一種晶圓測試方法
2023-09-22 11:45:15 2
專利名稱：一種晶圓測試方法
一種晶圓測試方法技術領域：
本發明涉及晶圓測試領域，特別涉及一種晶圓測試方法。
背景技術：
晶片(或者晶片)製造一般要經過晶圓(Wafer)製造、晶圓測試、切割、封裝、成品測試等諸多生產環節。其中，晶圓測試的目的是將晶圓上功能不正確的晶片(Die)篩除，該功能不正確的晶片也可以稱之為壞晶片、壞片或非正常晶片。現有技術中，在晶圓測試時，晶圓上的每顆晶片都被自動測試設備測試，不合格晶片被標上墨點，封裝時不對這些壞片封裝，如果對壞片進行封裝，則增加了封裝成本。晶圓的測試時間可分為走片時間和性能測試時間。其中，走片時間是指測試完一顆晶片後，將接觸晶片上測試點的探針挪動到下一個被測試晶片所用的時間；性能測試時間為晶片的各種性能、參數的測試時間。當晶片面積較大時，一片晶圓上的晶片數目較小，如果每顆晶片測試時間不長，則每片晶圓測試時間也較短，因此，晶圓測試成本佔晶圓成本的比例不高，經常可被忽略。但是，隨著電路設計技術的改進，晶片面積越做越小，比如，一片8英寸晶圓上可能生產16萬顆晶片，如果每顆晶片測試時間為250mS，則一片晶圓測試需4萬秒，大約需要11小時以上。如測試費用按每小時12美金計算，其測試成本需約133美金，如果晶圓製造成本為270美金，則晶圓測試成本佔到晶圓製造成本的一半左右。因此，有必要提供一種改進的技術方案來克服上述問題。
發明內容本發明的目的在於提供一種晶圓測試方法，其可以減少晶圓的測試時間，從而降低晶片的成本。為了解決上述問題，本發明提供一種晶圓測試方法，其包括:為晶圓設定非正常晶片映射圖，其中該非正常晶片映射圖包括有晶圓上的非正常晶片區域；和根據所述非正常晶片映射圖對待測晶圓上的各個正常晶片區域進行測試而跳過對非正常晶片區域的測試。進一步的，所述非正常晶片區域包括測試器件區域和/或分布在晶圓周邊的晶片區域。進一步的，所述為晶圓設定非正常晶片映射圖包括:對多個晶圓進行測試，將壞片機率高於預定值的晶片區域設定為非正常晶片區域；和/或將晶圓中的測試器件區域設定為非正常晶片區域。進一步的，所述根據所述非正常晶片映射圖對待測晶圓上的各個正常晶片區域進行測試而跳過非正常晶片區域包括:對待測晶圓上的一個正常晶片區域進行測試；判定下一個晶片區域是否屬於非正常晶片區域，如果是，則重複此步驟，如果否，在對上一個正常晶片區域測試完成後將測試探針移動至下一個正常晶片區域並進行測試。
與現有技術相比，本發明根據預先設定的非正常晶片映射圖對待測晶圓進行測試，從而可以在測試時直接跳過待測晶圓中的非正常晶片，以減少晶圓的測試時間，從而降低晶片的成本。
為了更清楚地說明本發明實施例的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其它的附圖。其中:圖1為本發明的晶圓測試方法在一個實施例中的流程示意圖；圖2為本發明在一個實施例中的晶圓的布局示意圖。
具體實施方式
為使本發明的上述目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖和具體實施方式
