半導體加工用表面保護粘著帶的製作方法

2023-09-22 05:01:30

半導體加工用表面保護粘著帶的製作方法
【專利摘要】本發明涉及一種半導體加工用表面保護粘著帶，其於基材上具有粘著劑層，其中，該粘著帶的探針粘附力B為0.08～0.20(MPa)，且該粘著帶的粘著力A(N/25mm)與探針粘附力B(MPa)之比C(A/B)為10(N/25mm/MPa)以上。
【專利說明】半導體加工用表面保護粘著帶
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種半導體裝置加工所使用的表面保護粘著帶，更詳細而言，本發明涉及用於半導體晶片背面研削時優選的半導體加工用表面保護粘著帶。
【背景技術】
[0002]半導體晶片(以下記為晶片)的加工步驟中，在晶片表面形成圖案後，進行所謂背面研削、研磨，將晶片背面研削、研磨至特定厚度。此時，為了保護晶片表面，在晶片表面貼合表面保護粘著帶，並於該狀態下對晶片背面進行研削。作為表面保護粘著帶，提出了一種表面保護粘著帶，其在乙烯乙酸乙烯酯共聚物(以下記為EVA)等聚烯烴基材樹脂膜上設置有以丙烯酸系聚合物作為主成分的粘著劑層(例如參照專利文獻I)。
[0003]晶片表面的圖案中存在各種電子電路或電極、對這些進行保護的聚醯亞胺等保護膜、以及在將晶片單片化成晶片的切晶步驟時刀片所切入的溝槽(即槽線)。由於如上所述的結構，導致晶片表面並不平滑，存在數ym?數十ym的階差、凹凸。
[0004]該階差的大小或形狀因晶片或裝置的種類而各種各樣，業界期待通過貼合表面保護粘著帶與晶片表面的階差密合來填補間隙。然而，晶片的階差大或帶較硬的情況下，表面保護粘著帶對晶片表面的貼附性不足，因而產生所謂滲流現象，在背面研削時或化學機械研磨時，研削水或研磨液(漿料)滲入到晶片與帶的間隙之中。
[0005]由於產生滲流，造成帶自晶片剝離並以該部位為起點於晶片中產生裂痕而導致破損，或者成為產生由滲入水所造成的晶片表面的汙染或糊料的附著而使成品率嚴重惡化的原因。
[0006]針對滲流，已知有利用加厚粘著劑、降低粘著劑的彈性|旲數等方法提聞對晶片表面的密合性的方法(例如參照專利文獻2)。另外，通過提高粘著力也可期待相同的效果。
[0007]通過採用如上所述的方法，帶的粘附力同時上升。所謂粘附力，其是指所謂用手指接觸表面時的黏性感，其是用以滿足粘著於被粘著體的粘著帶的最基本條件所必需的特性。
[0008]另一方面，過強的粘附力將導致粘著帶在使用方面隨處可見弊端。例如，將保護粘著帶貼合至晶片上時使用所謂貼合機的裝置。處於帶卷出位置的帶由各種輥支持而剝離脫模膜，貼合於晶片上並切割成晶片形狀，最終卷取不用部分並回收。(例如參照專利文獻3)
[0009]粘著帶貼合在晶片後被卷取時，存在粘著劑與支持棍接觸的部分。若帶的粘附力較大，則存在帶難以自輥剝離而直接卷繞在輥上的情況。
[0010]因此，業界期望一種兼具對晶片表面保護而言較為充分的粘著力及對作業性影響較小的粘附力的帶。
[0011]現有技術文獻
[0012]專利文獻
[0013][專利文獻I]日本特開2000-8010號公報
[0014][專利文獻2]日本特開2002-53819號公報[0015][專利文獻3]日本特開2010-98132號公報
【發明內容】

[0016]本發明的課題在於解決上述問題，提供一種半導體加工用表面保護粘著帶，在半導體晶片的加工，具體地說，矽晶片等的背面研削步驟中，即使對於階差或凹凸大的晶片，也不會因其粘著力而導致產生滲流，並且作業性良好。
[0017]本發明人等對上述課題進行了潛心研究，結果發現，粘著力與探針粘附力之比處於特定範圍的半導體加工用表面保護粘著帶可在背面研削步驟中防止滲流，帶來良好的作業性。本發明是基於該見解而完成的。
[0018]S卩，本發明利用下述方法解決上述課題。
[0019](I) 一種半導體加工用表面保護粘著帶，其於基材上具有粘著劑層，
