片盒腔室、等離子體加工設備及片盒腔室的吹掃方法
2023-10-19 08:56:17 1
片盒腔室、等離子體加工設備及片盒腔室的吹掃方法
【專利摘要】本發明提供的片盒腔室、等離子體加工設備及片盒腔室的吹掃方法，其包括進氣裝置和排氣裝置，進氣裝置包括氣源、氣路、第一通斷閥和流量控制單元，其中，氣路的進氣端與氣源連通，氣路的出氣端與片盒腔室的內部連通；氣源用於經由氣路向片盒腔室輸送不與工件發生反應的氣體；第一通斷閥用於接通或斷開氣路；流量控制單元用於調節氣路的氣體流量。排氣裝置用於將氣體排出片盒腔室。本發明提供的片盒腔室，其不僅可以提高片盒腔室的清潔度，而且還可以減少片盒腔室內完成工藝的工件所釋放出的反應氣體對其他工件及進氣裝置和排氣裝置的腐蝕。
【專利說明】片盒腔室、等離子體加工設備及片盒腔室的吹掃方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體加工【技術領域】，具體地，涉及一種片盒腔室、等離子體加工設備及片盒腔室的吹掃方法。
【背景技術】
[0002]隨著半導體技術的不斷普及，生產企業面臨著越來越激烈的市場競爭。因此，就需要這些生產企業最大化地利用設備產能、不斷提高生產效率來應對日趨激烈的市場競爭。為了最大化地利用設備產能，就要保證生產設備時刻處於工作狀態，並儘量避免其他環節(如，晶片的裝載和卸載等)所造成的設備空閒。
[0003]為此，人們提出了一種帶有片盒腔室結構的等離子體加工設備，以提高生產效率。如圖1所示，為現有的等離子體加工設備的結構示意圖。等離子體加工設備包括依次串接的片盒腔室1、傳輸腔室2和工藝腔室3，且在相鄰的兩個腔室之間設置有門閥(圖中未示出)，以連通或隔離相鄰的兩個腔室。其中，片盒腔室I用於放置片盒4，片盒4的具體結構如圖2所示，在片盒4上沿豎直方向間隔放置有多個託盤6，通常每個片盒4上可放置5?10個託盤6，在每個託盤6上承載有多個晶片；而且，如圖3所示，在片盒腔室I上還設置有進氣裝置和抽氣裝置，其中，進氣裝置用於在卸載片盒4之前使片盒腔室I恢復大氣壓力狀態，其包括氣源和氣路，氣路的進氣端與氣源連通，氣路的出氣端與片盒腔室I連通，並且在氣路上依次設置有過濾器及用於通斷該氣路的隔膜閥；氣源用於經由氣路向片盒腔室I內提供氮氣；抽氣裝置用於在完成片盒4的裝載之後對片盒腔室I進行抽真空，以使其處於真空狀態。此外，在傳輸腔室2內設置有機械手5，用以將待加工的晶片自片盒腔室I的片盒4中取出，並傳輸至工藝腔室3內，以及將已加工的晶片自工藝腔室3內取出，並傳輸至片盒腔室I的片盒4中；工藝腔室3用於對晶片進行濺射、刻蝕、沉積等工藝。
[0004]上述等離子體加工設備在實際應用中不可避免地存在以下問題:
[0005]其一，由於機械手5在工藝腔室3和片盒腔室I之間傳輸晶片的過程中，往往會將工藝腔室3內的汙染顆粒攜帶至片盒腔室I內，導致置於片盒腔室I內的晶片受到汙染，從而降低了等離子體加工設備的良品率。
[0006]其二，由於剛剛完成工藝的晶片的溫度及承載該晶片的託盤的溫度較高，其在被機械手5傳輸至片盒腔室I內之後，會不斷釋放殘留在表面上的反應氣體，導致片盒腔室I內的其他晶片表面因與該反應氣體發生反應而產生缺陷，從而降低了等離子體加工設備的良品率。而且，由於通常需要連續對至少5個託盤上的被加工工件進行工藝，導致完成工藝的晶片及託盤在片盒腔室I內停留的時間較長，這使得釋放在片盒腔室I內的反應氣體的濃度越來越大，從而不僅加重了對其他晶片表面的腐蝕，而且還會腐蝕與片盒腔室I連通的進氣裝置和排氣裝置，進而降低了這些裝置的使用壽命。
