半導體封裝件及半導體封裝件的製造方法與流程

2023-09-24 02:09:20

本發明涉及半導體封裝件及半導體封裝件的製造方法。尤其涉及四方扁平無引線封裝(qfn)型的半導體封裝件(quadflatnon-leadpackage)及半導體封裝件的製造方法。

背景技術：

以往，在行動電話或智慧型電話等的電子設備中，已知在引線框架上搭載ic(集成電路)晶片等的半導體裝置的半導體封裝件。通常，這種半導體封裝件採用的結構如下：在引線框架上經由粘接層接合ic晶片等的半導體裝置，並利用密封體(密封用樹脂材料)覆蓋該半導體裝置，來保護半導體裝置。

近年來，已開發了在半導體封裝件的四邊及下部面上設置有連接端子的qfn型的半導體封裝件(例如專利文獻1)。

(現有技術文獻)

(專利文獻)

專利文獻1：日本特開2001-189410號公報

技術實現要素：

(技術問題)

關於以往的qfn型的半導體封裝件，對連接端子的下部面實施了鍍敷。另一方面，連接端子的側面則未實施鍍敷，而是露出了銅(cu)。由此，當利用焊料將半導體封裝件搭載至印刷電路板等時，連接端子的側面與下部面相比焊料潤溼性低。因此，在以往的半導體封裝件中難以形成良好的填角(fillet，焊料填角)。

鑑於這種問題，本發明的一個實施方式的目的在於提供一種連接端子的側面的焊料潤溼性得到改善的半導體封裝件及其製造方法。

根據本發明的一個實施方式，提供一種半導體封裝件，其特徵在於包括：管芯焊盤(diepad)；多個外部連接端子，配置於所述管芯焊盤的周邊；半導體晶片，配置於所述管芯焊盤的上部面，並與所述多個外部連接端子電連接；以及密封部件，用於掩埋所述管芯焊盤、所述多個外部連接端子及所述半導體晶片，並使所述多個外部連接端子各個的外側端部露出，所述多個外部連接端子的各個在所述外側端部的側面包括第一區域，在所述第一區域中施有鍍層。

根據本發明的一個實施方式，提供一種半導體封裝件的製造方法，包括如下步驟：準備引線框架，所述引線框架的特徵在於，具備要單片化為多個半導體封裝件的多個區域，所述多個區域各個包括管芯焊盤、配置於所述管芯焊盤的周邊的多個外部連接端子、連接於所述管芯焊盤並連接所述多個外部連接端子的外側端部第一連結部、以及連接所述多個外部連接端子的內側端部的第二連結部，所述第二連結部從上部面被減薄；在所述引線框架的上部面的所述管芯焊盤上配置與所述多個外部端子電連接的半導體晶片；形成用於掩埋所述管芯焊盤、所述多個外部連接端子及所述半導體晶片，並使所述多個外部連接端子各個的外側端部露出的密封部件；利用模具加工，形成用於將所述多個外部連接端子及所述第一連結部的連結部去除的第一開口部；利用向所述引線框架供給電流的電解鍍敷處理，在露出了所述引線框架的區域中形成鍍層；形成從所述引線框架的下部面將所述多個外部連接端子及所述第二連結部分離的槽部；以及利用模具加工，單片化為所述多個半導體封裝件。

根據本發明的一個實施方式，提供一種半導體封裝件的製造方法，包括如下步驟：準備引線框架，所述引線框架的特徵在於，具備要單片化為多個半導體封裝件的多個區域，所述多個區域的各個包括管芯焊盤、配置於所述管芯焊盤的周邊的多個外部連接端子、以及連接於所述管芯焊盤並連接所述多個外部連接端子的外側端部的第一連結部，所述第一連結部具有沿著所述多個外部連接端子的外側端部配置的第一開口部；在所述引線框架的上部面的所述管芯焊盤之上配置與所述多個外部端子電連接的半導體晶片；形成用於掩埋所述管芯焊盤、所述多個外部連接端子及所述半導體晶片，並使所述多個外部連接端子各個的外側端部露出的密封部件；利用向所述引線框架供給電流的電解鍍敷處理，在露出了所述多個外部連接端子的區域中形成鍍層；以及利用模具加工，單片化為所述多個半導體封裝件，同時形成在側面上具有所述第一開口部的側壁的一部分的所述多個外部連接端子的各個。

