薄膜面板的製作方法
2023-10-07 10:14:34 2
專利名稱：薄膜面板的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種薄膜面板，並且特定而言，涉及一種用於顯示裝置之薄膜電晶體陣列面板。
背景技術：
譬如液晶顯示器(LCD)和有機發光顯示器(OLED)的顯示裝置包括複數個以矩陣形式排列的像素，並且各像素均包括用於顯示圖像的像素電極。像素電極由來自於信號線的信號驅動，該等信號線包括門線和數據線，其彼此相交來界定像素區域並且通過開關組件(例如薄膜電晶體(TFT))連接到像素電極。該等開關組件響應來自於門線的掃描信號控制來自於數據線的數據信號。
LCD包括一種TFT陣列面板，該面板包括信號線、像素電極、和TFT以及共同電極面板，該共同電極面板包括一朝向該等像素電極的共同電極和一具有朝向該等像素區域的開口的黑色矩陣。
當LCD的底板中的有效區域過大以至於不能使用曝光光罩時，通過重複一種叫做分步重複法的分區曝光來實現整體曝光。一個分區曝光單元或區域被稱作一個照射(shot)。由於在曝光期間，產生了轉變、旋轉、失真等等，該等照射並未正確地對準。相應地，產生在信號線與像素電極之間的寄生電容根據照射而不同，並且這樣造成了照射之間的亮度差，該亮度差在位於照射之間邊界的像素處被辨別出。因此，由於照射之間的亮度不連續性，所以在LCD的屏幕上產生了接縫缺陷。
發明內容
本發明的一個動機是解決傳統技術問題。
提供了一種薄膜面板，其包括一個基板；一個形成在該基板上的第一信號線；一個第二信號線，其與該第一信號線相交並且包括實質上為直線的並且置於不同直線上的第一和第二部分以及連接到該第一和該第二部分上的連接；以及第一和第二像素電極，該等像素電極相鄰於該第二信號線安置並且分別與該第二信號線的第一和第二部分重疊。
較佳地，第二信號線的第一和第二部分分別與第一和第二像素電極完全重疊。
該第一和該第二像素電極中的每一個像素電極均可具有一個切口。
該薄膜面板還可包括一個第四信號線，該第四信號線與第一和第二信號線分離並且與第一和第二像素電極重疊，其中插入一絕緣體以形成一個存儲電容器。該薄膜面板還可包括一個置於第一信號線上的第一絕緣體；以及一個置於第二線與第一和第二像素電極之間的第二絕緣體。
該薄膜面板還可包括一個柵極，其置於該基板上並且連接到第一信號線上；一個半導體層，其置於第一絕緣層上；一個源極，其至少置於半導體層上並且連接到第二信號線上；以及一個漏極，其至少置於半導體層上並且與源極分離並且連接到該第一和該第二像素電極中的一個像素電極上。
該半導體層可包括一個安置在第二信號線下的部分。
安置在第二信號線下的半導體層的部分可具有與該第二信號線實質上相同的平面形狀。
提供了一種薄膜面板，其包括一個基板；一個第一信號線，其形成於該基板上；第二和第三信號線，其與該第一信號線相交，該第二和該第三信號線中的每一個信號線均包括實質上為直線的並且置於不同直線上的第一和第二部分以及一個連接到該第一和該第二部分上的連接；以及一個像素電極，其安置於該第二信號線與該第三信號線之間並且與該第二信號線的第一部分和該第三信號線的第二部分重疊。
該像素電極可完全地覆蓋該第二信號線的第一部分以及該第三信號線的第二部分。
該像素電極可具有一個切口。
該薄膜面板還可包括一個第四信號線，該第四信號線與該第一和該第二信號線分離並且與該第一和該第二像素電極重疊，其中插入一絕緣體以形成一個存儲電容器。
該薄膜面板還可包括一個薄膜電晶體，其連接到該像素電極以及該第二和該第三信號線中的一個信號線上。
