信號源裝置及用以產生輸出信號的信號源裝置的製作方法

2023-09-27 06:50:55

專利名稱：信號源裝置及用以產生輸出信號的信號源裝置的製作方法
技術領域：
本發明有關於信號源裝置，更具體地，有關於應用在收發信機(transceiver)中的信號源裝置及用以產生輸出信號的信號源裝置。
背景技術：
全球移動通信系統(GlobalSystem For Mobile Communication, GSM)已經廣泛 應用於手機系統。對於GSM收發信機中的發射機(Transmitter，TX)的900MHz GSM信號 源裝置而言，相位噪聲(phase noise)是一個重要的技術規範(specification)。特別地， 因為在20MHz頻偏(offset)情況下的信號源裝置的相位噪聲將會與接收機(Receiver， RX)的接收帶寬相互影響，所以信號源裝置的相位噪聲受到嚴格的限制。根據GSM技術規 範，在20MHz頻偏情況下的本地振蕩器(Local Oscillator, L0)的相位噪聲將受限為低 於-162dBc/Hz。GSM收發信機設計已經朝著單片CMOS晶片解決方案邁進。儘管如此，對於 最新的CMOS技術而言也存在一些問題，例如，低質量片上(on-chip)電感(inductor)，有損 耗的(lossy) Si基質，以及伴隨信道規模縮小而增長的Ι/f噪聲。上述問題嚴重影響信號源 裝置的相位噪聲，因此，在20MHz頻偏情況下的信號源裝置的相位噪聲將總低於_162dBc/ Hz。因此，迫切需要一種能夠提供具有較低相位噪聲的輸出信號的信號源裝置。尤其 是，當信號源裝置用於GSM收發信機時，輸出信號將遵循GSM技術規範。

發明內容
為克服現有技術存在的相位噪聲較大的問題，本發明目的之一在於提供一種信號 源裝置及用以產生輸出信號的信號源裝置。本發明提供一種信號源裝置，包含多個級聯的鎖存單元；反相單元，耦接到所述 多個鎖存單元；以及電壓偏移單元，所述電壓偏移單元的第一端耦接到所述多個鎖存單元 的一者以及所述反相單元，所述電壓偏移單元的第二端用於接收第一輸入信號，所述電壓 偏移單元根據所述第一輸入信號，偏移所述第一端的電壓電平。本發明另提供一種用以產生輸出信號的信號源裝置，包含振蕩器，用以產生第一 振蕩信號以及第二振蕩信號；以及第一分頻器，用於接收所述第一振蕩信號以及所述第二 振蕩信號，並產生第一分頻信號，其中所述第一分頻器包含多個級聯的鎖存單元，所述多 個鎖存單元的每一者用於接收所述第一振蕩信號以及所述第二振蕩信號；反相單元，耦接 到所述多個鎖存單元以及輸出所述第一分頻信號；以及電壓偏移單元，具有第一端以及第 二端，所述第一端耦接到所述多個鎖存單元的一者以及所述反相單元，所述第二端用於接 收所述第一振蕩信號，所述電壓偏移單元用於根據所述第一振蕩信號，偏移所述第一端處 的所述電壓電平；其中，所述輸出信號相應所述第一分頻信號。本發明提供的信號源裝置及用以產生輸出信號的信號源裝置，能夠克服現有技術 存在的相位噪聲較大的問題，可以提高輸出信號的質量。


圖1為能夠在900MHz GSM收發信機中實現的信號源裝置1示意圖。圖2為根據本發明的分頻器11的一個實施例示意圖。圖3為根據本發明的分頻器11的另一個實施例示意圖。圖4為根據本發明的分頻器11的又一個實施例示意圖。圖5為根據本發明的電分頻器11的再一個實施例示意圖。圖6為900MHz GSM收發信機中的另一個信號源裝置的示意圖。圖7為根據本發明的分頻器61的一個實施例示意圖。圖8為根據本發明的分頻器61的另一個實施例示意圖。圖9為根據本發明的分頻器61的又一個實施例示意圖。圖10為根據本發明的分頻器61的再一個實施例示意圖。