根據本發明的一個實施方式，提供一種半導體封裝件的製造方法，包括如下步驟：準備引線框架，所述引線框架的特徵在於，具備由劃片劃分且要單片化為多個半導體封裝件的多個區域，所述多個區域各個包括管芯焊盤、配置於所述管芯焊盤的周邊的多個外部連接端子、以及連接於所述管芯焊盤相連接並連接所述多個外部連接端子的外側端部的第一連結部；在所述引線框架的上部面的所述管芯焊盤之上配置與所述多個外部端子電連接的半導體晶片；形成用於掩埋所述管芯焊盤、所述多個外部連接端子及所述半導體晶片，並使所述多個外部連接端子各個的外側端部露出的密封部件；利用切削加工，將所述多個外部連接端子各個的外側端部的下部面的至少一部分減薄；利用向所述引線框架供給電流的電解鍍敷處理，在露出了所述多個外部連接端子的區域中形成鍍層；以及利用切削加工，單片化為所述多個半導體封裝件。

根據本發明的一個實施方式，能夠提供一種外部連接端子的側面的焊料潤溼性得到改善的半導體封裝件及其製造方法。

附圖說明

圖1為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的結構的立體圖。

圖2為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的結構的俯視圖及側視圖。

圖3為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的結構的俯視圖及剖視圖。

圖4為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的結構的下部面及截面的放大圖。

圖5a為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的製造方法的俯視圖及剖視圖。

圖5b為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的製造方法的俯視圖及剖視圖。

圖5c為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的製造方法的俯視圖及剖視圖。

圖5d為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的製造方法的俯視圖及剖視圖。

圖5e為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的製造方法的仰視圖及截面的放大圖。

圖5f為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的製造方法的俯視圖及剖視圖。

圖5g為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的製造方法的仰視圖及截面的放大圖。

圖5h為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的製造方法的俯視圖及剖視圖。

圖5i為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的製造方法的仰視圖及截面的放大圖。

圖6為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的結構的俯視圖及側視圖。

圖7為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的結構的俯視圖及剖視圖。

圖8為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的結構的下部面及剖視圖。

圖9a為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的製造方法的俯視圖及剖視圖。

圖9b為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的製造方法的俯視圖及剖視圖。

圖9c為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的製造方法的俯視圖及剖視圖。

圖9d為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的製造方法的俯視圖及剖視圖。

圖9e為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的製造方法的仰視圖及截面的放大圖。

圖10為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的結構的俯視圖及剖視圖。

圖11為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的結構的下部面及剖視圖。

圖12a為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的製造方法的俯視圖及剖視圖。

圖12b為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的製造方法的俯視圖及剖視圖。

圖12c為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的製造方法的俯視圖及剖視圖。

圖12d為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的製造方法的俯視圖及剖視圖。

圖12e為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的製造方法的俯視圖及剖視圖。

圖13為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的結構的放大立體圖。

圖14為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的結構的放大立體圖。

圖15為用於說明本發明的一個實施方式的半導體封裝件的結構的放大立體圖。

(附圖標記說明)

100、200、300：半導體封裝件；100a：槽部；100b：第一開口部；

102、202、302：引線框架；102a：上部面；102b：下部面；102c：側面；

104：管芯焊盤；104a：上部面；104b：下部面；104c：側面；106：第一連結部；

108：第二連結部；110：第三連結部；114：外部連接端子；114a：上部面；

114b：下部面；114c：側面；114d：內側端部；114e：外側端部；114f：第一區域；

114g：凸部；114h：頂部；114i：錐形部；116：半導體晶片；118：引線；

120：密封部件；120a：模製線；122：鍍層；

具體實施方式

以下，參照附圖等對本發明的實施方式進行說明。但是，本發明能夠以多種不同的實施方式來實施，不應解釋為局限於以下示例的實施方式的記載內容。另外，為了更加明確地說明，存在附圖與實際的實施方式相比，示意性地示出各部分的寬度、厚度、形狀等的情況，但這僅是一個示例，不用於限定本發明的解釋。另外，在本說明書和各附圖中，對於各附圖與前述的附圖相同的要素標註相同的附圖標記，並存在適當省略詳細的說明的情況。

