一種平面液晶顯示器的製作方法

2023-10-04 03:35:39 1

本發明涉及液晶顯示技術領域，特別涉及一種平面液晶顯示器。

背景技術：

液晶顯示器是目前使用最廣泛的一種平板顯示器，已經逐漸成為各種電子設備如行動電話、個人數字助理(PDA)、數字相機、計算機屏幕或筆記本電腦屏幕所廣泛應用具有高解析度彩色屏幕的顯示器。隨著液晶顯示器技術的發展進步，人們對液晶顯示器的顯示品質、外觀設計、低成本和高穿透率等提出了更高的要求

平面控制模式(IPS)廣視角技術的液晶顯示讓觀察者任何時候都只能看到液晶分子的短軸，因此在各個角度上觀看的畫面都不會有太大差別，這樣就比較完美地改善了液晶顯示器的視角。第一代IPS技術針對扭曲向列型面板(TN)模式的弊病提出了全新的液晶排列方式，實現較好的可視角度。第二代平面轉換技術IPS(S-IPS即Super-IPS)採用人字形電極，引入雙疇模式，改善平面轉換技術IPS模式在某些特定角度的灰階逆轉現象。第三代平面轉換技術IPS(AS-IPS即Advanced Super-IPS)減小液晶分子間距離，提高開口率，獲得更高亮度。

專利(CN201610027413.8)公開像素單元，包括：第一電極和與第一電極相連的第一連接部，第一連接部通過第一過孔連接至第一連接線，第一連接線與像素單元上側像素單元的第一連接線和下側像素單元的第一連接線相連。

在高解析度的像素中，公共電極的鈍化層接觸孔PV Via(Com)和像素電極的鈍化層接觸孔PV Via(Pixel)不能處在同一水平面，需垂直放置，造成液晶顯示器的開口率低，穿透率下降，如圖1所示。

圖1為現有液晶顯示器的像素結構示意圖。其中，11表示公共電極接觸孔，12表示數據線，13表示掃描線，14表示像素電極接觸孔，15表示像素電極，16表示公共電極。圖2為已有液晶顯示器的像素陣列示意圖，且圖2為使用圖1的像素構成的像素陣列。可以看出在該陣列中，大量公共電極接觸孔的存在導致液晶顯示器的開口率低，從而造成液晶顯示器的穿透率下降。

技術實現要素：

本發明為了解決液晶顯示器的開口率低、穿透率下降的問題而提出了一種平面液晶顯示器。

本發明提出了一種平面液晶顯示器，所述平面液晶顯示器的像素基板包括若干個重複的像素陣列單元，沿顯示面板的法向方向觀測，每一個所述像素陣列單元包括：位於所述像素陣列單元的中部區域中的像素電極接觸孔；位於所述像素電極接觸孔一側的公共電極和像素電極；以及位於所述像素電極接觸孔的與所述公共電極和像素電極相反的另一側的公共電極接觸孔，相鄰兩個像素陣列單元共用同一個公共電極接觸孔，且相對於所共用的公共電極接觸孔的中央橫截面鏡像對稱，所述中央橫截面包含沿顯示面板的法向方向延伸的直線。

在一個實施方式中，在所述像素陣列單元中，分別利用公共電極引線穿過相鄰兩個像素陣列單元的共用的公共電極接觸孔。

在一個實施方式中，每一個所述像素陣列單元在顯示顏色方面對應於紅色、藍色或綠色。

在一個實施方式中，所述像素陣列單元還包括掃描線和數據線，沿顯示面板的法向方向觀測，所述掃描線沿第一方向形成，所述數據線沿垂直於所述第一方向的第二方向形成。

在一個實施方式中，數據線與掃描線交叉形成包含兩條長邊和兩條短邊的矩形像素顯示區域。

在一個實施方式中，所述像素電極位於數據線和掃描線交叉所圍繞形成的矩形像素顯示區域內。

在一個實施方式中，所述掃描線位於第一金屬層，所述數據線位於第二金屬層。

在一個實施方式中，所述陣列基板由內側至外側依次設置有第一金屬層、柵極絕緣層、半導體層、歐姆接觸層、第二金屬層、鈍化層以及透明導電層。

在一個實施方式中，所述像素電極由透明導電材料製成。

在一個實施方式中，所述公共電極由透明導電材料製成。

上述技術特徵可以各種適合的方式組合或由等效的技術特徵來替代，只要能夠達到本發明的目的。

本發明提出一種新的液晶顯示器像素結構，在該結構中，相鄰兩個像素結構單元相對排列，相鄰兩行像素結構單元中，位於同一列的兩個像素結構單元共用一個公共電極接觸孔。相比於背景技術中所介紹的現有技術中的像素陣列單元的排布方式，使用本發明的像素結構，可以增加高解析度像素的開口率，增加顯示器的穿透率。

