一種化學氣相沉積設備的反應系統及沉積設備的製作方法

2023-09-22 06:15:00

一種化學氣相沉積設備的反應系統及沉積設備的製作方法
【專利摘要】本發明涉及一種化學氣相沉積設備的反應系統，其特徵在於，包括原料容器、原料容器蓋和反應室，所述原料容器位於所述反應系統的最下端，所述原料容器蓋蓋合在所述原料容器上，所述反應室位於所述原料容器蓋上方，在所述原料容器蓋上設置原料進氣孔，所述原料容器蓋是一個獨立的進氣結構件。本發明中所述主反應室所有進氣結構全部做在了原料容器蓋（亦為主反應室底板）上，結構簡單易加工；並且本發明中的原料容器內部無任何其他組件，純粹用來裝填原料，結構非常簡單，使用方便，且不存在現有技術中所遇到低溫保護進氣組件和高溫蒸發原料發生在同一空間體積內的參數衝突問題。
【專利說明】一種化學氣相沉積設備的反應系統及沉積設備
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種化學氣相沉積設備的反應系統以及具有該反應系統的化學氣相沉積設備。
【背景技術】
[0002]CVD技術能夠實現多種先進材料的製造，例如金屬材料，陶瓷材料，半導體材料、紅外光學材料等；並且可以製備管、薄膜、粉末、體材料等。其中在製備紅外光學體材料例如CVDZnS,CVDZnSe等方面更是具有獨特的優勢，不僅能夠實現製備材料的密度高、純度好、光學性能好，還能實現其他工藝方法不能實現的大尺度材料製備。
[0003]圖1示出了常規CVDZnS製備過程中用到的反應爐100，常規CVDZnS的製備過程為:在圓筒形的高溫負壓反應爐體101中，底部圓形的坩堝容器102中放入原料Zn，H2S氣體和爐體底部融化的Zn蒸氣均以Ar為載氣輸送到溫度高於600°C的反應室103裡，反應室103的側壁由石墨材料製成，進入到反應室中的H2S氣體和Zn蒸氣在石墨襯底上開始實現下列氣相反應:
[0004]Zn+H2S — ZnS+H2 ?
[0005]反應生成的ZnS分子在襯底上逐漸生長成ZnS多晶晶粒。不斷生成的ZnS多晶晶粒持續沉積到表面，隨著生長時間的增加材料變厚，經過一段時間的沉積生長，最終可以獲得幾毫米~幾十毫米厚的 硫化鋅多晶體材毛坯料。
[0006]現有技術的反應系統中，鋅容器內部存在一個體積比較大的進氣組件，此組件極大地佔用了鋅容器內部的有效容積，降低了鋅的裝填量，使本來就小的裝鋅容器的容積進一步受到壓縮；並且，由於進氣組件穿越鋅容器，進氣組件是低溫組件，而鋅的蒸發需要很高的溫度，這樣在鋅容器內部就產生了進氣組件的低溫保護和原料鋅高溫蒸發在同一空間體積內的技術參數控制的衝突。

【發明內容】

[0007]有鑑於此，本發明的目的在於提供一種化學氣相沉積設備的反應系統，以至少能夠解決現有技術中所存在上述問題之中的一個。
[0008]根據本發明的第一方面，提供一種化學氣相沉積設備的反應系統，其特徵在於，包括原料容器、原料容器蓋和反應室，所述原料容器位於所述反應系統的最下端，所述原料容器蓋蓋合在所述原料容器上，所述反應室位於所述原料容器蓋上方，在所述原料容器蓋上設置原料進氣孔，所述原料容器蓋是一個獨立的進氣結構件。
[0009]進一步地，所述原料容器由一塊三高石墨坯直接加工而成；優選的，所述原料容器的外形尺寸為:長800~1500mm，寬400~800mm，高350~600mm ;更加優選的，所述原料容器的壁厚為20~50mm，深度為300~580mm。
[0010]進一步地，所述原料進氣孔包括第一原料輸入孔；優選的，所述原料輸入孔有多個，更加優選的為4-12個。[0011 ] 進一步地，所述原料進氣孔包括第一原料載氣輸入孔，優選的，所述第一原料載氣輸入孔從所述原料容器蓋的側面延伸到所述原料容器蓋的底面；更加優選的，所述第一原料載氣輸入孔設置一個或者多個；更加優選的，所述原料載氣輸入孔為1-4個。
[0012]進一步地，所述第一原料載氣輸入孔呈「狀，在所述原料容器蓋的左右兩側對稱分布。