在本說明書中，在某個部件或區域在其他部件或區域之「上(或下)」的情況下，除非另有限定，這些不僅包括其他部件或區域的正上方(或正下方)的情況，還可以包括其他部件或區域的上方(或下方)的情況，即，也可以包括在其他部件或區域的上方(或下方)且在其間包括其他結構要素的情況。

[半導體封裝件100的結構]

參照附圖，對本實施方式的半導體封裝件100的結構進行詳細的說明。

圖1為用於說明本實施方式的半導體封裝件100的結構的立體圖。圖13為用於說明本實施方式的半導體封裝件100的結構的放大立體圖。這些附圖示出了分別從半導體封裝件100的上部面及下部面側觀察的立體圖。在圖13中，將外部連接端子114附近放大示出。本實施方式的半導體封裝件100為qfn型的半導體封裝件。半導體封裝件100的下部面呈矩形，沿著其四邊配置有多個外部連接端子114，並且多個外部連接端子114的各個的側面114c及下部面114b露出。外部連接端子114所露出的側面114c及下部面114b實施了鍍層122。另外，在半導體封裝件100的下部面上，沿著四邊配置有四個槽部100a。四個槽部100a的各個與七個外部連接端子114相鄰地配置。

圖2為用於說明本實施方式的半導體封裝件100的結構的仰視圖及側視圖。圖3為用於說明本實施方式的半導體封裝件100的結構的俯視圖及剖視圖。圖4為用於說明本實施方式的半導體封裝件100的結構的下部面及截面的放大圖。在此，在圖3的俯視圖中，為了說明密封了的半導體晶片116等，以將密封部件120的一部分切除的方式示出。

本實施方式的半導體封裝件100包括管芯焊盤(diepad)104、多個外部連接端子114、半導體晶片116、多個引線118以及密封部件120。

管芯焊盤104具有上部面、下部面及側面。上部面及下部面配置於實質上相互平行的平面上。在本實施方式中，例如從圖3或圖4可知，管芯焊盤104的上部面及側面因密封部件120的緣故而從外部無法看到，而下部面是露出的。在露出的管芯焊盤104的下部面施有鍍層122。作為鍍層122的材料，稍後進行詳細地說明，但使用也可鍍敷在外部連接端子114的側面114c上的鍍層122即可。

作為管芯焊盤104的材料，優選地使用具有優異的機械強度、導電性、導熱性及耐腐蝕性等的金屬材料。作為管芯焊盤104的具體的材料，可以使用例如銅(cu)類材料。作為cu類材料，可以使用例如在銅中添加了鐵(fe)、磷(p)等的合金。另外，也可以使用fe類材料。作為fe類材料，可以使用例如在fe中添加了鎳(ni)等的金屬。

例如，如圖3可知，多個外部連接端子114配置於管芯焊盤104的周邊。在本實施方式中，如圖4所示，多個外部連接端子114的各個呈矩形，所述矩形具有配置於管芯焊盤104的一側的內側端部114d及比內側端部114d更遠離於管芯焊盤104的外側端部114e。此外，外部連接端子114的平面形狀不限於矩形。作為另外的示例，外側端部114e可以呈凸形。進而，可以呈包括曲線的形狀。

如圖4的剖視圖所示，多個外部連接端子114的各個具有上部面114a、下部面114b及側面114c。上部面114a及下部面114b配置為實質上相互平行的平面狀。另外，在此，側面114c是指多個外部連接端子114的各個的表面中的除了上部面114a及下部面114b之外的表面。

關於多個外部連接端子114的各個，下部面114b及外側端部114e的側面114c露出。在露出的下部面114b上施有鍍層122。露出的外側端部114e的側面114c包括第一區域114f。在本實施方式中，第一區域114f等同於外側端部114e的側面114c。在第一區域114f上施有鍍層122。作為鍍層122的材料，優選使用改善焊料潤溼性、降低要搭載半導體封裝件100的印刷電路板的布線等的外部布線與外部連接端子114之間的電阻的金屬。作為具體的鍍層122的材料，可以使用例如錫(sn)，或在sn中添加了銀(ag)、銅(cu)、鉍(bi)等金屬的材料等。

對於多個外部連接端子114，將在後述的製造方法說明中進行詳細的說明，但由於是從與管芯焊盤104相同的引線框架102中切出的，因此由與管芯焊盤104相同的材料構成。