【發明內容】
[0007]為解決上述問題，本發明提供一種片盒腔室、等離子體加工設備及片盒腔室的吹掃方法，其不僅可以提高片盒腔室的清潔度，而且還可以減少片盒腔室內完成工藝的工件所釋放出的反應氣體對其他待加工工件及進氣裝置和排氣裝置的腐蝕。
[0008]為實現本發明的目的而提供一種片盒腔室，其包括進氣裝置和排氣裝置，其中，所述進氣裝置包括氣源、氣路和第一通斷閥，所述氣路的進氣端與所述氣源連通，所述氣路的出氣端與所述片盒腔室的內部連通；所述第一通斷閥用於接通或斷開所述氣路；所述氣源用於經由所述氣路向所述片盒腔室輸送不與工件發生反應的氣體；所述排氣裝置用於將所述氣體排出所述片盒腔室，而且，所述進氣裝置還包括流量控制單元，用以調節所述氣路的氣體流量。
[0009]其中，所述流量控制單元包括設置在所述氣路上，且與所述第一通斷閥串聯連接的質量流量控制器，用以調節所述氣路的氣體流量。
[0010]其中，所述流量控制單元包括與所述第一通斷閥並聯的支路，在所述支路上設置有質量流量控制器和第二通斷閥，其中，所述質量流量控制器用於調節其所在支路的氣體流量；所述第二通斷閥用於接通或斷開其所在支路。
[0011]其中，所述進氣裝置還包括控制單元，所述控制單元用於控制所述第二通斷閥接通其所在支路，同時控制所述第一通斷閥斷開其所在氣路；或者，控制所述第一通斷閥接通其所在氣路，同時控制所述第二通斷閥斷開其所在支路。
[0012]其中，所述第二通斷閥的數量為一個，且位於所述質量流量控制器的上遊或下遊；或者，所述第二通斷閥的數量為兩個，且分別位於所述質量流量控制器的上遊和下遊。
[0013]其中，在所述氣路上設置有過濾器。
[0014]其中，所述不與工件發生反應氣體包括氮氣。
[0015]作為另一個技術方案，本發明還提供一種等離子體加工設備，其包括依次串接的片盒腔室、傳輸腔室和工藝腔室，其中，所述片盒腔室用於放置片盒，所述片盒用於承載放置有多個工件的託盤；在所述傳輸腔室內設置有機械手，用以將待加工的工件自所述片盒腔室的片盒中取出，並傳輸至所述工藝腔室內，以及將已加工的工件自所述工藝腔室內取出，並傳輸至所述片盒腔室內的片盒中；所述工藝腔室用於對工件進行相應的工藝，所述片盒腔室採用了本發明提供的上述片盒腔室。
[0016]作為另一個技術方案，本發明還提供一種片盒腔室的吹掃方法，包括以下步驟:
[0017]SI，在將承載有待加工的工件的片盒放置於所述片盒腔室內之後，對所述片盒腔室進行抽真空，以使其腔室壓力保持在預設的第一腔室壓力值以下；
[0018]S2，向所述片盒腔室通入不與工件發生反應的氣體，同時自所述片盒腔室排出該氣體，且使所述片盒腔室的腔室壓力保持在預設的第二腔室壓力值以下；
[0019]S3，自所述片盒腔室將所述待加工的工件輸送至工藝腔室內，並開始對所述工藝腔室內的工件進行工藝；
[0020]S4，待所有的工件完成工藝，並均被傳輸至所述片盒腔室內的片盒中之後，停止自所述片盒腔室排出所述氣體，並繼續向所述片盒腔室通入所述氣體直至所述片盒腔室的腔室壓力達到大氣壓力；
[0021]S5，卸載所述片盒腔室內的片盒。
[0022]其中，在完成步驟SI之後，且在進行步驟S2之前，判斷所述片盒腔室的腔室壓力是否在所述第一腔室壓力值以下，若是，則進入步驟S3 ;若否，則發出報警。
[0023]其中，在步驟S3中，在向所述片盒腔室內通入所述氣體之後，判斷所述片盒腔室的腔室壓力是否在所述第二腔室壓力值以下，若否，則發出報警。
[0024]其中，所述第二腔室壓力值為0.2T。
[0025]其中，所述第一腔室壓力值為0.1T。