[0013]進一步地，所述原料進氣孔包括第二原料及其載氣輸入孔，優選的，所述第二原料及其載氣輸入孔從所述原料容器蓋的側面延伸到所述原料容器蓋的頂面；優選的，所述第二原料及其載氣輸入孔設置一個或者多個，更加優選的為2-6個；更加優選的所述第二原料及其載氣輸入孔呈L狀，在所述原料容器蓋的左右兩側呈對稱狀分布。
[0014]進一步地,所述第一原料為鋅,所述第二原料為硫化氫或硒化氫。
[0015]進一步地，所述原料容器蓋上開設的第一原料輸入孔、第一原料載氣輸入孔、第二原料及其載氣輸入孔的形態為圓孔、橢圓孔、矩形孔或者條縫。
[0016]進一步地，所述反應室包括主反應室和副反應室。
[0017]進一步地，在所述原料容器蓋的上表面和/或下表面上形成有原料容器密封凹槽和/或主反應室下密封凹槽。
[0018]進一步地，還包括主反應室頂板，所述主反應室頂板位於所述主反應室的上方，並位於所述副反應室的下方，所述主反應室頂板將所述主反應室和所述副反應室分割開；優選的，所述主反應室頂板的外形尺寸為:長800~1800，寬400~800，高20~50mm ;優選的，所述主反應室為具有四個側面的方框形結構，優選的，所述主反應室由四塊三高石墨板圍合而成。
[0019]進一步地，所述主反應室`頂板整體為一矩形石墨板，優選的，所述主反應室頂板的中間開有通孔，更加優選的，所述通孔為矩形通孔、橢圓通孔或者類橢圓通孔。
[0020]進一步地，所述通孔為矩形通孔，所述矩形通孔的長邊與所述主反應室長邊的比例位於1: (2~5)之間，寬邊與主反應室寬邊的比例位於1: (3~10)之間。
[0021]進一步地，在所述主反應室頂板的下表面上設置主反應室上密封凹槽，和/或在所述主反應室頂板的上表面上設置副反應室密封凹槽。
[0022]進一步地，所述副反應室為由三高石墨板圍合而成的底面開口的矩形櫃式結構；優選的，在所述副反應室的一側壁上開設有真空系統連接孔；更加優選的，所述真空系統連接孔為圓孔、橢圓孔、矩形孔或者多邊形孔；優選的，所述真空系統連接孔的直徑、長短軸或者邊長為180~500mm。
[0023]進一步地，所述原料容器蓋有多個，每個原料容器蓋上的原料進氣孔具有不同的輸入角度；優選的，原料噴入方向與所述原料容器蓋上下平行表面的垂直法線之間的夾角在O~45度範圍內。
[0024]進一步地，還包括多個第一、第二、第三調整塊，在所述第一、第二、第三調整塊上開設有不同噴入角度的所述原料進氣孔，在所述原料容器蓋上可選擇的設置不同的第一、第二和/或第三調整塊；優選的，所述第一、第二、第三調整塊通過螺紋連接到所述原料容器蓋上。
[0025]根據本發明的第二方面，提供一種化學氣相沉積設備，包括外殼和位於所述外殼內部的反應系統，所述反應系統包括原料容器、原料容器蓋和反應室，所述原料容器位於所述反應系統的最下端，所述原料容器蓋蓋合在所述原料容器上，所述反應室位於所述原料容器蓋上方，在所述原料容器蓋上設置原料進氣孔，所述原料容器蓋是一個獨立的進氣結構件。
[0026]本發明中所述主反應室所有進氣結構全部做在了原料容器蓋(亦為主反應室底板)上，結構簡單易加工；主反應室的原料進氣口結構為多噴孔結構，硫化氫(或硒化氫)和鋅蒸氣的進氣口相互獨立，這樣的進氣結構能夠在超大尺寸反應室內獲得合理的氣體流型。所述主反應室為四塊板圍城的矩形結構，本身尺寸極度放大，可以實現單面不小於1.5平米的材料反應生長表面，提供了生長超大尺寸體材料的硬體基礎。
[0027]本發明中原料容器內部無任何其他組件，純粹用來裝填原料，結構非常簡單，操作方便，且不存在現有技術中所遇到低溫保護進氣組件和高溫蒸發原料發生在同一空間體積內的參數衝突問題。原料容器由整體石墨料一次掏空成型，不屬於組裝件，由此避免了組裝結構的坩堝內高溫鋅溶液發生洩露的風險。