對本發明作進一步詳細的說明。此處所稱的「一個實施例」或「實施例」是指可包含於本發明至少一個實現方式中的特定特徵、結構或特性。在本說明書中不同地方出現的「在一個實施例中」並非均指同一個實施例，也不是單獨的或選擇性的與其他實施例互相排斥的實施例。除非特別說明，本文中的連接、相連、相接的表示電性連接的詞均表示直接或間接電性相連。晶圓測試的目的是將晶圓上功能不正確的晶片(Die)篩除，該功能不正確的晶片也可以稱之為壞晶片、壞片或非正常晶片。現有技術中，在晶圓測試時，晶圓上的每顆晶片都被自動測試設備測試，不合格晶片被標上墨點，封裝時不對這些壞片封裝，如果對壞片進行封裝，則增加了封裝成本。晶圓的測試時間可分為走片時間和性能測試時間。其中，走片時間是指測試完一顆晶片後，將接觸晶片上測試點的探針挪動到下一個被測試晶片所用的時間；性能測試時間為晶片的各種性能、參數的測試時間。由於同一種晶圓產品大多都是在相同或者相似的工作環境和製造設備中生產出來的，且同一種晶圓中壞片在晶圓中的位置(或稱為區域)相似度較高，因此，本發明可以預先為同一種晶圓設定非正常晶片映射圖，根據該非正常晶片映射圖對待測晶圓進行測試，在測試時直接跳過在待測晶圓中映射出的非正常晶片，以減小晶圓的測試時間，從而降低晶片的成本。請參考圖1所示，其為本發明的晶圓測試方法在一個實施例中的流程示意圖。所述晶圓測試方法100包括如下步驟:步驟110，為晶圓設定非正常晶片映射圖，其中該非正常晶映射圖包括有晶圓上的非正常晶片區域；步驟120，根據所述非正常晶片映射圖對待測晶圓上的各個正常晶片區域進行測試而跳過對非正常晶片區域的測試。這樣可以省略非正常晶片區域的測試，節省非正常晶片映射圖中非正常晶片區域的走片時間和性能測試時間。首先介紹步驟110的具體執行過程。請參考圖2所示,其為本發明在一個實施例中的晶圓的布局示意圖。所述晶圓包括複數個晶片區域(晶片所在的區域，每個晶片區域內設置有一個晶片)210、複數個測試器件區域(測試器件所在的區域，每個測試器件區域內設置有多個測試器件)220和間隔於每兩個區域之間的劃片槽230，其中每個測試器件區域230佔用M個等效晶片面積，M為大於等於I的自然數。所述測試器件用於監測晶圓製造情況，一般會將晶片(或者晶片)設計中所用到的所有的各種器件都分別設計測試器件，並放置在如圖2中所示的測器器件區域220 中。在如圖2所示的實施例中，所述晶片區域210排布成多個平行的行和多個平行的列，形成一個晶片陣列。每個測試器件區域220位於晶片陣列中，並對應一行或多行，一列或多列晶片區域。每個測試器件區域220的周邊都是晶片區域210。由於測試器件區域220間隔設置於所述晶片區域210中，在未標出測試器件區域220具體位置的情況下，需要對晶圓中的各個器件(比如，晶片和測試器件)都進行性能檢測，並會將測試器件視為功能異常的晶片(即非正常晶片)，作為壞片進行處理。由於同一晶圓產品中，測試器件區域220在晶圓上的相對位置是相同的，因此，在一個實施例中，可以將測試器件區域設定為非正常晶片區域，並記錄在非正常晶片映射圖中。這樣，在對待測晶圓進行測試時，根據所述非正常晶片映射圖，就直接可以跳過待測晶圓中的測試器件區域，從而節省了晶圓的測試時間。由於在現有技術中，所述測試器件也可以放置於劃片槽中，此時，所述非正常晶片映射圖不需要將劃片槽區域設定為非正常晶片區域，因為在現有的測試中也不需要測試劃片槽區域。此外，圖2所示的晶圓中的晶片分為晶圓內部的晶片和分布在晶圓周邊的晶片(在晶片中增加X形符號表示)。晶圓周邊的晶片，由於其圖形不完整，壞片可能性很大，另外即使其圖形完整，但由於位於晶圓周邊，晶圓製造時控制難免較差，如摻雜濃度或圖形刻蝕或澱積材料時與正確晶片製造要求有差異，所以其為壞片可能性較高。