[0020]該粘著帶的探針粘附力B為0.08?0.20 (MPa)，且該粘著帶的粘著力A (N / 25mm)與探針粘附力B(MPa)之比C(A / B)為10(N / 25mm / MPa)以上。
[0021](2)如上述(I)所述的半導體加工用表面保護粘著帶，其中，上述粘著力A為0.9 ?2.0 (N / 25mm)。
[0022](3)如上述(I)或(2)所述的半導體加工用表面保護粘著帶，其中，上述粘著劑層的厚度為15?55 μ m。
[0023](4)如上述(I)至(3)中任一項所述的半導體加工用表面保護粘著帶，其中，上述基材由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物構成。
[0024]根據本發明，可提供一種半導體加工用表面保護粘著帶，在半導體晶片的加工，具體地說，在矽晶片等的背面研削步驟中，即便對於階差或凹凸大的晶片也可防止滲流，並改善作業性。
[0025]通過下述記載，對本發明的上述及其它特徵及優點進一步進行闡明。
【具體實施方式】
[0026]本發明的半導體加工用表面保護用粘著帶由基材及形成於基材上的粘著劑(接著劑層)構成。
[0027]對於構成本發明所使用的基材的樹脂並無特別限制，可使用現有公知的樹脂。作為本發明的基材所使用的樹脂的示例，可列舉出高密度聚乙烯(HDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、聚丙烯(PP)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、或它們的金屬交聯物(離子聚合物)等聚烯烴類；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等聚酯類。各種樹脂可單獨使用一種或將兩種以上摻混使用。本發明所使用的基材可為單層結構，也可組合2種以上的樹脂或使用摻混樹脂來製成多層結構。從研削後的晶片翹曲或柔軟性的觀點出發，更優選使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)基材。基材所使用的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中，乙酸乙烯酯成分的含量優選為5?30質量％，更優選為10?20質量％。
[0028]基材樹脂中可添加用以辨認、識別粘著帶的著色用顏料等，可在對物性無影響的範圍內添加添加物。
[0029]對基材的厚度並無特別限定，可適當地設定，優選為50?200 μ m。[0030]對上述基材的製造方法並無特別限定。可使用注射、擠出、吹塑等現有方法。
[0031]本發明所使用的粘著劑只要滿足使用該粘著劑所形成的粘著帶的粘著力A(N/25mm)與探針粘附力B(MPa)之比C(A / B)為10(N / 25mm / MPa)以上，則並無特別限制。例如，可列舉出以(甲基)丙烯酸酯作為構成成分的均聚物、或具有兩種以上(甲基)丙烯酸酯作為構成成分的共聚物。作為該(甲基)丙烯酸酯，優選碳數為30以下的直鏈或具有支鏈的烷基(例如，甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戍基、異戍基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、^ 烷基、月桂基、十二烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基及十二烷基)的(甲基)丙稀酸烷基酷，更優選碳數為4~18的直鏈或具有支鏈的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。
