光學試驗裝置的製作方法

2023-10-04 18:28:24 2

專利名稱：光學試驗裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及對於在半導體晶片上以矩陣狀形成的多個半導體器件、或者以從半導體晶片切割後的狀態在另一面粘貼有粘接膠帶的多個半導體器件(晶片)，按各規定數量進行光學試驗的光學試驗裝置。
背景技術：
歷來，為了正確地進行半導體器件例如LED晶片的操作試驗的檢查和光學檢查，使探針與各LED晶片的電極片接觸並使LED晶片工作，並且對此時的LED晶片的電氣特性以及輸出光的特性進行檢查。圖8是表示專利文獻I所公開的現有的多晶片檢測器(^ f fα — K )的針頭和光檢測單元局部的構成例的圖，(a)是其側視圖，(b)是其俯視圖。如圖8(a)所示，現有的多晶片檢測器100的光檢測單元101具有如下:配置在待檢查的晶片的正上方，且對晶片(在此為LED晶片)輸出的光量進行檢測的光功率計102 ；該光功率計102的支承部103 ;移動支承部103的光功率計移動機構104 ;前端延伸到待檢查的晶片的鄰域的光纖105 ;保持光纖105並與用於檢測入射到光纖105的光的波長的單色器(未圖示)轉接的繼電器單元106 ;支承繼電器單元106的支承部107 ;移動支承部107的光纖移動機構108。如圖8 (b)所示，光檢測單元101具有:從圓形部使收容光纖移動機構108的部分突出的形狀。光功率計移動機構1 04和光纖移動機構108，期望是使用了壓電元件這樣的可以高速工作的元件的移動機構。但是，也可以使用將驅動螺杆和馬達加以組合這樣的移動機構。光功率計移動機構104和光纖移動機構108，如果在檢查不同的晶片時不需要移動，則沒必要設置。針頭109具有配置在光檢測單元101的周圍的形狀，且具有I個針單元109a和7個針位置調整機構109b 109h。該針單元109a是將基準針IlOa固定在針頭111上的單元。針位置調整機構109e具有如下:針IlOe ;保持針IlOe的針保持單元112e ;安裝有針保持單元112e的移動單元113e ;使移動單元113e移動的移動機構114e。就移動機構114e而言，可以使針IlOe沿著與載物臺120的載置面平行的面內的二軸方向、例如X軸方向和Y軸方向移動。針位置調整機構109b 109h也能夠以公知的移動機構實現，期望是使用了壓電元件這樣可以高速工作的元件的移動機構，但也可以使用將驅動螺杆和馬達加以組合這樣的移動機構。在與載物臺120的載置面垂直的方向上的晶片的電極片位置的偏移小，且針有彈性，如果這一方向的電極片位置的偏移小，則能夠使之確實地接觸，因此針位置調整機構不會使針在垂直於載物臺表面的方向上移動，但在需要正確的接觸壓力等的情況下，則各針位置調整機構也可以構成為，使對應的針沿著垂直於載物臺120的表面的方向移動。由此，能夠使全部的針IlOa IlOh的位置關係，符合粘貼在膠粘帶121上、分離的晶片122的各電極片的位置關係。圖9是用於說明圖8的現有的多晶片檢測器100的針保持單元112a 112h的針IlOa IlOh的探測狀態的俯視圖。圖10是表示發光器件的擴散特性的圖形。如圖9所示，對於鄰接的4個晶片122的8個電極片，從其周圍使現有的針保持單元112a 112h的針IlOa IlOh與之接觸，實現8個同時接觸。即，現有的多晶片檢測器100，持有擁有了多個位置調整機構的針IlOa 110h，以對應待檢測的4個晶片122的電極片的各位置的方式，分別調整8根針IlOa IlOh的各位置而使之與4個晶片122接觸。先行技術文獻專利文獻專利文獻I特開2008-70308號公報在專利文獻I所公開的上述現有的多晶片檢測器100的構成中，使8根針IlOa I IOh從4個晶片122的電極片的周圍同時與之接觸而進行光學檢查時，探針的配置，即8根針IlOa IlOh的配置，和支承其的支承臂，即針保持單元112a 112h的各位置，由於如圖10所示這樣遮蔽晶片122的擴散光，導致無法保持晶片配置和計測位置所對應的計測條件的均等性。總之，如圖9所示，雖然具備用於決定8根針IlOa IlOh的各配置的可動調整機構，但因為相對於各個晶片122而針角度及其支承臂的位置關係不固定，所以擴散光被針IlOa IlOh遮蔽而無法達成均等的光量的計測條件。而且，在專利文獻I中，4個晶片122的同時接觸有限度，更多的大量的晶片122的同時接觸有困難。

