顯示板的製造方法及顯示板的製作方法
2023-10-22 11:03:22 3
專利名稱：顯示板的製造方法及顯示板的製作方法
技術領域：
本發明關於有機電場發光(Electro Luminescence，EL)顯示板等的顯示板的製造，尤有關於顯示板的封裝構造。
背景技術：
等離子顯示器(Plasma Display Panel，PDP)、液晶顯示器(LiquidCrystal Display，LCD)等業已普及作為薄型的平面顯示器面板，而有機EL顯示板亦已進入實用化。
在此有機EL顯示板中，系將有機物質利用於各像素的發光材料等，而由於此有機材料含有水分時會使其壽命縮短，因此必須儘可能地減少存在於各像素的空間的水分。是故，即對應於含有EL組件的顯示像素形成為矩陣狀的EL基板使封裝基板隔以預定間隔與的相對，並以樹脂制的密封材料將該等基板的周邊部分予以密閉封裝，以使水分不致侵入內部，同時又於內部空間收容乾燥劑，以去除水分。
在此，以密封材料而言，雖系使用環氧系的紫外線硬化樹脂等，然而以能更進一步提升密閉性者為佳。
在此，對於EL基板、封裝基板通常系使用玻璃基板，而對於玻璃彼此間的接合則有採用將玻璃加熱熔融而加以接合的方法。如利用此藉由玻璃的封裝，則與藉由樹脂的密封材料進行的封裝相比，更能實施高密閉性的封裝。尤其是，如採用利用雷射光的玻璃的熔接，則可接合玻璃基板的周邊部。關於利用雷射光的玻璃的接合，有如揭示於專利文獻1者。
日本特開2003-170290號公報發明內容[發明所欲解決的問題]在此專利文獻1中，系揭示有於玻璃的表面形成有用以吸收雷射的吸收材層；另外，藉由摻雜雜質將雜質摻雜至玻璃內，並對其結果形成不透明的玻璃照射雷射而予以熔接。但是，以採用此不透明玻璃的方法而言，必須以不穿透光為前提。
本發明系一種顯示板，系包括具有將顯示像素形成為矩陣狀的顯示區域與包圍該顯示區域的周邊區域的像素基板、以及隔以預定間隔與前述像素基板對向配置的封裝基板者，其特徵為前述像素基板或前述封裝基板其中一方基板系由雷射可穿透的材料所形成，而另一方的基板的周邊區域系具有用以吸收雷射的吸收體區域，並透過前述一方的基板的周邊區域，對前述另一方的基板的吸收體區域照射雷射，將前述另一方的基板的吸收體區域加熱，以藉此將另一方的基板的吸收體區域朝前述一方的基板隆起，而將前述像素基板與封裝基板在周邊部分予以熔接封裝並將兩基板所包夾的空間予以密閉。
前述另一方的基板的吸收體區域系以藉由對於該基板摻雜不透明物質而形成為佳。
前述另一方的基板的吸收體區域系藉由在前述另一方的基板形成溝渠，並以真空蒸鍍、濺鍍、化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVD)或塗布不透明物質以對此溝渠內形成膜的任一者為佳。
使前述雷射透過的材料系以玻璃或樹脂薄膜為佳。
前述不透明物質系以金屬為佳。
前述封裝基板的與前述像素基板的像素區域對應的區域，系形成有作為黑色矩陣作用的吸收體區域。
本發明系包括具有由雷射可穿透的材料所形成且將顯示像素形成為矩陣狀的顯示區域與包圍該顯示區域的周邊區域的像素基板；隔以預定間隔與此像素基板對向配置，而由雷射可穿透的材料所形成且與前述像素基板的顯示區域對應的部分為透明，而於與前述像素基板的周邊區域對向的部分形成有用以吸收雷射的吸收體區域的封裝基板；以及將前述像素基板與封裝基板的周邊部分予以封裝並將兩基板所包夾的空間予以密閉的封裝部，其中，與像素基板的對應於封裝部的部分係為透明，而前述封裝部系將雷射經過前述像素基板而對於前述封裝基板的吸收體區域照射而使該部分隆起而形成，並且前述封裝基板的與前述像素基板的顯示區域對應的部分係為透明。