[0032]上述共聚物中，作為上述(甲基)丙烯酸烷基酯以外的構成成分，例如可列舉出丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸及丁烯酸等含羧基的單體成分；順丁烯二酸酐或衣康酸酐等酸酐單體成分；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯及(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等含羥基的單體成分；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯及(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基的單體成分；磷酸2-羥基乙基丙烯醯基酯等含磷酸基的單體成分；(甲基)丙烯醯胺、(甲基)丙烯酸N-羥基甲基醯胺、(甲基)丙烯酸烷基胺基烷基酯(例如，甲基丙烯酸二甲基胺基乙酯、甲基丙烯酸叔丁基胺基乙酯等)、N-乙烯基吡咯啶酮、丙烯醯基嗎啉、乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等。上述共聚物中可含有一種或兩種以上這些單體成分。
[0033]另外，上述共聚物可含有以下的多官能性單體成分作為構成成分。作為該多官能性單體成分的示例，可列舉出己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸聚酯及(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯等。上述共聚物中可含有一種或兩種以上這些多官能性單體成分。
[0034]上述共聚物例如可含有(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯等作為(甲基)丙烯酸酯成分。
[0035]本發明所使用的粘著劑優選為包含具有丙烯酸酯與甲基丙烯酸酯的兩方面作為構成成分的共聚物。另外，本發明所使用的粘著劑進而優選為包含醇部無取代的(甲基)丙烯酸酯與醇部具有取代基的(甲基)丙烯酸酯的兩方面作為構成成分的共聚物。另外，作為醇部具有取代基的情況下的該取代基，優選烷基、羥基或環氧基。作為醇部具有取代基的(甲基)丙烯酸酯，優選(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯或(甲基)丙烯酸縮水甘油酯。
[0036]本發明所使用的粘著劑所含的共聚物中，優選醇部無取代的(甲基)丙烯酸酯成分的含量為40~60質量％。另外，優選共聚物中的醇部無取代的丙烯酸酯成分含量比醇部無取代的甲基丙烯酸酯成分含量多。醇部無取代的丙烯酸酯成分在上述共聚物中的含量優選為25?50質量％。
[0037]另一方面，醇部具有取代基的形態的(甲基)丙烯酸2-乙基己酯成分在上述共聚物中的含量優選為35?50質量％，更優選的含量為40?50質量％。該(甲基)丙烯酸2-乙基己酯優選為丙烯酸2-乙基己酯。
[0038]進而，上述共聚物優選含有(甲基)丙烯酸縮水甘油酯成分。該(甲基)丙烯酸縮水甘油酯在上述共聚物中的含量更優選為I?5質量％。該(甲基)丙烯酸縮水甘油酯優選為甲基丙烯酸縮水甘油酯。
[0039]上述共聚物優選含有(甲基)丙烯酸成分。上述共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的含量優選為0.5?5質量％。該(甲基)丙烯酸優選為甲基丙烯酸。
[0040]對於優選用作本發明所使用的粘著劑的上述共聚物，優選使用表面活性劑進行乳化聚合所得的共聚物。作為表面活性劑，優選陰離子系表面活性劑，優選聚氧乙烯烷基苯基釀的硫酸酷鹽，其中優選苯環上加成有稀丙基的聚氧乙稀燒基苯基釀的硫酸酷鹽。另外，優選聚合時並用聚丙二醇或聚乙二醇。另外，優選使用經去離子化的純水作為反應溶劑。再者，作為聚合引發劑，可為任意聚合引發劑，優選過硫酸鹽。
[0041]本發明中，粘著劑中可使用固化劑。