通過參看附圖詳細地描述本發明的實施例，本發明將變得更加顯而易見，其中圖1是根據本發明的一個實施例的TFT陣列面板的示範性布局圖；圖2是沿線II-II』截取的圖1中所示的TFT陣列面板的剖視圖；圖3是沿線III-III』和III』-III」截取的圖1中所示的TFT陣列面板的剖視圖；圖4是根據本發明的另一個實施例的用於LCD的TFT陣列面板的布局圖；圖5是沿線V-V』截取的圖4中所示的TFT陣列面板的剖視圖；圖6是根據本發明的另一個實施例的LCD的TFT陣列面板的布局圖；圖7是根據本發明的一個實施例的LCD的共同電極面板的布局圖；圖8是包括圖1中所示的TFT陣列面板和圖2中所示的共同電極面板的LCD的布局圖；及圖9是沿線IX-IX』截取的圖8中所示的LCD的剖視圖。
具體實施例方式
在下文中將參看附圖更為充分地描述本發明，在該等附圖中展示了本發明的較佳實施例。然而，本發明可以通過不同形式來體現並且不應被解釋為限制在本文所陳述的實施例中。
在圖中，為了清楚的目的，放大了層、膜和區域的厚度。全文中相同的數字表示相同的組件。應理解，當將一個譬如層、膜、區域或基板的組件稱作「在另一個組件上」時，其可直接在其它組件上或也可存在介入組件。相反，當將一個組件稱作「直接在另一個組件上」時，則不存在介入組件。
現將參看附圖描述根據本發明的實施例的TFT陣列面板和其製造方法。
將參看圖1-3詳細描述一種用於LCD的TFT陣列面板。
圖1是根據本發明的一個實施例的TFT陣列面板的示範性布局圖。圖2是沿線II-II』截取的圖1中所示的TFT陣列面板的剖視圖。圖3是沿線III-III』和III』-III」截取的圖1中所示的TFT陣列面板的剖視圖。
彼此分離的複數個門線121和複數個存儲電極線131形成在一個絕緣基板110上。
用於傳輸門信號的各門線121均實質上在橫向方向上延伸並且各門線121的向上和向下突出的複數個部分形成了複數個柵極124。各門線121均包括一個擴展末端部分129，其具有較大區域以用來與其它層或外部裝置接觸。
各存儲電極線131均置於兩個相鄰的門線121之間。各存儲電極線131均包括一個主幹，其實質上在橫向方向上延伸並且與上部門線121相鄰；以及複數個分枝，其自該主幹延伸。各分枝均自該主幹向下延伸(其被稱為上部縱向部分133)、偏斜向左並且行進很短的距離(其被稱為偏斜部分132)、再次向左轉以向左行進(其被稱為橫向部分134)、且在靠近相鄰分枝的偏斜部分132處轉向下方並且向下行進(其被稱為下部縱向部分135)。該等存儲電極線131被供應有預定電壓(例如共同電壓)，其被施加到LCD的共同電極面板(未圖示)上的共同電極(未圖示)。
門線121和存儲電極線131較佳地由以下材料製成含鋁金屬(例如鋁和鋁合金)、含銀金屬(例如銀和銀合金)、含銅金屬(例如銅和銅合金)、鉻、鉬、鉬合金、鉭或鈦。然而，其可具有包括具不同物理特性的兩個膜的多層結構。該等兩個膜中的一個膜較佳由包括含鋁金屬的低電阻率金屬製成，以用來減少門線121和存儲電極線131中的信號延遲或電壓降落。另一膜較佳由譬如鉻、鉬及鉬合金、鉭或鈦的材料製成，該類材料與其它譬如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的材料具有良好的物理、化學、和電接觸特性。該等兩個薄膜的結合的良好實例為一個下層鉻膜和一個上層鋁-釹合金膜以及一個下層鋁膜和一個上層鉬膜。門線121和存儲電極線131可具有包括一個下層鉬膜、一個中間鋁膜、和一個上層鉬膜的三層結構。
另外，門線121和存儲電極線131的側面可相對於基板110的表面傾斜，並且其傾角介於約30-80度之間的範圍內。
較佳由氮化矽(SiNx)或二氧化矽製成的門絕緣層140形成在門線121和存儲電極線131上。