具體實施例方式在說明書及權利要求當中使用了某些詞彙來指稱特定組件。所屬領域技術人員可 理解，製造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個組件。本說明書及後續的權利要求並不以 名稱的差異來作為區分組件的方式，而是以組件在功能上的差異來作為區分的準則。在通 篇說明書及權利要求當中所提及的「包括」和「包含」為一開放式的用語，故應解釋成「包含 但不限定於」。以外，「耦接」一詞在此包含任何直接及間接的電氣連接手段。間接的電氣連 接手段包括通過其它裝置進行連接。圖1為可在900MHz GSM收發信機中實現的信號源裝置1的示意圖。請參閱圖1，
信號源裝置1包含振蕩器(oscillator) 10、分頻器11以及分頻器12。振蕩器10產生兩個
具有3. 6GHz頻率的振蕩信號Vn以及振蕩信號Vp，上述兩個振蕩信號組成一個差分對。分
頻器11接收振蕩信號Vn以及振蕩信號Vp，然後產生一個具有1. 8GHz頻率的分頻信號DSl。
分頻器12接收分頻信號DS1，然後產生一個具有900MHz頻率的分頻信號DS2，以作為信號
源裝置1的輸出信號Sout (圖未示)。其中由于振蕩器產生振蕩信號為所屬領域技術人員
所熟知，在此不再詳述。上述實施例中雖然以兩個分頻器為例，然本發明不以此為限，例如，
上述實施例中的分頻信號DSl以及分頻信號DS2可以分別稱之為第一分頻信號以及第二分
頻信號。如果僅使用一個分頻器，則唯一的分頻器輸出的信號可以稱之為第一分頻信號，可
以作為輸出信號Sout。因此，信號源裝置1可以產生具有900MHz頻率的輸出信號Sout。因
為振蕩器10的振蕩頻率為期望的900MHz的四倍，所以振蕩器10的LC槽(tank)的電感值
可以為振蕩在900MHz的振蕩器中的LC槽的電感值的四分之一，因而可以獲得更高的電感
質量。此外，由於分頻器11以及分頻器12的存在，可改善信號源裝置1的相位噪聲。此特
性可以由下面的Lesson』 s相位噪聲模塊而導出。
/ λΣ{Αω} oc 20 log -^―方程式(1)
{2Q,Aaj可以看出，當振蕩頻率w。以2分頻時，信號相位噪聲L{A ω}可以減小6dB。其中， 上述方程式中的Ql為常數參數。請注意，信號源裝置1不僅僅限於產生900MHz信號，換言之，振蕩器10的振蕩頻率不僅僅限於3. 6GHz，而且，分頻器11以及12的分頻因子也不僅僅限於2。更進一步說， 在另一個實施例中，信號源裝置1可以包含僅僅具有適當的分頻因子的一個或兩個以上的 分頻器。圖2為根據本發明的分頻器11的一個實施例示意圖。請參閱圖2，分頻器11包含 二級鎖存單元、反相單元22以及電壓偏移(voltage-shifting)單元23，其中二級鎖存單元 即鎖存單元20以及鎖存單元21。鎖存單元20以及鎖存單元21大致上為級聯結構，如圖 2所示的鎖存單元20的輸出端OUT耦接到鎖存單元21的輸入端IN。而且鎖存單元20以 及鎖存單元21的每一者都接收振蕩信號Vn以及振蕩信號Vp，在此實施例中，振蕩信號Vn 以及振蕩信號Vp可以分別稱之為第一振蕩信號以及第二振蕩信號。圖中標號一致則為相 同組件，所以鎖存單元20以及鎖存單元21的每一者均包含電晶體200、201、202以及203， 其中，電晶體200、201、202以及203在電源電壓VDD(例如，本實施例中的1. 2V)以及接地 電壓GND間串聯耦接。