半導體晶片116配置於管芯焊盤104的上部面，並與多個外部連接端子114電連接。半導體晶片116經由粘接劑(未圖示)而固定於上部面來配置。在半導體晶片116的上部設置有與半導體晶片116所包括的電子電路相連接的外部端子(未圖示)。另外，在本實施方式中，示出了半導體封裝件100包括一個半導體晶片116的實施方式，但不限於此，只要包括至少一個半導體晶片116即可。

作為半導體晶片116，例如，可以使用中央運算處理裝置(centralprocessingunit，cpu)、存儲器以及微機電系統(microelectromechanicalsystem，mems)等。

多個引線118用於將各半導體晶片116和多個外部連接端子114連線。作為引線118的材料，優選使用具有必要的導電性及連接性的材料。例如，優選地，使用金線或銅線。

密封部件120用於掩埋管芯焊盤104、多個外部連接端子114及半導體晶片116。進而，密封部件120可將多個外部連接端子114的各個的外側端部114e露出。

關於本實施方式的半導體封裝件100，在露出了多個外部連接端子114的表面上，不僅在下部面114b上，而且在外側端部114e的側面114c上也施敷有鍍層122。通過具有如此的結構，多個外部連接端子114的各個的外側端部114e的側面114c的焊料潤溼性得到提高。由此，當將半導體封裝件100利用焊料搭載到印刷電路板等時，能夠形成良好的填角。

[半導體封裝件100的製造方法]

參照附圖，對本實施方式的半導體封裝件100的製造方法進行詳細的說明。圖5a至圖5i為用於說明本實施方式的半導體封裝件100的製造方法的圖。在這些附圖中，圖5a～圖5d、圖5f、圖5h為用於說明本實施方式的半導體封裝件100的製造方法的俯視圖及剖視圖。圖5g及圖5i分別為將圖5f及圖5h的狀態中的下部面及截面放大的圖。

首先，對在本實施方式的半導體封裝件100的製造方法中使用的引線框架102的結構進行詳細的說明。

圖5a為在本實施方式的半導體封裝件100的製造方法中使用的引線框架102的俯視圖及剖視圖。引線框架102由金屬板構成，包括要單片化為多個半導體封裝件100的多個區域a。

引線框架102具有上部面102a、下部面102b及側面102c。上部面102a及下部面102b配置於實質上相互平行的平面上。側面102c為金屬板的表面當中除上部面102a及下部面102b之外的表面。引線框架102的厚度相應於金屬板的厚度，為100μm以上且600μm以下。在本實施方式中，作為引線框架102的厚度假定為200μm。

作為構成引線框架102的金屬板的材料，優選使用具有優異的機械強度、導電性、導熱性及耐腐蝕性等的金屬材料。作為金屬板的具體的材料，可以使用例如銅(cu)類材料。作為cu類材料，可以使用例如在cu中添加了鐵(fe)、磷(p)等的合金。另外，也可以使用fe類材料。作為fe類材料，可以使用例如在fe中添加了鎳(ni)等的金屬。

金屬板可以通過包括蝕刻加工或使用模具的衝壓加工的處理，來加工成以下說明的引線框架102。

多個區域a的各個包括管芯焊盤104、多個外部連接端子114、第一連結部106及第二連結部108。

管芯焊盤104具有矩形的平面形狀，並且配置於多個區域a的各個的大致中央部。從矩形的管芯焊盤104的四角的各個延伸出第三連結部110，並與第一連結部106連接。

多個外部連接端子114配置於管芯焊盤104的周邊。多個外部連接端子114的各個具有：內側端部114d，配置於管芯焊盤104一側；以及外側端部114e，與內側端部114d相比更遠離管芯焊盤104。此外，在準備引線框架102的階段中，該內側端部114d連接於後述的第二連結部108，該外側端部114e連接於後述的第一連結部106，因此兩個端部的側面並不露出。在本實施方式中，配置有28個外部連接端子114。

第一連結部106沿著多個區域a的邊界配置。總之，第一連結部106在引線框架102中排列成柵格狀。因此，在多個區域a的各個中，沿著矩形的該區域a的四邊配置。

第一連結部106連接於管芯焊盤104。如上所述，第三連結部110從矩形的管芯焊盤104的四角呈輻射狀地延伸，並連接於第一連結部106。

第一連結部106連接多個外部連接端子114的外側端部114e。換言之，多個外部連接端子114的外側端部114e連接於第一連結部106。在本實施方式中，配置於區域a的四邊的各第一連結部106連接於七個外部連接端子114。由此，在區域a的周邊連接了28個外部連接端子114。