[0042]作為固化劑，可使用日本特開2007-146104號公報中記載的固化劑。例如可列舉出1，3_雙(N，N-二縮水甘油基胺基甲基)環己烷、1，3-雙(N，N-二縮水甘油基胺基甲基)甲苯、1，3-雙(N，N-二縮水甘油基胺基甲基)苯、N，N，N，N』 -四縮水甘油基間苯二甲胺等分子中具有兩個以上環氧基的環氧化合物；2，4_甲苯二異氰酸酯、2，6-甲苯二異氰酸酯、1，3- 二甲苯二異氰酸酯、1，4- 二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷_4，4』 - 二異氰酸酯等分子中具有兩個以上異氰酸酯基的異氰酸酯化合物；四輕甲基-三-β -氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基丙烷-三-β - (2-甲基氮丙啶)丙酸酯等分子中具有兩個以上氮丙啶基的氮丙啶化合物等。固化劑的含量根據所需的粘著力進行調整即可，相對於上述聚合物100質量份，固化劑的含量優選為0.01?10質量份,進一步優選為0.1?5質量份。
[0043]另外，本發明中，還可使粘著劑層中含有光聚合性化合物及光聚合弓I發劑。通過含有光聚合引發劑，可通過照射紫外線而使粘著劑層固化，降低粘著劑層的粘著力。作為這種光聚合性化合物，例如可使用如日本特開昭60-196956號公報及日本特開昭60-223139號公報中所公開的可通過光照射而立體網狀化的於分子內至少具有兩個以上光聚合性碳-碳雙鍵的低分子量化合物。
[0044]具體而言，例如可使用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或1，4- 丁二醇二丙烯酸酯、1，6_己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、市售的丙烯酸寡酯。
[0045]作為光聚合引發劑，可使用日本特開2007-146104號公報或日本特開2004-186429號公報中記載的光聚合引發劑。另外，例如，可並用異丙基安息香醚、異丁基安息香醚、二苯甲酮、米其勒酮、氯噻噸酮、苯偶醯甲基縮酮、α-羥基環己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙燒。
[0046]作為粘著劑層，可使用利用含有聚合物中具有光聚合性碳-碳雙鍵的聚合物、光聚合引發劑及固化劑的樹脂組成物而成的光聚合性粘著劑。作為聚合物中具有碳-碳雙鍵的聚合物，優選利用任意方法將一種或兩種以上的側鏈上具有碳原子數為4?12、進一步優選為碳原子數8的烷基的(甲基)丙烯酸酯等的單體或共聚合性改質單體均聚合或共聚合而成的(甲基)丙烯酸系聚合物。
[0047]對於以此種方式形成的光聚合性粘著劑層，通過照射放射線、優選為紫外線，可使粘著力自初始大幅度下降，可容易地自被粘著體剝離粘著帶。
[0048]本發明中，粘著劑層的厚度可根據欲應用的被粘著體而適當設定，對其並無特別限制，優選為15?55 μ m,更優選為20?50 μ m。若超過55 μ m,則產生對晶片的糊劑殘留等的可能性提高，反之，若低於15 μ m,則無法追附晶片表面的凹凸，從而有成為滲流等的要因的可能性。
[0049]本發明的半導體加工用表面粘著帶的粘著力A(N / 25mm)與探針粘附力B(MPa)之比C(C = A / B)為10(N / 25mm / MPa)以上。通過設定於該範圍內，可具有即便對於階差或凹凸大的晶片也不產生滲流的粘著力，而且使作業性保持良好。該比C優選為10?60 (N / 25mm / MPa)，更優選為 10 ?40 (N / 25mm / MPa)。
[0050]此處，粘著力A優選為0.8?4.0N / 25_，更優選為0.9?2.0N / 25_。另一方面，探針粘附力B優選為0.20MPa以下，更優選為0.08?0.20MPa,進一步優選為0.10?0.20MPa。
[0051]對於粘著力A與探針粘附力B，利用以下方法分別依據JIS Z0237進行測定。
[0052]
[0053]使用以#280的耐水砂紙均勻地進行水磨後經水洗、脫脂的SUS304鋼板，研磨後放置I小時，然後使2kg荷重的橡膠輥對25_寬的半導體加工用表面保護粘著帶的表面進行3次往返，貼合該粘著帶，放置I小時後，以剝離角度180度、拉伸速度300mm / min、測定溫度23°C的條件求出剝離時的荷重，由此獲得粘著力A。
