用於垂直柱互連的方法和結構的製作方法

2023-10-06 00:47:54 1

專利名稱：用於垂直柱互連的方法和結構的製作方法
技術領域：
本公開一般地涉及用於半導體器件的結構、裝置、系統、以及方法，並且更具體地， 涉及用於電子晶圓級晶片尺寸封裝以及倒裝晶片封裝和組件的結構、裝置、系統、以及方法。
背景技術：
作為垂直互連技術中的一種類型，可通過本領域普通技術人員熟知的銅柱凸塊形成技術將銅柱凸塊施加至半導體晶片或其他微電子器件接合焊盤。銅柱凸塊設置在晶片/ 器件上，而該晶片/器件仍然保持其晶圓形式。所有基於焊料的倒裝晶片和/或晶片尺寸封裝(CSP)類的互連(凸塊)都要求適合的凸塊下金屬層(UBM)用作晶圓/襯底金屬化層與焊料凸塊本身之間的粘接層/擴散阻擋層。假如利用可靠的/可製造的方法在晶圓上形成焊料凸塊，那麼該柱凸塊(銅、金、或其他金屬/合金)就具有用作功能性UBM的可能性。與常規焊料凸塊或CSP互連相比，銅柱凸塊提供了剛性的豎直結構。在需要控制兩個表面(例如器件與其相關襯底)之間的間隔(standoff)的應用中，銅柱凸塊用作固定間隔以控制該間距，同時該焊料執行這兩個表面之間的接頭連接。對該間隔的控制對整個系統性能和可靠性是至關重要的。與等同倒裝晶片或CSP焊料凸塊結構相比，銅(Cu)柱凸塊結構還提供了改進的熱傳遞和電阻率。在微電子工業中，銅(Cu)柱凸塊結構有可能成為用於特定市場的節約成本的、可靠的互連選擇。不過，需要可靠且低成本的可製造方法，以用於形成這些多用途的固定間隔凸塊結構。大部分柱凸塊製造法採用可限定光掩膜材料電鍍銅柱結構，隨後是電鍍焊料。電鍍焊料是緩慢且昂貴的工藝，這需要大量的工藝控制並且將焊料嚴格限制在單金屬或二元焊料合金的狹窄供應內。通常，在製造環境中，很難控制電鍍超過一種的二元焊料合金以形成柱凸塊的焊料部分。然而，在半導體工業中，期望採用各種多元素合金或摻雜有微量元素的合金，以改進用於目標應用或最終用途的互連的可靠性。


根據以下說明和附圖，將會更好地理解本公開的這些以及其他特徵、方面、以及優勢，附圖中相同的標號表示同樣的元件。圖1示出了根據本公開至少一個實施例的具有輸入/輸出(I/O)接合焊盤104的晶圓襯底102的一部分的橫截面圖。該圖示出了鈍化層103和介電層105。在一個實施例中，介電層105是聚合物層。該圖還示出了沉積的電鍍種子層106和雙重目的的光致抗蝕
4掩膜材料108，接著進行圖案化曝光以及顯影(develop)。如以下所述，這形成了用於隨後的銅(或其他金屬)鍍敷及焊膏印刷工藝所需的孔110。圖2示出了根據本公開至少一個實施例的鍍銅之後的柱體202的橫截面圖，其中預留孔Iio的上部分204以用於焊膏印刷；圖3示出了根據本公開至少一個實施例的在將焊膏300印刷至孔中之後的橫截面圖。這使得能夠利用具有各種微量元素選項的多元素焊料合金，以改進焊料的可靠性；圖4示出了根據本公開至少一個實施例的焊料回流之後的橫截面圖，其中焊膏已在銅(Cu)柱202頂部上形成半球形焊料凸塊402 ；圖5示出了根據本公開的至少一個實施例的橫截面圖，示出了種子層106的在剝去光致抗蝕材料並且蝕刻去除非柱體鍍敷部分之後的完成部分；圖6示出了根據本公開的至少一個實施例，示出了具有相應板606或其他襯底的組裝銅(Cu)柱凸塊的橫截面圖。在組裝至板或襯底606上的焊盤604之後，焊料蓋402提供了焊料連接602。在組裝過程中提供了底部填充或二次成型(OVermOlding)605;圖7示出了根據本公開的至少一個實施例，示出了用在可選實施例中的本公開方法的一個變型，其中，許多選項之一是採用多層光致抗蝕(108、702)和/或其他抗蝕型材料，以在柱狀結構和焊料量中產生變化，以便得到期望的柱和焊料三維參數。在一個特定實施例中，光致抗蝕層702具有多個孔，並且每個孔用於限定焊膏300的疊置在特定柱202上的一部分的尺寸。每個柱202具有由光致抗蝕層108中多個孔中相應的一個孔限定的尺寸。 因此，焊膏300的橫向尺寸大於柱202。在其他實施例中，如可針對期望特定互連應用所期望的，每個光致抗蝕層108和702中的高度和孔尺寸，以調整柱金屬和層疊的焊料材料的相對體積。此處闡述的範例示出了特定實施例，不應以任何方式將這種範例闡釋為限制性的。
