像素結構、陣列基板和液晶顯示面板的製作方法
2023-10-30 01:42:12
本發明涉及顯示器技術領域，尤其涉及一種像素結構，還涉及包含該像素結構的陣列基板和液晶顯示面板。
背景技術：
液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有機身薄、省電、無輻射等眾多優點，得到了廣泛的應用。如：液晶電視、行動電話、個人數字助理(PDA)、數字相機、計算機屏幕或筆記本電腦屏幕等。
隨著技術的進步，液晶顯示器向著高對比度、無灰階反轉、高亮度、高色飽和度、快速響應、以及廣視角等方向發展。目前常見的廣視角技術包括：扭轉向列型液晶(TN)加上廣視角膜(wide viewing film)、共平面切換式(In-plane Switching，IPS)液晶顯示器、邊際場切換式(Fringe Field Switching，FFS)液晶顯示器，以及多疇垂直取向式(Multi-domainVertical Alignment，MVA)液晶顯示器。
對於已知的MVA技術液晶顯示器而言，由於其通過多區域配向技術使得每個像素中的液晶分子呈多方向排列，使得液晶顯示裝置能夠達到廣視角要求。在MVA技術液晶顯示器中，為了有利於液晶規則取向形成多疇，通常是將像素電極做成具有多個相互間隔的條狀子電極以形成狹縫電極。然而，將像素電極做成狹縫電極，對應於條狀子電極上方的液晶可以完全受到電場的控制，而對應於狹縫上方的液晶卻無法得到有效地控制。由於狹縫部分無法有效的對液晶進行支配而影響液晶的效率，甚至會形成暗紋等一些嚴重的缺陷，因此，現有技術還有待於改進和發展。
技術實現要素：
鑑於現有技術存在的不足，本發明提供了一種像素結構，其中的像素電極在保證可以使得液晶規則取向形成多疇結構的前提下，又可以使得整個像素區域的液晶都得到有效的電場控制，進而提高液晶透光效率，提高顯示品質。
為了達到上述的目的，本發明採用了如下的技術方案：
一種像素結構，包括薄膜電晶體和與薄膜電晶體電性連接的像素電極，其中，所述像素電極包括異層結構設置的第一電極層和第二電極層，所述第一電極層和第二電極層之間設置有絕緣介質層，所述第一電極層為包括多個長條狀的第一子電極的狹縫電極，相鄰的兩個第一子電極之間具有第一狹縫；所述第二電極層相對位於所述第一電極層上方，所述第二電極層為包括多個長條狀的第二子電極的狹縫電極，相鄰的兩個第二子電極之間具有第二狹縫；其中，所述第一電極層投影於所述第二電極層上時，所述第一子電極完全覆蓋所述第二狹縫。
優選地，所述第一電極層投影於所述第二電極層上時，所述第一子電極與所述第二狹縫為互補的形狀結構。
優選地，所述第二電極層中，所述第二子電極的寬度為4～5μm，所述第二狹縫的寬度為4～5μm。
優選地，所述第二子電極的寬度與所述第二狹縫的寬度相等。
其中，所述第一電極層和第二電極層的材料均為透明導電材料。
其中，所述第一電極層和第二電極層的材料均為ITO。
其中，所述絕緣介質層的材料為SiNx或SiOx。
其中，所述薄膜電晶體包括柵電極、柵極絕緣層、有源層、源電極和漏電極；其中，所述柵電極形成於襯底基板上，所述柵極絕緣層覆設於所述柵電極上，所述有源層形成於所述柵極絕緣層上並相對位於所述柵電極的正上方，所述源電極和漏電極形成於所述柵極絕緣層上並分別與所述有源層電性連接；所述源電極和漏電極上覆設有鈍化層，所述像素電極形成在所述鈍化層上並且通過設置在所述鈍化層中的過孔電性連接到所述漏電極。
本發明還提供了一種陣列基板，包括襯底基板以及陣列設置於所述襯底基板上的像素結構，其中，所述像素結構為如上所述的像素結構。
本發明的另一方面是提供一種液晶顯示面板，包括相對設置的彩膜基板和陣列基板，所述彩膜基板和所述陣列基板之間設置有液晶分子，其中，所述陣列基板採用上述的陣列基板。
相比於現有技術，本發明實施例提供的像素結構，其中的像素電極包括均為狹縫電極的第一電極層和第二電極層，位於上方的第二電極層為狹縫電極，可以使得液晶規則取向形成多疇結構；位於下方的第一電極層也為狹縫電極，並且第一電極層的條狀子電極相對覆蓋第二電極層的狹縫位置，使得對應於狹縫上方的液晶也得到有效地控制，由此，整個像素區域的液晶都得到有效的電場控制，從而提高了液晶透光效率，提高了顯示品質。
附圖說明
圖1是本發明實施例中的像素結構的結構示意圖；
圖2是本發明實施例中的陣列基板的結構示意圖；
圖3是本發明實施例中的液晶顯示面板的結構示意圖。
具體實施方式
為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面結合附圖對本發明的具體實施方式進行詳細說明。這些優選實施方式的示例在附圖中進行了例示。附圖中所示和根據附圖描述的本發明的實施方式僅僅是示例性的，並且本發明並不限於這些實施方式。
在此，還需要說明的是，為了避免因不必要的細節而模糊了本發明，在附圖中僅僅示出了與根據本發明的方案密切相關的結構和/或處理步驟，而省略了與本發明關係不大的其他細節。
圖1是本發明實施例中的像素結構的結構示意圖，如圖1所示，所述像素結構包括薄膜電晶體1和與薄膜電晶體1電性連接的像素電極2，薄膜電晶體1作為像素驅動器件，用於控制是否向像素電極2輸入像素電壓。