此外，本發明系包括具有由穿透光的材料所形成且顯示像素形成為矩陣狀的顯示區域與包圍該顯示區域的周邊區域的像素基板；隔以預定間隔與此像素基板對向配置，而由穿透光的材料所形成且與前述像素基板的顯示區域對應的部分係為透明的封裝基板；以及將前述像素基板與封裝基板的周邊部分予以封裝並將由兩基板所包夾的空間予以密閉的封裝部，其中，前述封裝基板的與前述像素基板的顯示區域對應的部分，繫於與顯示區域的各像素的邊界對應的區域形成有作為黑色矩陣作用的吸收體區域。
依據本發明，系以藉由雷射照射的熔接封裝方式接合像素基板與封裝基板。因此，可以較小的面積進行確實的封裝，同時可獲得增大實際可進行顯示的顯示區域，並縮小顯示器的尺寸。並且，由於藉由熔接方式，因此可確實防止水分的侵入，又可減少或消除封入於內部的乾燥劑的量。而且，用於熔接的吸收體區域可界定於實際用以進行熔接的部分，因此封裝基板的與顯示區域對應的區域仍可作成透明狀態。因此，可經介封裝基板射出光，並可將像素基板的各像素設為頂部發光型。藉由設為頂部發光型，即可增大開口率(像素中發光區域的面積比例)而能進行明亮的顯示。
此外，將形成於封裝基板的吸收體區域作為黑色矩陣，即可容易形成黑色矩陣。此時，封裝部亦可藉由黏著劑形成。
第1圖系顯示雷射照射的圖。
第2圖系顯示封裝基板的構成圖。
第3圖系顯示形成黑色矩陣的封裝基板的圖。
第4圖系顯示一像素分的構成圖。
第5圖系顯示電路構成圖。
第6圖系顯示具有端子部的EL基板的構成圖。
第7圖系顯示對端子部照射雷射的圖。
第8圖系顯示EL基板的電路的概略構成圖。
第9圖系顯示端子部的構成例圖。
主要組件符號說明1 選擇TFT2 驅動TFT3 保持電容4 有機EL組件10 EL基板11 緩衝層12 封裝基板13 柵極絕緣膜14 不透明區域15 層間絕緣膜16 端子部17 平坦化膜18 封裝部20 黑色矩陣22 主動層22c 溝道區域22d 漏極區域22s 源極區域24 柵極電極26 漏極電極30 玻璃基板40 水平驅動器42 垂直驅動器53 源極電極61 透明電極62 空穴傳輸層63 有機發光層64 電子傳輸層65 有機層
66 對向電極67 平坦化膜69 反射膜DL 數據線GL 柵極線PL 電源線SC 保持電容具體實施方式
以下，根據圖式說明本發明的實施形態。
第1圖及第2圖系顯示基板接合的實施形態。該實施形態系將作為形成像素的像素基板的EL基板10、與用以封裝EL基板10的上面的封裝基板12予以對向配置。再者，封裝基板12繫於要熔接封裝的部分，具有不透明的玻璃等用以吸收雷射的吸收體。例如，封裝基板12系藉由離子植入或離子交換法而摻雜金屬的方式形成不透明，而作為用以吸收雷射光的吸收體區域的作用的不透明區域14即形成。在此，離子交換法系將經圖案化的光阻形成於封裝基板12，並浸漬於含有預定的金屬的溶液以對於封裝基板12內的離子(例如鈉)進行離子交換，以將金屬擴散於封裝基板12的方式來進行。另外，在任一方法中雖均可如圖所示，將封裝基板12的全區域厚度方向形成為不透明，然而亦可僅將封裝基板12的表面部分，從表面到預定的深度形成為不透明。
此外，亦可於封裝基板12上形成作為吸收體區域作用的不透明區域14。例如，亦可在欲形成封裝基板12的不透明區域14的區域設置溝渠，並藉由真空蒸鍍、CVD(化學氣相沉積法)、濺鍍而將金屬等不透明物質疊層於此溝渠，或塗布有色塗料以形成不透明區域14。
另外，在本實施形態中，作為吸收體之用的金屬雖系採用銅，然而如能作成不透明則亦可採用銀、鐵等其它金屬。封裝基板12的透光率系以例如550nm的光1至2％左右為佳。如設為1％以下時，則金屬摻雜量會變得非常多而不符實際，若8％以上則光吸收較少而無法充分的加熱。此外，金屬以外的吸收體亦為相同情況。