較佳由氫化非晶矽(簡寫為「a-Si」)製成的複數個半導體條紋151形成在門絕緣層140上。該等半導體條紋151相鄰於存儲電極線131的縱向部分133和135安置並且實質上在縱向方向上延伸。詳細而言，各半導體條紋151均向下行進並且在靠近存儲電極線131的偏斜部分132處朝向左側短距離地改變其路線。然而，該半導體條紋151立即再次在縱向方向上行進。另外，各半導體條紋151均在柵極124上擴展其寬度以形成複數個突出部分154，並且各半導體條紋151均偏斜地向右轉以再次向下延伸。
較佳由矽化物或以n型雜質重摻雜的n+氫化a-Si製成的複數個歐姆接觸條紋和島狀物161和165形成在半導體條紋151上。各歐姆接觸條紋161均具有複數個突出部分163，並且該等突出部分163和該等歐姆接觸島狀物165成對地位於半導體條紋151的突出部分154上。
半導體條紋151和歐姆接觸161和165的側面相對於基板110的表面傾斜，並且其傾角較佳地介於約30-80度之間的範圍內。
複數個數據線171和複數個漏極175形成在歐姆接觸161和165和門絕緣層140上。
用於傳輸數據電壓的數據線171沿半導體條紋151實質上在縱向方向上延伸並且與門線121相交。詳細而言，各數據線171均向下行進並且在靠近存儲電極線131的偏斜部分132處朝向左側短距離地改變其路線以形成複數個彎曲部分172。然而，數據線171立即再次在縱向方向上行進。另外，各數據線171均伸出分枝以在靠近柵極124處形成複數個源極173，並且其偏斜地轉向右側(174)以再次向下延伸。因此，各數據線171均包括由彎曲部分172連接的並且置於兩條平行的直線上的複數對上部和下部縱向部分171a和171b。另外，各數據線171均包括一個延伸部分179，其具有更大的區域以與另一層或外部裝置接觸。
各漏極175均包括一個末端部分，其具有較大的區域以與另一層和置於柵極124上並且部分地由源極173包圍的另一個末端部分接觸。一個柵極124、一個源極173、和一個漏極175連同半導體條紋151的突出部分154形成了一個TFT，該TFT具有形成在置於源極173與漏極175之間的突出部分154上的通道。
數據線171和漏極175較佳由譬如鉻、鉬、鉬合金、鉭和鈦的難熔金屬製成。其也可包括一個較佳由鉬、鉬合金或鉻製成的下層膜(未圖示)和一個位於其上的並且較佳由含鋁金屬製成的上層膜(未圖示)。或者，數據線171等包括插入一個鋁或鋁合金中間層的三元層。
如同門線121一般，數據線171與漏極175具有相對於基板110的表面的錐形側面，並且其傾角介於約30-80度的範圍內。
歐姆接觸161和165僅插入在下面的半導體條紋151與在上面的數據線171之間以及在上面的數據線171與在其上面的漏極175之間，並且減少其間的接觸電阻。半導體條紋151包括並未由數據線171和漏極175覆蓋的複數個曝露部分，例如位於源極173與漏極175之間的部分。
一個鈍化層180形成在數據線171、漏極175以及並未由該數據線171和該漏極175覆蓋的半導體條紋151的曝露部分上。該鈍化層180較佳由譬如氮化矽和二氧化矽的無機材料製成。然而，該鈍化層180可由具有良好平面度特性的感光有機材料和由等離子增強化學氣相沉積(PECVD)形成的譬如a-Si:C:O和a-Si:O:F的低介電絕緣材料製成。該鈍化層180可具有包括一個下層無機膜和一個上層有機膜的雙層化結構。
