磁力線輻射發散的磁瓦的製作方法
2023-10-06 20:52:29
專利名稱：磁力線輻射發散的磁瓦的製作方法
技術領域：
本發明涉及磁瓦的製作方法，具體為製作磁力線輻射發散的磁瓦的方法。
背景技術：
稀土就是化學元素周期表中鑭系元素一鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、鉕(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、欽(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)、鑥(Lu)，以及與鑭系的15個元素密切相關的元素一鈧(Sc)和釔(Y)共17種元素，稱為稀土元素。現有的製備磁瓦的方法如下:通過成熟的燒結稀土-鐵-硼系永磁體製備方法，首先製備出具有磁力線β平行分布的磁塊M (如圖7所示)，然後通過線切割等機械加工工藝製備成瓦形，此方法製作的磁瓦的磁力線β仍然是平行分布，無法製造出磁力線β點點垂直於其圓弧面切平面方向的永磁瓦片。
發明內容
本發明為了解決目前缺乏一種製造出磁力線β點點垂直於其圓弧面切平面方向的永磁瓦片的方法的問題，提供了一種磁力線輻射發散的磁瓦的製作方法。本發明是採用如下技術方案實現的:
一種磁力線輻射發散的磁瓦的製作方法，包括如下步驟:
(I)、對具有磁力線β平行分布的磁塊M進行表面清潔處理。
·
(2)、用不與磁塊M發生物理化學反應的材料製備基座，所述基座的頂部具有弧面，基座內位於所述弧面的下方形成有與弧面弧度相同的弧形空腔，所述弧面上開有與所述弧形空腔聯通的、布滿弧面的通孔。(3)、將磁塊M置於基座的弧面上；所述基座的弧形空腔內裝有濺射靶材N，所述濺射靶材N是由I類稀土材料和II類金屬材料構成的合金,所述I類稀土材料由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho中的一種或幾種以任意比例混合，佔所述濺射靶材N總重量的範圍是:大於等於80%且小於100% ;所述II類金屬材料由Ga、Al、Sn、Mg、Ca、Cu中的一種或幾種以任意比例混合(即佔所述濺射靶材N總重量的範圍是:大於O且小於等於20%)。(4)、將磁塊M和基座一同置於真空燒結裝置中，所述真空燒結裝置內安裝有可調節壓力裝置，所述可調節壓力裝置的輸出壓力端安裝有用不與磁塊M發生物理化學發應的材料製備的、底部呈圓弧狀的壓力件，所述磁塊M置於所述壓力件的圓弧狀底部的下方。(5)、分如下四階段實施熱處理工藝:
a、將真空燒結裝置的真空度排至lX10_3Pa以下，同時啟動加熱系統升溫至500°C，調節可調節壓力裝置的輸出壓力至0.1 0.5MPa，壓力件在調節好的溫度、壓力下壓磁塊M，並保持I 2h ;
b、利用加熱系統升溫至500 600°C，調節可調節壓力裝置的輸出壓力至0.5 IMPa，壓力件在調節好的溫度、壓力下壓磁塊M，並保持2 5h ;C、利用加熱系統升溫至600 700°C，調節可調節壓力裝置的輸出壓力至I 1.5MPa，壓力件在調節好的溫度、壓力下壓磁塊M，並保持2 5h ;
d、利用加熱系統升溫至700 1000°C，調節可調節壓力裝置的輸出壓力至1.5 2MPa，壓力件在調節好的溫度、壓力下壓磁塊M，並保持4 24h ;
通過上述熱處理工藝處理後，所述磁塊M的下表面形成其與所述基座的弧面相吻合的弧面，磁塊M的上表面在壓力下自然形成弧面。(6)、冷卻至室溫後取出，完成將具有磁力線β平行分布的磁塊M製成具有磁力線β聚焦成輻射狀分布的磁瓦。製備上述濺射靶材N採用本領域通用的熔融合金製備方法即可，不存在技術難度。可調節壓力裝置為本領域常用裝置，本領域技術人員容易實現。上述所用的濺射靶材N選取由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho中的一種或幾種以任意比例混合形成的I類稀土材料，佔所述濺射靶材N總重量的80%以上；同時為改善材料的特性，還在此I類稀土材料中添加由Ga、Al、Sn、Mg、Ca、Cu中的一種或幾種以任意比例構成的II類金屬材料；用以滿足蒸發並發生濺射時在磁塊M表面發生附著的要求。