在圖2所示的實施例中，電晶體200以及201為P型金屬氧半導體 (P-type metal oxide semiconductor, PM0S)電晶體，而電晶體 202 以及 203 為 N 型金屬 氧半導體(N-type metal oxide semiconductor, NM0S)電晶體。PMOS 電晶體 200 的源極 端耦接到電源電壓VDD，而PMOS電晶體200柵極端(控制端)耦接到輸入端IN。PMOS晶體 管201的源極端耦接到PMOS電晶體200的漏極端，PMOS電晶體201的漏極耦接到輸出端 OUT。NMOS電晶體202的漏極端於輸出端0UT，耦接到PMOS電晶體201的漏極端。NMOS晶 體管203的漏極端耦接到NMOS電晶體202的源極端，NMOS電晶體203的源極端耦接到接 地電壓GND。而NMOS電晶體203的柵極端(控制端)因此可以接收輸入端IN。注意，鎖存 單元20中的PMOS電晶體201的柵極端以及NMOS電晶體202的柵極端分別接收振蕩信號 Vn (即第二輸入信號)以及振蕩信號Vp (即第一輸入信號)，以及鎖存單元21中的PMOS晶 體管201的柵極端以及NMOS電晶體202的柵極端分別接收振蕩信號Vp以及振蕩信號Vn， 其中，上述第一輸入信號以及第二輸入信號形成一個差分對。反相單元22耦接到鎖存單元 21的輸出端0UT，並且反相單元22包含電晶體22a以及電晶體22b，且電晶體22a以晶體 管及22b均耦接到節點N20。反相單元22在節點N20輸出分頻率信號DS1。電壓偏移單元 23的第一端耦接到反相單元22以及鎖存單元21 (鎖存單元20以及鎖存單元21中的最後 一級，也就是所述多個鎖存單元中最後一者)的輸出端0UT，電壓偏移單元23的第二端用於 接收振蕩信號Vp，並根據振蕩信號Vp偏移鎖存單元21的輸出端OUT (即，鎖存單元21的輸 出端0UT，也就是電壓偏移單元23的第一端)的電壓電平。請參閱圖2，鎖存單元20的輸 入端IN耦接到節點N20，用於接收分頻信號DS1，而鎖存單元20的輸出端OUT耦接到鎖存 單元21的輸入端IN。若電壓偏移單元23沒有耦接到反相單元22以及鎖存單元21的輸出端0UT，當振蕩信號Vp為高電平，而振蕩信號Vn為低電平時，鎖存單元21的PMOS電晶體201以及NMOS 電晶體202關閉，而鎖存單元21的輸出端OUT的電壓Vout為浮動(floating)，並具有接 近電源電壓VDD(1.2V)的高電平。請回到圖2所示的實施例，電壓偏移單元23耦接到反相 單元22以及鎖存單元21的輸出端0UT，而且振蕩信號Vn以及Vp都具有很大的信號擺幅 (swing)。此實施例中的振蕩信號Vn以及Vp中的每一者的高電平都大於電源電壓VDD，例 如可以是2.2V。當振蕩信號Vp為高電平，而振蕩信號Vn為低電平時，鎖存單元21的PMOS 電晶體201以及NMOS電晶體202關閉，而當振蕩信號Vp提到高電平時，鎖存單元21的電壓Vout提高到超過1. 2V。鎖存單元21的提高的電壓Vout也同時提高了分頻信號DSl的振幅。根據方程式(2)，當鎖存單元21的電壓Vout升高時，分頻器11的信號相位噪聲L{ Aw} 降低。因此，對於信號源裝置1而言，由於分頻器11的降低信號相位噪聲，所以可以降低 信號源裝置1的相位噪聲。如方程式(2)所示，其中，L{AW}為相位噪聲，Aw為頻率偏移 vnoise為噪聲電壓電平，Vout為輸出信號Sout的電壓電平。formula see original document page 8方程式⑵在一個實施例中，電壓偏移單元23可以包含一個電容單元。