具體實施例方式在以下的描述中，陳述了大量細節，以便提供更透徹的說明。不過，本領域普通技術人員顯而易見的是，在沒有這些特定細節的情況下也可以實現本公開的方法和結構。在其他實例中，未詳細描述眾所周知的特徵，以不會造成不必要的使本公開難以理解。在此處討論的不同實施例中，本公開提供了加強的基於焊料的晶圓焊盤形成技術，其具有可變化高度的凸塊下金屬層(UBM)，從而提供功能性垂直互連結構，該互連結構可用於將半導體晶片或其他微電子器件連接至電路板，或連接至用於二維(2D)和三維 (3D)封裝方案中使用的其他襯底。本發明公開了用於形成垂直柱202上焊料蓋402的可靠且可製造的方法。在一個實施例中，公開了一種方法，該方法通過採用雙重目的的光致抗蝕工藝，提供了一種能夠顯著簡化製造流程，並且降低垂直互連結構製造成本的途徑，其中雙重目的的光致抗蝕工藝既用作電鍍模式，又用作隨後的焊膏原位圖案模板。在另一個實施例中，公開了一種方法， 該方法用於將不同焊膏印刷至垂直柱結構的頂部，接著回流以形成焊料蓋402。在又一個實施例中，公開了一種使用焊膏的方法，該方法也包括在焊膏中使用各種多元素合金以及微量元素(trace element，痕量元素)的方法，從而能夠增強焊料蓋402的可靠性或性能。
在一個或多個實施例中，這些方法應用於銅柱202和各種尺寸和形狀的其他垂直互連方案，包括但不限於，採用以下金屬形成柱202 銅及其合金、金及其合金、鎳及其合金、以及銀及其合金。銅(Cu)柱202還可以包括可潤溼焊料蓋塗飾(未示出)，其包括但不僅限於:Ni、NiAu、NiPdAu、NiPcUPd 以及 NiSn。在一些實施例中，這些方法可以用於形成附接至輸入/輸出(I/O)焊墊104的銅 (Cu)柱凸塊結構，或者用作離開重新分布的接合焊盤的附接結構。 在一些實施例中，使用印刷的焊膏300，與採用鍍敷焊料的在先方法相比，其使得成品的焊料合金的範圍更大。在一個或多個實施例中，焊膏300是以下合金/金屬之一 SnPb 合金、SnPbCu 合金、SnAgCu 合金、AuGe 合金、AuSn 合金、AuSi 合金、SnSb 合金、SnSbBi 合金、PbSnSb合金、PbInSb合金、PbIn合金、PbSnAg合金、SnAg合金、PbSb合金、SnInAg合金、SnCu合金、PbAg合金、PbSbGa合金、SnAs合金、SnGe合金、ZnAl合金、CdAg合金、GeAl 合金、AuIn合金、AgAuGe合金、AlSi合金、AlSiCu合金、AgCdZnCu合金、以及AgCuZnSn合金。也可以使用其他焊膏材料。在一些實施例中，該方法還可包括沉積在「原位」孔中的任意焊料燒結合金，例如 Ag燒結材料。此外，多個實施例採用了印刷焊膏300，其允許這樣的成品選項，在焊料中具有各種微量元素，包括但不僅限於，Bi、Ni、Sb、Fe、Al、In、以及Pb。在可選實施例中，焊膏 300是單一金屬焊料。例如，焊膏可以是Sn。像此處針對焊料合金所述的摻雜一樣，該單一金屬焊料可摻雜有一種或多種微量元素。採用這些方法產生的柱202和焊料蓋402的結構可以具有，例如5微米(μ m)與 400微米(μπι)的範圍之間的總高度，以及低至10微米(μπι)的斜度(pitch)。