太陽能矽片絨面結構及其制絨方法
2023-10-04 11:46:04
專利名稱：太陽能矽片絨面結構及其制絨方法
技術領域：
本發明涉及一種太陽能電池技術領域，特別是太陽能矽片絨面結構。
背景技術：
能源是人類社會向前發展的基礎，環境是人類可持續發展的必要條件。太陽能光伏發電作為一種重要的清潔能源，越來越引起人們的關注。近年來，太陽能電池的產量以前所未有的速度增長，其中多晶矽太陽能電池佔據了大多數的份額。現有的太陽能矽晶片絨面結構其形式多樣，反射率通常在4 6%，反射強度較小，並且絨面結構形狀較複雜，對生產工藝要求高，且不易清潔。
發明內容
本發明的目的是為了解決上述現有技術的不足而提供一種能最大限度降低表面光反射且易於清潔、制絨方便的太陽能矽片絨面結構。為了實現上述目的，本發明所設計的太陽能矽片絨面結構，包括矽片體，其特徵是矽片體的表面均勻排列布有四稜錐絨面，四稜錐絨面的稜錐高度在底邊長的三分之二至三分之一之間。這種呈四稜錐的絨面，增加了太陽光的入射角，由此降低了表面反射強度，並且由於其稜錐高度低，易於長期使用後的清潔。一種太陽能矽片絨面結構的制絨方法，其特徵是先在清洗後的矽片體表面印刷聚氯乙烯掩膜層，再對所塗的掩膜層矽片進行刻蝕形成所需的絨面結構；然後去除矽片表面剩餘的掩膜層物質。本發明得到的太陽能矽片絨面結構形狀簡單，生產工藝相對較低，且易於清潔。並且這種生產制絨方法，對環境沒有汙染，絨面結構的成形容易控制，可以方便實現所需絨面的形狀結構。
圖1是實施例的整體結構示意圖。圖中矽片體1、四稜錐絨面2。
具體實施例方式下面結合附圖和實施例對本發明進一步說明。實施例1 如圖1所示，本實施列提供的太陽能矽片絨面結構，包括矽片體1，矽片體1的表面均勻排列布有四稜錐絨面2，四稜錐絨面2的稜錐高度是底邊長的三分之二。本發明提供的太陽能矽片絨面結構的制絨方法是先在清洗後的矽片體表面印刷聚氯乙烯掩膜層，再進行等離子刻蝕方法對已有掩膜層的矽片進行刻蝕，形成所需結構的絨面，然後將其餘掩膜層清除。
實施例2:本實施列提供的太陽能矽片絨面結構，包括矽片體1，矽片體1的表面均勻排列布有四稜錐絨面2，四稜錐絨面2的稜錐高度是底邊長的三分之一。其實現方法如實施例1， 通過對等離子刻蝕的控制，實現具體絨面結構。
權利要求
1.一種太陽能矽片絨面結構，包括矽片體(1)，其特徵是矽片體(1)的表面均勻排列布有四稜錐絨面O)，四稜錐絨面O)的稜錐高度在底邊長的三分之二至三分之一之間。
2.一種根據權利要求1所述的太陽能矽片絨面結構的制絨方法，其特徵是先在清洗後的矽片體(1)表面印刷聚氯乙烯掩膜層，再對所塗的掩膜層矽片進行刻蝕形成所述的絨面結構；然後去除矽片表面剩餘的掩膜層物質。
全文摘要
本發明公開了一種太陽能矽片絨面結構及其制絨方法，包括矽片體，其特徵是矽片體的表面均勻排列布有四稜錐絨面，四稜錐絨面的稜錐高度在底邊長的三分之二至三分之一之間。這種太陽能矽片絨面結構的制絨方法，是先在清洗後的矽片體表面印刷聚氯乙烯掩膜層，再對所塗的掩膜層矽片進行刻蝕形成所需的絨面結構；這種呈四稜錐的絨面，增加了太陽光的入射角，由此降低了表面反射強度，易於長期使用後的清潔；並且這種生產制絨方法，對環境沒有汙染，絨面結構的成形容易控制，可以方便實現所需絨面的形狀結構。
文檔編號H01L31/18GK102403375SQ20111033939
公開日2012年4月4日 申請日期2011年11月1日 優先權日2011年11月1日
發明者俞英芸, 龐井明, 張雲國, 張立波, 石義洋 申請人:寧波市鑫友光伏有限公司