為了節省晶圓測試時間，在一個實施例中，可以將分布在晶圓周邊的晶片區域設定為所述非正常晶片映射圖中的非正常晶片區域。這樣，在晶圓測試時，根據所述非正常晶片映射圖，就直接可以跳過分布在晶圓周邊的非正常晶片區域中的晶片，從而節省了晶圓測試時間。由於將分布在晶圓周邊的晶片區域全部設定為所述非正常晶片映射圖中的非正常晶片區域，可能浪費晶圓周邊的晶片區域中的正常功能晶片，因此，為了使所述非正常晶片映射圖中的非正常晶片區域的設置更為合理，可以對多個同一種晶圓的所有晶片都逐一進行測試，將壞片機率高於預定值(比如70%)的晶片區域設定為非正常晶片區域。以下參照圖2對步驟120進行具體介紹。在一個實施例中，對待測晶圓上的一個正常晶片區域進行測試；判定下一個晶片區域是否屬於非正常晶片區域，如果是，則重複此步驟，如果否，則在對上一個正常晶片區域測試完成後將測試探針移動至下一個正常晶片區域並進行測試。綜上所述，在本發明中，為每個晶圓產品都產生非正常晶片映射圖，在對該晶圓產品進行測試時，可以直接跳過非正常晶片區域，這樣就節省了這些非正常晶片區域的走片時間和性能測試時間，從而降低晶片的成本。本文中正常晶片區域和非正常晶片是一個相對的概念，通常的，不屬於非正常晶片的晶片或晶片區域就是正常晶片區域。需要指出的是，熟悉該領域的技術人員對本發明的具體實施方式
所做的任何改動均不脫離本發明的權利要求書的範圍。相應地，本發明的權利要求的範圍也並不僅僅局限於前述具體實施方式
。
權利要求
1.一種晶圓測試方法，其特徵在於，其包括: 為晶圓設定非正常晶片映射圖，其中該非正常晶片映射圖包括有晶圓上的非正常晶片區域；和 根據所述非正常晶片映射圖對待測晶圓上的各個正常晶片區域進行測試而跳過對非正常晶片區域的測試。
2.根據權利要求1所述的晶圓測試方法，其特徵在於，所述非正常晶片區域包括測試器件區域和/或分布在晶圓周邊的晶片區域。
3.根據權利要求1所述的晶圓測試方法，其特徵在於，所述為晶圓設定非正常晶片映射圖包括: 對多個晶圓進行測試，將壞片機率高於預定值的晶片區域設定為非正常晶片區域；和/或 將晶圓中的測試器件區域設定為非正常晶片區域。
4.根據權利要求1所述的晶圓測試方法，其特徵在於，所述根據所述非正常晶片映射圖對待測晶圓上的各個正常晶片區域進行測試而跳過非正常晶片區域包括: 對待測晶圓上的一個正常晶片區域進行測試； 判定下一個晶片區域是否屬於非正常晶片區域，如果是，則重複此步驟，如果否，在對上一個正常晶片區域測試完成後將測試探針移動至下一個正常晶片區域並進行測試。
全文摘要
本發明提供一種晶圓測試方法，其包括:為晶圓設定非正常晶片映射圖，其中該非正常晶片映射圖包括有晶圓上的非正常晶片區域；和根據所述非正常晶片映射圖對待測晶圓上的各個正常晶片區域進行測試而跳過對非正常晶片區域的測試。與現有技術相比，本發明為每個晶圓產品都產生非正常晶片映射圖，在對該晶圓產品進行測試時，可以直接跳過非正常晶片區域，這樣就節省了這些非正常晶片區域的走片時間和性能測試時間，從而降低晶片的成本。
文檔編號G01R31/26GK103163442SQ20131009389
公開日2013年6月19日 申請日期2013年3月22日 優先權日2013年3月22日
發明者王釗, 田文博, 尹航 申請人:無錫中星微電子有限公司