利用這些方法產生的柱202的χ和y 二維極限(即垂直和水平極限)可使得柱 202例如小至5微米(μπι)以及大至2.0毫米(mm)。在其他實施例中，利用這些方法產生的柱體202具有大至5. 0毫米(mm)的χ和y 二維極限。在一個或多個實施例中，本公開的採用具有不同迭代的垂直互連結構上的焊膏形成焊料凸塊的方法如下所述步驟1.通過常規方法(即噴濺、蒸發、化學鍍、等等)沉積金屬種子層106，以提供連續的種子層106用於電化學鍍。在一個實施例中，已預先在鈍化層103上形成介電層105 (例如聚合物層)。已預先圖案化介電層105以便形成開口，以露出接合焊盤104的相應部分，以使種子層106的部分可與每個接合焊盤104的頂表面接觸。步驟2.在晶圓/襯底102的整個表面上塗敷光致抗蝕層108或其他抗蝕型材料。 這可以通過幹薄膜層壓、或旋塗或噴塗法實現。在其他實施例中，光致抗蝕層108可以是通過塗敷兩層或更多層光致抗蝕層形成的光致抗蝕堆疊，每層都具有相同尺寸的孔(即光致抗蝕堆疊的孔尺寸)。在一個實施例中，這兩層或多層光致抗蝕層在相同的工藝步驟中顯影。在可選實施例中，每個光致抗蝕層都能獨立地顯影。步驟3.在該實施例中，通常基於設計，使紫外線(UV)穿過適當的光掩膜曝光而限定光致抗蝕層108，但孔的形成不局限於UV曝光/顯影形成孔，並且孔的形成還可包括但不限於，雷射燒蝕、幹蝕刻、和/或剝離工藝。
對於該方法的可選實施例，可以塗敷多層光致抗蝕材料或其他抗蝕型材料，以在相同的抗蝕劑堆疊中形成不同的孔高和孔尺寸，該孔高和孔尺寸能夠促進不同的柱形結構和在柱形結構頂部印刷不同的焊料量。步驟4.使覆蓋種子層106的光致抗蝕層108顯影，或者對其開口，形成敞口的「原位」孔110，以用於柱202的鍍敷以及隨後的焊膏印刷。步驟5.將柱202電鍍至光致抗蝕層108中形成的孔110中的種子金屬層106上。步驟6.將焊膏300印刷在光致抗蝕模板中的「原位」孔110的上部分204中，並且焊膏300覆蓋銅柱202的頂部。印刷的焊膏300的總深度的範圍可以為，例如在2微米 (μπι)與200微米(μπι)之間。可選地，還可以使用金屬模板以便進一步限定區域，該區域為將焊料塗敷在「原位」光致抗蝕材料中及上方的柱凸塊結構上。步驟7.接著，使具有印刷焊膏300布置在位的晶圓或其他襯底102回流並且冷卻，在銅柱202頂部上形成焊料蓋402。步驟8.剝離或以其他方式去除「原位」光致抗蝕模板材料。步驟9.將未鍍敷的種子層106選擇性地蝕刻掉，留下蓋有焊料的獨立柱202。步驟10.在晶圓或其他襯底上可執行二次回流，以最優化凸塊形狀。此外，可以利用壓印或壓平工藝，進一步降低超出作為現有技術一部分的已開發的銅(Cu)柱技術的凸塊至凸塊解析度。利用本領域普通技術人員已知的處理方法和工具設備通過光學成像、鍍敷、以及焊料焊盤形成工藝執行所有步驟1-10。在可選實施例中，可以在不使用介電層105的情況下執行以上步驟。更具體地，在這些可選實施例中，從未形成介電層105並且最終的結構中不存在介電層105。種子層106 (例如通過沉積)直接形成在鈍化層103和接合焊盤104上。應該說明的是，預先已有他人使用電鍍形成柱上焊料的互連結構。APS、Casio、以及RFMD都已經將銅柱電鍍在器件上的互連盤上，並且接著將電鍍焊料蓋施加至柱頂部以用於器件與連接襯底之間的互連材料。APS的在先專利包括以下專利US 6，732，913、US 6，681，982、以及US 6，592，019。此外，倒裝晶片國際公司(FCI)先前已經利用「原位」光致抗蝕材料來限定預先形成的UBM(不是由相同的光致抗蝕層限定)上的焊料開口。不過，這些現有方法中都沒有使用如此處所述的用於鍍敷和印刷焊膏的雙重目的光致抗蝕工藝。