具有低飽和磁通密度並且用於磁性記錄介質的軟磁性膜層用合金以及濺射靶材料的製作方法

2023-10-04 04:26:49

具有低飽和磁通密度並且用於磁性記錄介質的軟磁性膜層用合金以及濺射靶材料的製作方法
【專利摘要】提供一種在磁性記錄介質中使用的並且具有低飽和磁通密度的軟磁性膜層用合金和濺射靶材料。所述合金包含選自由Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Ni、Cu、Al、B、C、Si、P、Zn、Ga、Ge和Sn組成的組中的一種或多種，以及餘量的Co和Fe；並且以原子％計，滿足下列式(1)至(3)：(1)0.50≤Fe％/(Fe％+Co％)≤0.90；(2)5≤TAM≤25；和(3)15≤TAM+TNM≤25，條件是TAM和TNM分別為：TAM＝Y％+Ti％+Zr％+Hf％+V％+Nb％+Ta％+B％/2；並且TNM＝Cr％+Mo％+W％+Mn％+Ni％/3+Cu％/3+Al％+C％+Si％+P％+Zn％+Ga％+Ge％+Sn％。
【專利說明】具有低飽和磁通密度並且用於磁性記錄介質的軟磁性膜層用合金以及濺射靶材料
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請要求2012年2月3日提交的日本專利申請第2012-22096號的優先權，其全部內容都通過引用結合於此。

【技術領域】
[0003]本發明涉及一種在磁性記錄介質中使用的並且具有低飽和磁通密度的軟磁性膜層用合金和濺射靶材料。

【背景技術】
[0004]近年來，磁性記錄技術已經有了顯著的進步，磁性記錄介質中的記錄密度的提高由於增加驅動器容量而取得進展，並且垂直磁性記錄系統已經投入到實際使用中，其相比於通常使用的縱向磁性記錄系統實現了更高的記錄密度。此外，作為垂直磁性記錄系統的應用，也已經檢驗了用於藉助熱或微波輔助記錄的方法。
[0005]上述垂直磁性記錄系統是一種易磁化軸在垂直於垂直磁性記錄介質的磁性膜的介質表面的方向上取向的系統，並且是一種適合用於高記錄密度的方法。對於垂直磁性記錄系統，已經開發了一種具有記錄靈敏度增加的磁性記錄膜層和軟磁性膜層的雙層記錄介質。對於磁性記錄膜層，通常使用CoCrPt-S12-系合金。
[0006]此外，通常在軟磁性膜層之間插入Ru膜，並且軟磁性膜與Ru膜之間的反鐵磁性耦合(在下文中稱為AFC f禹合)賦予了對外部磁場的不感區域(immunity)(在下文中稱為Hbias)。例如，如在日本專利公開第2011-86356號(專利文獻I)中公開的，這是為了提高對使用磁性記錄介質的環境中外部噪聲磁場的耐性。根據本發明的用於軟磁性膜層的合金可以用於這些具有垂直磁性記錄系統的介質。
[0007]此外，對於常規軟磁性膜層來說，高飽和磁通密度(在下文中稱為Bs)和高非晶形形成能力(在下文中稱為非晶形性)已經是必需的，並且根據垂直磁性記錄介質的用途和使用它們所處的環境，此外還需要額外的多種特性如高耐腐蝕性和高硬度。在上述所需的特性中，高Bs是特別重要的；例如，專利文獻1、日本專利公開第2011-181140號(專利文獻2)和日本專利公開第2008-299905號(專利文獻3)的目的也是高Bs。需要這種高Bs的原因在於，為了穩定記錄膜的磁化，不小於某一值的Bs是必需的，並且賦予大的Hbias。
[0008]然而，使用具有高Bs的軟磁性膜也具有缺點。使用展現高Bs的軟磁性膜傾向於產生較大的Hbias並且提供高外部噪聲磁場耐性，但是同樣地，在記錄磁性磁化的情況下，軟磁性膜中包括的過大的磁通量明顯影響周圍環境，導致寫入所需的空間較大以及記錄密度降低。此外，還觀察到，使用具有高Hbias的膜傾向於引起對於大於或等於Hbias的外加磁場的磁化的反應(在下文中稱為磁化上升(rise ofmagnetizat1n))變鈍。
