 述電阻R6的另一端還連接電容C4的一端，所述電容C4的另一端連接所述MOSFET管的第 3引腳。所述電阻R6的另一端連接三極體Q1的控制極，所述三極體的發射極連接PMW控 制器0B2269的VDD端；所述三極體Q1的基極連接電容C2的一端，所述電容C2的另一端連 接PMW控制器0B2269的VDD端，MOSFET管引腳與PMW控制器0B2269的VDD端之間連接有 電阻R8 ;所述三極體Q1的基極連接電阻R3的一端，所述電阻R3的另一端連接PMW控制器 0B2269的VDD端，所述電阻R3的一端還連接電阻R4的一端；所述電阻R4的另一端連接穩 壓二極體U1的負極，所述穩壓二極體U1的正極連接MOSFET管的第3引腳；所述穩壓二極 管U1的控制端還連接電阻R1的一端，所述電阻R1的另一端還連接PMW控制器0B2269的 VDD端，所述電阻R1的一端還連接電阻R2的一端，所述電阻R2的另一端連接MOSFET管的 第3引腳。
【文檔編號】H02M3/155GK104104226SQ201410345571
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年7月20日 優先權日:2014年7月20日
【發明者】費志瑾 申請人:蘇州塔可盛電子科技有限公司