發明內容
本發明正是要解決上述現有的問題，其目的在於，提供一種光學試驗裝置，其能夠對於超過4個的大量的晶片進行接觸`，不論各晶片所對應的探針位置，都能夠使光學計測條件均等，而使光學測量值均等。本發明的光學試驗裝置具有如下:在與計測對象的多個發光器件進行電接觸而計測光學特性時，用於向該多個發光器件供給電源的多個接觸單元(手段)；在該多個接觸單元的兩側分別設置、且與該接觸單元同樣並且用於遮擋來自該發光器件的擴散光的虛擬單元(手段)，由此可達成上述目的。另外，優選由固定有本發明的光學試驗裝置的多個接觸單元及其兩側的所述虛擬單元的卡片單元構成。此外，優選本發明的光學試驗裝置的虛擬單元，通過遮蔽來自計測對象的區域的兩側末端位置的發光器件的擴散光，進行在所述多個器件間對所述光學特性的計測值進行修正的物理性的光學校正。此外，優選本發明的光學試驗裝置的接觸單元和所述虛擬單元，按照來自其下方的發光器件的擴散光的遮光寬度或遮光面積同等的方式構成。此外，優選本發明的光學試驗裝置的接觸單元和所述虛擬單元的截面形狀被構成為同等尺寸的同等形狀。此外，優選本發明的光學試驗裝置的接觸單元和所述虛擬單元被構成為截面同等直徑。此外，優選以與本發明的光學試驗裝置的多個接觸單元的配置間隔同等的間隔，在該多個接觸單元的兩側配置所述虛擬單元。此外，優選本發明的光學試驗裝置的接觸單元距發光位置的高度和所述虛擬單元距該發光位置的高度被配置成同等的高度。此外，優選本發明的光學試驗裝置的接觸單元的材質與所述虛擬單元的材質由同等的材質構成。此外，優選本發明的光學試驗裝置的接觸單元的表面反射特性與所述虛擬單元的表面反射特性被構成為同等的表面反射特性。此外，優選分別設於本發明的光學試驗裝置的多個接觸單元群的兩側的所述虛擬單元的需要數量，根據來自所述發光器件的擴散光的擴散特性決定。此外，優選分別設於本發明的光學試驗裝置的多個接觸單元群的兩側的所述虛擬單元的需要數量，根據從所述發光器件的發光位置至所述接觸單元的距離決定。此外，優選本發明的光學試驗裝置的虛擬單元的前端長，相比所述接觸單元的前端長，被縮短至該虛擬單元的前端不會與所述發光器件的電極片接觸的高度。此外，優選本發明的光學試驗裝置的接觸單元是接觸探針，所述虛擬單元是虛擬探針。此外，優選本發明的光學試驗裝置的多個接觸單元是多個接觸探針，所述虛擬單元是虛擬探針，所述卡片單元由固定有該多個接觸探針及其兩側的該虛擬探針的探針卡構成。此外，優選在本發明的光學試驗裝置中，以形成均等的光學特性計測條件的方式，使在所述多個接觸單元之中的、中央部的接觸單元的表面反射特性被調整得比其兩側的該接觸單元的表面反射特性高。此外，優選在本發明的光學試驗裝置中，以形成均等的光學特性計測條件的方式，使在所述多個接觸單元之中的、中央部的接觸單元的遮光程度被調整得比其兩側的該接觸單元的遮光程度小。根據上述構成，以下，說明本發明的作用。在本發明中，具有如下:與計測對象的多個發光器件進行電接觸而計測光學特性時，用於向多個發光器件供給電源的多個接觸單元；分別設於多個接觸單元的兩側，且與接觸單元同樣並且用於遮擋來自發光器件的擴散光的的虛擬單元。由此，因為在多個接觸單元的兩側分別設有虛擬單元，所以對於超過4個的大量晶片進行接觸，不論各晶片所對應的探針位置，都能夠使光學計測條件均等，可以使光學測