其中，所述薄膜電晶體1包括柵電極11、柵極絕緣層12、有源層13、源電極14和漏電極15。具體地，如圖1所示，所述柵電極11形成於襯底基板10上，所述柵極絕緣層12覆設於所述柵電極11上，所述有源層13形成於所述柵極絕緣層12上並相對位於所述柵電極11的正上方，所述源電極14和漏電極15形成於所述柵極絕緣層12上並分別與所述有源層13電性連接。進一步地，所述源電極14和漏電極15上覆設有鈍化層4。所述像素電極2形成在所述鈍化層4上，所述像素電極2通過設置在鈍化層4中的過孔電性連接到所述漏電極15。
具體地，所述襯底基板10可以選擇為玻璃襯底。所述柵電極11的材料可以選自鉬(Mo)、鋁(Al)和銅(Cu)中的任意一種或者兩種。所述柵極絕緣層12和所述鈍化層4的材料主要是無機絕緣材料，例如可以是SiNx或SiOx或兩者結合。所述有源層13的材料可以選擇是多晶矽，也可以採用金屬氧化物半導體材料。所述源電極14和漏電極15的材料可以選自鉬(Mo)、鋁(Al)和銅(Cu)中的任意一種或者兩種。
其中，如圖1所示，所述像素電極2包括異層結構設置的第一電極層21和第二電極層22，所述第二電極層22相對位於所述第一電極層21上方，所述第一電極層21和第二電極層22之間設置有絕緣介質層3。所述第一電極層21為包括多個長條狀的第一子電極21a的狹縫電極，相鄰的兩個第一子電極21a之間具有第一狹縫21b。所述第二電極層22為包括多個長條狀的第二子電極22a的狹縫電極，相鄰的兩個第二子電極22a之間具有第二狹縫22b。其中，所述第一電極層21投影於所述第二電極層22上時，所述第一子電極21a完全覆蓋所述第二狹縫22b。
如上所提供的像素結構，其中的像素電極2包括均為狹縫電極的第一電極層21和第二電極層22，由於位於上方的第二電極層22為狹縫電極，可以使得液晶規則取向形成多疇結構；而位於下方的第一電極層21也為狹縫電極，並且第一電極層21的條狀子電極21a相對覆蓋第二電極層22的狹縫位置，使得對應於狹縫上方的液晶也得到有效地控制，由此，整個像素區域的液晶都得到有效的電場控制，從而提高了液晶透光效率，提高了顯示品質。
在本實施例中，所述第一電極層21投影於所述第二電極層22上時，所述第一子電極21a與所述第二狹縫22b為互補的形狀結構，也就是說，第一子電極21a恰好完全覆蓋所述第二狹縫22b，第一子電極21a與第二子電極22a沒有相互重疊的區域。當然，在另外的一些實施例中，第一子電極21a在完全覆蓋所述第二狹縫22b的基礎上，第一子電極21a還具有與第二子電極22a相互重疊的區域。
具體地，所述第一電極層21和第二電極層22的材料均為透明導電材料，優選為氧化銦錫(ITO)。所述絕緣介質層3的材料主要是無機絕緣材料，例如可以是SiNx或SiOx或兩者結合。
在本實施例中，所述第二電極層22中，所述第二子電極22a的寬度可以選擇在4～5μm的範圍內，所述第二狹縫22b的寬度也可以選擇在4～5μm的範圍內。在優選的技術方案中，所述第二子電極22a的寬度與所述第二狹縫22b的寬度設置為相等，例如，若所述第二子電極22a的寬度設置為4μm，則所述第二狹縫22b的寬度也設置為4μm；若所述第二子電極22a的寬度設置為5μm，則所述第二狹縫22b的寬度也設置為5μm。當然，在另外的一些實施例中，所述第二子電極22a的寬度與所述第二狹縫22b的寬度也可以設置為不相等，例如，若所述第二子電極22a的寬度設置為4μm，而所述第二狹縫22b的寬度也設置為5μm。
進一步地，參閱圖2和圖3，本實施例還提供了一種陣列基板和包含該陣列基板的液晶顯示面板。所述液晶顯示面板包括相對設置的彩膜基板100和陣列基板200，所述彩膜基板100和所述陣列基板200之間設置有液晶分子。其中，所述陣列基板200包括玻璃襯底201以及陣列設置於所述玻璃襯底201上的像素結構202，所述像素結構202採用了本發明實施例提供的像素結構。
綜上所述，本發明實施例提供的像素結構以及相應的陣列基板和液晶顯示面板，其中的像素電極在保證可以使得液晶規則取向形成多疇結構的前提下，又可以使得整個像素區域的液晶都得到有效的電場控制，進而提高液晶透光效率，提高顯示品質。
需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關係術語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關係或者順序。而且，術語「包括」、「包含」或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句「包括一個……」限定的要素，並不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設備中還存在另外的相同要素。
以上所述僅是本申請的具體實施方式，應當指出，對於本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本申請原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本申請的保護範圍。