既然電容單元的電壓 降不會急劇地改變，所以在電容單元的一端的電壓電平將會與此電容單元的另一端的電壓 變化相似，因此可以實現電壓偏移的功能，所以在一個實施例中，電壓偏移單元23就可以 由電容單元23所替代。圖3為根據本發明的分頻器11的另一個實施例示意圖。請參閱圖3，電容單元23 包含PMOS電晶體30。PMOS電晶體30的源極端耦接到反相單元22以及鎖存單元21的輸出 端OUT，PMOS電晶體30的漏極端耦接到NMOS電晶體202的源極端，PMOS電晶體30的柵極 端用於接收振蕩信號Vp。當振蕩信號Vp為高電平，而振蕩信號Vn為低電平時，鎖存單元21 的PMOS電晶體201以及NMOS電晶體202關閉，由於饋通(feed-through)效應，鎖存單元21 的電壓Vout可以通過PMOS電晶體30的寄生(parasitic)柵極到源極(gate-to-source) 電容(Vgs)而充電到超過1. 2V(VDD)。如上所述，當鎖存單元21的電壓Vout升高時，分頻 器11的信號相位噪聲L{ Aw}會降低。對於信號源裝置1來說，由於降低了分頻器11的相 位噪聲，所以可以提高信號源裝置1的相位噪聲。如圖3所示，在上述實施例中，電晶體202 和電晶體201分別可以稱之為第三電晶體以及第二電晶體，而電晶體30可以稱之為第一晶 體管。而電晶體30的第一端以及第二端耦接到電晶體202的第一端以及第二端。圖4為根據本發明的分頻器11的又一個實施例示意圖。請參閱圖4，電容單元23 包含PMOS電晶體40。PMOS電晶體40的源極端以及漏極端耦接到反相單元22以及鎖存單 元21的輸出端0UT，而PMOS電晶體40的柵極端用於接收振蕩信號Vp。當振蕩信號Vp為 高電平而振蕩信號Vn為低電平時，鎖存單元21的PMOS電晶體201以及NMOS電晶體202 關閉，由於饋通效應，鎖存單元21的電壓Vout可以通過PMOS電晶體30的寄生柵極到源極 電容(Vgs)而充電到超過1. 2V(VDD)。如上所述，當鎖存單元21的電壓Vout升高時，分頻 器11的信號相位噪聲L{ Aw}會降低。對於信號源裝置1來說，由於降低了分頻器11的相 位噪聲所以可以提高信號源裝置1的相位噪聲。圖5為根據本發明的分頻器11的再一個實施例示意圖。請參閱圖5，電容單元23 可以包含電容器50。電容器50的第一端耦接到反相單元22以及鎖存單元21的輸出端 0UT，而電容器50的第二端用於接收振蕩信號Vp，即第一輸入信號。當振蕩信號Vp為高電 平而振蕩信號Vn為低電平時，鎖存單元21的PMOS電晶體201以及NMOS電晶體202關閉， 由於饋通效應，而鎖存單元21的電壓Vout可以通過PMOS電晶體30的寄生柵極到源極電 容(Vgs)而充電到超過1. 2V(VDD)。如上所述，當鎖存單元21的電壓Vout升高時，分頻器 11的信號相位噪聲L{ Aw}會降低。對於信號源裝置1來說，由於降低了分頻器11的相位 噪聲所以可以提高信號源裝置1的相位噪聲。在圖1至圖5中的實施例中，由於附加電壓偏移單元23而產生的饋通效應，信號源裝置1的信號相位噪聲可以降低6dB。根據圖1到圖5，兩個分頻器11以及12可以如實施例中所示。產生自振蕩器10的具有3. 6GHz頻率的振蕩信號Vn以及Vp，可以通過分頻器11而2分頻，以產生具有1. 8GHz 頻率的分頻信號DSl。然後，具有1. 8GHz頻率的分頻信號DSl可以通過分頻器12而2分 頻，以產生具有900MHz頻率的分頻信號DS2，以用作具有900MHz頻率的輸出信號Sout。圖6為900MHz GSM收發信機中的另一個信號源裝置的示意圖，如圖6所示，信號 源裝置6可以包含振蕩器60以及分頻器61。