量值均等。而且，因為將支承臂用作作為探針的針的可動調整機構，由於臂尺寸體積大，所以也有不能使配置在檢查對象的各晶片的正上方的光學檢測用的光接收傳感器靠近檢查對象的各晶片的問題，但通過設置探針卡作為探針單元，可以使光接收傳感器接近檢查對象的各晶片而確實地進行光學計測。由上，根據本發明，因為在多個接觸單元的兩側分別設有虛擬單元，所以對於超過4個的大量晶片進行接觸，不論各晶片所對應的探針位置，都能夠使光學計測條件均等，能夠使光學測量值均等。另外，因為將支承臂用作作為探針的針的可動調整機構，由此臂尺寸體積大，所以也有不能使配置在檢查對象的各晶片的正上方的光學檢測用的光接收傳感器靠近檢查對象的各晶片這樣的問題，但作為探針單元設置探針卡，能夠使光接收傳感器接近檢查對象的各晶片，確實地進行光學計測。


圖1是表示本發明的實施方式I的光學試驗裝置的、相對於縱排列電極片的探測配置例的俯視圖，(a)是沒有虛擬探針時的俯視圖，(b)有虛擬探針時的俯視圖。圖2是表示本發明的實施方式I的光學試驗裝置的、相對於橫排列電極片的探測配置例的俯視圖，(a)是沒有虛擬探針時的俯視圖，(b)是有虛擬探針時的俯視圖。圖3(a)是表示沒有虛擬探針在探針群的兩側時的發光位置所對應的發光強度的圖，(b)是表示有虛擬探針在探針群的兩側時的發光位置所對應的發光強度的圖。圖4是用於說明圖1 (b)和圖2(b)的探針和虛擬探針與晶片的發光中心的間隔小的情況下的擴散光的遮光狀態的要部縱剖面圖。圖5是用於說明圖1 (b)和圖2(b)的探針和虛擬探針與晶片的發光中心的間隔大的情況下的擴散光的遮光狀態的要部縱剖面圖。圖6是用於說明圖1(b)和圖2(b)的探針的前端形狀的探針側視圖。圖7是用於圖1(b)和圖2(b)的虛擬探針的前端形狀的探針側視圖。圖8是表示專利文獻I所公開示的現有的多晶片檢測器的針頭和光檢測單元部分的構成例的圖，(a)是其側視圖，(b)是其俯視圖。圖9是用於說明圖8的現有的多晶片檢測器的針保持單元的針的探測狀態的俯視圖。 圖10是表示發光器件的擴散特性的示意圖。符號說明
20A, 20B光學試驗裝置21探針(接觸探針)21a虛擬探針22，23 晶片22a, 23a 電極片24光接收傳感器
具體實施例方式以下，一邊參照附圖，一邊對於本發明的光學試驗裝置的實施方式I進行詳細的說明。還有，各圖的構成構件各自的厚度和長度等是從製圖的觀點出發，並不受圖示的構成限定。(實施方式I)本實施方式I的光學試驗裝置，由探試器(口一〃' )和測試儀(f 7夕)構成。探試器具有如下:可以將晶片切斷前或晶片切斷後的多個晶片固定在上表面，設置在基臺上而可以沿著X軸、Y軸和Z軸的三個軸向移動，並且可以圍繞Z軸旋轉的作為載物臺的移動臺(未圖示)；配置在移動臺的上方，設有作為對於檢查對象的多個晶片的各電極片進行接觸用的多個接觸單元的多個探針(針狀和彈簧狀等)的探針單元(未圖示)；使檢查對象的多個晶片的各電極片的位置與接觸用的多個探針的前端位置相符，如此控制移動臺的坐標(Χ、γ、ζ)的3軸坐標位置，並且控制旋轉位置的位置制御裝置(未圖示)。測試儀具有如下:工作特性測試儀，其輸入來自探針單元的各探針的電信號，對檢查對象的器件例如LED晶片的IV特性等的各種電氣工作特性進行檢查；光學特性測試儀，其使LED晶片的發光入射光接收傳感器等的光接收單元和積分球，從而檢查發光色和發光量(發光強度)等的各種光學特性。以下，在本實施方式I的光學試驗裝置中，就對於檢查對象的多個晶片的各電極片的探測配置例進行詳細地說明。圖1是表示本發明的實施方式I的光學試驗裝置的、相對於縱排列電極片的探測配置例的俯視圖，(a)是沒有作為虛擬單元的虛擬探針時的俯視圖，(b)是具有作為虛擬單元的虛擬探針時的俯視圖。圖2是表示本發明的實施方式I的光學試驗裝置的、相對於橫排列電極片的探測配置例的俯視圖，(a)是沒有作為虛擬單元的虛擬探針時的俯視圖，(b)是有作為虛擬單元的虛擬探針時的俯視圖。如圖1(a)和圖2(a)所示，在兩側沒有虛擬探針時，無論是縱排列的晶片12的各電極片12a還是橫排列的晶片13的各電極片13a，在參考例的光學試驗裝置IOA或IOB中，與以往相比，為了削減支承探針11的現有的支承臂，以及使LED晶片等的發光器件(僅稱為晶片12或13)的各電極片12a或13a所對應的多個探針11的配置均等化，而使在多個晶片12或13間確保光量計測條件的均等性，雖然使用探針卡作為探針單元，但只設置了光量計測所需要的探針11。