一種用於改善面板性能的電路結構及方法與流程

2023-10-04 03:01:29 4

本發明涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及一種用於改善面板性能的電路結構及方法。

背景技術：

液晶顯示器(lcd，liquidcrystaldisplay)是最廣泛使用的平板顯示器之一。液晶顯示器包括設置有場發生電極(諸如像素電極和公共電極)的一對液晶顯示面板以及設置在兩個液晶顯示面板之間的液晶(liquidcrystal，簡稱lc)層。電壓被施加到場發生電極，以在液晶層中產生電場。通過所產生的電場來確定液晶層中的液晶分子的取向且控制入射光的偏振，從而使得液晶顯示器顯示圖像。

彩膜(cf)基板的公共電極(com)是va(即垂直排列液晶，verticalalignmentliquidcrystal)類顯示面板中上極板的像素電極，其電壓的大小直接影響著像素的顯示效果，因此其信號的穩定性對液晶顯示面板的顯示性能起到非常重要的作用。

在理想情況下，當液晶顯示面板內點亮時，輸入至液晶顯示面板的彩膜(cf)基板的公共電極信號的電壓為一恆定值v0，但是由於受到液晶顯示面板內其他信號線的耦合作用，所以使得彩膜基板的公共電極信號的電壓會隨之有浮動變化。

技術實現要素：

本發明的目的在於，提供一種用於改善面板性能的電路結構，其通過新增監測線並且通過一反饋電路及信號放大器進行信號反補，從而使得面板內部信號區域平穩，達到最佳效果，並且降低串擾(crosstalk)、影像殘留(imagesticking)的問題。

為了解決上述問題，本發明提供以下技術方案。

本發明提供一種用於改善面板性能的電路結構，其包括：至少一採集點，所述採集點位於液晶顯示面板的薄膜電晶體基板的公共電極線上；在所述採集點設置有一監測線，所述監測線與所述薄膜電晶體基板的公共電極線同層設置，所述監測線用以採集所述薄膜電晶體基板的公共電極的實際電壓值，並且利用所述薄膜電晶體基板的公共電極與彩膜基板的公共電極相互導通的特性以進一步獲得相應的彩膜基板的公共電極的實際電壓值；一反饋電路，所述反饋電路的一端與所述監測線相連；一信號放大器，所述信號放大器的一端與所述反饋電路的另一端相連，所述信號放大器的另一端用於輸出一反補信號並輸入至所述液晶顯示面板內，以使得相應的彩膜基板的公共電極的輸出電壓趨於一預設電壓值。

在本發明的一實施例中，所述採集點設置在靠近所述液晶顯示面板的數據驅動晶片所在的一側。

在本發明的一實施例中，所述採集點設置在遠離所述液晶顯示面板的數據驅動晶片所在的一側。

在本發明的一實施例中，所述預設電壓值為3v。

在本發明的一實施例中，所述信號放大器的放大倍數是外部可調的，並且根據輸入至所述信號放大器的電壓值的量級而定。

本發明還提供一種用於改善面板性能的方法，其採用上述的用於改善面板性能的電路結構，所述方法包括：(1)在位於液晶顯示面板的薄膜電晶體基板的公共電極線上的至少一採集點位置之處設置一監測線；(2)所述監測線採集所述薄膜電晶體基板的公共電極的實際電壓值，並且利用所述薄膜電晶體基板的公共電極與彩膜基板的公共電極相互導通的特性以進一步獲得相應的彩膜基板的公共電極的實際電壓值；(3)將所述電壓值輸入至一反饋電路的一端，並且從所述反饋電路的另一端輸出一第一補償信號；(4)將所述第一補償信號輸入至所述信號放大器的一端，並且從所述信號放大器的另一端輸出一第二補償信號；(5)將所述第二補償信號反補輸入至所述液晶顯示面板內，以使得相應的彩膜基板的公共電極的輸出電壓趨於一預設電壓值。