工作時，對經過機械加工成的方條狀磁塊M實施熱處理工藝，由於燒結Re-Fe-B永磁體由主相a和晶界相b (即富稀土相)組成，在高溫作用下，濺射靶材通過離子濺射的方式及滲透的作用在晶界相進行富集。圖9、10中下部的箭頭表示濺射靶材N的濺射方向，如圖9所示，在熱處理階段實施蒸發濺射，首先在磁塊M下表層進行附著，同時在如圖10所示過程中發生滲透作用，濺射靶材N通過滲透作用時富集在晶界相b當中，濺射靶材N在附著及滲透過程時，磁塊M下表面首先開始膨脹，由於對磁塊M上表面實施了一個壓力作用，使得高溫處理狀態下的磁塊M發生形變，同時濺射靶材的作用增加了磁塊M的表面張力，該張力恰能使磁塊M在變形過程 中不至於開裂。基於上述過程，基座內的濺射靶材N通過其上通孔達到磁塊M，磁塊M充分吸收濺射靶材後發生膨脹，並且磁塊M下邊緣的膨脹速度大於其上邊緣，同時在壓力件的導向作用下，通過分階段逐步升溫、保溫，逐步加壓，逐步吸收濺射靶材，逐步膨脹，在基座的弧面模型作用下形成瓦狀。優選地，上述所用的濺射靶材N中，所述I類稀土材料優先選用Pr、Nd、Dy、Ho的一種或幾種材料以任意比例混合，佔濺射靶材總重量的90%以上；此I類稀土材料具有在800 1000°C下比較高的蒸發壓，約1χ10_2 IXKT1Pa,可以有效的滿足蒸發並發生濺射且在磁塊M表面發生附著的要求。II類金屬材料優先選用Ga、Al、Cu的一種或幾種以任意比例混合；此11類金屬材料可以有效的滲入磁塊M的晶界相b中，使得磁塊M的性能提高。同時此類原子的滲入可以更有效的促進使磁塊M首先在下表層發生體積膨脹，並且由於其熔點低機械強度大的特性可以在滲入磁塊M下層同時避免磁塊M因形變造成開裂。當然I類稀土材料同時具有上述功能，經過對上述兩類材料的有效組分配比製作成合金可以更有利的發揮功能作用。製作成合金的濺射靶材N需要利用機械剪切手段，製作成顆粒狀，顆粒狀的濺射靶材可以更好的放置在基座當中，當然製作此類濺射靶材還可以利用現有成熟的霧化合金法製備成顆粒狀，這樣可以不利用機械剪切手段就可以得到顆粒狀合金，可以節約材料，降低成本。本發明設計合理、操作簡便，採用熱處理的方法對已加工成形的稀土 -鐵-硼系永磁體採用真空保護加熱手段，進行具有導向性的熱變形處理，最終使得磁塊M的下表面形成與基座的弧面相吻合的弧面，並且，該瓦狀永磁體的磁力線沿弧面聚焦分布，使得每條磁力線β垂直於其圓弧面切平面方向，滿足了實際工作要求，提高了磁瓦的使用工作效率。解決了目前缺乏一種製造出磁力線β點點垂直於其圓弧面切平面方向的永磁瓦片的方法的問題。
圖1是壓力件開始下壓磁塊的示意圖。圖2是壓力件壓制完成磁塊的示意圖。圖3是基座的結構不意圖。圖4是基座的正視圖。圖5是基座的俯視圖。圖6是製作方法的示意圖。圖7是具有磁力線β平行分布的磁塊M的示意圖。圖8是具有磁力線β聚焦成輻射狀分布的磁瓦的示意圖。圖9是未經濺射靶材作用的磁塊的微觀示意圖。圖10是經過濺射靶材作用後的磁瓦的微觀示意圖。
圖中，1-保溫系統，2-加熱系統，3-真空機組，10-弧形空腔，20-通孔，30-弧面，100-基座，200-壓力件，300-可調節壓力裝置，400-磁瓦，M-磁塊，N-濺射靶材，β -磁力線，a-主相結構，b晶界相。
具體實施例方式下面結合附圖對本發明的具體實施例進行詳細說明。實施例1
一種磁力線輻射發散的磁瓦的製作方法，包括如下步驟:
(I)、對具有磁力線β平行分布的磁塊M進行表面清潔處理；可以先通過表面氣流噴砂進行清潔，清潔完畢後，在熱處理爐內進行表面等離子清洗，特別是清除表面附著的氧化物，使之達到清潔無汙的目的。(2)、如圖3、4、5所示，用不與磁塊M發生物理化學發應的材料製備基座100，所述基座100的頂部具有弧面30，基座100上位於所述弧面30的下方形成有與弧面30弧度相同的弧形空腔10，所述弧面30上開有與所述弧形空腔10聯通的、布滿弧面30的通孔20。具體實施時，所述基座100的弧面30上的通孔20為方孔，所述方孔成排緊密規則地布滿所述弧面30。所述基座100能夠耐1000°C以上的高溫，並且在溫度273K 1273K範圍內其膨脹係數低於IOX 10_6m/K。例如採用Mo作為製作基座100的材料。(3)、將磁塊M置於基座100的弧面30上；所述基座100的弧形空腔10內裝有濺射靶材N，所述濺射靶材N由I類稀土材料和II類金屬材料構成的合金,所述I類稀土材料由La、Nd、Dy等三種以任意比例混合，佔所述濺射靶材N總重量的80% ;所述II類金屬材料由Cu構成，佔所述濺射靶材N總重量的20%。(4)、如圖6所示，將磁塊M和基座100—同置於真空燒結裝置中，所述真空燒結裝置內安裝有可調節壓力裝置300，所述可調節壓力裝置300的輸出壓力端安裝有用不與磁塊M發生物理化學發應的材料製備的、底部呈圓弧狀的壓力件200，所述磁塊M置於所述壓力件200的圓弧狀底部的下方，如圖1所示。(5)、分如下四階段實施熱處理工藝:
a、將真空燒結裝置的真空度排至lX10_3Pa以下，同時啟動加熱系統升溫至500°C，調節可調節壓力裝置300的輸出壓力至0.1MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，並保持 1.5h ；
b、利用加熱系統升溫至570°C，調節 可調節壓力裝置300的輸出壓力至0.5MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，並保持5h ；
C、利用加熱系統升溫至600°C，調節可調節壓力裝置300的輸出壓力至1.3MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，並保持4h ；
d、利用加熱系統升溫至900°C，調節可調節壓力裝置300的輸出壓力至2MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，並保持20h。通過上述熱處理工藝處理後，所述磁塊M的下表面形成其與所述基座100的弧面30相吻合的弧面，磁塊M的上表面在壓力下自然形成弧面，如圖2所示。(6)、冷卻至室溫後取出，完成將具有磁力線β平行分布的磁塊M製成具有磁力線β聚焦成輻射狀分布的磁瓦400，如圖8所示。實施例2
一種磁力線輻射發散的磁瓦的製作方法，包括如下步驟:
(I)、對具有磁力線β平行分布的磁塊M進行表面清潔處理；可以先通過表面氣流噴砂進行清潔，清潔完畢後，在熱處理爐內進行表面等離子清洗，特別是清除表面附著的氧化物，使之達到清潔無汙的目的。(2)、如圖3、4、5所示，用不與磁塊M發生物理化學發應的材料製備基座100，所述基座100的頂部具有弧面30，基座100上位於所述弧面30的下方形成有與弧面30弧度相同的弧形空腔10，所述弧面30上開有與所述弧形空腔10聯通的、布滿弧面30的通孔20。具體實施時，所述基座100的弧面30上的通孔20為方孔，所述方孔成排緊密規則地布滿所述弧面30。所述基座100能夠耐1000°C以上的高溫，並且在溫度273K 1273K範圍內其膨脹係數低於IOX 10_6m/K。例如採用Mo、Hf、Zr等三種材料的合金，作為製作基座100的材料。(3)、將磁塊M置於基座100的弧面30上；所述基座100的弧形空腔10內裝有濺射靶材N，所述濺射靶材N由I類稀土材料和II類金屬材料構成的合金,所述I類稀土材料由Nd構成，佔所述濺射靶材N總重量的99% ;所述II類金屬材料由Ga、Al、Cu等三種以任意比例混合，即佔所述濺射靶材N總重量的1%。(4)、如圖6所示，將磁塊M和基座100—同置於真空燒結裝置中，所述真空燒結裝置內安裝有可調節壓力裝置300，所述可調節壓力裝置300的輸出壓力端安裝有用不與磁塊M發生物理化學發應的材料製備的、底部呈圓弧狀的壓力件200，所述磁塊M置於所述壓力件200的圓弧狀底部的下方，如圖1所示。(5)、分如下四階段實施熱處理工藝:
a、將真空燒結裝置的真空度排至lX10_3Pa以下，同時啟動加熱系統升溫至500°C，調節可調節壓力裝置300的輸出壓力至0.5MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，並保持Ih ；
b、利用加熱系統升溫至520°C，調節可調節壓力裝置300的輸出壓力至IMPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，並保持2h ；
C、利用加熱系統升溫至650°C，調節可調節壓力裝置300的輸出壓力至1.5MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，並保持5h ；
d、利用加熱系統升溫至700°C，調節可調節壓力裝置300的輸出壓力至1.7MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，並保持12h ；
通過上述熱處理工藝處理後，所述磁塊M的下表面形成其與所述基座100的弧面30相吻合的弧面，磁塊M的上表面在壓力下自然形成弧面，如圖2所示。(6)、冷卻至室溫後取出，完成將具有磁力線β平行分布的磁塊M製成具有磁力線β聚焦成輻射狀分布的磁瓦400，如圖8所示。實施例3
一種磁力線輻射發散的磁瓦的製作方法，包括如下步驟:
(1)、對具有磁力線β平行分布的磁塊M進行表面清潔處理；可以先通過表面氣流噴砂進行清潔，清潔完畢後，在熱處理爐內進行表面等離子清洗，特別是清除表面附著的氧化物，使之達到清潔無汙的目的。(2)、如圖3、4、5所示，用不與磁塊M發生物理化學發應的材料製備基座100，所述基座100的頂部具有弧面30，基座100上位於所述弧面30的下方形成有與弧面30弧度相同的弧形空腔10，所述弧面30上開有與所述弧形空腔10聯通的、布滿弧面30的通孔20。具體實施時，所述基座100的弧面30上的通孔20為方孔，所述方孔成排緊密規則地布滿所述弧面30。所述基座100能夠耐1000°C以上的高溫，並且在溫度273K 1273K範圍內其膨脹係數低於10X10_6m/K。例如採用Mo、Hf、W、Zr等四種材料的合金，作為製作基座100的材料。(3)、將磁塊M置於基座100的弧面30上；所述基座100的弧形空腔10內裝有濺射靶材N，所述濺射靶材N由I類稀土材料和II類金屬材料構成的合金,所述I類稀土材料由Pr、Nd、Dy、Ho等四種以任意比例混合，佔所述濺射靶材N總重量的95% ;所述II類金屬材料由Ga、Al等兩種以任意比例混合，佔所述濺射靶材N總重量的5%。(4)、如圖6所示，將磁塊M和基座100—同置於真空燒結裝置中，所述真空燒結裝置內安裝有可調節壓力裝置300，所述可調節壓力裝置300的輸出壓力端安裝有用不與磁塊M發生物理化學發應的材料製備的、底部呈圓弧狀的壓力件200，所述磁塊M置於所述壓力件200的圓弧狀底部的下方，如圖1所示。(5)、分如下四階段實施熱處理工藝:
a、將真空燒結裝置的真空度排至lX10_3Pa以下，同時啟動加熱系統升溫至500°C，調節可調節壓力裝置300的輸出壓力至0.3MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，並保持2h ；
b、利用加熱系統升溫至600°C，調節可調節壓力裝置300的輸出壓力至0.7MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，並保持3h ；
C、利用加熱系統升溫至700°C，調節壓力調節裝置的輸出壓力至I MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，並保持2h ；
d、利用加熱系統升溫至1000°C，調節可調節壓力裝置300的輸出壓力至1.5MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，並保持4h ；