再者，將EL基板10與封裝基板12隔以6至10μm的間隔固定，並以隔以8μm左右的間隔固定為較佳。然後，在此狀態下，從EL基板10側照射雷射。此雷射如為YAG雷射(1061nm)則採用10至50W左右，如為二氧化碳雷射(10.6μm)則採用500W左右。
藉此，在封裝基板12的不透明區域14中，光即被吸收，且此部份即加熱熔融。在此，此不透明區域14系以加熱至600至700℃左右為理想，藉此可使不透明區域14熔融而使此部份隆起。再者，不透明區域14的前端系與EL基板10接觸並在此熔接。另外，雷射光系採用普通的光點狀者，藉由掃描光點，而可藉由熔接方式將EL基板10與封裝基板12在其周邊部予以封裝。
如此一來，藉由使用雷射的玻璃熔接，即可將EL基板10與封裝基板12予以熔接。由於藉由雷射照射僅對於熔接部分加熱，因此幾乎不會加熱因為封裝所形成的內部空間，故內部空間的溫度與外部空間的溫部不會有太大變化。因此，容易將封裝後的內部空間設定成較適當的壓力。此外，由於此封裝實際上系在無水分的氮環境下進行，且藉由玻璃熔接的封裝具有非常高的密閉狀態，因此即使在之後大氣環境的使用狀態下，水分侵入內部空間的可能性亦極低。因此，可以不必在內部收容乾燥劑，而且即使收容乾燥劑時，也只要非常少的量即可。再者，採用利用此雷射的玻璃熔接時，可將EL基板10與封裝基板12的接合部份的寬度縮小，而且也不會因為接合造成接觸面積擴增。因此，可將EL基板的周邊部分的用作封裝的區域的面積縮小，且可將顯示板小型化。
再者，在本實施形態中，封裝基板12的不透明區域14系僅設於封裝基板12的周邊部分，而與EL基板的顯示區域對應的部分係為透明。因此，可自封裝基板12射出光線，且可將EL基板10設為頂部發光(Top Emission)型。
第2圖系顯示將複數個(此時係為6個)封裝基板12設置於1個玻璃基板的狀態。如此，隔以預定間隔而將四角框狀的不透明區域14形成在1片玻璃基板。另一方面，EL基板10亦複數個形成於同樣的1片玻璃基板。然後，將兩者貼合之後，藉由雷射切割機將各個的顯示板切開，即可以相同步驟同時製作複數個EL基板10，同時，貼合、切割亦可以1個步驟即可有效進行。
第3圖系顯示將不透明區域14亦作為顯示區域中每一像素的不需要部分的黑色矩陣的例。如此，在此例中，系與形成於EL基板10的各像素的邊境對應而與不透明區域14同樣方式形成黑色矩陣20。藉此，每一像素的區隔即變得明確，而可進行更為鮮明的顯示。而且，形成不透明區域14之際可一併形成黑色矩陣20，而無須增加製程步驟。
另外，在不利用不透明區域14的通常的基板，亦以藉由本實施形態的方法來形成黑色矩陣為佳。此時，封裝系可利用樹脂等。
此外，如上所述，本實施形態系以玻璃基板作為EL基板10以及封裝基板12。但是，如能由封裝基板12本身或形成層狀的吸收體吸收雷射，且藉由其能量進行熔接，則基板的材料並不以玻璃為限，亦可利用各種的樹脂薄膜等作為基板。
另外，本實施形態雖繫於封裝基板12的周邊區域形成吸收體區域，然而亦可於EL基板10的周邊區域設置吸收體區域。此時，封裝基板12不僅在與像素區域對向的區域，且照射雷射的周邊區域亦須為透明，以使雷射穿透。
第4圖系顯示1像素的發光區域與驅動TFT的部分的構成剖面圖。各像素系分別設有複數個TFT，且驅動TFT係為用以控制從電源線供給至有機EL組件的電流的TFT。在玻璃基板30上系全面形成由SiN與SiO2的疊層所構成的緩衝層11，且於其上方形成有多晶矽的主動層22於預定的區域(形成TFT的區域)。
覆蓋主動層22及緩衝層11並全面形成柵極絕緣膜13。此柵極絕緣膜13系例如疊層SiO2及SiN而形成。在此柵極絕緣膜13上方即溝道區域22c之上系形成例如Cr的柵極電極24。再者，以柵極電極24為屏蔽，將雜質摻雜至主動層22，以在此主動層22，於中央部分的柵極電極的下方形成未摻雜有雜質的溝道區域22c，且於兩側形成摻雜有雜質的源極區域22s以及漏極區域22d。