就多個探針11的配置而言，使晶片12或13所對應的探針11的橫切方向均等，使光的遮光程度均等。另一方面，如圖1(b)和圖2(b)所示，在兩側設有虛擬探針時，無論是縱排列的晶片22的各電極片22a還是橫排 列的晶片23的各電極片23a,在本實施方式I的光學試驗裝置20A或20B中，與以往相比，為了削減支承探針21的現有的支承臂，以及使LED晶片等的發光器件(僅稱為晶片22或23)的各電極片22a或23a所對應的多個探針21的配置均等化，而使在多個晶片22或23間確保光量計測條件的均等性，雖然使用探針卡作為探針單元，但是具有光量計測所需要的多個(在此為了使說明簡略化而作為4個)的探針21、和在其排列的兩側位置所配置的且不進行光量計測的虛擬探針21a。就探針卡而言，使多個探針21及其兩側的虛擬探針21a的各前端部按照對應晶片22或23的各電極片的方式被固定在其下表面。由此，多個探針21的配置為，使晶片22或23所對應的探針21的橫切方向達到均等(使遮光程度均等)，並且藉助兩側的虛擬探針21a，不論各晶片22或23所對應的探針位置(計測位置)，都能夠使光量的計測條件均等。由固定有多個探針21 (接觸探針)及其兩側的虛擬探針21a的探針卡構成。總之，在兩側沒有虛擬探針21a時，因為沒有遮擋兩端上下方向的擴散光，所以根據中央和兩側CH位置(計測位置)，光量的測量值有所不同。即，如圖3(a)，CH位置(計測位置)的兩端的CH-1和CH-4，提取檢查區域外的擴散光，而使放射強度被計測得強。另外，如圖3(a)，CH位置(計測位置)的中央的CH-2和CH-3，通過擴散光被其兩側的CH-1和CH-4用的各探針21遮蔽，而使放射強度被計測得弱。為了應對於此，在進行光學性修正計算時，除了光學的特性和探針位置關係以外，還要根據多重的要因，致使修正計算複雜化。因此，以發光器件的各晶片22或23為檢查對象進行光量的計測時，將作為計測/發光用接觸探針的探針21同等設計的虛擬探針21a設於其兩側，通過由兩側的虛擬探針21a遮蔽來自檢查對象的兩側的晶片22或23在計測時的放射擴散光，從而能夠不依賴發光位置而使光量的計測條件均等，能夠在物理的構成上提供計測對象的晶片22或23的光學的修正單元。即，虛擬探針21a，遮擋來自檢查對象的計測區域的兩側末端位置的晶片22或23的擴散光，從而在多個晶片22或23間，進行修正光學特性的計測值的運算以外的物理性的光學校正。如此，通過在CH位置(計測位置)的CH-1 CH-4的計測區域外的兩側也分別設置虛擬探針21a，CH位置(計測位置)的CH-l、CH-4實施與其內側的CH-2、CH_3同樣的遮蔽，對於CH-1 CH-4的全部的晶片21來說，達到了平均化的同等條件的計測環境。由此，如圖3 (b)，不論哪個CH位置(計測位置)，因為來自晶片21的擴散光被周圍的探針21和與之同形狀的虛擬探針21a均等地遮擋，所以在同等計測條件下，光量的測量值均等。作為晶片21的檢查工作(計測)的步驟，在作為電氣工作特性的DC特性計測中，同時一併計測CH位置(計測位置)的CH-1 CH-4。其次，在光學特性計測中，在CH位置(計測位置)的CH-1 CH-4個別地按每一個CH，控制發光及其光量和顏色的計測。圖4是用於說明圖1(b)和圖2(b)的探針21和虛擬探針21a與晶片22或23的發光中心的間隔小的情況下的擴散光的遮光狀態的要部縱剖面圖。圖5是用於說明圖1(b)和圖2 (b)的探針21和虛擬探針21a與晶片22或23的發光中心的間隔大的情況下的擴散光的遮光狀態的要部縱剖面圖。 如圖4所示，CH位置(計測位置)的CH-1 CH_4之中的來自CH_2的晶片22或23的發光中心的擴散光，受到其上方的各探針21和虛擬探針21a遮擋，通過各探針21和虛擬探針21a的各間隔再入射其之上的光接收傳感器24。