第二連結部108連接多個外部連接端子114的內側端部114d。換言之，多個外部連接端子114的內側端部114d連接於第二連結部108。第二連結部108配置於管芯焊盤104的周圍，並連接於第三連結部110。

在本實施方式中，第二連結部108沿著矩形的管芯焊盤104的周邊配置，並連接相鄰的第三連結部110彼此。在連接相鄰的第三連結部110的第二連結部108的各個上，連接著七個外部連接端子114的內側端部114d。

相對於構成引線框架102的金屬板的厚度，第二連結部108被減薄。在本實施方式中，第二連結部108從上部面102a和下部面102b中的任意一面(在本實施方式中為上部面102a)被減薄。第二連結部108減薄為例如100μm。

本實施方式的引線框架102所具有的各結構相互物理連接且電連接。

以上，對在本實施方式的半導體封裝件100的製造方法中所使用的引線框架102的結構進行了說明。接下來，對本實施方式的半導體封裝件100的製造方法進行詳細的說明。

首先，準備上述引線框架102(圖5a)。

接下來，在引線框架102的上部面102a的管芯焊盤104上配置半導體晶片116。半導體晶片116與多個外部連接端子114電連接。在本實施方式中，利用引線118來接線半導體晶片116及多個外部連接端子114的各個(圖5b)。

接下來，形成掩埋管芯焊盤104、多個外部連接端子114及半導體晶片116的密封部件120(圖5c)。密封部件120將多個外部連接端子114各個的外側端部114e露出。

關於本實施方式中的密封部件120的形成，將引線框架102的上部面102a的一側的一部分掩埋，而露出下部面102b。總之，在多個區域a的各個中，露出多個外部連接端子114的上部面114a的一部分、第一連結部106的上部面、管芯焊盤104的下部面、多個外部連接端子114的下部面114b、第一連結部106的下部面及第二連結部108的下部面。

利用模具來進行密封部件120的形成。以圖5b的狀態設置於模具的內部，並在模具內部中利用高壓壓入密封部件，來填充模具內部的空間。作為密封部件120，可以使用熱固性樹脂。作為熱固性樹脂，可以使用例如環氧樹脂。

接下來，形成第一開口部100b(圖5d及圖5e)。第一開口部100b至少貫通引線框架102，並去除多個外部連接端子114和第一連結部106的連結部。由此，露出多個外部連接端子114的外側端部114e的側面114c。在此，第一開口部100b的側壁形狀與多個外部連接端子114的外側端部114e的側面114c的形狀相對應。第一開口部100b可以通過模具加工來形成。作為模具加工可以使用基於具有規定圖案的模具的衝壓加工。

在本實施方式中，在多個區域a的各個的四個位置處形成槽狀的第一開口部100b。總之，沿著區域a的四邊的各個而形成槽狀的第一開口部100b。

此外，在本實施方式中，作為第一開口部100b的形狀，示出了矩形的示例，但不限於此。如上所述，第一開口部100b的側壁的形狀也可以與多個外部連接端子114的外側端部114e的側面的形狀相對應，由此可根據期望的多個外部連接端子114的外側端部114e的側面114c的形狀，來選擇第一開口部100b的形狀。例如，多個外部連接端子114的外側端部114e的側面114c可以呈凸形。進而，可以呈包括曲線的形狀。

接下來，可以實施向引線框架102供給電流的電解鍍敷處理(圖5f及圖5g)。由此，在露出了引線框架102的區域形成鍍層122。

優選地，作為鍍層122的材料，可以使用改善焊料潤溼性、降低搭載半導體封裝件100的印刷電路板的布線等的外部布線與外部連接端子114之間的電阻下降的金屬。作為具體的鍍層122的材料，可以使用例如錫(sn)，或在sn中添加了銀(ag)、銅(cu)及鉍(bi)等金屬的材料等。

在上述工序中，通過形成第一開口部100b，來去除多個外部連接端子114及第一連結部106的連結部。但是，多個外部連接端子114的各個經由第二連結部108連接於引線框架102。由此，在該電解鍍敷處理中，也向多個外部連接端子114供給電流，而能夠對露出的區域實施電解鍍敷處理。