在本發明的一實施例中，所述採集點設置在靠近所述液晶顯示面板的數據驅動晶片所在的一側。

在本發明的另一實施例中，所述採集點設置在遠離所述液晶顯示面板的數據驅動晶片所在的一側。

在本發明的一實施例中，所述預設定電壓值為3v。

在本發明的一實施例中，所述信號放大器的放大倍數是外部可調的，並且根據輸入至所述信號放大器的電壓值的量級而定。

本發明的優點在於，本發明通過監測在彩膜基板的公共電極線上的不同點位的信號，以獲得其電壓偏離幅度，並反饋至反饋電路後輸出一補償信號，再輸入至液晶顯示面板，最終調節至液晶顯示面板為最佳狀態，從而降低發生串擾和影像殘留等問題。

附圖說明

圖1是本發明的一種用於改善面板性能的電路結構的示意圖；

圖2是本發明所述電路結構所適用的彩膜基板的公共電極的走線示意圖；

圖3a和圖3b分別是所述電路結構中的反饋電路和信號放大器的示意圖；

圖4是圖2中在a點位置採集的信號、反饋電路所輸出的信號、信號放大器所輸出的信號的電壓波形示意圖及輸入電壓的波形示意圖；

圖5是圖2中在b點位置採集的信號、反饋電路所輸出的信號、信號放大器所輸出的信號的電壓波形示意圖及輸入電壓的波形示意圖；

圖6是本發明的一種用於改善面板性能的方法步驟流程示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明提供的用於改善面板性能的電路結構及其方法的具體實施方式做詳細說明。

參見圖1至圖5所示，本發明提供一種用於改善面板性能的電路結構，其包括：至少一採集點(如圖2中的a點或b點)，所述採集點位於液晶顯示面板的薄膜電晶體基板的公共電極線上。在本實施例中，所述採集點進一步通過金屬走線102連接至貼附於液晶顯示面板的薄膜電晶體基板的覆晶薄膜101(即cof，內含驅動ic)。在所述採集點設置有一監測線(圖未示)，所述監測線與所述薄膜電晶體基板的公共電極線同層設置，所述監測線用以採集所述薄膜電晶體基板的公共電極的實際電壓值，並且利用所述薄膜電晶體基板的公共電極與彩膜基板的公共電極相互導通的特性(所述薄膜電晶體基板的公共電極與所述彩膜基板的公共電極通過導電金屬粒子而相互導通)，以進一步獲得相應(位置)的彩膜基板的公共電極的實際電壓值；一反饋電路110(如圖3a所示)，所述反饋電路110的一端m與所述監測線相連；一信號放大器120(如圖3b所示)，所述信號放大器120的一端p與所述反饋電路110的另一端n相連，所述信號放大器120的另一端q輸出一反補信號，並輸入至所述液晶顯示面板100內，以使得相應的彩膜基板的公共電極的輸出電壓趨於一預設電壓值。

具體而言，由於在理想情況下，當液晶顯示面板100內點亮時，輸入至液晶顯示面板100的彩膜基板的公共電極信號的電壓為一恆定值v0，但是由於受到液晶顯示面板100內其他信號線的耦合作用，因此，會使得彩膜基板的公共電極信號的輸出電壓會隨之有浮動變化。據此，需要將輸出電壓趨於一穩定的電壓值。

於是，在本發明的一實施例中，所述採集點設置在靠近所述液晶顯示面板的數據驅動晶片所在的一側(即所述薄膜電晶體基板的源極側)。當然，也可以將所述採集點設置在遠離所述液晶顯示面板的數據驅動晶片所在的一側(即所述薄膜電晶體基板的源極側的相對側)，在該位置受到其他信號線的耦合作用更明顯。優選地，可以將採集點既設置在靠近所述液晶顯示面板的數據驅動晶片所在的一側，也設置在遠離所述液晶顯示面板的數據驅動晶片所在的一側，這樣，使得本發明所設計的電路結構所產生的技術效果更加顯著(即針對不同位置所受到的耦合作用影響同時起到不同程度的補償作用，進而使得液晶顯示面板內的電壓更加均勻，且性能更加穩定，從而降低發生串擾和影像殘留等問題)，在下文中會進一步說明。