由該光接收傳感器24檢測光量。這種情況下，通過將虛擬探針21a設置在檢查對象的多個探針21的兩側的計測區域以外的區域，能夠遮蔽來自檢查對象的兩側末端位置的晶片22或23的擴散光，使光學上的提取條件在檢查對象的全部晶片位置相同。虛擬探針21a的截面圓形的探針直徑，採用與檢查對象的計測區域的各探針21的探針直徑相同的直徑，由此能夠使擴散光的遮蔽程度更加均等化。總之，探針21和虛擬探針21a構成為，使來自其下方的晶片22或23的發光位置的擴散光的遮光寬度或遮光面積同等。此外，探針21和虛擬探針21a的截面形狀以同等尺寸的同等形狀(例如圓、橢圓、多角形、四角形、正方形和長方形等)構成。就虛擬探針21a的探針配置而言，設計成與檢查對象的計測區域的各探針21相同的配置和距離間隔(間距/高度)，由此能夠使擴散光的遮蔽程度更均等化。即，探針21的探針間隔與虛擬探針21a的探針間隔構成為同等距離。另外，探針21距晶片22或23的發光位置的探針高度，與虛擬探針21a距晶片22或23的發光位置的探針高度，構成為同等的探針聞度。此探針聞度為在如端使探針21和虛擬探針21a彎曲的根本的聞度。關於虛擬探針21a的探針材質，也採用與檢查對象的計測區域的各探針21相同的材質，由此能夠使光的表面反射特性均等化。即，探針21的表面反射特性和虛擬探針21a的表面反射特性被構成為同等的表面反射特性。另一方面，光接收傳感器24在數cm 數+cm角部下有充分的光接收面積，對於發光位置來說，不存在計測特性的差異。就探針截面而言，直徑為數百ym 數_級，以與晶片22或23的發光中點的間距為同等間距進行排列的方式設計。晶片22或23的發光中點為數百μ m級，根據來自晶片22或23的擴散特性所遮擋的光量有所變化。各探針21和虛擬探針21a，直徑越粗越遮光。全部探針個數，由檢查對象的計測區域所需要的探針個數、和其兩側的計測區域以外的區域的虛擬探針個數構成。該計測區域以外的虛擬探針個數，按照符合光的擴散條件的方式決定需要數量。使用圖4和圖5對於虛擬探針個數進行說明。在圖4中，在來自CH位置(計測位置)的CH-2的晶片22或23的發光中心的擴散光的擴散特性弱、且指向性強時(擴散角度Θ 2)，對於發光點CH-2，遮光的探針21隻有PR5。這種情況下，對於各發光點CH-1 CH-4來說，遮光的探針面積相同，所以各發光點CH-1 CH-4的發光位置所對應的光學特性不產生差異。即，不需要將虛擬探針21a設於4個探針21的兩側。在圖4中，來自CH位置(計測位置)的CH-2的晶片22或23的發光中心的擴散光的擴散特性強、且指向性弱時(擴散角度Θ I)，相對於發光點CH-2，就遮光的探針21而言，以PR5為中心、且左側有PR2 PR4這3個、並且右側有PR6 PR8這3個而合計有7個對擴散光進行遮蔽。因此，以4個同時接觸實施計測時，用於向各發光點CHl CH4供給電流的PR4 PR7這4個探針21，為了使其遮光條件均等化，需要將CHl的外側3個、CH4的外側3個作為虛擬探針21a，從而配置4個探針21和兩側各3個虛擬探針21a，合計10個探針。如圖4，探針21和虛擬探針21a與晶片22或23的發光中心的間隔小，為LI時，因為從發光點放射的擴散光在擴散之前就到達了探針高度，所以在遮光的探針區域的全部探針個數(探針21和虛擬探針21a的各自的個數)少的狀態便發揮功能。相對於此，即使擴散光的擴散特性(擴散角度Θ1或Θ 2)相同，發光點和探針21的距離不同時，遮擋的光量發生變化，計測的光量發生變化。由此，如圖5，探針21和虛擬探針21a與晶片22或23的發光中心的間隔大，為L2時，從發光點放射的擴散光被擴散直至達到探針21，因此根據擴散光的擴散面積，需要增加探針區域的全部探針個數(探針21和虛擬探針21a的各自的個數)。因此，探針21和虛擬探針21a與晶片22或23的發光中心的間隔越近，越能夠減少不參與檢查的虛擬探針21a的個數。