在此，露出了多個外部連接端子114的上部面114a的一部分、第一連結部106的上部面、管芯焊盤104的下部面、多個外部連接端子114的外側端部114e的側面114c、多個外部連接端子114的下部面114b、第一連結部106的下部面及第二連結部108的下部面，因此，可在這些區域上形成鍍層122。在此，通過形成第一開口部100b，而在多個外部連接端子114的外側端部114e的側面114c形成鍍層122。

在以往的半導體封裝件100的製造方法中，不包括本實施方式這樣的形成第一開口部100b的工序，因此在外部連接端子114的外側端部114e的側面114c不形成鍍層122。

接下來，形成將多個外部連接端子114及第二連結部108從引線框架102的下部面102b分離的槽部100a(圖5h及圖5i)。槽部100a是有底的，並不貫通引線框架102。槽部100a只要具有貫通減薄了的第二連結部108的厚度即可。由此，多個外部連接端子114的各個被分離。

槽部100a可以通過切削加工來形成。作為切削加工，可以採用例如使用劃片刀(dicingsaw)的切削加工。關於使用劃片刀的切削加工，通過將作為鑽石制的圓形刀片的劃片刀高速旋轉，在使用純水進行冷卻/切屑衝洗的同時進行切削。

在本實施方式中，沿著半導體封裝件100的下部面的四邊，在四個位置處形成槽部100a。進而，在本實施方式中，利用切削加工完全去除第二連結部108。但是，在所述切削加工中，只需將多個外部連接端子114的各個分離即可，並非一定要完全去除第二連結部108。

接下來，利用模具加工而單片化為多個半導體封裝件100。利用以上的工序，能夠獲得在圖1至圖4中示出的本實施方式的半導體封裝件100。

以上對本實施方式的半導體封裝件100的製造方法進行了說明。根據本實施方式的半導體封裝件100的製造方法，也可以在露出了外部連接端子114的外側端部114e的側面114c上形成鍍層122。由此，能夠提供外部連接端子114的外側端部114e的側面114c的焊料潤溼性得到改善的半導體封裝件100。

[半導體封裝件200的結構]

參照附圖，對本實施方式的半導體封裝件200的結構進行說明。

圖14為用於說明本實施方式的半導體封裝件200的結構的放大立體圖。該圖為分別從半導體封裝件200的上部面及下部面一側觀察的立體圖，將外部連接端子114附近放大示出。圖6為用於說明本實施方式的半導體封裝件200的結構的仰視圖及側視圖。圖7為用於說明本實施方式的半導體封裝件200的結構的俯視圖及剖視圖。圖8為用於說明本實施方式的半導體封裝件200的結構的下部面及截面的放大圖。在此，在圖7的俯視圖中，為了說明密封了的半導體晶片116等，切除了密封部件120的一部分而示出。

在如下的說明中，省略對於與第一實施方式的半導體封裝件100相通用的結構要素的說明，而以不同點為中心進行說明。

本實施方式的半導體封裝件200與第一實施方式的半導體封裝件100相比，其不同點在於外部連接端子114的結構。具體而言，例如，如圖6及圖7所示，關於本實施方式的半導體封裝件200，多個外部連接端子114的各個在外側端部114e的側面上具有凸部114g。凸部114g突出於作為密封部件120所佔的區域的模製線120a的外側。凸部114g的上部面及下部面分別配置於實質上與外部連接端子114的上部面114a及下部面114b相同的平面上。施有鍍層122的第一區域114f包括凸部114g的頂部114h。在本實施方式中，第一區域114f等同於凸部114g的頂部114h。

在本實施方式的半導體封裝件200中，在露出了多個外部連接端子114的表面，不僅在下部面114b，而且在外側端部114e的側面114c的一部分也施有鍍層122。通過具有這樣的結構，多個外部連接端子114的各個的外側端部114e的側面114c的焊料潤溼性得到提高。由此，當將半導體封裝件200利用焊料搭載到印刷電路板等時，能夠形成良好的填角。

[半導體封裝件200的製造方法]

參照附圖，對本實施方式的半導體封裝件200的製造方法進行詳細的說明。圖9a至圖9e為用於說明本實施方式的半導體封裝件200的製造方法的圖。在這些圖中，圖9a～圖9d為用於說明本實施方式的半導體封裝件200的製造方法的俯視圖及剖視圖。圖9e為將圖9d的狀態中的下部面及截面放大的圖。