[0028]本發明的副反應室同真空管路系統相連接的真空系統連接孔開於副反應室的側面立板上，這直接消除了粉料顆粒落入主反應室汙染產品的難題，同時在副反應室也能夠獲得質量合格的產品。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]通過以下參照附圖對本發明實施例的描述，本發明的上述以及其他目的、特徵和優點將更為清楚，在附圖中:
[0030]圖1為現有的化學氣相沉積設備的結構示意圖；
[0031]圖2為本發明的化學氣相沉積設備的反應系統的整體結構圖；
[0032]圖3a為本發明的原料容器蓋的整體結構圖；
[0033]圖3b為本發明的原料容器蓋的剖視圖；
[0034]圖4為本發明的原料容器蓋另外一種實施結構的剖視圖；
[0035]圖5為本發明的原料容器的結構示意圖；
[0036]圖6為副反應室和主反應室頂蓋的剖視圖。
【具體實施方式】
[0037]以下將參照附圖更詳細地描述本發明的各種實施例。在各個附圖中，相同的元件採用相同或類似的附圖標記來表示。為了清楚起見，附圖中的各個部分沒有按比例繪製。
[0038]如圖2所示，本發明的超大尺寸體材料化學沉積設備包括殼體(圖中殼體未示出)和位於所述殼體內部的反應系統200，所述反應系統200包括原料容器201、原料容器蓋202、主反應室203、主反應室頂板204和副反應室205。所述原料容器201位於所述反應系統200的最下端，所述原料容器蓋202蓋合在所述原料容器201上，所述主反應室203位於所述原料容器蓋202上，所述主反應室頂板204位於所述主反應室203的上方，並位於所述副反應室205的下方，所述主反應室頂板204將所述主反應室203和所述副反應室205分割開。
[0039]如圖4所示，所述原料容器201由一塊三高石墨坯直接加工而成，在一個優選的實施例中，是在矩形的三高石墨坯上形成無頂蓋的矩形凹槽，所述原料容器201的外形尺寸為:長800~1500mm，寬400~800mm，高350~600_ ;所述原料容器的壁厚為20~50_，原料容器深度為300~580mm。
[0040]如圖3a、圖3b所示，所述原料容器蓋202整體為一個矩形結構件，其是一個獨立的進氣結構件，由石墨板加工而成。在所述原料容器蓋202上形成有上下通透的第一原料輸入孔2021，所述原料例如為鋅蒸汽，所述第一原料輸入孔2021有多個，在所述原料容器蓋202上呈規律均勻分布,優選的為4-12個,在一個優選實施例中，所述第一原料輸入孔2021有6個(如圖3a所示)；
[0041]在所述原料容器蓋202上還開設有第一原料載氣輸入孔2022,優選地,所述第一原料載氣輸入孔2022呈「狀，從所述原料容器蓋202的側面延伸到所述原料容器蓋202的底面，所述原料例如為鋅，原料鋅的載氣從所述原料容器蓋202的側面進入後向下進入所述原料容器201內，所述第一原料載氣輸入孔2022可以設置一個或者多個,優選的為1-4個，更加優選的，所述第一原料載氣輸入孔2022在所述原料容器蓋202的左右兩側呈對稱狀分布；
[0042]在所述原料容器蓋202上還開設有化學沉積的第二原料，例如硫化氫或硒化氫，和載氣的輸入孔2023，所述第二原料和載氣的輸入孔2023呈^狀，從所述原料容器蓋202的側面延伸到所述原料容器蓋202的頂面，原料硫化氫(或硒化氫)和載氣從所述原料容器蓋202的側面進入後向上進入所述主反應室203內，所述第二原料和載氣的輸入孔2023可以設置一個或者多個，優選的為2-6個，更加優選的為兩個；在一個優選實施例中，所述第二原料和載氣的輸入孔2023在所述原料容器蓋202的左右兩側呈對稱狀分布。
[0043]在一個化學沉積設備中，所述原料容器蓋202配套的有多個，每個原料容器蓋202上的所述第一原料輸入孔2021、第一原料載氣輸入孔2022、和/或第二原料和載氣的輸入孔2023具有不同的輸入角度，由此來調整原料例如鋅蒸汽和原料硫化氫(或硒化氫)噴人所述主反應室203的角度和速度，`使得原料噴入方向與所述原料容器蓋202上下平行表面的垂直法線之間的夾角在O~45度範圍內，以適應不同規格的體材料的製備過程。