總之，虛擬探針21a的需要數量，根據來自多個探針21的一列兩側分別作為發光器件的各晶片22或23的擴散光的擴散特性決定。另外，虛擬探針21a的需要數量，根據從多個探針21的一列兩側分別作為發光器件的各晶片22或23的發光位置至探針21的距離決定。圖6是用於說明圖1(b)和圖2(b)的探針21的前端形狀的探針側視圖。如圖6所示，在光學計測時，探針21的前端對於檢查對象的晶片22或23的各電極片22a或23a進行接觸。探針21的前端之前端形狀，以從上向下的按壓很強的方式成為向下側彎曲的形狀。圖7是用於說明圖1(b)和圖2(b)的虛擬探針21a的前端形狀的探針側視圖。如圖7所示，虛擬探針21a的前端對於檢查對象的晶片22或23的各電極片22a或23a不進行接觸，各電極片22a或23a與虛擬探針21a的前端彼此分離開。總之，保持在檢查對象的晶片22或23的發光中點的正上方的探針21，其目的如圖6這樣，將電流供給到各電極片22a或23a而使檢查對象的晶片22或23發光，按照使探針21能夠接觸檢查對象的晶片22或23的各電極片22a或23a的方式進行設計。可是，虛擬探針21a如圖7這樣，其目的是遮光，因此為了不給檢查對象的晶片22或23的各電極片22a或23a造成無謂的接觸損傷，也會預先成為削掉了虛擬探針21a的前端的狀態，以使虛擬探針21a的前端不與檢查對象的晶片22或23的各電極片22a或23a發生接觸。因此，雖然虛擬探針21a的前端形狀是向下方彎曲的，但是與探針21的向下方彎曲的前端長度相比而形成得短。利用探針21的彈力而使之與各電極片22a或23a接觸時的接觸過載量D( ^>夕々卜才一 K F 7 4 量D)，比虛擬探針21a的虛擬探針縮短量E設定得小。由此，通常虛擬探針21a的前端不會與各電極片22a或23a發生接觸。如此，就虛擬探針21a的前端長度而言，與探針21的前端長度相比，虛擬探針21a的前端被縮短至不與作為發光器件的各晶片22或23的各電極片22a或23a的表面發生接觸的高度。在此，對於使用持有與檢查對象的晶片22或23所對應的多個探針21、和此多個探針21的探針群兩側的一個或多個虛擬探針21a的探針卡的優點進行說明。圖1(b)和圖2(b)的多個探針21及其兩側的虛擬探針21a與晶片22或23的發光中心的間隔，與不使用探針卡的情況相比，能夠設定得較短。即，能夠縮短發光點與探針距離L。另外，能夠縮短對於來自晶片22或23的發光點、晶片22或23的擴散光進行光接收而檢查光量的光接收傳感器距離。由此，裝置變得小型。歷來，因為使用作為探針21的可動調整機構的支承臂，由於臂尺寸體積大，所以不能使在檢查對象的各晶片22或23的正上方所配置的光學檢測用的光接收傳感器24接近檢查對象的各晶片22或23這樣的問題存在，但是，通過設置探針卡作為探針單元，可以使光接收傳感器接近檢查對象的各晶片22或23，確實地以高精度進行光學計測。此外，就虛擬探針21a的探針配置而言，雖然設計成與檢查對象的計測區域的各探針21相同的配置和距離間隔(間距/高度)，但通過使用探針卡，能夠以均等的探針間距聞精度地實現探針設計。此外，通過使用探針卡，光接收部不僅能夠為平面傳感器，還能夠設置立體形狀的積分球等，從而可以進行更準確的光量的計測。由上，根據本實施方式1，能夠得到作為光學試驗裝置的光學試驗裝置20A或20B，其中，作為在發光器件例如LED晶片等的晶片22或23的光學特性計測中、使多個同時進行探針接觸來計測光量時的光學性修正單元，具備:用於供給電源的接觸探針21 ;和在接觸探針群的兩側，以在其以外遮擋擴散光為目的的用於取得同等計測條件的虛擬探針21a，不論多個晶片22或23的中央與兩側的器件位置，都能夠以均等的光量計測條件計測作為計測對象的晶片22或23的光學特性。如此，對於超過4個的大量晶片22或23進行接觸，不論各晶片22或23所對應的探針位置，都能夠使光學計測條件均等，能夠使光學測量值均等。對於此大量的晶片22或23的接觸， 也可以是對於數十個晶片22或23或數百個晶片22或23的接觸。