[0026]其中，在步驟S2中，所述氣體的流量範圍在50?200sccm。
[0027]本發明具有下述有益效果:
[0028]本發明提供的片盒腔室，其通過藉助在進氣裝置的氣路上設置的流量控制單元調節該氣路的氣體流量，可以在傳輸工件的機械手自片盒腔室內的片盒取出未加工的工件或將已加工的工件放入該片盒內時，通過按預定的氣體流量向片盒腔室通入不與工件發生反應的氣體，同時藉助排氣裝置排出該氣體，而在片盒腔室內形成一定的氣流，該氣流可以將進入片盒腔室的機械手所攜帶的汙染顆粒衝走，並排出片盒腔室，從而可以提高片盒腔室的清潔度，以避免工件受到汙染，進而可以提高等離子體加工設備的良品率。而且，藉助上述氣流，可以稀釋在片盒腔室內剛剛完成工藝的工件及承載該工件的託盤所釋放出的殘留反應氣體，從而可以減少殘留的反應氣體對片盒腔室內的工件，以及與片盒腔室連通的進氣裝置和排氣裝置的腐蝕，進而不僅可以提高等離子體加工設備的良品率，而且還可以提高進氣裝置和排氣裝置的使用壽命。
[0029]本發明提供的等離子體加工設備，其通過採用本發明提供的片盒腔室，不僅可以避免工件受到汙染，從而可以提高等離子體加工設備的良品率，而且還可以提高進氣裝置和排氣裝置的使用壽命。
[0030]本發明提供的片盒腔室的吹掃方法，其不僅可以避免片盒腔室內的工件受到汙染，而且還可以提高等離子體加工設備的良品率，以及提高進氣裝置和排氣裝置的使用壽命O
【專利附圖】
【附圖說明】
[0031]圖1為現有的等離子體加工設備的結構示意圖；
[0032]圖2為片盒的結構示意圖；
[0033]圖3為片盒腔室的進氣裝置和抽氣裝置的結構示意圖；
[0034]圖4為本發明第一實施例提供的片盒腔室的結構示意圖；
[0035]圖5為本發明第二實施例提供的片盒腔室的結構示意圖；以及
[0036]圖6為本發明實施例提供的片盒腔室的吹掃方法的流程框圖。
【具體實施方式】
[0037]為使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖對本發明提供的片盒腔室、等離子體加工設備及片盒腔室的吹掃方法進行詳細描述。
[0038]圖4為本發明第一實施例提供的片盒腔室的結構示意圖。請參閱圖4，片盒腔室20用於放置片盒21，在片盒21上沿豎直方向間隔放置有多個託盤，且在每個託盤上承載有多個工件。片盒腔室20包括進氣裝置22和排氣裝置23，進氣裝置22包括氣源、氣路、過濾器224、第一通斷閥222和流量控制單元221，其中，氣路的進氣端與氣源連通，氣路的出氣端位於片盒腔室20的頂部，且與片盒腔室20的內部連通；氣源用於經由該氣路向片盒腔室20輸送不與工件發生反應的氣體，例如，氮氣；流量控制單元221用於調節該氣路的氣體流量，在本實施例中，流量控制單元221包括設置在氣路上，且與第一通斷閥222串聯的質量流量控制器(Mass FlowController,以下簡稱MFC),用以調節氣路的氣體流量。第一通斷閥222的數量為兩個，且分別位於MFC的上遊和下遊，用以接通或斷開氣路。
[0039]排氣裝置23設置在片盒腔室20的底部，用以將氣體排出片盒腔室20，在本實施例中，排氣裝置23包括排氣氣路、排氣通斷閥231和幹泵。其中，排氣氣路的一端位於片盒腔室20的底部，且與片盒腔室20的內部連通，排氣氣路的另一端與幹泵連通；排氣通斷閥231用於接通或斷開排氣氣路；幹泵用於經由排氣氣路抽取片盒腔室內的氣體。