再者，覆蓋柵極絕緣膜13以與門極電極24以全面形成層間絕緣膜15，並於此層間絕緣膜15內部的源極區域22s、漏極區域22d的上部形成接觸孔，並透過此接觸孔，形成配置於層間絕緣膜15的上面的源極電極53、以及漏極電極26。另外，並對源極電極53連接電源線(未圖標)。在此，以此方式形成的驅動TFT在此例中雖設定為p溝道TFT，然而亦可設定為n溝道。
再者，覆蓋層間絕緣膜15以及源極電極53、漏極電極26，全面形成平坦化膜17，並在此平坦化膜17的上面的發光區域的位置，形成由Ag等所構成的反射膜69，並於其上方設有作為陽極之用的透明電極61。並且，在漏極電極26的上方的平坦化膜17，形成貫通該等的接觸孔，並透過此接觸孔，將透明電極61與漏極電極26連接。
另外，對於層間絕緣膜15以及平坦化膜17，通常系利用丙烯酸樹脂等有機膜，然而亦可利用TEOS(Tetra ethyl ortho silicate矽酸四乙酯)等無機膜。此外，源極電極53、漏極電極26系利用鋁等金屬，而透明電極61通常系利用ITO(Indium-Tin Oxide銦錫氧化物)。
此透明電極61通常系形成於各像素的大部分的區域，整體而言大致為四角形狀，而與漏極電極26連接之用的接觸部分系形成作為突出部，亦延伸至接觸孔內。反射膜69系形成較透明電極61稍小。
在此透明電極61的上方，系形成有全面形成的空穴傳輸層62、形成較發光區域稍大的有機發光層63、由全面形成的電子傳輸層64所構成的有機層65、以及全面形成的透明(例如ITO)的對向電極66作為陰極。
在透明電極61的周邊部分上的空穴傳輸層62的下方，系形成有平坦化膜67，並藉由此平坦化膜67界定各像素的發光區域在透明電極61上而為由空穴傳輸層62與透明電極61直接鄰接的部分，而此處即成為發光區域。另外，平坦化膜67通常雖利用丙烯酸樹脂等的有機膜，然而亦可利用TEOS等的無機膜。
另外，對於空穴傳輸層62、有機發光層63、電子傳輸層64系使用通常用於有機EL組件的材料，並由有機發光層63的材料(通常係為摻雜物)決定發光色。例如，對於空穴傳輸層62系使用NPB，而紅色的有機發光層63則為TBADN+DCJTB、綠色的有機發光層63則為Alq3+CFDMQA、藍色的有機發光層63則為TBADN+TBP、電子傳輸層64則為Alq3等。
在此種構成中，系依據柵極電極24的設定電壓，當驅動TFT導通時，則來自電源線的電流即從透明電極61流向對向電極66，且由於此電流而在有機發光層63產生發光，而此光系通過對向電極66，而且由反射膜69所反射，向圖中的上方射出。
再者，由於與封裝基板12中EL基板10的各像素的發光區域以外的部分相對向而設有黑色矩陣20，因此可有效防止來自相鄰的像素的發光區域的光混入而使顯示變為不鮮明。
此外，藉由設定為頂部發光型即可於TFT的上方亦形成發光區域，且即使利用設置複數個TFT的像素電路，亦可增大開口率(發光區域的比例)而容易形成明亮的面板。
第5圖系顯示EL基板10的電路的概略構成。周邊電路系設有水平驅動器40、垂直驅動器42，而其內側即成為顯示區域。從水平驅動器40系與各行的像素對應而朝垂直方向設置數據線DL及電源線PL，且從垂直驅動器42則系與各列的像素對應而朝水平方向設置柵極線GL。另外，電源電壓、動作時脈、影像數據系從外部透過界面，供給至水平驅動器40、垂直驅動器42。
各像素系設有n溝道的選擇TFT1、p溝道的驅動TFT2、保持電容3、有機EL組件4。選擇TFT1係為漏極連接於數據線DL、柵極連接於柵極線GL、源極連接於驅動TFT2的柵極。此外，對於此驅動TFT2的柵極系連接有保持電容SC的一端，而保持電容SC的另一端則連接於預定電位的SC電容線。驅動TFT2的源極系連接於電源線PL，而漏極則系連接於有機EL組件4的陽極。再者，有機EL組件4的陰極系連接於低電壓的陰極電源。