[0009]圖1中示意性地示出了對於大於或等於Hbias的磁場的磁化上升。通常，在通過寫入磁頭使記錄膜磁化的情況下，施加使軟磁性膜的磁化飽和的磁場。因此，當使磁化上升變鈍時，磁化需要相應的向其施加的較大的磁場。如上所述，用於磁化的磁場的增加造成對周圍環境的不可避免的過度影響，從而難以在限定的小區域中進行記錄，而且還導致記錄密度降低。上述的降低記錄密度的兩種現象也被稱為通常所說的「模糊寫入(blurredwriting) 」 ;儘管通過抑制一種現象提供了改善模糊寫入的效果，通過同時抑制兩種現象進一步提供了改善模糊寫入的效果。
[0010]引文清單
[0011]專利文獻
[0012][專利文獻I]日本專利公開第2011-86356號
[0013][專利文獻2]日本專利公開第2011-181140號
[0014][專利文獻3]日本專利公開第2008-299905號
[0015]發明概述
[0016]作為為解決上述問題而進行詳盡開發的結果，本發明的發明人認為，通過開發即使在較低的Bs也具有高Hbias同時具有大於0.5T (可以被認為是用於穩定記錄膜的磁化的Bs最小值)的Bs、以及即使在高Hbias也具有敏銳的磁化上升的軟磁性合金，對外部磁場的高耐性和歸因於「模糊寫入」的抑制的高記錄密度變得相容。
[0017]根據本發明的一個實施方案，提供一種用於磁性記錄介質中軟磁性薄膜層的合金，其中
[0018]所述合金包含選自由Y、T1、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、N1、Cu、Al、B、C、S1、P、Zn、Ga、Ge和Sn組成的組中的一種或多種，以及餘量的Co和Fe ;並且
[0019]以原子％ (at% )計，滿足下列式⑴至⑶:
[0020](1)0.50 ≤ Fe % /(Fe% +Co% ) ( 0.90 ；
[0021](2)5 ≤ TAM ≤ 25 ;和
[0022](3) 15 ≤ ΤΑΜ+ΤΝΜ ( 25，
[0023]條件是TAM和T匪分別為:
[0024]TAM = Y% +Ti% +Zr% +Hf% +V% +Nb% +Ta% +B% /2 ;並且
[0025]TNM = Cr% +Mo% +ff% +Mn% +Ni % /3+Cu% /3+Al% +C% +Si% +P% +Zn% +Ga%+Ge% +Sn%。
[0026]根據本發明的實施方案，優選的是，在上述合金中，滿足下列式(4):
[0027](4)0.25 ( (Nb% +Ta% )/(ΤΑΜ+ΤΝΜ)≤ 1.00。
[0028]根據本發明的另一個實施方案，優選的是，在上述合金中，滿足下列式(5)和/或
(6):
[0029](5)0 ^ Ti% +Zr% +Hf% +B% /2^5
[0030](6)0 < Cu%+Sn%+Zn%+Ga%< 10。
[0031]根據本發明的另一個實施方案，優選的是，
[0032]上述合金由下列各項組成:選自由Y、T1、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、N1、Cu、Al、B、C、S1、P、Zn、Ga、Ge和Sn組成的組中的一種或多種，以及餘量的Co和Fe ;並且
[0033]以原子％計，滿足下列式(I)至(3):
[0034](1)0.50 ≤ Fe % /(Fe% +Co% ) ( 0.90 ；
[0035](2)5 ≤ TAM ≤ 25 ;和
[0036](3) 15 ≤ ΤΑΜ+ΤΝΜ ≤25，
[0037]條件是TAM和T匪分別為:
[0038]TAM = Y% +Ti% +Zr% +Hf% +V% +Nb% +Ta% +B% /2 ;並且
[0039]TNM = Cr% +Mo% +ff% +Mn% +Ni % /3+Cu% /3+Al% +C% +Si% +P% +Zn% +Ga%+Ge% +Sn%。