[0044]如圖4所示，作為替代方案，在所述原料容器蓋202的所有第一原料輸入孔2021的位置設置第一調整塊2026，在所述第一原料載氣輸入孔2022的噴入位置設置第二調整塊2027，在所述第二原料和載氣的輸入孔2023的噴入位置設置第三調整塊2028，所述第一、第二、第三調整塊2026、2027、2028優選的為圓柱型，所述第一調整塊2026的縱向高度等於所述原料容器蓋202的高度，所述第二調整塊2027、第三調整塊2028的高度分別小於所述第一原料載氣輸入孔2022、第二原料和載氣的輸入孔2023的垂直段的高度；一個原料容器蓋202配備有多個第一、第二、第三調整塊2026、2027、2028，每個第一、第二、第三調整塊2026、2027、2028上開設有不同噴入角度的輸入孔，通過裝配不同的第一、第二、第三調整塊2026、2027、2028來調整原料例如鋅蒸汽和原料硫化氫(或硒化氫)噴入所述主反應室203的角度和速度，本發明中，原料噴入方向與所述原料容器蓋202上下平行表面的垂直法線之間的夾角在O~45度範圍內可調，以適應不同規格的體材料的製備過程。優選的，所述第一、第二、第三調整塊2026、2027、2028通過螺紋連接到所述原料容器蓋上。
[0045]所述原料容器蓋202上開設的第一原料輸入孔2021、第一原料載氣輸入孔2022、第二原料和載氣的輸入孔2023的形態可以為圓孔、橢圓孔、矩形孔或者條縫。
[0046]所述原料容器蓋202的外形尺寸優選為:長850~1550_，寬450~850_，高60 ~300mmo
[0047]在所述原料容器蓋202的上表面和下表面上分別形成有卡入所述原料容器201上端和主反應室203下端的原料容器密封凹槽2024和主反應室下密封凹槽2025，所述原料容器201的上端卡入所述原料容器密封凹槽2024內，由所述原料容器蓋202及位於其上部的部件的重力實現原料容器蓋202和原料容器201之間的密封。所述主反應室203的下端卡入所述主反應室下密封凹槽2025內，由所述主反應室203及位於其上部的部件的重力實現所述主反應室203和原料容器蓋202之間的密封。
[0048]所述主反應室203優選為具有四個側面的方框形結構，由四塊三高石墨板圍合而成，所述主反應室203的下端卡入所述原料容器蓋202上表面上的主反應室下密封凹槽2024內，所述主反應室203的上端卡入位於所述主反應室頂板204下表面上的主反應室上密封凹槽2042內，依靠這些凹槽2024、2042和主反應室203、主反應室頂板204、副反應室205的重力實現主反應室203和原料容器蓋202以及主反應室頂板204之間的密封。
[0049]如圖5所示，所述主反應室頂板204整體為一矩形石墨板，蓋合在所述主反應室203的上端，其同時也是副反應室205的底板，所述主反應室頂板204的中間開有通孔，所述通孔可以為矩形通孔、橢圓通孔或者類橢圓通孔；優選的為矩形通孔2041，用於沉積原料從所述主反應室203進入到副反應室205。所述主反應室頂板204的外形尺寸為:長800~1800，寬400~800，高20~50mm，其中中間矩形通孔2041長邊與主反應室203長邊的比例位於1: (2~5)之間，寬邊與主反應室203寬邊的比例位於1: (3~10)之間。在優選的實施例中，所述主反應室頂板204的外形尺寸具體選擇為:長1300，寬600，高35mm，其中中間矩形通孔2041長邊與主反應室203長邊的比例為1:4，寬邊與主反應室203寬邊的比例為1:6 ;所述原料容器蓋202的上表面、主反應室203的內壁和主反應室頂板204的下表面構成主反應腔的沉積表面。
[0050]在所述主反應室頂板204的下表面上設有供所述主反應室203的上端卡入的主反應室上密封凹槽2042，在所述主反應室頂板204的上表面上設有供所述副反應室205的下端卡入的副反應室密封凹槽2043。依靠所述副反應室密封凹槽2043和所述副反應室205的重力實現所述副反應室205和主反應室頂板204之間的密封。