該鈍化層180具有分別曝露數據線171的末端部分179和漏極175的複數個接觸孔182和185。另外，該鈍化層180和門絕緣層140具有曝露門線121的末端部分129的複數個接觸孔181。較佳，接觸孔181、182和185不曝露含鋁金屬，並且如果其曝露含鋁金屬，經曝露的含鋁金屬較佳由毯覆式蝕刻去除。接觸孔181、182和185可曝露末端部分129和179的邊緣以及漏極175。
較佳由ITO或IZO製成的複數個像素電極190和複數個接觸助件81、82形成在鈍化層180上。
像素電極190通過接觸孔185而物理連接並電連接到漏極175上，使得像素電極190接收來自於漏極175的數據電壓。
供應有數據電壓的像素電極190與共同電極合作產生電場，該電場決定置於像素電極190與共同電極之間的液晶層(未圖示)中的液晶分子的定向。
像素電極190與共同電極形成一個液晶電容器，其在TFT關閉後存儲所施加的電壓。提供了一個並聯到液晶電容器上的被稱作「存儲電容器」的附加電容器，以用來增強電壓存儲能力。該等存儲電容器通過使像素電極190與存儲電極線131重疊來建構。
各像素電極190均置於該等數據線171中相鄰的兩條之間並且置於該等門線121中相鄰的兩條之間。而且，各數據線190均與兩條相鄰的數據線171兩者重疊。詳細而言，像素電極190與左側數據線171的上部縱向部分171a以及右側數據線171的下部縱向部分171b重疊。較佳地，數據線171的該等上部和下部部分171a和171b完全由像素電極190覆蓋。
此種構造使像素電極190與數據線171之間的寄生電容在分區曝光以在TFT陣列面板上形成薄膜下保持恆定。意即，雖然使像素電極190對準以較靠近左側數據線171或右側數據線171，但像素電極190與與其相鄰的兩條數據線171之間的重疊區域實質上保持恆定。因此，在不同曝光區域中(其中像素電極190的位置相對於數據線171可不同)的像素電極190與數據線171之間的寄生電容實質上彼此相等。
接觸助件81/82通過接觸孔181/182連接到門線129/數據線171的曝露的延伸部分129/179上。接觸助件81和82保護該等曝露部分129和179並且補充曝露部分129和179與外部裝置之間的黏接。
像素電極190可由透明導電聚合物製成。對於反射性LCD而言，像素電極190是由不透明的反射性金屬製成。在這些情況下，接觸助件82可由不同於像素電極190的譬如ITO或IZO的材料製成。
TFT陣列面板還可包括一個用於產生施加到門線121上的門信號的門驅動電路並且該等接觸助件81可用來連接該門驅動電路。
將參看圖4和5詳細地描述根據本發明的另一個實施例的用於LCD的TFT陣列面板。
圖4是根據本發明的另一個實施例的用於LCD的TFT陣列面板的布局圖，以及圖5是沿線V-V』截取的圖4中所示的TFT陣列面板的剖視圖。
參看圖4和5，根據此實施例的TFT陣列面板的層化結構與圖1-3中所示的大致相同。
意即，包括複數個柵極124的複數個門線121和包括分枝132-135的複數個存儲電極線131形成在基板110上，並且門絕緣層140、包括複數個突出部分154的複數個半導體條紋151、以及包括複數個突出部分163的複數個歐姆接觸條紋161和複數個歐姆接觸島狀物165相繼形成在該基板110上。包括成對的上部和下部縱向部分171a和171b、彎曲部分172和源極173的複數個數據線171、以及複數個漏極175形成在歐姆接觸161和165上，並且鈍化層180形成在其上。在鈍化層180上提供了複數個接觸孔182和185，並且複數個像素電極190以及複數個接觸助件82形成在該鈍化層180上。