還有，在本實施方式I中，對於在計測晶片22或23的光學特性的光學試驗裝置中具有如下的情況進行了說明:在使多個晶片22或23同時探針接觸而各自計測光學特性時，用於供給電源的多個接觸探針21 ;在多個接觸探針21群的兩側分別設置，與接觸探針21同樣且用於遮擋擴散光的作為虛擬單元的一個或多個虛擬探針21a，但並不限於此，因為個別計測晶片22或23的光學特性，所以不需要使多個晶片22或23同時進行探針接觸，也可以使多個晶片22或23依次進行探針接觸。還有，在本實施方式I中，就檢查對象的多個晶片22或23的光學特性的計測而言，以檢查對象的多個晶片22或23排成一列進行了說明，但也可以是兩列的多個晶片22或23，也可以是多列的多個晶片22或23。在本實施方式I中，就作為虛擬單元的一個或多個虛擬探針21a而言，在多個晶片22或23為一列的情況下，分別設於其兩側，但在2列或多列的多個晶片22或23的情況下，需要以多個虛擬探針21a將其包圍的方式設置，其個數有所增加。還有，在本實施方式I中，雖然沒有特別詳細地說明，但除了在多個晶片22或23呈矩陣狀形成於半導體晶片的狀態下進行光學特性檢查的情況以外，還有在將半導體晶片切斷成多個晶片22或23而單片化之後的粘貼有膠粘帶的狀態下進行光學特性檢查的情況，這兩方都能夠適用本發明。還有，在本實施方式I中，雖然沒有特別說明，但設有在多個探針21的兩側分別設置的、且與多個探針21同樣並作為用於遮擋擴散光的虛擬單元的一個或多個虛擬探針21a，除此之外，也可以使多個探針21之中的中央部的探針21的表面反射特性調整得比其兩側的探針21的表面反射特性高，以達到高精度、均等的光學特性計測條件。另外，也可以使多個探針21之中的中央部的探針21的遮光程度調整得比其兩側的探針21的遮光程度低(小)，以達到高精度、均等的光學特性計測條件。還有，在本實施方式I中，對於作為多個接觸單元的多個探針21和作為其兩側的虛擬單元的一個或多個虛擬探針21a，分別朝向作為LED晶片等的發光器件的晶片22或23的兩電極片22a或23a而從兩側、相對於作為發光器件的晶片22或23的排列方向在俯視下正交(直角)地排列的情況進行了說明，但並不限於此，也可以多個探針21及其兩側的一個或多個虛擬探針21a，分別朝向多個晶片22或23的兩電極片22a或23a而分別從兩偵U、相對於多個晶片22或23的排列方向在俯視下具有規定角度地進行排列。多個探針21及其兩側的一個或多個虛擬探針21a，分別朝向多個晶片22或23的兩電極片22a或23a而各自從兩側、相對於多個晶片22或23的排列方向在俯視下正交地排列,這一方法與相對於多個晶片22或23的排列方向在俯視下具有規定角度地進行排列的情況相比，雖然來自發光器件的擴散光的遮光以最低限度就能解決，但無論探針是俯視正交、還是在俯視下探針傾斜達規定角度，都能夠取得均等的來自發光器件的擴散光的遮光。如上，採用本發明的優選的實施方式I例示了本發明，但本發明不應該限定於此實施方式I來加以解釋。而是可以理解為，應該只根據本發明專利權利要求的範圍來解釋其範圍。本領域技術人員可以理解為，根據本發明的具體的優選的實施方式I的記述，基於本發明的記述和技術常識而能夠實施等價的範圍。在本說明書中引用的專利、專利申請和文獻可以理解為，其內容本身具體來說與本說明書所述相同，其內容應該作為對於本說明書的參考被援引。
產業上的可利用性本發明在對於從半導體晶片切斷後的狀態下在另一面粘貼有粘接膠帶的多個晶片按各規定數量進行測試的光學試驗裝置的領域中，不論各晶片所對應的探針位置，都能夠使光量的計測條件均等，而使光量的測量值達到均等。另外，因為將支承臂用作作為探針的針的可動調整機構，由於臂尺寸體積大，所以也有不能使配置在檢查對象的各晶片的正上方的光學檢測用的光接收傳感器靠近檢查對象的各晶片這樣的問題，但是作為探針單元而設置探針卡，則能夠使光接 收傳感器接近檢查對象的各晶片，確實地進行光學計測。
權利要求