通過上述熱處理工藝處理後，所述磁塊M的下表面形成其與所述基座100的弧面30相吻合的弧面，磁塊M的上表面在壓力下自然形成弧面，如圖2所示。(6)、冷卻至室溫後取出，完成將具有磁力線β平行分布的磁塊M製成具有磁力線β聚焦成輻射狀分布的磁瓦400，如圖8所示。實施例4
一種磁力線輻射發散的磁瓦的製作方法，包括如下步驟:
(I)、對具有磁力線β平行分布的磁塊M進行表面清潔處理；可以先通過表面氣流噴砂進行清潔，清潔完畢後，在熱處理爐內進行表面等離子清洗，特別是清除表面附著的氧化物，使之達到清潔無汙的目的。(2)、如圖3、4、5所示，用不與磁塊M發生物理化學發應的材料製備基座100，所述基座100的頂部具有弧面30，基座100上位於所述弧面30的下方形成有與弧面30弧度相同的弧形空腔10，所述弧面30上開有與所述弧形空腔10聯通的、布滿弧面30的通孔20。具體實施時，所述基座100的弧面30上的通孔20為方孔，所述方孔成排緊密規則地布滿所述弧面30。所述基座100能夠耐1000°C以上的高溫，並且在溫度273K 1273K範圍內其膨脹係數低於IOX 10_6m/K。例如採用Mo、Hf等兩種材料的合金，作為製作基座100的材料。
(3)、將磁塊M置於基座100的弧面30上；所述基座100的弧形空腔10內裝有濺射靶材N，所述濺射靶材N由I類稀土材料和II類金屬材料構成的合金,所述I類稀土材料由NcUGd等兩種以任意比例混合，佔所述濺射靶材N總重量的85%以上；所述II類金屬材料由Mg、Ca、Cu等三種以任意比例混合，即佔所述濺射靶材N總重量的15%。(4)、如圖6所示，將磁塊M和基座100—同置於真空燒結裝置中，所述真空燒結裝置內安裝有可調節壓力裝置300，所述可調節壓力裝置300的輸出壓力端安裝有用不與磁塊M發生物理化學發應的材料製備的、底部呈圓弧狀的壓力件200，所述磁塊M置於所述壓力件200的圓弧狀底部的下方，如圖1所示。(5)、分如下四階段實施熱處理工藝:
a、將真空燒結裝置的真空度排至lX10_3Pa以下，同時啟動加熱系統升溫至500°C，調節可調節壓力裝置300的輸出壓力至0.4MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，並保持 1- 7h ；
b、利用加熱系統升溫至550°C，調節可調節壓力裝置300的輸出壓力至0.9MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，並保持4h ；
C、利用加熱系統升溫至680°C，調節可調節壓力裝置300的輸出壓力至1.2MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，並保持3h ；
d、利用加熱系統升溫至800°C，調節可調節壓力裝置300的輸出壓力至1.8MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，並保持24h ；
通過上述熱處理工藝處理後，所述磁塊M的下表面形成其與所述基座100的弧面30相吻合的弧面，磁塊M的上表面在壓力下自然形成弧面，如圖2所示。
(6)、冷卻至室溫後取出，完成將具有磁力線β平行分布的磁塊M製成具有磁力線β聚焦成輻射狀 分布的磁瓦400，如圖8所示。
權利要求
1.一種磁力線輻射發散的磁瓦的製作方法，其特徵在於:包括如下步驟: (1)、對具有磁力線β平行分布的磁塊M進行表面清潔處理； (2)、用不與磁塊M發生物理化學反應的材料製備基座(100)，所述基座(100)的頂部具有弧面(30)，基座(100)上位於所述弧面(30)的下方形成有與弧面(30)弧度相同的弧形空腔(10)，所述弧面(30)上開有與所述弧形空腔(10)聯通的、布滿弧面(30)的通孔(20)； (3)、將磁塊M置於基座(100)的弧面(30)上；所述基座(100)的弧形空腔(10)內裝有濺射靶材N，所述濺射靶材N是由I類稀土材料和II類金屬材料構成的合金,所述I類稀土材料由