不同於圖1-3中所示的TFT陣列面板的是TFT陣列面板在鈍化層180下方提供了複數個彩色濾光片條230。該等彩色濾光片條230中的每一個均代表譬如紅、綠、和藍的三原色中的一種並且該等三種顏色較佳依次在橫向方向上排列。各彩色濾光片條230均實質上置於相鄰的數據線171中的兩個之間並且在縱向方向上延伸使得沿數據線171延伸的彩色濾光片條230的邊緣彎曲。可將該等彩色濾光片條230劃分為置於由門線121和數據線171界定的個別區域中的複數個彩色濾光片。彩色濾光片條230並不置於具有數據線171的延伸部分179的外圍區域中。該等彩色濾光片條230中相鄰的兩條彼此重疊以阻斷像素電極190之間的光洩漏，但其邊緣可在數據線171上彼此完全地匹配、或可彼此分隔。彩色濾光片條230可具有曝露接觸孔185的複數個開口並且該等接觸孔185較佳小於圖5中所示的開口。
另外，根據此實施例的TFT陣列面板的半導體條紋151具有與數據線171和漏極175以及在下面的歐姆接觸161和165幾乎相同的平面形狀。然而，半導體條紋151的突出部分154包括一些並未由數據線171和漏極175覆蓋的曝露部分，例如位於源極173與漏極175之間的部分。
而且，不存在門線121的擴展末端部分並且在門線121上不存在接觸孔和接觸助件。
圖1-3中所示的用於LCD的TFT陣列面板的許多上述特徵皆可適用於圖4和圖5中所示的TFT陣列面板。
將參看圖6-9詳細地描述根據本發明的另一個實施例的用於LCD的TFT陣列面板。
圖6是根據本發明的另一個實施例的LCD的TFT陣列面板的布局圖，圖7是根據本發明的一個實施例的LCD的共同電極面板的布局圖，圖8是包括圖1中所示的TFT陣列面板和圖2中所示的共同電極面板的LCD的布局圖，及圖9是沿線IX-IX』截取的圖8中所示的LCD的剖視圖。
根據此實施例的LCD包括一個TFT陣列面板100、一個共同電極面板200、和一個插入該等面板100與200之間的LC層3。
現將參看圖6、8和9詳細地描述該TFT陣列面板100。
參看圖6、8和9，根據此實施例的TFT陣列面板100的層化結構幾乎與圖1-3中所示的結構相同。
意即，包括複數個柵極124的複數個門線121和包括分枝132-135的複數個存儲電極線131形成在基板110上，並且門絕緣層140、包括複數個突出部分154的複數個半導體條紋151、以及包括複數個突出部分163和複數個歐姆接觸島狀物165的複數個歐姆接觸條紋161相繼形成在該基板110上。包括成對的上部和下部縱向部分171a和171b、彎曲部分172和源極173的複數個數據線171、以及複數個漏極175形成在歐姆接觸161和165上，並且鈍化層180形成在其上。在鈍化層180上提供了複數個接觸孔181、182和185，並且複數個像素電極190以及複數個接觸助件81和82形成在該鈍化層180上。
不同於圖1和2中所示的TFT陣列面板的是圖6、8和9中所示的TFT陣列面板100的各像素電極190在其左上角處被斜切並且像素電極190的削邊與門線121成約45度角。
此外，各像素電極190均具有複數個下部切口191和192、上部切口195和196、以及中央切口193和194，其將像素電極190分割為複數個區段。該等下部和上部切口191、192、195和196分別置於像素電極190的下和上半部分中，並且該等中央切口193和194位於該等下部切口191和192與該等上部切口195和196之間。該等切口191-196實質上相對於平分像素電極190的下和上半部分的存儲電極線131的橫向部分134的反向對稱。
該等下部和上部切口191、192、195和196與門線121成約45度角，並且實質上平行於彼此而且平行於像素電極190的斜切的左上邊延伸的上部切口195和196實質上垂直於下部切口191和192延伸，該等下部切口191和192實質上平行於彼此延伸。