振蕩器60可以實施與圖1中的振蕩器10 — 樣的運作。產生自振蕩器60的具有3. 6GHz頻率的差分振蕩信號Vn以及振蕩信號Vp可以 提供給分頻器61，經由分頻器61可以將輸入信號，即振蕩信號Vn以及振蕩信號Vp進行4 分頻，以產生具有900MHz頻率的輸出信號Sout。請參閱圖7，圖7為根據本發明的分頻器61的一個實施例示意圖。分頻器61包含 四級鎖存單元70、71、72以及73，反相單元74，以及電壓偏移單元75。鎖存單元70、71、72 以及73的每一者都具有如圖2所示的鎖存單元20以及21相同的結構。注意，在鎖存單元 70以及鎖存單元72中的PMOS電晶體201的柵極端以及NMOS電晶體202的柵極端分別接 收振蕩信號Vn以及振蕩信號Vp，而在鎖存單元71以及鎖存單元73中的PMOS電晶體201 的柵極端以及NMOS電晶體202的柵極端分別接收振蕩信號Vp以及振蕩信號Vn。反相單 元74耦接到鎖存單元73的輸出端OUT，並且反相單元74包含兩個電晶體，上述兩電晶體均 耦接到節點N70。反相單元74在節點N70輸出分頻信號，以作為信號源裝置6的輸出信號 Sout0電壓偏移單元75的第一端耦接到反相單元74以及鎖存單元73 (鎖存單元70-73中 最後一級)的輸出端OUT以及電壓偏移單元75的第二端可用於接收振蕩信號Vp，並根據振 蕩信號Vp，偏移所述鎖存單元73的輸出端OUT的電壓電平。請參考圖7，鎖存單元70的輸 入端IN耦接到節點N70，用於接收輸出信號Sout，而鎖存單元70的輸出端OUT因此可以耦 接到鎖存單元71的輸入端IN。電壓偏移單元75可以包含一個電容單元用以實現電壓偏移功能，所以電壓偏移 單元75在一個實施例中可以為電容單元75，如上所述。電容單元75可以包含如圖3所示 的PMOS電晶體30、如圖4所示的PMOS電晶體40、或者如圖5所示的電容器50。圖8為根 據本發明的分頻器61的另一個實施例示意圖。圖9為根據本發明的分頻器61的又一個實 施例示意圖。圖10為根據本發明的分頻器61的再一個實施例示意圖。其中圖8-圖10所 示的分頻器61不同之處在於電容單元75的實施方式不同。由於如圖8、圖9以及圖10所 示的電容單元75的饋通效應，當振蕩信號Vp為高電平而振蕩信號Vn為低電平時，鎖存單 元73的PMOS電晶體201以及NMOS電晶體202關閉，而鎖存單元73的電壓Vout可以通過 PMOS電晶體30的寄生柵極到源極電容(Vgs)而充電到超過1. 2V(VDD)。如上所述，當鎖存 單元73的電壓Vout升高時，分頻器61的信號相位噪聲L{AW}會降低。對於信號源裝置 6來說，由於降低了分頻器61的相位噪聲所以可以提高信號源裝置6的相位噪聲。在圖1以及圖6所示的實施例中，振蕩器10以及振蕩器60可以使用熟知的結構實 現。進一步說，如圖1所示的分頻器12接收分頻信號DS1，然後輸出分頻信號DS2，以作為 輸出信號Sout。因此，分頻器12可以採用本領域技術人員所熟知的單入單出分頻器或本領 域已知的其它分頻器實現，例如，採用波形可以達到滿幅(rail-to-rail)擺幅的單相時鐘 (True-Single-Phase-Clock, TSPC)分頻器實現，因此可以獲得好的相位噪聲性能以及低的噪聲下限(floor)。請參考圖2以及圖7，鎖存單元的結構可以如圖2以及圖7所示，然本 發明不以此為限。上述實施例中的鎖存單元的結構可以由本領域的技術人員而設計。總之，上述實施例中的信號源裝置的相位噪聲可以通過分頻器的分頻操作而提 高。