首先，在本實施例中，所述採集點設置在液晶顯示面板的薄膜電晶體基板的公共電極線上且靠近所述液晶顯示面板的數據驅動晶片所在的一側(如圖2所示在顯示區域103的上側)，並且通過金屬走線102連接至貼附於液晶顯示面板的薄膜電晶體基板的覆晶薄膜101，在所述採集點設置有一用於監測信號va1的監測線，所述監測線與所述薄膜電晶體基板的公共電極線同層設置，所述監測線採集薄膜電晶體基板的公共電極的實際電壓值，並且利用薄膜電晶體基板的公共電極與彩膜基板的公共電極相互導通的特性以進一步獲得相應(位置)的彩膜基板的公共電極的實際電壓值。

其次，將所獲得的實際電壓值輸入至所述反饋電路110的一端m，所述反饋電路110的另一端n輸出一第一補償信號vb1。其中，所述反饋電路110可包括一運算放大器，用於對接收到的實際電壓值進行運算操作，並輸出第一補償信號vb1，如圖4所示。

接著，將所述第一補償信號輸入至信號放大器120，並輸出一第二補償信號vc1，如圖4所示。其中，所述信號放大器120用於對補償信號進行一定倍數的改變，其放大倍數是外部可調的，並且根據輸入至所述信號放大器120的電壓值的量級而定。且所述信號放大器120輸出的第二補償信號vc1為一反向信號。

然後，將所述第二補償信號反補輸入至所述液晶顯示面板100內(如圖2所示的c點和d點，其中c點為靠近數據驅動晶片所在的一側，d點為在遠離數據驅動晶片所在的一側)，以使得相應的彩膜基板的公共電極的輸出電壓進行補償，並趨於一預設電壓值，從而穩定彩膜基板的公共電極的信號。在本實施例中，所述預設電壓值為3v，但在其他部分實施例中，所述預設電壓值不限於此。

也就是說，例如，當輸入液晶顯示面板內的彩膜基板的公共電極的電壓為v0，由於受到液晶顯示面板100內其他信號線的耦合作用,使得採集點所獲得電壓值增加(即va的增加)，於是通過反饋電路110的運算操作(即vb的增加)和信號放大器120的反向補償(即vc的反向增加)而使得採集點所獲得電壓值又相應地減小，從而實現公共電極的輸出電壓趨於一穩定的電壓值v0。

在本發明的另一實施例中，首先，所述採集點設置在液晶顯示面板的薄膜電晶體基板的公共電極線上且靠近所述液晶顯示面板的數據驅動晶片所在的一側(如圖2所示在顯示區域103的下側)，並且通過金屬走線102連接至貼附於液晶顯示面板的薄膜電晶體基板的覆晶薄膜101。在所述採集點設置有一用於監測信號va2的監測線，所述監測線與所述薄膜電晶體基板的公共電極線同層設置，所述監測線採集薄膜電晶體基板的公共電極的實際電壓值，並且利用薄膜電晶體基板的公共電極與彩膜基板的公共電極相互導通的特性以進一步獲得相應的彩膜基板的公共電極的實際電壓值。

其次，將所獲得的實際電壓值輸入至所述反饋電路110的一端m，所述反饋電路110的另一端n輸出一第一補償信號vb2。其中，所述反饋電路110可包括一運算放大器，用於對接收到的實際電壓值進行運算操作，並輸出第一補償信號vb2，如圖5所示。

接著，將所述第一補償信號輸入至信號放大器120，並輸出一第二補償信號vc2，如圖4所示。其中，所述信號放大器120用於對補償信號進行一定倍數的改變，其放大倍數是外部可調的，並且根據輸入至所述信號放大器120的電壓值的量級而定。且所述信號放大器120輸出的第二補償信號vc2為一反向信號。

然後，將所述第二補償信號反補輸入至所述液晶顯示面板100內(如圖2所示的c點和d點，其中c點為靠近數據驅動晶片所在的一側，d點為在遠離數據驅動晶片所在的一側)，以使得相應的彩膜基板的公共電極的輸出電壓進行補償，並趨於一穩定的電壓值v0，從而穩定彩膜基板的公共電極的信號。