切口191和196大致自像素電極190的左側縱向邊緣大致延伸到像素電極190的橫向邊緣。切口192和195大致自像素電極190的左側邊緣大致延伸到像素電極190的右側縱向邊緣。
中央切口193包括一個橫向部分以及一對偏斜部分，該橫向部分大致自像素電極190的左側邊緣沿存儲電極線131的橫向部分134延伸，該等偏斜部分自該橫向部分延伸到像素電極190的右側邊緣並且大致上分別與下部切口191和192以及上部切口195和196平行。中央切口194沿像素電極190的橫向中心線延伸並且具有一個自像素電極190的右側邊緣的入口，該入口具有一對實質上分別平行於下部切口191和192以及上部切口195和196的傾斜邊緣。
因此，像素電極190的下半部分由下部切口191和192以及中央切口193分割為四個下部區段，並且像素電極190的上半部分也由上部切口195和196以及中央切口193分割為四個上部區段。區段的數量或者切口的數量可根據設計因數(例如像素的尺寸、像素電極的橫向邊緣與縱向邊緣的比率、液晶層的類型和特性等等)的不同而變化。
此外，在像素電極190和鈍化層180上塗覆一層可為垂直配向的對準層11。
圖1-3中所示的用於LCD的TFT陣列面板的許多上述特徵皆可適用於圖6、8和9中所示的TFT陣列面板100。
下文中參看圖7-9描述共同電極面板200。
一種用於防止光洩漏的稱作黑色矩陣的光阻斷構件220形成在譬如透明玻璃的絕緣基板210上。該光阻斷構件220包括朝向像素電極1 90並且具有實質上與像素電極190相同的形狀的複數個開口。光阻斷構件220較佳由單鉻層、鉻和氧化鉻雙層、或含黑色晶粒有機層製成。
複數個彩色濾光片230形成在基板210上並且其實質上置於由光阻斷構件220所包圍的區域內。彩色濾光片230可實質上沿像素電極190在縱向方向上延伸。該等彩色濾光片230中的每一個均可代表譬如紅、綠和藍顏色的原色中的一種。
一種用於防止彩色濾光片230曝露並且用於提供平坦表面的覆層250形成在彩色濾光片230和光阻斷構件220上。
較佳由譬如ITO和IZO的透明導電材料製成的共同電極270形成在覆層250上。
共同電極270具有複數組切口271-276。
一組切口271-276朝向像素電極190並且包括複數個下部和上部切口271和272與275和276以及中央切口273和274。該等切口271-276中的每一個均置於像素電極190的相鄰切口191-196之間或置於切口196與像素電極190的削邊之間。另外，該等切口271-276中的每一個均具有平行於像素電極190的下部切口191和192或上部切口195和196延伸的至少一個偏斜部分。該等切口271-276實質上相對於存儲電極線131的橫向部分134反向對稱。
該等切口271和276中的每一個均具有一個偏斜部分，其大致自像素電極190的左側邊緣大致延伸到像素電極190的下或上邊緣；以及橫向和縱向部分，其自偏斜部分的各別末端沿像素電極190的邊緣延伸、與像素電極190的邊緣重疊、並且與偏斜部分成鈍角。
該等切口272和275中的每一個均具有一個偏斜部分；一個連接到該偏斜部分一端的縱向部分；以及一個連接到該偏斜部分另一端的延伸部分。該偏斜部分大致自像素電極190的左邊緣大致延伸到像素電極190的右下角或右上角。該縱向部分自該偏斜部分的末端沿像素電極190的左側邊緣延伸、與像素電極190的左側邊緣重疊、並且與該偏斜部分成鈍角。該延伸部分覆蓋了像素電極190的各自的端角。
