圖案修正方法、光掩模及其製造方法以及修正膜形成裝置與流程
2023-10-16 21:47:14 3
本發明涉及光掩模的轉印用圖案的修正，特別涉及適用於以液晶顯示裝置或有機el(電致發光)顯示裝置為代表的顯示裝置的製造中有用的光掩模所具有的轉印用圖案的修正的優選圖案修正方法、光掩模的製造方法、光掩模以及修正膜形成裝置。
背景技術：
已知在具有包含半透光部的轉印用圖案的光掩模中，當轉印用圖案的半透光部產生缺陷時，要對其進行修正(repair)。例如，在專利文獻1中記述有如下內容：當由半透光膜形成的半透光部產生缺陷時，作為用於修正該缺陷的修正膜，在比中心部靠周緣側的部分形成具有曝光光的透過量較大的區域的修正膜。此外，在專利文獻2還記述有應用於光掩模上的中間色調區域的白缺陷部分的修正的修正裝置和方法。
在先技術文獻
日本特開2008-256759號公報
日本特開2010-210919號公報
在顯示裝置的製造中，多利用具有基於要獲得的器件的設計的轉印用圖案的光掩模。對於搭載有智慧型手機或平板終端等器件的液晶顯示裝置及有機el顯示裝置，不僅要求明亮、省電、動作速度快，還要求高解析度、寬視角等高畫質。因此，存在對於光掩模具有的轉印用圖案強烈要求更加微細化、高密度化的傾向。
作為形成於光掩模中的轉印用圖案，有如下轉印用圖案，該轉印用圖案除了具有透過曝光光的透光部和遮蔽曝光光的遮光部之外，還具有透過曝光光的一部分的半透光部。作為具有這種轉印用圖案的光掩模，已知有例如在要獲得的器件的製造過程中能夠進行多次蝕刻工藝的多色調光掩模。
此外，在應用於液晶顯示裝置的彩色濾光片方面，作為用於獲得觸摸面板的操作性的感光性間隔物(photospacer)，除了設置主間隔物外還設置副間隔物，或者，在黑底上配置感光性間隔物以實現更明亮的顯示畫面等，從而實現明亮度的提高和省電。在製造這樣的產品的情況下，也使用多色調光掩模來獲得感光性樹脂的立體形狀，由此能夠實現生產的效率化以及低成本化。
作為多色調光掩模具有的半透光部，可以在透明基板上形成對於曝光光具有規定的透過率的半透光膜，將該半透光膜的一部分用作為半透光部。作為這種半透光部，可以應用曝光光相對於透光部的相移量較小的(例如大於0且90度以下)光學特性的半透光膜。如下方法對於高精細的構圖也是優選的：使應用於半透光部的半透光膜具有規定的光透過率和相移作用(例如相移量為180度±30度)，並提高轉印該半透光膜時的透過光強度分布的對比度或焦深。用於這種光掩模的相移膜也是對於曝光光具有規定的透過率的半透光膜。
當在由這種半透光膜形成的轉印用圖案中的半透光膜的一部分產生黑缺陷或白缺陷時，需要對缺陷進行修正(修理)。該情況下，例如，當在半透光膜的一部分產生白缺陷時，通過在半透光膜的欠缺部分堆積修正膜來修正白缺陷。此外，當在半透光膜的一部分產生黑缺陷時，通過去除半透光膜或附著物並根據需要堆積新的修正膜來修正黑缺陷。但是，不管哪種情況都需要注意已經形成的正常的部分的半透光膜(以下稱作「正常膜」)的光學特性與在修正工序中局部形成的修正膜的光學特性的匹配。這是因為：如果修正膜的光學性質或作用與正常部分的半透光膜不同的話，在某些情況下，存在產生新的白缺陷或黑缺陷的風險。特別是，正常膜與修正膜的光透過率的匹配很重要。
在專利文獻1中記述有如下缺陷修正方法：在包含缺陷區域的區域形成修正膜的工序中，通過在比修正膜的中央部靠周緣側的部分以具有曝光光的透過量大於中央部的區域的方式形成修正膜而對缺陷進行修正。即，在專利文獻1中，以當半透光膜的缺陷部分的形狀和修正膜的形狀不是相同尺寸且不是相同形狀時會產生間隙(白缺陷)或重疊(黑缺陷)作為問題，提出了上述缺陷修正方法。
然而，由於專利文獻1所述的方法是使用fib(focusedionbeam：聚焦離子束)法的缺陷修正方法，因此，存在如下難點：需要使用高真空的腔室，除了修正缺陷花費時間外，難以進行精細地調整成膜材料的供應以及掃描速度並使膜厚均勻化。
在專利文獻2中記述有使用了雷射cvd(chemicalvapordeposition：化學氣相沉積)法的缺陷修正方法。即，在專利文獻2中記述有如下cvd薄膜的形成方法：使從雷射振蕩器射出的雷射通過靜止地設置於光軸前方的開口之後，通過用物鏡進行聚光而照射放置在反應氣體氣氛中的試樣表面，並且，通過使入射到所述開口中的雷射的光軸相對於所述開口擺動從而利用時間平均作用使試樣表面上的照射光強度均勻化。此外，記述了根據該方法，如光掩模的中間色調區域的白缺陷修正那樣，能夠形成對於要求高度的膜厚均勻化的用途優選的cvd薄膜。