附圖說明

圖1為背景技術提出的現有液晶顯示器的像素陣列單元示意圖。其中，11表示公共電極接觸孔，12表示數據線，13表示掃描線，14表示像素電極接觸孔，15表示像素電極，16表示公共電極。

圖2為背景技術提出的已有液晶顯示器的像素陣列單元排布示意圖。

圖3為本申請的一個具體實施方式提出的像素陣列單元結構示意圖，在圖3中顯示了共用同一個公共電極接觸孔的相鄰的兩個成對的像素陣列單元。其中，21表示公共電極，22表示像素電極，23表示像素電極接觸孔，24表示掃描線，25表示公共電極接觸孔，26表示數據線。

圖4為本申請的一個具體實施方式提出的像素陣列單元的像素分層結構示意圖，其中左、中、右三個部分本別顯示了第一金屬層、A-si半導體層和第二金屬層。

圖5本申請的一個具體實施方式提出的像素陣列單元的像素分層結構示意圖，其中左、右兩個部分本別顯示了鈍化層和ITO/第三金屬層。

圖6為本申請的一個具體實施方式提出的液晶顯示器的像素陣列結構排布。其中，R對應紅色子像素，B對應藍色子像素，G對應綠色子像素。

在附圖中，在同一個實施例中，相同的部件使用相同的附圖標記。附圖並未按照實際的比例。

具體實施方式

本申請提出了一種平面液晶顯示器。所述平面液晶顯示器的像素基板包括若干個重複的像素陣列單元。圖3為本申請的一個具體實施方式提出的像素陣列單元結構示意圖，在圖3中顯示了共用同一個公共電極接觸孔的相鄰的兩個成對的像素陣列單元。其中，21表示公共電極，22表示像素電極，23表示像素電極接觸孔，24表示掃描線，25表示公共電極接觸孔，26表示數據線。

參照圖3，可看出，沿顯示面板的法向方向(即垂直於紙面的方向)觀測，每一個所述像素陣列單元包括：位於所述像素陣列單元中部區域中的像素電極接觸孔23；位於所述像素電極接觸孔23一側的公共電極21和像素電極22；以及位於所述像素電極接觸孔23的與所述公共電極21和像素電極22相反的另一側的公共電極接觸孔25。

其中，相鄰兩個像素陣列單元共用同一個公共電極接觸孔25，且相對於所共用的公共電極接觸孔25的中央橫截面(由虛線P示意性表示)鏡像對稱，所述中央橫截面包含沿顯示面板的法向方向延伸的直線。

另外，所述像素陣列單元還包括掃描線24和數據線26，沿顯示面板的法向方向觀測，所述掃描線24沿第一方向形成，所述數據線26沿垂直於所述第一方向的第二方向形成。數據線26與掃描線24交叉形成包含兩條長邊和兩條短邊的矩形像素顯示區域。像素電極23位於數據線26和掃描線24交叉所圍繞形成的矩形像素顯示區域內。

圖4為本申請的一個具體實施方式提出的像素陣列單元的像素分層結構示意圖，其中左、中、右三個部分本別顯示了第一金屬層、A-si半導體層和第二金屬層。圖5本申請的一個具體實施方式提出的像素陣列單元的像素分層結構示意圖，其中左、右兩個部分本別顯示了鈍化層和ITO/第三金屬層。

通過圖4可以看出，在像素陣列單元中，分別利用公共電極引線穿過相鄰兩個像素陣列單元的共用的公共電極接觸孔23。

參考圖4與圖5，在一個示例性的實施例中，掃描線24可位於第一金屬層，數據線26可位於第二金屬層。在陣列基板由內側至外側依次設置有第一金屬層、柵極絕緣層、半導體層、歐姆接觸層、第二金屬層、鈍化層以及透明導電層。

像素電極21可由透明導電材料製成。公共電極23也可由透明導電材料製成。

圖6為本申請的一個具體實施方式提出的液晶顯示器的像素陣列結構。其中，R對應紅色子像素，B對應藍色子像素，G對應綠色子像素。參考圖6可看出，每一個所述像素陣列單元在顯示顏色方面對應於紅色、藍色或綠色。

本發明提出一種新的液晶顯示器像素結構，在該結構中，相鄰兩個像素結構單元相對排列，相鄰兩行像素單元中，位於同一列的兩個子像素共用一個公共電極接觸孔。相比於背景技術中所介紹的現有技術中的像素陣列單元的排布方式，使用本發明的像素結構，可以增加高解析度像素的開口率，增加顯示器的穿透率。

雖然在本文中參照了特定的實施方式來描述本發明，但是應該理解的是，這些實施例僅僅是本發明的原理和應用的示例。因此應該理解的是，可以對示例性的實施例進行許多修改，並且可以設計出其他的布置，只要不偏離所附權利要求所限定的本發明的精神和範圍。應該理解的是，可以通過不同於原始權利要求所描述的方式來結合不同的從屬權利要求和本文中所述的特徵。還可以理解的是，結合單獨實施例所描述的特徵可以使用在其他所述實施例中。