可以期望使用本公開的部分實施例來提供用於高功率應用以及用於倒裝晶片應用中一致的間距的受控皺縮的互連方案，尤其用於系統封裝應用中，該系統封裝應用中可期望最大的元件密度以及避免用於底部填充的「保持在外(ke印-out) 」區。以上公開的多個其他實施例可包括以下方法和結構(以下編僅為便於參考)1. 一種使用在焊料合金中摻雜有任意種微量元素的焊膏的方法，其中，所述焊料合金用於形成銅柱的任意現有或新方法，並且具體地，利用摻雜的焊膏對銅柱「封頂」。2. 一種使用任意種合金的焊膏的方法，該合金用於形成銅柱的任意現有或新方法，並且具體地，利用焊膏對銅柱「封頂」以形成焊料蓋。3. 一種形成覆蓋有焊料的垂直柱結構的方法，該方法基於使用雙重目的的「原位」 光致抗蝕工藝或其他類型抗蝕劑材料，其中該抗蝕劑既用作電鍍模具又用作隨後的焊膏圖案模板。
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4. 一種形成覆蓋有焊料的垂直柱結構的方法，該方法基於將焊膏合金印刷在垂直柱結構的頂部上，隨後進行回流處理。該焊膏可以包括任意尺寸範圍(包括毫微顆粒)的焊料顆粒。5.在一個實施例中，通過使用多元素焊膏合金可以進一步改進基於印刷焊膏合金形成覆蓋有焊料的垂直柱結構的方法，通過現有技術列示的鍍敷方法不易於實現使用多元素焊膏合金。這些多元素焊料合金能夠改進用於垂直互連的焊料和/或金屬間化物的可靠性或性能。6. 一種形成覆蓋有焊料的垂直柱結構的方法，該方法基於將焊膏合金印刷在垂直柱結構的頂部上，隨後進行回流處理，其中焊料合金中摻雜有不同微量元素(例如，但不僅限於』丨、附、313、？6、41、111、以及？13)。這些摻雜的焊料合金能夠改進用於垂直互連的焊料和/或金屬間化物的可靠性或性能。7.採用雙重目的光致抗蝕工藝並且將焊膏印刷在柱形結構頂部上的方法使得製造成本低於常規鍍敷焊料方法，這是由於工藝時間更快，並且與焊料鍍敷相比，焊料印刷減少了所需的工藝控制。8.雙重目的抗蝕劑方法的可選實施例可包括多層抗蝕劑材料，所述抗蝕劑材料具有一個或多個曝光或以其他方法開設的抗蝕劑孔，可以塗敷該抗蝕劑材料以在相同的抗蝕劑堆疊中形成不同的孔高和孔尺寸，該孔高和孔尺寸能夠促進不同的柱形結構以及將不同的焊料量印刷在柱形結構的頂部。9.這些不同種類的覆蓋有焊料的柱形結構可以結合到3D晶圓級封裝應用中，在所述應用中需要可變高度的ζ-軸互連。在一個實施例中，一種方法包括形成第一和第二垂直柱，每個柱都疊置在相應的焊料焊盤上，其中相應的焊料焊盤疊置在半導體襯底上，並且每個第一柱和第二柱均具有不同高度；形成具有第一孔和第二孔的至少一個光致抗蝕層；並且在每一個第一柱和第二柱的頂表面上塗敷焊料，其中第一柱上的焊料由第一孔限定，並且第二柱上的焊料由第二孔限定。10.將焊膏印刷在柱形柱結構頂部的方法不僅可以用於「原位」光致抗蝕中的孔中，而且可以利用金屬模板來完成，其中將焊膏塗敷在「原位」光致抗蝕中和上方的柱凸塊結構上方，這使得塗敷焊料量更具有多面性。11.與現有技術中提出的常規鍍敷法相比，採用用於製造柱凸塊的雙重目的抗蝕劑的方法改進了總體柱/焊料的高度均勻性。由於在襯底上存在高度均勻性的差異，在對該結構的銅(Cu)柱部分進行鍍敷之後，通過填重「原位」孔的剩餘高度，印刷的焊料有助於對任何高度變化進行平坦化，從而調和任何變化。對於常規柱凸塊鍍敷法，柱的鍍敷的焊料部分會在晶圓或其他襯底上在高度均勻性方面延伸出任意差值。12.在形成垂直柱之後，可以執行塗敷一層或多層光致抗蝕材料或其他抗蝕劑材料以用於最終焊膏填充的工藝步驟。13.可以在形成垂直結構且隨後對銅(Cu)柱結構進行機械或化學校平之後，執行塗敷一層或多層光致抗蝕材料或其他抗蝕劑材料以用於最終焊膏填充的工藝步驟，或者使用機械模板塗敷焊膏的工藝步驟。這會在焊膏沉積之前使銅(Cu)柱或其他金屬柱形結構平坦化。