[0051]所述副反應室205為由三高石墨板圍合而成的底面開口的矩形櫃式結構，所述副反應室205開口的底面與所述主反應室頂板204相配合，由所述副反應室205的內壁和主反應室頂板204的上表面形成副反應腔的沉積表面。在所述副反應室205的一側壁上開設有真空系統連接孔2051，所述真空系統連接孔2051可以為圓孔、橢圓孔、矩形孔或者多邊形孔，所述真空系統連接孔2051的直徑、長短軸或者邊長為180~500mm，在優選的實施例中，所述真空系統連接孔2051的直徑、長短軸或者邊長具體選擇為250mm或者400mm。所述真空系統連接孔2051的孔中心位置距離與所述真空系統連接孔2051所在側面相交的立面的邊緣不小於90mm,在優選的實施例中分別選擇了 IOOmm和150mm。所述副反應室205的外形尺寸中長寬高比位於(2.5~1.5):(1.5~0.8):1範圍內，優選的為2:1.2:1或者1:1:1。
[0052]根據本發明的化學氣相沉積設備的內部反應系統，在使用時，在所述原料容器201內裝填原料例如鋅，通過所述第一原料載氣輸入孔2022向所述原料容器201內通入原料鋅的載氣，例如Ar，所述原料容器201內的鋅經加熱蒸發後和其載氣一起通過所述第一原料輸入孔2021進入主反應室內；同時通過第二原料和載氣的輸入孔2023將第二種原料，例如硫化氫或硒化氫及其載氣輸入到所述主反應室201內，兩種原料在所述主反應室內發生反應，沉積到所述主反應室的內壁上，形成超大尺寸體材料；沒有發生化學反應的原料通過所述主反應室頂蓋204上的通孔2041進入副反應室205，在所述副反應腔內繼續沉積。反應產生的廢氣以及未發生反應的原料氣體通過所述真空系統連接孔2051被抽吸到所述反應系統外部。
[0053]本發明中所述主反應室203所有進氣結構全部做在了原料容器蓋202 (亦為主反應室底板)上，結構簡單易加工；主反應室203的原料進氣口結構為多噴孔結構，硫化氫(或硒化氫)和鋅蒸氣的進氣口相互獨立，這樣的進氣結構能夠在超大尺寸反應室內獲得合理的氣體流型。所述主反應室203為四塊板圍城的矩形結構，本身尺寸極度放大，可以實現單面不小於1.5平米的材料反應生長表面，提供了生長超大尺寸體材料的硬體基礎。
[0054]本發明的原料容器201內部無任何其他組件，純粹用來裝填原料，結構非常簡單，操作方便，且不存在現有技術中所遇到低溫保護進氣組件(進氣組件要求低溫)和高溫蒸發原料(原料蒸發要求高溫)發生在同一空間體積內的參數衝突問題。原料容器由整體石墨料一次掏空成型，不屬於組裝件，由此避免了組裝結構的坩堝內高溫鋅溶液發生洩露的風險。
[0055]本發明的副反應室205同真空管路系統相連接的真空系統連接孔2051開於副反應室205的側面立板上，這直接消除了粉料顆粒落入主反應室203汙染產品的難題，同時在副反應室也能夠獲得質量合格的產品。
[0056]依照本發明的實施例如上文所述，這些實施例並沒有詳盡敘述所有的細節，也不限制該發明僅為所述的具體實施例。顯然，根據以上描述，可作很多的修改和變化。本說明書選取並具體描述這些實施例，是為了更好地解釋本發明的原理和實際應用，從而使所屬【技術領域】技術人員能很好地`利用本發明以及在本發明基礎上的修改使用。
【權利要求】
1.一種化學氣相沉積設備的反應系統，其特徵在於，包括原料容器、原料容器蓋和反應室，所述原料容器位於所述反應系統的最下端，所述原料容器蓋蓋合在所述原料容器上，所述反應室位於所述原料容器蓋上方，在所述原料容器蓋上設置原料進氣孔，所述原料容器蓋是一個獨立的進氣結構件。