1.一種光學試驗裝置，其特徵在於，具有: 在與計測對象的多個發光器件進行電接觸而計測光學特性時，用於向該多個發光器件供給電源的多個接觸單元； 在該多個接觸單元的兩側分別設置、且與該接觸單元同樣並且用於遮擋來自該發光器件的擴散光的虛擬單元。
2.根據權利要求1所述的光學試驗裝置，其特徵在於， 由固定有所述多個接觸單元及其兩側的所述虛擬單元的卡片單元構成。
3.根據權利要求1所述的光學試驗裝置，其特徵在於， 所述虛擬單元，通過遮蔽來自計測對象的區域的兩側末端位置的發光器件的擴散光，進行在所述多個器件間對所述光學特性的計測值進行校正的物理性光學校正。
4.根據權利要求1所述的光學試驗裝置，其特徵在於， 所述接觸單元和所述 虛擬單元，按照來自其下方的發光器件的擴散光的遮光寬度或遮光面積同等的方式構成。
5.根據權利要求4所述的光學試驗裝置，其特徵在於， 所述接觸單元和所述虛擬單元的截面形狀被構成為同等尺寸的同等形狀。
6.根據權利要求5所述的光學試驗裝置，其特徵在於， 所述接觸單元和所述虛擬單元被構成為截面同等直徑。
7.根據權利要求1所述的光學試驗裝置，其特徵在於， 以與所述多個接觸單元的配置間隔同等的間隔，在該多個接觸單元的兩側配置所述虛擬單元。
8.根據權利要求1所述的光學試驗裝置，其特徵在於， 所述接觸單元距發光位置的高度和所述虛擬單元距該發光位置的高度被配置成同等的高度。
9.根據權利要求1所述的光學試驗裝置，其特徵在於， 所述接觸單元的材質與所述虛擬單元的材質由同等的材質構成。
10.根據權利要求1所述的光學試驗裝置，其特徵在於， 所述接觸單元的表面反射特性與所述虛擬單元的表面反射特性被構成為同等的表面反射特性。
11.根據權利要求1所述的光學試驗裝置，其特徵在於， 在所述多個接觸單元群的兩側所分別設置的所述虛擬單元的需要數量，根據來自所述發光器件的擴散光的擴散特性決定。
12.根據權利要求1或11所述的光學試驗裝置，其特徵在於， 在所述多個接觸單元群的兩側所分別設置的所述虛擬單元的需要數量，根據從所述發光器件的發光位置至所述接觸單元的距離決定。
13.根據權利要求1所述的光學試驗裝置，其特徵在於， 所述虛擬單元的前端長度，與所述接觸單元的前端長度相比，被縮短至該虛擬單元的前端不會與所述發光器件的電極片接觸的高度。
14.根據權利要求1所述的光學試驗裝置，其特徵在於， 所述接觸單元是接觸探針，所述虛擬單元是虛擬探針。
15.根據權利要求2所述的光學試驗裝置，其特徵在於， 所述多個接觸單元是多個接觸探針，所述虛擬單元是虛擬探針，所述卡片單元由固定有該多個接觸探針及其兩側的該虛擬探針的探針卡構成。
16.根據權利要求1所述的光學試驗裝置，其特徵在於， 按照達到均等的光學特性計測條件的方式，使在所述多個接觸單元之中的、中央部的接觸單元的表面反射特性被調整得比其兩側的該接觸單元的表面反射特性高。
17.根據權利要求1所述的光學試驗裝置，其特徵在於， 按照達到均等的光學特性計測條件的方式，使在所述多個接觸單元之中的、中央部的接觸單元的遮光程度被調整得比其兩側的該接觸單元的遮光程度小。
18.根據權利要求1所述的光學試驗裝置，其特徵在於， 所述多個接觸單元及其兩側的所述虛擬單元，分別朝向所述發光器件的兩電極片而從該發光器件的兩側、相 對於該多個發光器件的排列方向在俯視下正交或具有規定角度地排列。
全文摘要
本發明提供一種光學試驗裝置，無論各晶片所對應的探針位置，能夠使光量的計測條件均等，而使光量的測量值均等。其中，作為在發光器件例如LED晶片等的晶片(22)的光學特性計測中、使多個同時進行探針接觸來計測光量時的光學性修正單元，具備如下用於供給電源的接觸探針(21)；在接觸探針群的兩側，以在其以外遮擋擴散光為目的的用於取得同等計測條件的虛擬探針(21a)。
文檔編號G01R31/26GK103176115SQ20121055889
公開日2013年6月26日 申請日期2012年12月20日 優先權日2011年12月26日
發明者內田練, 石川真治, 佐藤哲也 申請人:夏普株式會社