[0040]根據本發明的另一個實施方案，優選的是，上述合金具有大於0.5T並且小於1.1T的飽和磁通密度。
[0041]根據本發明的另一個實施方案，提供一種濺射靶材料，所述濺射靶材料包含根據上述實施方案中的任何一個的合金。
[0042]如上所述，本發明可以提供一種具有低飽和磁通密度的軟磁性非晶形合金，其中所述合金在多層膜中對外部磁場具有高不感區域，在所述多層膜中，Ru等的非磁性薄膜插入在這種合金膜的薄膜之間並且進行反鐵磁性耦合；此外，一種用於對不感區域以上的外部磁場磁化上升良好的磁性記錄介質的軟磁性合金；以及一種用於製造這種合金的薄膜的濺射靶材料。如上所述，本申請中的軟磁性合金通常不具有主動以低Bs為目標的概念。這種思路是本發明中最具特徵性的概念。
[0043]附圖簡述
[0044]圖1是多層膜的磁化曲線的示意圖。
[0045]圖2是顯示單層的Bs與多層膜的Hbias之間相關性的圖。
[0046]圖3是顯示單層的Ra和多層膜的Hbias對Hbias後的磁化上升的敏銳度的影響的圖。
[0047]實施方案詳述
[0048]下面將具體地解釋本發明。除非另外指定，「 % 」意指原子％。
[0049]本發明涉及一種用於磁性記錄介質中軟磁性薄膜層的合金，其中
[0050]這種合金包含選自由Y、T1、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、N1、Cu、Al、B、C、S1、P,Zn,Ga,Ge和Sn組成的組中的一種或多種，以及餘量的Co和Fe，優選基本上由這些元素組成，更優選由這些元素組成。此外，在根據本發明的合金中，以原子％計，滿足下列式(I)至⑶:
[0051](1)0.50 ( Fe% /(Fe% +Co% ) ^ 0.90 ；
[0052](2)5 ≤ TAM≤ 25 ;和
[0053](3) 15 ≤ ΤΑΜ+ΤΝΜ ≤25，
[0054]條件是TAM和T匪分別為:
[0055]TAM = Y% +Ti% +Zr% +Hf% +V% +Nb% +Ta% +B% /2 ;並且
[0056]TNM = Cr% +Mo% +ff% +Mn% +Ni % /3+Cu% /3+Al% +C% +Si% +P% +Zn% +Ga%+Ge% +Sn%。
[0057]下面將詳細地解釋本發明。
[0058] 首先，評價具有各種組成的軟磁性膜的各自的Hbias，以便檢驗各個軟磁性膜的組成對Hbias的影響，並且因此發現,Hbias的水平不僅根據Bs的水平變化,而且還根據Fe%/(Fe% +Co% )變化。換句話說，發現即使在軟磁性膜具有大於0.5T並且小於1.1T(比常規實例中的每一個的Bs相對較低)的Bs的情況下,也可以由Fe% / (Fe% +Co% )的預定範圍獲得高Hbias。
[0059]之後，檢驗歸因於大於或等於Hbias的外加磁場的磁化上升，並且因此發現，在除Fe和Co外的添加元素中，較多的Nb和Ta，較少的T1、Zr、Hf和B，以及添加少量的Cu、Sn、Zn和Ga對磁化上升具有影響。因此，發現通過將這些添加元素設定為預定的量可以額外獲得在具有高Hbias的同時顯示出敏銳的磁化上升的效果。
[0060]基於此類新發現，不同於用於垂直磁性記錄介質的常規軟磁性膜用合金所需的特性，發現了一種軟磁性合金，其在具有較低Bs的同時顯示出高Hbias，並且此外在具有高Hbias的同時，在大於或等於Hbias的外加磁場下顯示出敏銳的磁化上升。因此對外部噪聲磁場的高耐性與歸因於模糊寫入的抑制的高記錄密度之間的相容性(其在常規上是困難的)使得能夠完成本發明。下面將解釋本發明的合金的限制的原因。
[0061](a) 0.50 ( Fe% /(Fe% +Co% ) ^ 0.90 ；