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho中的一種或幾種以任意比例混合，佔所述派射革巴材N總重量的範圍是:大於等於80%且小於100% ;所述II類金屬材料由Ga、Al、Sn、Mg、Ca、Cu中的一種或幾種以任意比例混合； (4)、將磁塊M和基座(100)—同置於真空燒結裝置中，所述真空燒結裝置內安裝有可調節壓力裝置(300)，所述可調節壓力裝置(300)的輸出壓力端安裝有用不與磁塊M發生物理化學發應的材料製備的、底部呈圓弧狀的壓力件(200)，所述磁塊M置於所述壓力件(200)的圓弧狀底部的下方； (5)、分如下四階段實施熱處理工藝: a、將真空燒結裝置的真空度排至lX10_3Pa以下，同時啟動加熱系統升溫至500°C，調節可調節壓力裝置(300)的輸出壓力至0.1 0.5MPa，壓力件(200)在調節好的溫度、壓力下壓磁塊M，並保持I 2h ; b、利用加熱系統升溫至500 600°C，調節可調節壓力裝置的輸出壓力至0.5 IMPa，壓力件(200)在調節好的 溫度、壓力下壓磁塊M，並在保持2 5h ; C、利用加熱系統升溫至600 700°C，調節可調節壓力裝置(300)的輸出壓力至I 1.5MPa，壓力件(200)在調節好的溫度、壓力下壓磁塊M，並保持2 5h ; d、利用加熱系統升溫至700 1000°C，調節可調節壓力裝置(300)的輸出壓力至1.5 2MPa，壓力件(200)在調節好的溫度、壓力下壓磁塊M，並保持4 24h ; 通過上述熱處理工藝處理後，所述磁塊M的下表面形成其與所述基座(100)的弧面(30)相吻合的弧面，磁塊M的上表面在壓力下自然形成弧面； (6)、冷卻至室溫後取出，完成將具有磁力線β平行分布的磁塊M製成具有磁力線β聚焦成輻射狀分布的磁瓦(400 )。
2.根據權利要求1所述的磁力線輻射發散的磁瓦的製作方法，其特徵在於:所述步驟(5)中，升溫的速度為5°C /min。
3.根據權利要求1或2所述的磁力線輻射發散的磁瓦的製作方法，其特徵在於:所述步驟(2)中基座(100)的製備材料採用Mo、Hf、W、Ta、Nb、Zr的一種或以上幾種以任意比例混合。
4.權利要求3所述的磁力線輻射發散的磁瓦的製作方法，其特徵在於:所述步驟(2)中基座(100 )的弧面(30 )上的通孔(20 )為方孔，所述方孔成排規則地布滿所述弧面(30 )。
5.權利要求4所述的磁力線輻射發散的磁瓦的製作方法，其特徵在於:所述步驟(2)中的基座(100)在溫度273K 1273K範圍內的膨脹係數低於10X10_6m/K。
6.根據權利要求1或2所述的磁力線輻射發散的磁瓦的製作方法，其特徵在於:所述步驟(3)中濺射靶材N呈顆粒狀。
7.根據權利要求6所述的磁力線輻射發散的磁瓦的製作方法，其特徵在於:所述步驟(3)中濺射靶材N中所述I類稀土材料由Pr、Nd、Dy、Ho的一種或幾種以任意比例混合，佔濺射靶材總重量的90%以上；所述II類金屬材料由Ga、Al、Cu中的一種或幾種以任意比例混 合。
全文摘要
本發明涉及磁瓦的製作方法，具體為製作磁力線輻射發散的磁瓦的方法及裝置，解決了目前缺乏一種製造出磁力線β點點垂直於其圓弧面切平面方向的永磁瓦片的方法的問題。一種磁力線輻射發散的磁瓦的製作方法，包括如下步驟(1)、對具有磁力線β平行分布的磁塊M進行表面清潔處理；(2)、用不與磁塊M發生物理化學發應的材料製備基座，所述基座的頂部具有弧面，基座上位於所述弧面的下方形成有與弧面弧度相同的弧形空腔，所述弧面上開有與所述弧形空腔聯通的、布滿弧面的通孔。本發明設計合理、操作簡便，採用熱處理的方法對已加工成形的稀土-鐵-硼系永磁體進行具有導向性的熱變形處理，最終製造出具有磁力線β聚焦成輻射狀分布的磁瓦。
文檔編號B22F3/14GK103236347SQ20131013752
公開日2013年8月7日 申請日期2013年4月19日 優先權日2013年4月19日
發明者徐建波, 祁三文, 張敏, 張鋒銳, 張燕慶 申請人:山西匯鏹磁性材料製作有限公司