在鎖存單元的輸出端，分頻器中附加的電壓偏移單元可以提高波形的振幅，進一步降低 相位噪聲以及鎖緊(fastening)下拉(pull-down)過渡(transition)。電荷饋通技術可用 於提高性能，且同時維持簡單的電路結構。當信號源裝置應用於GSM發射機時，輸出信號就 可以符合GSM技術規範。任何本領域技術人員，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤 飾，因此本發明的保護範圍當視所附的權利要求所界定範圍為準。
權利要求
一種信號源裝置，其特徵在於，所述信號源裝置包含多個級聯的鎖存單元；反相單元，耦接到所述多個鎖存單元；以及電壓偏移單元，所述電壓偏移單元的第一端耦接到所述多個鎖存單元的一者以及所述反相單元，所述電壓偏移單元的第二端用於接收第一輸入信號，其中，所述電壓偏移單元根據所述第一輸入信號，偏移所述第一端的電壓電平。
2 .如權利要求1所述的信號源裝置，其特徵在於，所述電壓偏移單元的所述第一端耦 接到所述多個鎖存單元中最後一者以及所述反相單元。
3.如權利要求2所述的信號源裝置，其特徵在於，所述多個鎖存單元的每一者包含輸 入端以及輸出端，所述電壓偏移單元的所述第一端耦接到所述多個鎖存單元的所述最後一 者的所述輸出端以及所述反相單元。
4.如權利要求3所述的信號源裝置，其特徵在於，除所述多個鎖存單元中所述最後一 者外，所述多個鎖存單元中的每一個鎖存單元的輸出端均耦接到下一個鎖存單元的所述輸 入端。
5.如權利要求1所述的信號源裝置，其特徵在於，所述電壓偏移單元包含電容單元。
6.如權利要求5所述的信號源裝置，其特徵在於，所述電容單元包含第一電晶體，所述 第一電晶體具有第一端、第二端以及控制端，所述第一電晶體的第一端耦接到所述多個鎖 存單元的一者以及所述反相單元，所述第一電晶體的控制端用於接收所述第一輸入信號。
7.如權利要求6所述的信號源裝置，其特徵在於，耦接到所述第一電晶體的第一端的 所述鎖存單元包含第二電晶體，所述第二電晶體具有第一端、第二端以及控制端，所述第二電晶體的控制 端用於接收所述第一輸入信號，以及第三電晶體，具有第一端、第二端以及控制端，所述第三電晶體的第一端耦接到所述第 二電晶體的第二端，而所述第三電晶體的控制端用於接收第二輸入信號，其中所述第二輸 入信號以及所述第一輸入信號形成差分對；其中，所述第一電晶體的第一端以及第二端分別耦接到所述第三電晶體的第一端以及第二端。
8.如權利要求5所述的信號源裝置，其特徵在於，所述電容單元包含第一電晶體，所述 第一電晶體具有第一端、第二端以及控制端，其中，所述第一電晶體的第一端耦接到所述反 相單元以及所述多個鎖存單元的一者，所述第一電晶體的第二端耦接到所述第一電晶體的 第一端，所述第一電晶體的控制端用於接收所述第一輸入信號。
9.如權利要求5所述的信號源裝置，其特徵在於，所述電容單元包含電容器，所述電容 器具有第一端以及第二端，所述電容器第一端耦接到所述多個鎖存單元的一者以及所述反 相單元，以及所述電容器的第二端用於接收所述第一輸入信號。
10.一種用以產生輸出信號的信號源裝置，其特徵在於，所述用以產生輸出信號的信號 源裝置包含振蕩器，用以產生第一振蕩信號以及第二振蕩信號；以及第一分頻器，用於接收所述第一振蕩信號以及所述第二振蕩信號，並產生第一分頻信 號，其中所述第一分頻器包含多個級聯的鎖存單元，所述多個鎖存單元的每一者用於接收所述第一振蕩信號以及所 述第二振蕩信號；反相單元，耦接到所述多個鎖存單元以及輸出所述第一分頻信號；以及電壓偏移單元，具有第一端以及第二端，所述第一端耦接到所述多個鎖存單元的一者 以及所述反相單元，所述第二端用於接收所述第一振蕩信號，所述電壓偏移單元用於根據 所述第一振蕩信號，偏移所述第一端處的所述電壓電平；其中，所述輸出信號相應所述第一分頻信號。