[0062]Fe和Co是用於賦予穩定記錄膜的磁化所需的最小磁化的元素，並且Bs和Fe% /(Fe% +Co% )的行為在通常所說的Slater-Pauling曲線等中示出。此外，為了即使在較低的Bs提供高Hbias，Fe% /(Fe% +Co% )也是重要的因素。當Fe% /(Fe% +Co% )小於0.50時，相比於具有相似的Bs和0.50以上的Fe% /(Fe% +Co% )的軟磁性膜，Hbias降低。儘管這種現象的詳細原因並不清楚，據認為軟磁性膜的Bs和歸因於磁性元素的3d電子軌道的夾層相互作用參與了 AFC耦合，並且據推測，取決於Fe與Co之間的比例，相互作用的變化影響AFC耦合。當Fe%/(Fe%+Co% )大於0.90時，Bs明顯降低，導致Hbias不足。此外，Fe%/(Fe%+Co% )的優選的範圍是0.55以上且0.85以下，更優選0.60以上且0.80以下。
[0063](b) 5 ≤ TAM ≤ 25 且 15 ≤ TAM+TNM ( 25
[0064]除Fe和Co外的元素的效果總結如下。T1、Zr、Hf和B是引起非晶質化提高和Bs降低並且使磁化上升大幅變鈍的元素。因為降低Bs和提高非晶形性的效果與T1、Zr和Hf相比為約1/2，B可以在TAM中作為B% /2對待。然而，因為濺射靶材料中B生成特別硬的化合物(例如，硼化物)，這使得需要降低機械加工中的加工速度，因此B優選與分類為TAM的其他元素一起加入，而不是單獨加入。鑑於此，(B/2)/TAM優選為0.8以下，更優選0.5以下。
[0065]Y、V、Cr、Mo和W是引起Bs降低並且還使得磁化上升稍微變鈍的元素。Y和V還有助於非晶質化的提高。Nb和Ta是引起非晶質化提高和Bs降低的重要元素，並且具有使磁化上升變得敏銳的效果。Mn、Al、S1、Ge和P是引起Bs降低並且使得磁化上升稍微變鈍的元素。Ni和Cu是引起Bs少量降低的元素，並且Cu是當以少量添加時具有使磁化上升變得敏銳的效果但是當以大量添加時稍微降低磁化上升的元素。
[0066]因為顯示出Bs的降低與分類為TAM和--Μ的其他元素相比為約1/3，Ni和Cu可以在--Μ中作為Ni% /3和Cu% /3對待。Ga、Sn和Zn是引起Bs降低並且具有當以少量添加時使磁化上升變得敏銳但是當以大量添加時使磁化上升稍微變鈍的效果的元素。如上所述，所有元素都具有降低Bs的效果，並且一些元素具有提高非晶形性和影響磁化上升的效果。根據本發明的合金通過優化元素的添加量而獲得。
[0067]小於5的TAM導致非晶形性不足，而大於25的TAM導致Bs低和Hbias不足。因此，TAM為5以上且25以下，優選7以上且23以下，更優選9以上且小於20。因為Nb和Ta在濺射靶材料中與Fe和Co生成脆性的金屬間化合物，當僅添加Nb或/和Ta作為TAM時，必須降低加工速度以防止機械加工中的破裂和破碎。考慮到這一點，優選的是，當僅添加Nb或/和Ta作為TAM時，TAM小於20。
[0068]小於15的ΤΑΜ+--Μ使Bs增加，導致磁化上升變鈍，儘管Hbias增加。大於25的ΤΑΜ+?!導致Bs低和Hbias低。因此，ΤΑΜ+--!為15以上且25以下，優選17以上且23以下，更優選18以上且21以下。
[0069](c)0.25 ( (Nb% +Ta% )/(ΤΑΜ+ΤΝΜ)≤ 1.00
[0070]儘管如上所述在這種合金中Nb和Ta是具有使磁化上升變得敏銳的額外效果的元素，但是當(Nb% +Ta% )/(ΤΑΜ+ΤΝΜ)小於0.25時不能獲得這種效果。因為Nb和Ta的添加量也包括在TAM中，(Nb% +Ta% )/(ΤΑΜ+ΤΝΜ)的上限必須為1.00。因此，(Nb% +Ta% )/(ΤΑΜ+ΤΝΜ)為0.25以上且1.00以下，優選0.40以上且小於1.00，更優選0.60以上且小於1.00。
[0071](d)0 ≤ Ti% +Zr% +Hf% +B% /2 ≤ 5 並且 0 < Cu% +Sn% +Zn% +Ga%≤ 10