[0040]下面對片盒腔室20的工作流程進行詳細描述。具體地，將承載有待加工的工件的片盒放置於片盒腔室20內之後，接通排氣通斷閥231，並啟動幹泵對片盒腔室20進行抽真空，直至片盒腔室20的腔室壓力保持在預設的第一腔室壓力值以下，優選地，第一腔室壓力值為0.1T。先後接通位於MFC的上遊和下遊的第一通斷閥222，並開啟氣源，以經由氣路自片盒腔室20的頂部通入不與工件發生反應的氣體；藉助MFC調節氣路的氣體流量，同時使幹泵以適當的功率抽取片盒腔室20內的氣體，以在片盒腔室20內形成自上而下的氣流，且使片盒腔室20的腔室壓力能夠保持在預設的第二腔室壓力值以下，優選地，第二腔室壓力值為0.2T，氣體的流量範圍在50?200SCCm。待所有的工件完成工藝，並均被傳輸至片盒腔室20內的片盒中之後，關閉幹泵，並斷開排氣通斷閥231，以停止自片盒腔室20抽取氣體；藉助MFC將氣路的氣體流量調節至最大值，以加快向片盒腔室20通入氣體的速度，直至片盒腔室20的腔室壓力達到大氣壓力；關閉氣源，並先後斷開位於MFC的下遊和上遊的第一通斷閥222，以停止向片盒腔室20通入氣體；卸載片盒腔室20內的片盒。
[0041]通過藉助MFC調節該氣路的氣體流量，可以在傳輸工件的機械手自片盒腔室20內的片盒取出未加工的工件或將已加工的工件放入該片盒內時，通過按預定的氣體流量向片盒腔室20通入不與工件反應的氣體，同時藉助排氣裝置23排出該氣體，而在片盒腔室20內形成自上而下的氣流，該氣流可以將進入片盒腔室20的機械手所攜帶的汙染顆粒衝走，並排出片盒腔室20，從而可以提高片盒腔室20的清潔度，以避免工件受到汙染，從而可以提高等離子體加工設備的良品率。而且，藉助上述氣流，可以稀釋在片盒腔室20內剛剛完成工藝的工件及承載該工件的託盤所釋放出的殘留反應氣體，從而可以減少殘留的反應氣體對片盒腔室20內的工件，以及與片盒腔室20連通的進氣裝置22和排氣裝置23的腐蝕，進而不僅可以提高等離子體加工設備的良品率，而且還可以提高進氣裝置22和排氣裝置34的使用壽命。
[0042]需要說明的是，在本實施例中，第一通斷閥222的數量為兩個，且分別位於MFC的上遊和下遊，但是本發明並不局限於此，在實際應用中，第一通斷閥222的數量還可以為一個，且位於MFC的上遊或下遊，這同樣可以實現對其所在氣路的接通或斷開。
[0043]還需要說明的是，在本實施例中，藉助幹泵抽取片盒腔室20內的氣體，但是本發明並不局限於此，在實際應用中，還可以省去幹泵，且使排氣氣路的另一端直接與外界連通，即，使片盒腔室20內的氣體直接排出片盒腔室20。
[0044]進一步需要說明的是，在本實施例中，藉助MFC調節氣路的氣體流量，但是本發明並不局限於此，在實際應用中，還可以採用流量調節閥等的其他任意的氣體流量調節裝置，來對氣路的氣體流量進行調節。
[0045]進一步需要說明的是，在本實施例中，氣路的出氣端位於片盒腔室20的頂部，排氣裝置23設置在片盒腔室20的底部，以在同時自片盒腔室20通入和排出氣體時，在片盒腔室20內形成自上而下的氣流，但是本發明並不局限於此，在實際應用中，也可以將氣路的出氣端和排氣裝置23分別設置在片盒腔室20的側壁兩側，以在在片盒腔室20內形成橫向的氣流；或者，還可以將氣路的出氣端設置在片盒腔室20的側壁上，而排氣裝置23設置在片盒腔室20的頂部或底部，或者與之相反，將排氣裝置23設置在片盒腔室20的側壁上，而氣路的出氣端設置在片盒腔室20的頂部或底部，只要氣路的出氣端和排氣裝置23所在位置能夠在片盒腔室20內形成氣流即可。
