眾人拾柴火焰高 MRAM存儲技術聯盟成立
2023-10-18 03:14:55
泡泡網內存頻道11月25日 20多家日本以及美國企業已經組成MRAM技術研發聯盟,聯合開發MRAM技術,不過按照目前MRAM的發展進程,想要大規模投入使用MRAM,預計還得等到2018年。
以東京電子、信越化工、瑞薩電子、日立以及美光科技在內的20多家日本以及美國企業已經組成MRAM技術研發聯盟,聯合開發MRAM技術,預計在明年2月份就會啟動相關的技術研究項目。
MRAM的全稱是Magnetic Random Access Memory,即磁阻式隨機存取存儲器,這是一種非易失性存儲器,速度與DRAM不相上下,但功耗更低、容量更大,被視為下一代高速存儲器的理想之選,適合用於固態硬碟、智慧型手機、平板電腦等設備上。
按照目前MRAM的發展進程,想要大規模投入使用MRAM,預計還得等到2018年,不過現在已經陸續有廠商推出MRAM產品,例如在本月中旬,美國Everspin技術公司就推出了ST-MRAM晶片,這種晶片存儲速度是普通MLC晶片的500倍,已經達到了DRAM晶片的水平。
Buffalo Memory也在日前推出了SS6系列固態硬碟,該系列固態硬碟就配置了Everspin的DDR3 ST-MRAM晶片作為固態硬碟高速緩存。這種高速緩存採用WBGA封裝設計,單顆容量為64Mb(8MB),最高頻率為1600MHz,最高帶寬為3.2GB/s,納秒級延遲,從性能來說已經不輸給DRAM晶片,而且由於斷電不丟失數據,因此產品無需為緩存電路配置大容量電容或者是高級掉電保護技術。■