[0072]因為如上所述在這種合金中T1、Zr、Hf和B是使磁化上升大幅變鈍的元素，所以通過嚴格限制其總量的上限，提供更敏銳的磁化上升作為額外的效果。當Ti% +Zr% +Hf%+B% /2大於5時，不能獲得使磁化上升變得敏銳的效果。因此，Ti% +Zr% +Hf% +B% /2為0以上且5以下，優選3以下，更優選0。
[0073]因為如上所述在這種合金中Cu、Sn、Zn和Ga是具有當以少量添加時使磁化上升變得敏銳的額外效果的元素，通過主動添加少量的這些元素，提供更敏銳的磁化上升。然而，當Cu% +Sn% +Zn% +6&%大於10時，不能獲得這種效果。因此，Cu% +Sn% +Zn% +Ga%為大於0且10以下，優選I以上且8以下，更優選2以上且6以下。即使當僅滿足這些式中的任一個時，也獲得了使磁化上升變得敏銳的額外效果。
[0074]如上所述，各種元素具有對磁化上升的影響以及對Bs的影響；儘管其詳細原因並不清楚，但據推測如下。觀察到，軟磁性合金的濺射膜的表面粗糙度傾向於影響磁化上升對於大於或等於Hbias的外加磁場的敏銳度。據認為在歸因於大於或等於Hbias的外部磁場的磁化上升的現象中，軟磁性膜與Ru膜之間的界面中的AFC耦合不能抵抗大的外加磁場並且發生磁通量的反轉；當軟磁性膜的表面粗糙並且在兩種膜之間的界面上存在凹凸部時，先發生磁通量反轉的部位和緩慢發生磁通量反轉的部位可以在局部共同存在。
[0075]當在如上所述的部位中發生磁通量反轉行為的不一致時，在整個膜上磁化上升變鈍。因此，認為在濺射膜的表面粗糙度與磁化上升的敏銳度之間存在相關性。此外，據推測，作為非晶形合金的自由體積和過剩自由體積可能會影響添加元素對濺射膜的表面粗糙度的影響。這兩種體積都是對應於非晶形合金中原子之間空隙的體積，並且據認為，當這些體積大時，原子未密集地聚集在合金中，並且在濺射膜中原子尺寸水平方面來看表面粗糙度因此增加。
[0076]這表明，非晶形狀態的穩定性可能和這兩種體積有關；然而，在本發明中，使磁化上升大幅變鈍的T1、Zr、Hf和B是使非晶形狀態特別穩定的元素，而當以少量添加時使磁化上升變得敏銳的Cu、Ga、Sn和Zn是使非晶形特性變差的元素。此外，作為使磁化上升變得敏銳的重要元素的Nb和Ta，是當與T1、Zr、Hf和B相比時具有低的促進非晶質化效果的元素。實施例
[0077]下面參照實施例具體地解釋本發明。
[0078]通過氣體霧化法製備具有表I中所示組成的軟磁性合金粉末。將25kg的熔融基材在減壓Ar中感應熔煉，從直徑為8mm的噴嘴中使合金熔融金屬流出，並且之後立即噴霧高壓Ar氣以進行霧化。將粉末分級為500 μ m以下並且用作用於HIP成型(熱等靜壓機)的原料粉末。可以用原料粉末填充直徑為200mm並且長度為1mm的碳鋼罐，之後對其進行真空脫氣，並且密封以製備用於HIP成型的坯料(billet)。將填充有粉末的坯料在1100°C的溫度、120MPa的壓力和2小時的保留時間的條件下HIP成型。之後，由模製體製備直徑為95_並且厚度為2_的軟磁性合金派射祀材料。使用由該軟磁性合金製成的派射革巴材料製備軟磁性薄膜。此外，由Ru金屬製成的可商購的濺射靶材料用於製備Ru薄膜。
[0079]將腔室的內部抽真空至IXlO-4Pa以下，在0.6Pa充入純度為99.99%的Ar氣，並且進行濺射。首先，在清潔的玻璃基板上形成20nm的軟磁性合金薄膜(下軟磁性層)，在其上形成0.8nm的Ru膜，並且在其上進一步形成與上述膜相同的20nm的軟磁性合金薄膜(上軟磁性層)，以製備多層膜。在所有的實施例和比較例中，多層膜中的上軟磁性膜和下軟磁性膜中使用相同的合金。還製備了在其中僅形成下軟磁性層的單層，用於評價軟磁性膜的Bs、晶體結構和表面粗糙度。
[0080]將以這種方式製備的單層膜用作樣品，並且分別使用VSM(樣品振動型磁通量計)、X射線衍射和AFM(原子力顯微鏡)評價Bs、晶體結構和算術平均粗糙度Ra (表面粗糙度)。對於晶體結構來說，將非晶形狀態評價為「良好」，將在非晶形狀態中部分觀察到微晶的情況評價為「一般」，並且將晶體評價為「差」。採用多層膜進一步評價Hbias和磁化上升的敏銳度。這些結果如在表2中所示。