[0054]
[0055]使用粘附試驗機(例如Rhesca製造的TACII)於半導體加工用表面保護粘著帶的基材背面側(粘著劑塗敷面的相反側)以30mm / min的速度壓入3πιπιΦ圓柱狀探針，於室溫下以靜止荷重IOOg保持Isec後，以600mm / min的速度進行提拉，通過測定此時的荷重而求出探針粘附力B。
[0056]粘著力A及探針粘附力B可根據粘著劑層中的聚合物種類或添加物的種類或量、尤其是粘著劑所使用的聚合物的種類、尤其是單體成分的種類與量進行調整。此外，
[0057]探針粘附力還可根據基材的種類進行調整。為了將上述比C調整成10(N /25mm / MPa)以上，優選為將基材、粘著劑層設為上述優選範圍。
[0058]進而，粘著力A及探針粘附力B因粘著劑層所使用的聚合物(上述聚合物)的彈性模數、分子量、玻璃轉移溫度(Tg)或固化劑、塑化劑、脫模劑、填料等添加物而變化，尤其是Tg、質量平均分子量、固化劑的影響較大。因此，為了將上述比C調整成10(N / 25mm /MPa)以上，將交聯後的Tg設為-50?-10°C、優選為-40?_20°C，或將質量平均分子量設為80萬以上、優選為100萬以上，或相對於聚合物100質量份，將固化劑的混合份數調整成0.3?1.8質量份、優選為0.5?1.5質量份，由此也可設成目標範圍。
[0059][實施例]
[0060]以下，基於實施例及比較例對本發明進行詳細說明，但本發明並不限於此。[0061](實施例1)
[0062]向經去離子的純水中添加於苯環上加成有烯丙基的聚氧乙烯烷基苯基醚化合物及聚丙二醇化合物作為表面活性劑，添加過硫酸銨作為聚合引發劑，一面加熱一面攪拌。然後，將甲基丙烯酸甲酯16質量份、丙烯酸丁酯40質量份、丙烯酸2-乙基己酯40質量份、甲基丙烯酸縮水甘油酯2質量份及甲基丙烯酸2質量份滴加至攪拌溶液中，進而持續攪拌進行聚合，獲得丙烯酸系乳液粘著劑組成物A。
[0063]通過擠出成形而成膜出厚度165 μ m的由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)構成的基材，使用上述組成的粘著劑組成物A，以塗敷後的厚度為40 μ m的方式在其上形成層，獲得半導體加工用表面保護粘著帶。利用後述的方法測定該粘著帶的粘著力與探針粘附力，結果粘著力為1.18N / 25mm，探針粘附力為0.1OMPa0
[0064](實施例2)
[0065]分別將上述粘著劑組成物A的甲基丙烯酸甲酯變更為10質量份，將丙烯酸2-乙基己酯變更為46質量份，由此變更為將粘著力調整成1.24N / 25mm、將探針粘附力調整成
0.1lMPa的粘著劑組成物B，除此以外，利用與實施例1相同的方法獲得半導體加工用表面保護粘著帶。
[0066](實施例3)
[0067]向經去離子的純水中添加於苯環上加成有烯丙基的聚氧乙烯壬基苯基醚硫酸酯的銨鹽化合物及聚丙二醇化合物作為表面活性劑，添加過硫酸銨作為聚合引發劑，一面加熱一面攪拌。然後，將甲基丙烯酸甲酯15質量份、丙烯酸丁酯30質量份、丙烯酸2-乙基己酯43質量份及甲基丙烯酸縮水甘油酯2質量份滴加至攪拌溶液中，進而持續攪拌進行聚合，獲得丙烯酸系乳液粘著劑組成物C。
[0068]通過擠出成形而成膜出厚度70 μ m的由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)構成的基材，將其與經雙軸延伸的40μπι的聚丙烯膜(PP)貼合，獲得合計厚度為ΙΙΟμπι的多層結構基材。使用上述組成的粘著劑組成物C，以塗敷後的厚度成為20 μ m的方式在該基材上形成層，獲得半導體加工用表面保護粘著帶。該粘著帶的粘著力為3.20N / 25mm，粘附力為
0.16MPa。
[0069](實施例4)