2.根據權利要求1所述的一種化學氣相沉積設備的反應系統，其特徵在於，所述原料進氣孔包括第一原料輸入孔；優選地，所述第一原料輸入孔有多個，更加優選的為4-12個；和/或， 所述原料進氣孔包括第一原料載氣輸入孔，優選的，所述第一原料載氣輸入孔從所述原料容器蓋的側面延伸到所述原料容器蓋的底面；更加優選的，所述第一原料載氣輸入孔設置一個或者多個；更加優選的，所述第一原料載氣輸入孔為1-4個；更加優選的，所述第一原料載氣輸入孔呈「狀，在所述原料容器蓋的左右兩側對稱分布；和/或， 所述原料進氣孔包括第二原料及其載氣輸入孔，優選的，所述第二原料及其載氣輸入孔從所述原料容器蓋的側面延伸到所述原料容器蓋的頂面；優選的，所述第二原料及其載氣輸入孔設置一個或者多個，更加優選的為2-6個；更加優選的所述第二原料及其載氣輸入孔呈L狀，在所述原料容器蓋的左右兩側，呈對稱狀分布。
3.根據權利要求1或2所述的一種化學氣相沉積設備的反應系統，其特徵在於，所述第一原料為鋅，所述第二原料為硫化氫或硒化氫；或者， 所述原料容器由一塊三高石墨坯直接加工而成；優選的，所述原料容器的外形尺寸為:長800~1500mm，寬400~800mm，高350~600mm ;更加優選的，所述原料容器的壁厚為20 ~50mm,深度為 300 ~580mm。
4.根據權利要求1-3任一項所述的一種化學氣相沉積設備的反應系統，其特徵在於，所述原料容器蓋上開設的第一原料輸入孔、第一原料載氣輸入孔、第二原料及其載氣輸入孔的形態為圓孔、橢圓孔、矩形孔或者條縫。
5.根據權利要求1-4任一項所述的一種化學氣相沉積設備的反應系統，其特徵在於，所述反應室包括主反應室和副反應室；或者， 在所述原料容器蓋的上表面和/或下表面上形成有原料容器密封凹槽和/或主反應室下密封凹槽。
6.根據權利要求1-5任一項所述的一種化學氣相沉積設備的反應系統，其特徵在於，還包括主反應室頂板，所述主反應室頂板位於所述主反應室的上方，並位於所述副反應室的下方，所述主反應室頂板將所述主反應室和所述副反應室分割開；優選的，所述主反應室頂板的外形尺寸為:長800~1800，寬400~800，高20~50mm ;優選的，所述主反應室為具有四個側面的方框形結構，優選的，所述主反應室由四塊三高石墨板圍合而成。
7.根據權利要求1-6任一項所述的一種化學氣相沉積設備的反應系統，其特徵在於，所述主反應室頂板整體為一矩形石墨板，優選的，所述主反應室頂板的中間開有通孔，更加優選的，所述通孔為矩形通孔、橢圓通孔或者類橢圓通孔；更加優選的，所述通孔為矩形通孔，所述矩形通孔的長邊與所述主反應室長邊的比例位於1: (2~5)之間，寬邊與主反應室寬邊的比例位於1: (3~10)之間。
8.根據權利要求1-7任一項所述的一種化學氣相沉積設備的反應系統，其特徵在於，在所述主反應室頂板的下表面上設置主反應室上密封凹槽，和/或在所述主反應室頂板的上表面上設置副反應室密封凹槽；或者， 所述副反應室為由三高石墨板圍合而成的底面開口的矩形櫃式結構；優選的，在所述副反應室的一側壁上開設有真空系統連接孔；更加優選的，所述真空系統連接孔為圓孔、橢圓孔、矩形孔或者多邊形孔；優選的，所述真空系統連接孔的直徑、長短軸或者邊長為.180 ~500mm。
9.根據權利要求1-8任一項所述的一種化學氣相沉積設備的反應系統，其特徵在於，所述原料容器蓋有多個，每個原料容器蓋上的原料進氣孔具有不同的輸入角度；優選的，原料噴入方向與所述原料容器蓋上下平行表面的垂直法線之間的夾角在O~45度範圍內；或者， 還包括多個第一、第二、第三調整塊，在所述第一、第二、第三調整塊上開設有不同噴入角度的所述原料進氣孔，在所述原料容器蓋上可選擇的設置不同的第一、第二和/或第三調整塊；優選的，所述第一、第二、第三調整塊通過螺紋連接到所述原料容器蓋上。
10.一種化學氣相沉積設備，其特徵在於，包括外殼和位於所述外殼內部的反應系統，所述反應系統為權利要求1-9任一項所述的化學氣相沉積設備的反應系統。
【文檔編號】C23C16/455GK103774117SQ201410041077
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2014年1月27日 優先權日:2014年1月27日
【發明者】張福昌 申請人:張福昌