[0081]圖1是多層膜的磁化曲線的示意圖。如在此圖中所示，通過在多層膜的磁化上升時的外加磁場來評價Hbias，並且通過在其中多層膜的磁化飽和的外加磁場(Hsat)與Hbias之間的比率，即Hsat/Hbias,來評價磁化上升的敏銳度。圖1(a)示出了其中Hbias高並且磁化上升敏銳的實施例，而圖1(b)示出了其中Hbias低並且磁化上升遲鈍的實施例。換句話說，該值低並且較接近I表示較敏銳的磁化上升。該值小於1.2被評價為「A」，該值為1.2以上且小於1.4被評價為「B」，該值為1.4以上且小於1.8被評價為「C」，並且該值為1.8以上被評價為「D」。
[0082]

【權利要求】
1.一種用於磁性記錄介質中軟磁性薄膜層的合金，其中 所述合金包含選自由 Y、T1、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、N1、Cu、Al、B、C、S1、P、Zn、Ga、Ge和Sn組成的組中的一種或多種，以及餘量的Co和Fe ;並且以原子％計，滿足下列式⑴至(3):
(1)0.50 ( Fe% /(Fe% +Co% ) ^ 0.90 ；
(2)5 ^ TAM ^ 25 ;和
(3)15 ≤ ΤΑΜ+ΤΝΜ ( 25， 條件是TAM和TW分別為: TAM = Y% +Ti% +Zr% +Hf% +V% +Nb% +Ta% +B% /2 ;並且
TNM = Cr % +Mo % +ff% +Mn % +Ni % /3+Cu % /3+A1 % +C% +Si % +P % +Zn % +Ga %+Ge% +Sn%。
2.根據權利要求1所述的合金，其中滿足下列式(4):
(4)0.25 ( (Nb% +Ta% )/(ΤΑΜ+ΤΝΜ)≤1.00。
3.根據權利要求1或權利要求2所述的合金，其中滿足下列式(5)和/或(6):
(5)0^ Ti% +Zr% +Hf% +B% /2 ≤5
(6)0< Cu% +Sn% +Zn% +Ga%^ 10。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的合金，其中 所述合金由選自由 Y、T1、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、N1、Cu、Al、B、C、S1、P、Zn、Ga、Ge和Sn組成的組中的一種或多種，以及餘量的Co和Fe組成；並且以原子％計，滿足下列式⑴至(3):
(1)0.50 ( Fe% /(Fe% +Co% ) ^ 0.90 ；
(2)5( ΤΑΜ ( 25 ;和
(3)15 ≤ ΤΑΜ+ΤΝΜ ( 25， 條件是TAM和TW分別為: TAM = Y% +Ti% +Zr% +Hf% +V% +Nb% +Ta% +B% /2 ;並且TNM = Cr % +Mo % +ff% +Mn % +Ni % /3+Cu % /3+A1 % +C % +Si % +P % +Zn % +Ga %+Ge% +Sn%。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的合金，其中所述合金具有大於0.5T並且小於1.1T的飽和磁通密度。
6.一種濺射靶材料，所述濺射靶材料用於製造包含根據權利要求1至5中任一項所述的合金的軟磁性薄膜。
【文檔編號】G11B5/667GK104081455SQ201380007516
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2013年2月1日 優先權日:2012年2月3日
【發明者】澤田俊之, 松原慶明 申請人:山陽特殊制鋼株式會社