切口273具有一對偏斜部分，其大致自像素電極190的左側邊緣的中央延伸到像素電極190的右側邊緣；一個橫向部分，其自偏斜部分的會合點延伸到左側；以及一對縱向部分，其自各自的偏斜部分沿像素電極190的右側邊緣延伸、與像素電極190的右側邊緣重疊、並且與各自的偏斜部分成鈍角。切口274具有一個橫向部分，其沿像素電極190的橫向中心線延伸；一對偏斜部分，其自該橫向部分大致延伸到像素電極190的右側邊緣並且與該橫向部分成鈍角；以及一對縱向部分，其自各自的偏斜部分沿像素電極190的右側邊緣延伸、與像素電極190的右側邊緣重疊、並且與各自的偏斜部分成鈍角。
切口271-276的數量可根據設計因素的不同而變化，並且光阻斷構件220還可與切口271-276重疊以阻斷通過切口271-276的光洩漏。
同時，如果不存在覆層250，那麼切口271-276可曝露彩色濾光片230的多個部分，並且彩色濾光片230的曝露部分可汙染LC層3。
可為垂直配向的對準膜21形成在共同電極270上。
交叉偏光器(未圖示)可置於面板100和200的外表面上，並且可以在該等偏光器與面板100和200之間提供用於補償LC層3的延遲的至少一層延遲膜(未圖示)。當LCD為反射性LCD時，可省略該等偏光器中的一個。
較佳地，LC層3具有負介電各向異性並且其經受將LC層3中的LC分子對準的垂直對準使得其長軸在無電場的情況下，實質上垂直於面板的表面。
如圖8中所示，一組切口191-196和271-276將像素電極190分為複數個分區並且各分區均具有兩條主要邊緣。
切口191-196和271-276控制LC層3中的LC分子的傾斜方向。對此將進行詳細描述。
一旦將共同電壓施加到共同電極270上並且將數據電壓施加到像素電極190上，即產生了一個實質上垂直於面板100和200的表面的電場。LC分子傾向於響應該電場而改變其定向使得其長軸垂直於該電場方向。
電極190和270的切口191-196和271-276以及像素電極190的邊緣扭曲該電場以具有實質上垂直於切口191-196和271-276的邊緣以及像素電極190的邊緣的水平分量。因此，各分區中的LC分子通過水平分量在一方向上傾斜並且該等傾斜方向的方位分布定位為四個方向，從而增加了LCD的視角。
該等切口191-196以及271-276中的至少一個可被突起部分或凹陷部分替代。
可修改該等切口191-196以及271-276的形狀和排列。
雖然已經參考較佳實施例詳細描述了本發明，但所屬技術領域的技術人員將了解可對本發明作出多種修改和替代而不脫離在附加權利要求中所陳述的本發明的精神和範疇。
圖示中參考數字描述81、82接觸助件110、210絕緣基板121、129門線124柵極131-135存儲電極線140門絕緣層151、154半導體161、163、165歐姆接觸171、171a、171b、172、179數據線173源極175漏極180鈍化層181、182、185接觸孔190像素電極
191-196切口220光阻斷構件230彩色濾光片250覆層270共同電極271-276切口
權利要求
1.一種薄膜面板，其包含一基板；一第一信號線，其形成在該基板上；一第二信號線，其與該第一信號線相交並且包括實質上為直線的並且置於不同直線上的第一和第二部分以及一連接到該第一部分和該第二部分上的連接；及第一和第二像素電極，其相鄰於該第二信號線安置並且分別與該第二信號線的該第一部分和該第二部分重疊。
2.根據權利要求1所述的薄膜面板，其中該第二信號線的該第一部分和該第二部分分別完全地與該第一像素電極和該第二像素電極重疊。
3.根據權利要求1所述的薄膜面板，其中該第一像素電極和該第二像素電極中的每一個均具有一切口。