[0046]圖5為本發明第二實施例提供的片盒腔室的結構示意圖。請參閱圖5，本實施例提供的片盒腔室與第一實施例相比，二者的技術方案的區別僅在於:流量控制單元221的結構不同，除此之外，本實施例的技術方案與上述第一實施例的技術方案完全相同，故下面僅對本實施例中的流量控制單元221的結構進行詳細地描述。
[0047]具體地，在本實施例中，流量控制單元221包括與第一通斷閥222並聯的支路；並且，在該支路上設置有MFC和第二通斷閥223，MFC用於調節其所在支路的氣體流量；第二通斷閥223的數量為兩個，且分別位於MFC的上遊和下遊，用以接通或斷開其所在支路。
[0048]下面對本實施例提供的片盒腔室20的工作流程進行詳細描述。具體地，將承載有待加工的工件的片盒放置於片盒腔室20內之後，接通排氣通斷閥231，並啟動幹泵對片盒腔室20進行抽真空，直至片盒腔室20的腔室壓力保持在預設的第一腔室壓力值以下，優選地，第一腔室壓力值為0.1T0先後接通位於MFC的上遊和下遊的第二通斷閥223 (此時第一通斷閥222斷開)，並開啟氣源，以經由氣路(流經MFC所在支路)自片盒腔室20的頂部通入不與工件發生反應的氣體；藉助MFC調節其所在支路的氣體流量，即，調節通入片盒腔室20的氣體的流量，同時使幹泵以適當的功率抽取片盒腔室20內的氣體，以在片盒腔室20內形成自上而下的氣流，且使片盒腔室20的腔室壓力能夠保持在預設的第二腔室壓力值以下，優選地，第二腔室壓力值為0.2T，氣體的流量範圍在50?200sccm。。待所有的工件完成工藝，並均被傳輸至片盒腔室20內的片盒中之後，關閉幹泵，並斷開排氣通斷閥231，以停止自片盒腔室20抽取氣體，與此同時，將MFC的流量調至零，並先後斷開位於MFC的下遊和上遊的第二通斷閥223 ;同時接通第一通斷閥222，以快速向片盒腔室20通入氣體(流經第一通斷閥222所在氣路)，直至片盒腔室20的腔室壓力達到大氣壓力；關閉氣源，並斷開第一通斷閥222，以停止向片盒腔室20通入氣體；卸載片盒腔室20內的片盒。
[0049]在實際應用中，由於受到MFC的最大流量量程的限制，導致在需要將片盒腔室20的腔室壓力恢復至大氣壓力時，無法快速地向片盒腔室20通入氣體，從而降低了工藝效率，在這種情況下，通過設置與第一通斷閥222並聯的支路，且將MFC設置在該支路上，可以實現在需要限制氣路的流量時僅接通MFC所在支路，而在需要快速向片盒腔室20通入氣體時僅接通第一通斷閥222所在氣路，S卩，根據對氣體流量的不同要求在第一通斷閥222所在氣路和MFC所在支路之間進行切換，從而可以提高工藝效率。
[0050]優選地，進氣裝置23還包括控制單元(圖中未示出)，該控制單元用於控制第二通斷閥223接通其所在支路，同時控制第一通斷閥斷222開其所在氣路；或者，控制第一通斷閥222接通其所在氣路，同時控制第二通斷閥223斷開其所在支路，從而可以實現第一通斷閥222所在氣路和MFC所在支路的自動切換。
[0051]需要說明的是，在本實施例中，第二通斷閥223的數量為兩個，且分別位於MFC的上遊和下遊，但是，本發明並不局限於此，在實際應用中，第二通斷閥的數量也可以為一個，且位於MFC的上遊或下遊，這同樣可以實現對其所在支路的接通或斷開。
[0052]作為另一個技術方案，本發明實施例還提供一種等離子體加工設備，其包括依次串接的片盒腔室、傳輸腔室和工藝腔室，其中，片盒腔室用於放置片盒，該片盒用於承載放置有多個工件的託盤，並且，片盒腔室採用了上述各個實施例提供的片盒腔室。在傳輸腔室內設置有機械手，用以將待加工的工件自片盒腔室的片盒中取出，並傳輸至工藝腔室內，以及將已加工的工件自工藝腔室內取出，並傳輸至片盒腔室內的片盒中；工藝腔室用於對工件進行相應的工藝。