再者，藉由將柵極線GL設定為H，而使其列的選擇TFT1導通，在此狀態下，並藉由將數據電壓設定於數據線DL，使其電壓保持於保持電容SC，驅動TFT2系將與數據電壓對應的電流，從電源線PL流動至有機EL組件4，產生與數據電壓對應的發光。
如第3、4圖所示，設為頂部發光型時，可將選擇TFT1、驅動TFT2、各種線形成在像素區域之下，再者可藉由黑色矩陣20而維持鮮明的顯示。
在此，EL基板10的大部分系成為顯示像素配置成矩陣狀的顯示區域，而周邊部分配置有驅動器等。再者，如第6圖所示，由於影像信號及電源等系由外部供給，因此具有與外部連接用的端子部16。此端子部16系由用以與外部連接的複數個焊墊部分構成，而在此焊墊部分系連接有用以與內側電路電性連接的複數個配線部。
再者，在此端子部16的焊墊及連接於該處的配線部分，通常雖系由鋁等金屬所形成，然而以在此端子部16的使雷射穿透的部分而言，則系由透明導體的ITO所形成。
因此，如第7圖所示，雷射光在端子部16亦將穿透EL基板10照射至封裝基板12，而使此雷射加熱照射區域，封裝部18即隆起，而使兩基板10、12藉由玻璃熔接而封裝。
第8圖系顯示EL基板10的電路的概略構成。周邊電路系設有水平驅動器40、垂直驅動器42，而其內側則成為顯示區域。從水平驅動器40系與各行的像素對應而朝垂直方向設置數據線DL及電源線PL，且從垂直驅動器42則系與各列的像素對應而朝水平方向設置柵極線GL。另外，電源電壓、動作時脈、影像數據系從外部透過端子部，供給至水平驅動器40、垂直驅動器42。
各像素系設有n溝道的選擇TFT1、p溝道的驅動TFT2、保持電容3、有機EL組件4。選擇TFT1係為漏極連接於數據線DL、柵極連接於柵極線GL、源極連接於驅動TFT2的柵極。此外，對於此驅動TFT2的柵極系連接有保持電容SC的一端，而保持電容SC的另一端則連接於預定電位的SC電容線。驅動TFT2的源極系連接於電源線PL，而漏極則系連接於有機EL組件4的陽極。再者，有機EL組件4的陰極系連接於低電壓的陰極電源。
再者，藉由將柵極線GL設定為H，而使其列的選擇TFT1導通，在此狀態下，並藉由將數據電壓設定於數據線DL，使其電壓保持於保持電容SC，驅動TFT2則將與數據電壓對應的電流，從電源線PL流動至有機EL組件4，產生與數據電壓對應的發光。
再者，如圖中粗線所示，封裝部18繫於周邊部形成為四角框狀。尤其是此封裝部18亦形成於端子部的上方。但是，如上所述，與封裝部18對應的端子部16的導體系由透明的ITO或IZO形成。因此，雷射在此部份亦可穿透EL基板10。
第9圖系顯示端子部16的構成例。在此例中系藉由ITO而僅形成欲使雷射穿透的導體部分80，而其它導體部分82則由鋁所形成。換言的，僅先將鋁配線的導體部分80的雷射穿透部分切斷，並藉由覆蓋此部份以形成ITO的導體部分80以維持電性連接。
另外，如上所述，在端子部16雖設有雷射穿透部分，然而在將雷射穿透部設置於到達端子部的配線部分時，亦同樣可採用ITO等透明導體而構成。
另外，在EL基板10的端子部16等配線部分，如為可使雷射光穿透且可將封裝基板12的不透明部分加熱的構成，則不以上述的構成為限，亦可將金屬配線作成網狀而局部地使雷射穿透，或亦可將厚度變薄作成半透明。
權利要求