首先，對在本實施方式的半導體封裝件200的製造方法中使用的引線框架202的結構進行詳細的說明。

圖9a為在本實施方式的半導體封裝件200的製造方法中使用的引線框架202的俯視圖及剖視圖。引線框架202由金屬板構成，並包括要單片化為多個半導體封裝件200的多個區域a。

關於構成引線框架202的金屬板的厚度、材料等，與第一實施方式中說明的厚度、材料等相同。

金屬板可通過利用蝕刻加工或使用模具的衝壓加工的處理，而加工為以下說明的線框架202。

多個區域a的各個包括管芯焊盤104、多個外部連接端子114及第一連結部106。

在此，關於管芯焊盤104及多個外部連接端子114的結構，與第一實施方式中說明的結構相同。以下，對第一連結部106的結構的不同點進行說明。

在本實施方式的引線框架202中，第一連結部106具有沿著多個外部連接端子114的外側端部114e配置的第一開口部106a。進而，在本實施方式中，在多個區域a的各個的四個位置處配置有槽狀的第一開口部106a。簡言之，沿著區域a的四邊的各個配置有槽狀的第一開口部106a。

作為第一開口部106a各個的配置，優選配置為，在第一連結部106中，第一開口部106a的側壁與多個外部連接端子114儘可能地接近。另一方面，為此，從確保第一連結部106及多個外部連接端子114的連結部的強度的觀點來看，優選要設置充分的距離。

本實施方式的引線框架202所具有的各結構相互物理連接且電連接。

以上，對在本實施方式的半導體封裝件200的製造方法中所使用的引線框架202的結構進行了說明。接下來，對本實施方式的半導體封裝件200的製造方法進行詳細的說明。

首先，準備上述引線框架202(圖9a)。

接下來，在引線框架202的上部面202a的管芯焊盤104之上配置半導體晶片116。半導體晶片116與多個外部連接端子114電連接。在本實施方式中，利用引線118將各半導體晶片116及所述多個外部連接端子114接線(圖9b)。

接下來，形成掩埋管芯焊盤104、多個外部連接端子114及半導體晶片116的密封部件120(圖9c)。密封部件120露出多個外部連接端子114各自的外側端部114e。密封部件120的形成可利用模具加工來進行。

接下來，實施向引線框架202供給電流的電解鍍敷處理(圖9d及圖9e)。由此，在露出有引線框架202的區域中形成鍍層122。

接下來，通過模具加工單片化為多個半導體封裝件200。與此同時，形成在側面具有第一開口部106a的側壁的一部分的多個外部連接端子114的各個。在基於模具加工的單片化中，可以使用基於具有規定圖案的模具的衝壓加工，沿著圖9e所示的圖案200a進行切斷。在此，第一開口部106a的側壁的形狀與多個外部連接端子114的外側端部114e的側面114c的形狀相對應。通過以上的工序，能夠獲得在圖6至圖8中示出的本實施方式的半導體封裝件200。

此外，在本實施方式中，作為第一開口部106a的形狀，示出了矩形的示例，但不限於此。如上所述，第一開口部106a的側壁的形狀與多個外部連接端子114的外側端部114e的側面的形狀相對應，因此可以根據期望的多個外部連接端子114的外側端部114e的側面114c的形狀來選擇第一開口部106a的形狀。例如，多個外部連接端子114的外側端部114e的側面114c可以呈半橢圓形、三角形的凸形。

以上，對本實施方式的半導體封裝件200的製造方法進行了說明。根據本實施方式的半導體封裝件200的製造方法，也可以在露出了外部連接端子114的外側端部114e的側面114c上形成鍍層122。由此，能夠提供外部連接端子114的外側端部114e的側面114c的焊料潤溼性得到改善的半導體封裝件200。

[半導體封裝件300的結構]

參照附圖，對本實施方式的半導體封裝件300的結構進行說明。

圖15為用於說明本實施方式的半導體封裝件300的結構的放大立體圖。該圖為分別從半導體封裝件300的上部面及下部面一側觀察的立體圖，將外部連接端子114附近放大示出。圖10為用於說明本實施方式的半導體封裝件300的結構的仰視圖及側視圖。圖11為用於說明本實施方式的半導體封裝件300的結構的俯視圖及剖視圖。在此，在圖11的俯視圖中，為了說明密封了的半導體晶片116等，切除密封部件120的一部分而示出。此外，在本實施方式中，例示並說明了基於一併模製方式的半導體封裝件300的結構及製造方法的方式，但也可採用第一實施方式及第二實施方式所例示的單片模製方式。