11.如權利要求10所述的用以產生輸出信號的信號源裝置，其特徵在於，所述電壓偏 移單元的所述第一端耦接到所述多個鎖存單元中的最後一者以及所述反相單元。
12.如權利要求11所述的用以產生輸出信號的信號源裝置，其特徵在於，所述多個鎖 存單元的每一者包含輸入端以及輸出端，所述電壓偏移單元的所述第一端耦接到所述多個 鎖存單元中的所述最後一者的所述輸出端以及所述反相單元。
13.如權利要求10所述的用以產生輸出信號的信號源裝置，其特徵在於，所述電壓偏 移單元包含電容單元。
14.如權利要求13所述的用以產生輸出信號的信號源裝置，其特徵在於，所述電容單 元包含第一電晶體，所述第一電晶體具有第一端、第二端以及控制端，其中所述第一電晶體 的第一端耦接到所述多個鎖存單元的一者以及所述反相單元，所述第一電晶體的控制端用 於接收所述第一振蕩信號。
15.如權利要求14所述的用以產生輸出信號的信號源裝置，其特徵在於，耦接到所述 第一電晶體的第一端的所述鎖存單元包含第二電晶體，具有第一端、第二端以及控制端，所述第二電晶體的控制端用於接收所述 第一振蕩信號；以及第三電晶體，具有第一端、第二端以及控制端，所述第三電晶體的第一端耦接到所述第 二電晶體的第二端，以及所述第三電晶體的控制端用於接收所述第二振蕩信號；其中，所述第一電晶體的第一端以及第二端分別耦接到所述第三電晶體的第一端以及第二端。
16.如權利要求13所述的用以產生輸出信號的信號源裝置，其特徵在於，所述電容單 元包含第一電晶體，所述第一電晶體具有第一端、第二端以及控制端，其中所述第一電晶體 的第一端耦接到所述多個鎖存單元的一者以及所述反相單元，所述第一電晶體的第二端耦 接到所述第一電晶體的第一端，所述第一電晶體的控制端用於接收所述第一振蕩信號。
17.如權利要求13所述的用以產生輸出信號的信號源裝置，其特徵在於，所述電容單 元包含電容器，所述電容器具有第一端以及第二端，其中，所述電容器的第一端耦接到所述 多個鎖存單元的一者以及所述反相單元，所述電容器的第二端用於接收所述第一振蕩信 號。
18.如權利要求10所述的用以產生輸出信號的信號源裝置，其特徵在於，所述多個鎖 存單元包含兩個鎖存單元。
19.如權利要求18所述的用以產生輸出信號的信號源裝置，其特徵在於，所述用以產 生輸出信號的信號源裝置進一步包含第二分頻器，用於接收以及分頻所述第一分頻信號， 以產生第二分頻信號作為所述輸出信號。
20.如權利要求10所述的用以產生輸出信號的信號源裝置，其特徵在於，所述多個鎖 存單元包含四個鎖存單元，以及所述第一分頻信號作為所述輸出信號。
全文摘要
一種信號源裝置及用以產生輸出信號的信號源裝置，其中所述信號源裝置包含多個級聯的鎖存單元；反相單元，耦接到所述多個鎖存單元；以及電壓偏移單元，所述電壓偏移單元的第一端耦接到所述反相單元以及所述多個鎖存單元的一者，所述電壓偏移單元的第二端用於接收第一輸入信號，所述電壓偏移單元根據所述第一輸入信號，偏移所述第一端的電壓電平。本發明提供的信號源裝置及用以產生輸出信號的信號源裝置，能夠克服現有技術存在的相位噪聲較大的問題，可以提高輸出信號的質量。
文檔編號H03K3/64GK101826859SQ20091013787
公開日2010年9月8日 申請日期2009年5月5日 優先權日2009年3月2日
發明者張志偉, 陳怡然 申請人:聯發科技股份有限公司;陳怡然