14.這些方法適用於銅柱凸塊狀結構以及不同尺寸和形狀的其他垂直互連方案， 這些垂直互連方案包括但不僅限於以下金屬銅及其合金、金及其合金、鎳及其合金、以及銀及其合金。銅(Cu)柱還可以包括可潤溼焊料蓋塗飾，該可潤溼焊料蓋塗飾包括但不僅限於Ni、NiAu、NiPdAu、NiPd、Pd、以及 NiSn015.這些方法能夠形成不同形狀的垂直互連，包括但不僅限於，圓形、矩形、八邊
形、寸寸ο仍是在另一個實施例中，提供了一種方法，該方法包括形成第一和第二垂直柱，每個柱體都疊置在相應的接合焊盤上，其中該相應的接合焊盤疊置在半導體襯底上；形成具有第一孔和第二孔的至少一個光致抗蝕層；將焊料塗敷在每一個第一和第二柱的頂表面上，其中第一柱上的焊料由第一孔限定，並且第二柱上的焊料由第二孔限定；以及執行回流，以在第一柱上形成第一焊料蓋，並且在第二柱上形成第二焊料蓋，其中第一柱和第一焊料蓋的組合高度大於第二柱和第二焊料蓋的組合高度。在一個實施例中，該至少一個光致抗蝕層是單層光致抗蝕層或多層光致抗蝕堆疊。在一個實施例中，第一柱和第一焊料蓋的組合高度比第二柱和第二焊料蓋的組合高度高出至少約5微米。雖然此處公開了某些示例性實施例和方法，從以上所述公開中，本領域普通技術人員顯而易見的是，在不背離本公開的真實精神和範圍的前提下，可以對所述實施例和方法做出變型和修改。
權利要求
1.一種方法，包括形成疊置在接合焊盤上的垂直柱，其中所述接合焊盤疊置在一半導體襯底上；以及在所述柱的頂表面上塗敷焊膏，其中所述焊膏由至少一個光致抗蝕層限定。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述柱由至少一個光致抗蝕層限定。
3.根據權利要求1所述的方法，其中所述至少一個光致抗蝕層具有第一孔以限定所述焊膏；所述柱由另外的光致抗蝕層中的第二孔限定；所述至少一個光致抗蝕層形成得疊置在所述另外的光致抗蝕層上；並且所述第一孔具有的橫向尺寸大於所述第二孔。
4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述焊膏是焊料合金或單一金屬焊料，並且所述焊膏摻雜有至少一種微量元素。
5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述至少一種微量元素是Bi、Ni、Sb、Fe、Al、In 和Pb中的至少一種。
6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述焊膏是多元素焊料合金。
7.根據權利要求1所述的方法，進一步包括在塗敷焊膏之後執行回流，以便在所述垂直柱的頂部上形成焊料蓋。
8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述垂直柱是多個垂直柱之一，並且所述方法進一步包括在塗敷所述焊膏之前使所述多個垂直柱平坦化。
9.根據權利要求1所述的方法，其中，所述垂直柱是多個垂直柱之一，並且所述多個垂直柱中每一個對應於可變高度的ζ-軸互連。
10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述垂直柱為銅的。
11.根據權利要求10所述的方法，其中，所述垂直柱包括由Ni、NiAu、NiPdAu、NiPd、Pd、 以及NiSn之一形成的可潤溼焊料蓋塗飾。
12.根據權利要求1所述的方法，其中，所述垂直柱是銅、銅合金、金、金合金、鎳、鎳合金、銀、以及銀合金中之一。
13.根據權利要求1所述的方法，其中，所述垂直柱的形狀選自以下之一圓形、矩形、 以及八邊形。
14.根據權利要求1所述的方法，其中，所述焊膏是焊料合金或單一金屬焊料。
15.根據權利要求1所述的方法，進一步包括在形成所述垂直柱之前形成疊置在所述接合焊盤上的一種子層。