在以下的說明中，省略對於與第一實施方式的半導體封裝件100通用的結構要素的說明，而以不同點為中心進行說明。

本實施方式的半導體封裝件300與第一實施方式的半導體封裝件100相比，其不同點在於，在多個外部連接端子114各個的外側端部114e的側面114c具有錐形部114i，要實施鍍層122的第一區域114f包括所述錐形部114i。在本實施方式中，第一區域114f等同於錐形部114i。

[半導體封裝件300的製造方法]

參照附圖，對本實施方式的半導體封裝件300的製造方法進行說明。圖12a至圖12e為用於說明本實施方式的半導體封裝件300的製造方法的俯視圖及剖視圖。

首先，對在本實施方式的半導體封裝件300的製造方法中使用的引線框架302的結構進行詳細的說明。

圖12a為用於說明在本實施方式的半導體封裝件300的製造方法中使用的引線框架302的俯視圖及剖視圖。引線框架302由金屬板構成，由劃片線302d劃分，且包括要被單片化為多個半導體封裝件300的多個區域a。

對於構成引線框架302的金屬板的厚度、材料等，與在第一實施方式中說明的部分相同。

金屬板可以利用包括蝕刻加工或使用模具的衝壓加工的處理，而加工成以下說明的引線框架302。

多個區域a各個包括管芯焊盤104、多個外部連接端子114及第一連結部106。

在此，關於管芯焊盤104、多個外部連接端子114及第一連結部106的結構，與在第一實施方式中說明的部分相同，因此省略詳細的說明。

本實施方式的引線框架302具有的各結構相互物理連接且電連接。

以上，對在本實施方式的半導體封裝件300的製造方法中所使用的引線框架302的結構進行了說明。接下來，對本實施方式的半導體封裝件300的製造方法進行詳細的說明。

首先，準備上述引線框架302(圖12a)。

接下來，在引線框架302的上部面302a的管芯焊盤104之上配置半導體晶片116。半導體晶片116與多個外部連接端子114電連接。在本實施方式中，利用引線118將半導體晶片116及多個外部連接端子114的各個接線(圖12b)。

接下來，形成掩埋管芯焊盤104、多個外部連接端子114及半導體晶片116的密封部件120(圖12c)。密封部件120露出多個外部連接端子114的各個的下部面114b。密封部件120的形成可利用模具加工來進行。

接下來，通過切削加工，將多個外部連接端子114各個的外側端部114e的下部面114b的至少一部分減薄(圖12d)。

在本實施方式中，底部的區域形成包括劃片線302d的槽部302e，由此形成減薄了的區域。槽部302e的側壁具有傾斜。利用該傾斜，在俯視圖上，槽部302e的開口邊緣配置於底部的外側。

接下來，實施向引線框架302供給電流的電解鍍敷處理。由此，在露出引線框架302的區域中形成鍍層122(圖12e)。

接下來，通過切削加工來單片化為多個半導體封裝件300。通過以上的工序，能夠獲得在圖10及圖11中示出的本實施方式的半導體封裝件300。

此時，劃片線302d配置於槽部302e的底部內，因此，具有傾斜的槽部302e的側壁保留而不被切削。由此，可在外側端部114e形成具有錐形部114i的外部連接端子114。

以上，對本實施方式的半導體封裝件300的製造方法進行了說明。根據本實施方式的半導體封裝件300的製造方法，也可以在露出了外部連接端子114的外側端部114e的側面114c上形成鍍層122。由此，能夠提供外部連接端子114的外側端部114e的側面114c的焊料潤溼性得到改善的半導體封裝件300。

以上，對基於本發明的優選實施方式的半導體封裝件及半導體封裝件的製造方法進行了說明。但是，這些只是示例，本發明的技術範圍不限於此。實際上，只要是本發明所屬領域的普通技術人員，就能夠不脫離權利要求書所要求的本發明的要旨，而進行各種變更。由此，應理解為這些變更當然也屬於本發明的技術範圍內。