[0053]下面針對利用本發明實施例提供的等離子體加工設備對工件進行工藝的工作過程進行詳細地描述。具體地，將承載有待加工的工件的片盒放置於片盒腔室內；藉助排氣裝置23對片盒腔室進行抽真空，以使其腔室壓力保持在預設的第一腔室壓力值以下；藉助進氣裝置22按預定的氣體流量向片盒腔室通入不與工件發生反應的氣體，同時藉助排氣裝置23自片盒腔室排出該氣體，且使片盒腔室的腔室壓力保持在預設的第二腔室壓力值以下，以在片盒腔室內形成一定的氣流。藉助機械手將待加工的工件自片盒腔室的片盒中取出，並傳輸至工藝腔室內；開始對工藝腔室內的工件進行工藝；待所有的工件完成工藝，並均由機械手傳輸至片盒腔室內的片盒中之後，停止排氣裝置23自片盒腔室排出氣體，並繼續藉助進氣裝置22向片盒腔室通入氣體，直至片盒腔室的腔室壓力達到大氣壓力；卸載片盒腔室內的片盒。
[0054]本發明實施例提供的等離子體加工設備，其通過採用本實施例提供的片盒腔室，不僅可以避免工件受到汙染，從而可以提高等離子體加工設備的良品率，而且還可以提高進氣裝置和排氣裝置的使用壽命。
[0055]作為另一個技術方案，本發明實施例還提供一種片盒腔室的吹掃方法，圖6為本發明實施例提供的片盒腔室的吹掃方法的流程框圖。請參閱圖6，該吹掃方法包括以下步驟:
[0056]S10，將承載有待加工的工件的片盒放置於片盒腔室內。
[0057]S20，對片盒腔室進行抽真空，以使其腔室壓力保持在預設的第一腔室壓力值SPl以下，優選地，第一腔室壓力值SPl為0.1T。
[0058]S30，判斷片盒腔室的腔室壓力是否在第一腔室壓力值SPl以下，若是，則進入步驟S40;若否，則發出報警。
[0059]S40，向片盒腔室通入不與工件發生反應的氣體，同時自片盒腔室排出該氣體，且使片盒腔室的腔室壓力保持在預設的第二腔室壓力值SP2以下，優選地，第二腔室壓力值SP2為0.2T，氣體的流量範圍在50?200sccm。
[0060]S50，判斷片盒腔室的腔室壓力是否在第二腔室壓力值SP2以下，若是，則進入步驟S60;若否，則發出報警。
[0061]S60，自所述片盒腔室將所述待加工的工件輸送至工藝腔室內，並開始對工藝腔室內的工件進行工藝。
[0062]S70，待所有的工件完成工藝，並均被傳輸至所述片盒腔室內的片盒中之後，停止自片盒腔室排出氣體，並繼續向片盒腔室通入氣體直至片盒腔室的腔室壓力達到大氣壓力；
[0063]S80，卸載片盒腔室內的片盒。
[0064]本實施例提供的片盒腔室的吹掃方法，其不僅可以避免工件受到汙染，從而可以提高等離子體加工設備的良品率，而且還可以提高進氣裝置和排氣裝置的使用壽命。
[0065]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而採用的示例性實施方式，然而本發明並不局限於此。對於本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發明的保護範圍。
【權利要求】
1.一種片盒腔室，其包括進氣裝置和排氣裝置，其中，所述進氣裝置包括氣源、氣路和第一通斷閥，所述氣路的進氣端與所述氣源連通，所述氣路的出氣端與所述片盒腔室的內部連通；所述第一通斷閥用於接通或斷開所述氣路；所述氣源用於經由所述氣路向所述片盒腔室輸送不與工件發生反應的氣體；所述排氣裝置用於將所述氣體排出所述片盒腔室，其特徵在於， 所述進氣裝置還包括流量控制單元，用以調節所述氣路的氣體流量。