[0070]向經去離子的純水中添加苯環上加成有烯丙基的聚氧乙烯烷基苯基醚化合物及聚丙二醇化合物作為表面活性劑，添加過硫酸銨作為聚合引發劑，一面加熱一面攪拌。然後，將甲基丙烯酸甲酯15質量份、丙烯酸丁酯35質量份、丙烯酸2-乙基己酯45質量份、甲基丙烯酸縮水甘油酯2質量份及甲基丙烯酸I質量份滴加至攪拌溶液中，進而持續攪拌進行聚合，獲得丙烯酸系乳液粘著劑組成物D。
[0071]通過擠出成形而成膜出厚度120 μ m的由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)構成的基材，使用以(甲基)丙烯酸共聚物作為主成分的上述組成的粘著劑組成物D，以塗敷後的厚度成為50 μ m的方式在其上形成層，獲得半導體加工用表面保護粘著帶。該粘著帶的粘著力為1.38N / 25臟，粘附力為0.1IMPa。
[0072](實施例5)
[0073]通過將上述粘著劑組成物D的甲基丙烯酸變更為5質量份，而變更成將粘著力調整成3.75N / 25mm、將探針粘附力調整成0.1OMPa的粘著劑組成物E，除此以外，利用與實施例4相同的方法獲得半導體加工用表面保護粘著帶。
[0074](比較例I)
[0075]使丙烯酸甲酯5質量份、丙烯酸2-乙基己酯60質量份及甲基丙烯酸甲酯5質量份於乙酸乙酯溶液中聚合，而獲得丙烯酸系共聚物。向聚合而成的丙烯酸系共聚物中摻混加成物系異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，Nippon Polyurethane公司製造)0.5質量份及環氧系固化劑E-5XM(商品名，綜研化學製造)2質量份，為了調整成容易塗敷的黏度而添加乙酸乙酯進行調整，獲得粘著劑組成物F。
[0076]通過擠出成形而成膜出厚度165 μ m的由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)構成的基材，使用以(甲基)丙烯酸共聚物作為主成分的上述組成的粘著劑組成物F，以塗敷後的厚度成為40 μ m的方式在其上形成層，獲得半導體加工用表面保護粘著帶。粘著力為
0.31N / 25mm，探針粘附力為 0.1lMPa0
[0077](比較例2)
[0078]通過將上述粘著劑組成物F的環氧系固化劑的混合量變更為0.5質量份，而變更成將粘著力調整成1.88N / 25mm、將探針粘附力調整成0.30MPa的粘著劑組成物G，除此以夕卜，利用與比較例I相同的方法獲得半導體加工用表面保護粘著帶。
[0079](比較例3)
[0080]通過擠出成形將乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)與高密度聚乙烯(HDPE)積層，獲得厚度IOOym的ΕνΑ(70μπι) / HDPE (30 μ m)多層結構基材。另外，得到了丙烯酸系共聚物，其是使丙烯酸丁酯85質量份及丙烯酸2-羥基乙酯15質量份於乙酸乙酯溶液中聚合所得的。向聚合而成的丙烯酸系共聚物中摻混加成物系異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名』 Nippon Polyurethane公司製造)0.5質量份,為了調整成容易塗敷的黏度而添加乙酸乙酯進行調整，獲得粘著劑組成物H。使用該粘著劑組成物H，以塗敷後的厚度成為30 μ m的方式形成層，獲得半導體加工用表面保護粘著帶。該粘著帶的粘著力為0.88N / 25mm，探針粘附力為0.26MPa。
[0081](比較例4)
[0082]相對於作為丙烯酸2-乙基己酯60質量份、丙烯酸2-羥基乙酯38質量份及甲基丙烯酸2質量份的共聚物的丙烯酸系共聚物100質量份，添加加成物系異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，Nippon Polyurethane公司製造)4質量份、作為低聚物的具有光聚合性碳-碳雙鍵的四羥甲基甲烷四丙烯酸酯150質量份及作為光聚合引發劑的Irgacurel84 (商品名，Ciba Japan公司製造)5質量份,為了調整成容易塗敷的黏度而添加乙酸乙酯進行調整，獲得粘著劑組成物I。