根據圖4和圖5可知，圖5中的補償信號的幅值大於圖4中的補償信號的幅值，這是由於圖5所示的實施例中採集點受到其他信號線的耦合作用比圖4所示的實施例中採集點受到其他信號線的耦合作用更顯著而引起的。也就是說，如果受其他信號的耦合作用越大，那麼補償信號的強度也隨之增加，從而使得公共電極的輸出電壓趨於一預設的恆定電壓值。

另外，優選地，在本發明的又一實施例中，設置在液晶顯示面板的薄膜電晶體基板的公共電極線上且通過金屬走線102連接至貼附於薄膜電晶體基板的覆晶薄膜101的採集點不僅設置在靠近數據驅動晶片所在的一側，而且也設置在遠離數據驅動晶片所在的一側，從而分別獲得相應的彩膜基板的公共電極的實際電壓值。接著，再將該實際電壓值通過反饋電路110和信號放大器120進行信號反補，最後再分別輸入至所述液晶顯示面板內(如圖2所示的c點和d點，其中，通過利用印刷電路板的選擇監測功能，使得採樣點a點信號最終輸入至液晶顯示面板內的c點，採樣點b點信號最終輸入至液晶顯示面板內的d點，從而能夠根據採集點實際所受到其他信號線的耦合作用而相應地補償所需電壓，最終使得液晶顯示面板內的公共電極儘可能穩定)，以使得相應的彩膜基板的公共電極的輸出電壓進行補償，並趨於預設的電壓值。因此，本發明所設計的電路結構可以針對不同位置所受到的耦合作用影響起到相應的不同程度的補償作用，進而使得液晶顯示面板內的電壓更加均勻，且性能更加穩定。

另外，本發明還提供一種用於改善面板性能的方法，其採用上述的用於改善面板性能的電路結構。

參見圖6所示，所述方法包括以下步驟：

步驟s610：在位於液晶顯示面板的薄膜電晶體基板的公共電極線上的至少一採集點位置之處設置一監測線。

其中，在本發明的一實施例中，所述採集點設置在靠近液晶顯示面板的數據驅動晶片所在的一側。當然，也可以將所述採集點設置在遠離液晶顯示面板的數據驅動晶片所在的一側，在該位置受到其他信號線的耦合作用更明顯。優選地，可以將採集點不僅設置在靠近數據驅動晶片所在的一側，而且也設置在遠離數據驅動晶片所在的一側，這樣，使得本發明所設計的電路結構所產生的技術效果更加顯著。

步驟s620：所述監測線採集薄膜電晶體基板的公共電極的實際電壓值，並且利用薄膜電晶體基板的公共電極與彩膜基板的公共電極相互導通的特性以進一步獲得相應的彩膜基板的公共電極的電壓值。

步驟s630：將所述電壓值輸入至一反饋電路的一端，並且從所述反饋電路的另一端輸出一第一補償信號。

所述反饋電路可包括一運算放大器，用於對接收到的實際電壓值進行運算操作，並輸出第一補償信號。

步驟s640：將所述第一補償信號輸入至所述信號放大器的一端，並且從所述信號放大器的另一端輸出一第二補償信號。

所述信號放大器用於對補償信號進行一定倍數的改變，其放大倍數是外部可調的，並且根據輸入至所述信號放大器的電壓值的量級而定。

步驟s650：將所述第二補償信號反補輸入至所述液晶顯示面板內，以使得相應的彩膜基板的公共電極的輸出電壓趨於一預設電壓值。

其中，將所述第二補償信號反補輸入至所述液晶顯示面板內(如圖2所示的c點和d點，其中c點為靠近數據驅動晶片所在的一側，d點為遠離數據驅動晶片所在的一側)，以使得相應(位置)的彩膜基板的公共電極的輸出電壓進行補償，並趨於一預設電壓值，從而穩定彩膜基板的公共電極的信號。在本實施例中，所述預設電壓值為3v，但在其他部分實施例中，所述預設電壓值不限於此。

以上所述僅是本發明的優選實施方式，應當指出，對於本技術領域的普通技術人員，在不脫離本發明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發明的保護範圍。