2.根據權利要求1所述的片盒腔室，其特徵在於，所述流量控制單元包括設置在所述氣路上，且與所述第一通斷閥串聯連接的質量流量控制器，用以調節所述氣路的氣體流量。
3.根據權利要求1所述的片盒腔室，其特徵在於，所述流量控制單元包括與所述第一通斷閥並聯的支路，在所述支路上設置有質量流量控制器和第二通斷閥，其中 所述質量流量控制器用於調節其所在支路的氣體流量； 所述第二通斷閥用於接通或斷開其所在支路。
4.根據權利要求3所述的片盒腔室，其特徵在於，所述進氣裝置還包括控制單元，所述控制單元用於控制所述第二通斷閥接通其所在支路，同時控制所述第一通斷閥斷開其所在氣路；或者，控制所述第一通斷閥接通其所在氣路，同時控制所述第二通斷閥斷開其所在支路。
5.根據權利要求3所述的片盒腔室，其特徵在於，所述第二通斷閥的數量為一個，且位於所述質量流量控制器的上遊或下遊；或者， 所述第二通斷閥的數量為兩個，且分別位於所述質量流量控制器的上遊和下遊。
6.根據權利要求1所述的片盒腔室，其特徵在於，在所述氣路上設置有過濾器。
7.根據權利要求1所述的片盒腔室，其特徵在於，所述不與工件發生反應氣體包括氮氣。
8.一種等離子體加工設備，其包括依次串接的片盒腔室、傳輸腔室和工藝腔室，其中，所述片盒腔室用於放置片盒，所述片盒用於承載放置有多個工件的託盤；在所述傳輸腔室內設置有機械手，用以將待加工的工件自所述片盒腔室的片盒中取出，並傳輸至所述工藝腔室內，以及將已加工的工件自所述工藝腔室內取出，並傳輸至所述片盒腔室內的片盒中；所述工藝腔室用於對工件進行相應的工藝，其特徵在於，所述片盒腔室採用了權利要求1-7任意一項所述的片盒腔室。
9.一種片盒腔室的吹掃方法，其特徵在於，包括以下步驟: SI，在將承載有待加工的工件的片盒放置於所述片盒腔室內之後，對所述片盒腔室進行抽真空，以使其腔室壓力保持在預設的第一腔室壓力值以下； S2，向所述片盒腔室通入不與工件發生反應的氣體，同時自所述片盒腔室排出該氣體，且使所述片盒腔室的腔室壓力保持在預設的第二腔室壓力值以下； S3，自所述片盒腔室將所述待加工的工件輸送至工藝腔室內，並開始對所述工藝腔室內的工件進行工藝； S4，待所有的工件完成工藝，並均被傳輸至所述片盒腔室內的片盒中之後，停止自所述片盒腔室排出所述氣體，並繼續向所述片盒腔室通入所述氣體直至所述片盒腔室的腔室壓力達到大氣壓力； S5，卸載所述片盒腔室內的片盒。
10.根據權利要求9所述的片盒腔室的吹掃方法，其特徵在於，在完成步驟SI之後，且在進行步驟S2之前，判斷所述片盒腔室的腔室壓力是否在所述第一腔室壓力值以下，若是，則進入步驟S3 ;若否，則發出報警。
11.根據權利要求9所述的片盒腔室的吹掃方法，其特徵在於，在步驟S3中，在向所述片盒腔室內通入所述氣體之後，判斷所述片盒腔室的腔室壓力是否在所述第二腔室壓力值以下，若否，則發出報警。
12.根據權利要求9所述的片盒腔室的吹掃方法，其特徵在於，所述第二腔室壓力值為0.2T。
13.根據權利要求9所述的片盒腔室的吹掃方法，其特徵在於，所述第一腔室壓力值為0.1T。
14.根據權利要求9所述的片盒腔室的吹掃方法，其特徵在於，在步驟S2中，所述氣體的流量範圍在50?200sccm。
【文檔編號】H01L21/67GK104241174SQ201310239693
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年6月14日 優先權日:2013年6月14日
【發明者】郭寧 申請人:北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司