[0083]通過擠出成形而成膜出厚度IOOym的EVA (70μπι) / HDPE (30 μ m)多層結構基材，使用上述粘著劑組成物I，以塗敷後的厚度成為30 μ m的方式在其上形成層，獲得半導體加工用表面保護粘著帶。該粘著帶的粘著力為1.30N / 25mm，探針粘附力為0.24MPa。
[0084](表面保護用粘著帶的性能評價)
[0085]對上述實施例與比較例中獲得的各半導體加工用表面保護粘著帶進行以下試驗並評價其性能，獲得了下述表I及2的結果。
[0086](粘著力)
[0087]使用以#280的耐水砂紙均勻地水磨後經水洗、脫脂的SUS304鋼板，研磨後放置I小時後，使2kg荷重的橡膠輥對25_寬的試驗板的表面進行3次往返而貼合試驗片，進而放置I小時後求出剝離時的荷重。剝離角度為180度，拉伸速度為300mm / min，測定溫度為 23。。。
[0088](探針粘附力)
[0089]使用粘附試驗機(商品名:TACII,Rhesca製造)，於試驗片的基材背面側(與粘著劑塗敷面的相反側)以30mm / min的速度壓入3mmΦ圓柱狀探針，以靜止荷重IOOg保持Isec後以600_ / min的速度進行提拉,測定此時的荷重。
[0090](滲流)
[0091]矽晶片的直徑為8英寸，在整個表面上以5mm間隔形成有寬度50 μ m、深度30 μ m的溝槽，使用貼合機(商品名:DR-8500II，日東電工(股)製造)，在形成有溝槽的面上貼合半導體加工用表面保護粘著帶。利用砂磨機(商品名:DGP8760，Disc (股)製造)對貼合有該粘著帶的晶片進行背面研削，研削至50 μ m，研究自研削後的晶片外周部向溝槽的切割水的滲入，通過目視按以下等級進行評價。
[0092]評價等級
[0093]A:未見滲入。
[0094]B:略微可見滲入。
[0095]C:明顯可見滲入。
[0096](貼合時作業性)
[0097]利用貼合機的貼合後，卷繞帶，此時按以下等級對帶黏附與粘著劑接觸的支持輥上的情況(剝離性)進行評價。
[0098]評價等級
[0099]A:帶未黏附於存在於通過路徑中的任一支持輥上，可順利地卷取帶。
[0100]B:帶黏附於支持輥上，但未卷繞至該支持輥上，可卷取帶。
[0101]C:帶黏附於支持輥上且未剝離，帶卷繞至該支持輥上。
[0102](翹曲)
[0103]上述研削中，將8英寸直徑的矽裸晶片研削至50 μ m的厚度後，使附有半導體加工用表面保護粘著帶的晶片因發生翹曲而產生的凸側向下，將附有該粘著帶的晶片靜置於水平的臺上。對該晶片的兩端的翹曲進行測定，將其平均值作為晶片的翹曲，按以下等級進行評價。
[0104]評價等級
[0105]A:翹曲小於25_。
[0106]B:翅曲為25謹以上且小於3Ctam。
[0107]C:翹曲為30mm以上。
[0108][表 I]
【權利要求】
1.一種半導體加工用表面保護粘著帶，其在基材上具有粘著劑層，其中， 該粘著帶的探針粘附力B為0.08?0.20 (MPa)，且該粘著帶的粘著力A (N / 25mm)與探針粘附力B(MPa)之比C(A / B)為10(N / 25mm / MPa)以上。
2.如權利要求1所述的半導體加工用表面保護粘著帶，其中，該粘著力A為0.9?2.0 (N / 25mm)。
3.如權利要求1或2所述的半導體加工用表面保護粘著帶，其中，該粘著劑層的厚度為15 ?55 μ m0
4.如權利要求1?3中任一項所述的半導體加工用表面保護粘著帶，其中，該基材由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物構成。
【文檔編號】H01L21/304GK103733316SQ201380002367
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年5月21日 優先權日:2012年5月23日
【發明者】內山具朗, 橫井啟時 申請人:古河電氣工業株式會社