16.根據權利要求15所述的方法，進一步包括在形成所述垂直柱之前形成疊置在所述種子層上的所述至少一個光致抗蝕層。
17.根據權利要求1所述的方法，進一步包括在形成所述垂直柱之前形成疊置在所述接合焊盤上的一介電層且在所述介電層中提供一開口以露出所述接合焊盤的一部分；以及形成疊置在所述介電層上的一種子層。
18.根據權利要求17所述的方法，其中，所述介電層是聚合物層。
19.根據權利要求1所述的方法，進一步包括利用金屬模板限定一區域，其中，所述焊膏的一部分被塗敷在所述至少一個光致抗蝕層上方的所述垂直柱上。
20.根據權利要求1所述的方法，其中，所述至少一個光致抗蝕層是以下之一單一光致抗蝕層；以及多個光致抗蝕層，其中每個所述光致抗蝕層均具有相同尺寸的孔。
21.根據權利要求1所述的方法，其中，所述塗敷焊膏包括印刷所述焊膏。
22.根據權利要求1所述的方法，其中，所述焊膏是Sn。
23.根據權利要求2所述的方法，進一步包括，在塗敷所述焊膏之後執行回流，以便在所述垂直柱的頂部上形成焊料蓋。
24.一種方法，包括形成疊置在一接合焊盤上的一垂直銅柱，其中所述接合焊盤疊置在一半導體襯底上； 將焊膏塗敷在所述銅柱的頂部上，其中所述焊膏由至少一個光致抗蝕層限定，並且所述焊膏摻雜有至少一種微量元素；以及執行回流，以便用所述焊膏形成焊料蓋。
25.根據權利要求24所述的方法，其中，所述垂直銅柱包括可潤溼焊料蓋塗飾，所述可潤溼焊料蓋塗飾由Ni、NiAu、NiPdAu, NiPd, Pd以及NiSn之一形成。
26.根據權利要求24所述的方法，進一步包括在形成所述垂直銅柱之前形成疊置在所述接合焊盤上的一種子層；以及在形成所述垂直銅柱之前形成疊置在所述種子層上的所述至少一個光致抗蝕層。
27.根據權利要求24所述的方法，其中，所述焊膏是Sn。
28.根據權利要求24所述的方法，進一步包括在形成所述垂直銅柱之前形成疊置在所述接合焊盤上的一介電層且在所述介電層中提供一開口以露出所述接合焊盤的一部分；以及形成疊置在所述介電層上的一種子層。
29.根據權利要求24所述的方法，其中一鈍化層疊置在所述半導體襯底上，並且所述鈍化層具有一開口以露出所述接合焊盤，所述方法進一步包括，在形成所述垂直銅柱之前將一種子層直接沉積在所述鈍化層和所述接合焊盤上。
30.一種方法，包括形成第一垂直柱和第二垂直柱，每一個均疊置在相應的接合焊盤上，其中所述相應的接合焊盤疊置在一半導體襯底上；形成至少一個光致抗蝕層，所述光致抗蝕層具有第一孔和第二孔； 將焊料塗敷在所述第一柱和所述第二柱中每一個的頂表面上，其中所述第一柱上的所述焊料由所述第一孔限定，並且所述第二柱上的所述焊料由所述第二孔限定；以及執行回流，以在所述第一柱上形成第一焊料蓋以及在所述第二柱上形成第二焊料蓋， 其中所述第一柱和第一焊料蓋的組合高度大於所述第二柱和第二焊料蓋的組合高度。
31.根據權利要求30所述的方法，其中，所述至少一個光致抗蝕層是單層光致抗蝕層或多層光致抗蝕堆疊。
32.根據權利要求30所述的方法，其中，所述第一柱和第一焊料蓋的組合高度比所述第二柱和第二焊料蓋的組合高度高出至少約5微米。
全文摘要
在晶圓級晶片尺寸封裝以及倒裝晶片封裝和組件中，在垂直柱上形成有焊料蓋。在一個實施例中，所述垂直柱疊置在半導體襯底上。將可摻雜有至少一種微量元素的焊膏塗敷至該柱形結構的頂表面上。在塗敷焊膏之後執行回流工藝以形成焊料蓋。
文檔編號H01L21/60GK102484081SQ201080037577
公開日2012年5月30日 申請日期2010年6月29日 優先權日2009年7月2日
發明者吉恩·斯託特, 安東尼·庫爾蒂斯, 居伊·F·布格斯, 西奧多·G·特斯耶爾, 麥可·E·詹森 申請人:弗利普晶片國際有限公司