4.根據權利要求1所述的薄膜面板，其進一步包含一第四信號線，其與該第一信號線和該第二信號線分離並且與該第一像素電極和該第二像素電極重疊，其中插入一絕緣體以形成一存儲電容器。
5.根據權利要求4所述的薄膜面板，其中該第四信號線包含一個與該第一像素電極重疊的彎曲的分枝。
6.根據權利要求5所述的薄膜面板，其中該第四信號線的該彎曲的分枝在靠近該第二信號線的該連接處彎曲。
7.根據權利要求6所述的薄膜面板，其中該第四信號線的該彎曲的分枝包含實質上為直線的並且置於不同直線上的第一部分和第二部分以及一個連接到該第一部分和該第二部分上的連接。
8.根據權利要求7所述的薄膜面板，其中該第四信號線的該彎曲的分枝的該第一部分和該第二部分置於靠近該第一像素電極的邊緣處並且該第四信號線的該彎曲分枝的該連接實質上經過該第一像素電極。
9.根據權利要求1所述的薄膜面板，其進一步包含一第一絕緣體，其置於該第一信號線上；及一第二絕緣體，其置於該第二線與該第一像素電極和該第二像素電極之間。
10.根據權利要求9所述的薄膜面板，其進一步包含一柵極，其置於該基板上並且連接到該第一信號線；一半導體層，其置於該第一絕緣層上；一源極，其至少置於該半導體層上並且連接到該第二信號線上；及一漏極，其至少置於該半導體層上、與該源極分離、並且連接到該第一像素電極和該第二像素電極中的一個上。
11.根據權利要求10所述的薄膜面板，其中該半導體層包括一個置於該第二信號線下方的部分。
12.根據權利要求11所述的薄膜面板，其中置於該第二信號線下方的該半導體層的該部分具有與該第二信號線基本相同的平面形狀。
13.一種薄膜面板，其包含一基板；一第一信號線，其形成在該基板上；第二和第三信號線，其與該第一信號線相交，該第二信號線和該第三信號線中的每一個均包括實質上為直線的並且置於不同直線上的第一和第二部分以及一個連接到該第一部分和該第二部分上的連接；及一像素電極，其置於該第二信號線與該第三信號線之間並且與該第二信號線的該第一部分和該第三信號線的該第二部分重疊。
14.根據權利要求13所述的薄膜面板，其中該像素電極完全地覆蓋該第二信號線的該第一部分和該第三信號線的該第二部分。
15.根據權利要求14所述的薄膜面板，其中該像素電極具有一切口。
16.根據權利要求13所述的薄膜面板，其進一步包含一第四信號線，其與該第一信號線至該第三信號線分離並且與該像素電極重疊，其中插入一絕緣體以形成一存儲電容器。
17.根據權利要求16所述的薄膜面板，其中該第四信號線在靠近該第二信號線和該第三信號線的該等連接處彎曲。
18.根據權利要求17所述的薄膜面板，其中該第四信號線包含實質上為直線的並且置於不同直線上的第一和第二部分以及一個連接到該第一部分和該第二部分上的連接。
19.根據權利要求18所述的薄膜面板，其中該第四信號線的該第一部分置於靠近該第二信號線的該第一部分處並且該第四信號線的該第二部分置於靠近該第三信號線的該第二部分處。
20.根據權利要求12所述的薄膜面板，其進一步包含一薄膜電晶體，其連接到該像素電極以及該第二信號線和該第三信號線中的一個上。
全文摘要
本發明提供了一種薄膜面板，其包括一基板；一形成在該基板上的第一信號線；一第二信號線，其與該第一信號線相交並且包括實質上為直線的並且置於不同直線上的第一和第二部分以及一個連接到該第一部分和該第二部分上的連接；以及第一和第二像素電極，其相鄰於該第二信號線安置並且分別與該第二信號線的該第一部分和該第二部分重疊。
文檔編號G09F9/30GK1619397SQ200410091030
公開日2005年5月25日 申請日期2004年11月16日 優先權日2003年11月18日
發明者樸明在, 李榮埈, 樸亭俊, 孔香植 申請人:三星電子股份有限公司