1.一種顯示板的製造方法，方法包括具有顯示像素形成為矩陣狀的顯示區域與包圍該顯示區域的周邊區域的像素基板、以及隔以預定間隔與前述像素基板對向配置的封裝基板的顯示板，其特徵為前述像素基板或前述封裝基板中的任一方基板系至少具有雷射可穿透的周邊區域，而另一方的基板的周邊區域系具有用以吸收雷射的吸收體區域，並透過前述一方的基板的周邊區域，對前述另一方的基板的吸收體區域照射雷射，將前述另一方的基板的吸收體區域加熱，以藉此使另一方的基板的吸收體區域朝前述一方的基板隆起，而將前述像素基板與封裝基板在周邊部分予以熔接封裝並將兩基板所包夾的空間予以密閉。
2.如權利要求1所述的顯示板的製造方法，其中，前述另一方的基板的吸收體區域系以藉由對於該基板摻雜不透明物質而形成。
3.如權利要求1所述的顯示板的製造方法，其中，前述另一方的基板的吸收體區域系藉由在前述另一方的基板形成溝渠，並以藉由真空蒸鍍、濺鍍、化學氣相沉積法或塗布不透明物質以對此溝渠內形成膜的任一者而形成。
4.如權利要求1至3中任一所述的顯示板的製造方法，其中，前述雷射可穿透的材料係為玻璃。
5.如權利要求1至4中任一所述的顯示板的製造方法，其中，前述不透明物質係為金屬。
6.如權利要求1至5中任一所述的顯示板的製造方法，其中，前述封裝基板的與前述像素基板的像素區域對應的區域，系形成有作為黑色矩陣作用的吸收體區域。
7.一種顯示板，系包括具有由雷射可穿透的材料所形成且將顯示像素形成為矩陣狀的顯示區域與包圍該顯示區域的周邊區域的像素基板；隔以預定間隔與此像素基板對向配置的封裝基板，該封裝基板系由雷射可穿透的材料所形成而與前述像素基板的顯示區域對應的部分係為透明，而具有與前述像素基板的周邊區域對向的周邊區域；以及將前述像素基板與封裝基板的周邊部分予以封裝並將兩基板所包夾的空間予以密閉的封裝部，其中，前述像素基板與封裝基板的一方的周邊區域系由雷射吸收材所形成，而另一方的周邊區域為透明，而前述封裝部系經由前述另一方的周邊區域，對前述一方的周邊區域吸收照射雷射，以藉此使該部分隆起而形成者。
8.如權利要求7所述的顯示板，其中，前述另一方的基板的吸收體區域系以藉由對於該基板摻雜不透明物質所形成。
9.如權利要求7所述的顯示板的製造方法，其中，前述另一方的基板的吸收體區域系藉由在前述另一方的基板形成溝渠，並以藉由真空蒸鍍、濺鍍、化學氣相沉積法或塗布不透明物質以對此溝渠內形成膜的任一者而形成。
10.如權利要求7至9中任一所述的顯示板的製造方法，其中，前述雷射可穿透的材料係為玻璃。
11.如權利要求7至10中任一所述的顯示板的製造方法，其中，前述不透明物質係為金屬。
12.如權利要求7至11中任一所述的顯示板的製造方法，其中，前述封裝基板的與前述像素基板的像素區域對應的區域，系形成有作為黑色矩陣作用的吸收體區域。
13.一種顯示板，系包括具有由穿透光的材料所形成且顯示像素形成為矩陣狀的顯示區域與包圍該顯示區域的周邊區域的像素基板；隔以預定間隔與此像素基板對向配置，而由穿透光的材料所形成且與前述像素基板的顯示區域對應的部分係為透明的封裝基板；以及將前述像素基板與封裝基板的周邊部分予以封裝並將兩基板所包夾的空間予以密閉的封裝部，其中，前述封裝基板的與前述像素基板的顯示區域對應的部分，繫於與顯示區域的各像素的邊界對應的區域形成有作為黑色矩陣作用的吸收體區域。
全文摘要
本發明系提供一種顯示板的製造方法及顯示板，其目的為確實進行封裝並且設為頂部發光型，而其特徵為隔以預定間隔將封裝基板(12)與EL基板(10)對向配置；對於封裝基板(12)系預先在其周邊部分形成不透明區域(14)成為四角框狀。透過EL基板(10)將雷射照射至不透明區域(14)，並將該部分加熱，使玻璃隆起而熔接。此外，由於封裝基板(12)的不透明區域(14)以外仍為透明，因此可作成頂部發光型。
文檔編號H01L51/52GK1652644SQ20051000476
公開日2005年8月10日 申請日期2005年1月20日 優先權日2004年1月20日
發明者西川龍司, 小村哲司 申請人:三洋電機株式會社