但是，根據本發明人的研究，即使利用基於雷射的擺動的時間平均作用使光強度均勻化，之後當雷射的光束通過光學系統時，由於光學系統的像差等變形的影響，還是會產生照射光斑內的雷射的強度產生不均且修正膜產生膜厚分布的傾向。因此，關於進一步抑制了透過率分布的偏差的修正膜的形成，發現還存在進一步改善的餘地。
技術實現要素：
本發明的主要目的在於提供一種技術，在利用雷射cvd法修正在光掩模的轉印用圖案中產生的缺陷時，比以往更能夠利用抑制了透過率分布的偏差的修正膜來修正轉印用圖案的缺陷。
(第1方式)
本發明的第1方式是一種圖案修正方法，
在該圖案修正方法中，對於在基板的主表面上形成有轉印用圖案的光掩模的所述轉印用圖案形成修正膜，其特徵在於，
所述圖案修正方法具有：
確定形成所述修正膜的對象區域的區域確定工序；和
在原料氣體的氣氛中在所述對象區域內照射雷射而形成所述修正膜的成膜工序，
在所述成膜工序中，通過在所述對象區域內照射從雷射振蕩器射出的雷射而形成規定尺寸的單位修正膜，並且，
在所述對象區域內，通過使多個所述單位修正膜各自的一部分彼此重合來形成具有規定膜厚的修正膜。
(第2方式)
本發明的第2方式是根據上述第1方式所述的圖案修正方法，其特徵在於，
在所述成膜工序中，在所述對象區域內照射從雷射振蕩器射出並通過了規定尺寸的光圈後的雷射而在所述基板上形成照射光斑，由此形成規定尺寸的單位修正膜，並且，
在所述對象區域內，通過使所述照射光斑移動並使多個所述單位修正膜各自的一部分彼此重合而形成具有規定膜厚的修正膜。
(第3方式)
本發明的第3方式是根據上述第2方式所述的圖案修正方法，其特徵在於，
所述照射光斑的重合是彼此垂直的兩個方向的重合。
(第4方式)
本發明的第4方式是根據上述第2或第3方式所述的圖案修正方法，其特徵在於，
當設所述照射光斑的重合方向為x方向時，所述照射光斑的所述x方向上的尺寸sx(μm)為0.5≤sx＜3.0。
(第5方式)
本發明的第5方式是根據上述第2～第4方式中的任一個所述的圖案修正方法，其特徵在於，
當設所述照射光斑的重合方向為x方向時，相對於所述照射光斑的所述x方向上的尺寸sx，所述照射光斑的所述x方向上的重合間距px為0.9sx≤px≤0.5sx。
(第6方式)
本發明的第6方式是根據上述第2～第5方式中的任一個所述的圖案修正方法，其特徵在於，
當設所述照射光斑的重合方向為x方向時，所述照射光斑的所述x方向上的重合寬度wx(μm)為0.2≤wx≤1.5。
(第7方式)
本發明的第7方式是根據上述第2～第6方式中的任一個所述的圖案修正方法，其特徵在於，
所述轉印用圖案包含透過曝光光的一部分的半透光部，所述對象區域包含至少一部分所述半透光部。
(第8方式)
本發明的第8方式是根據上述第2～第7方式中的任一個所述的圖案修正方法，其特徵在於，
所述照射光斑是使從所述雷射振蕩器射出的雷射振動之後通過所述光圈照射到所述光掩模的對象區域而形成的。
(第9方式)
本發明的第9方式是根據上述第2～第8方式中的任一個所述的圖案修正方法，其特徵在於，
所述光圈的形狀是正方形。
(第10方式)
本發明的第10方式是光掩模的製造方法，
該光掩模的製造方法包含：在基板的主表面上準備至少具有半透光膜的光掩模坯的工序；對所述半透光膜進行構圖而形成具有轉印用圖案的光掩模的工序；以及對所述轉印用圖案進行修正的修正工序，其特徵在於，
在所述修正工序中，應用上述第1～第9方式中的任一個所述的圖案修正方法來修正所述轉印用圖案。
(第11方式)
本發明的第11方式是光掩模，
該光掩模具有利用修正膜對在基板的主表面上形成的轉印用圖案的一部分進行修正而得的修正轉印用圖案，其特徵在於，
所述轉印用圖案包含半透光部，該半透光部是在所述基板上形成半透光膜而成的，
所述修正轉印用圖案具有修正膜部分，在該修正膜部分中，多個單位修正膜以彼此部分重合的狀態規則地排列，所述多個單位修正膜由尺寸小於所述光掩模的曝光條件下的解析度極限尺寸的cvd膜構成。
(第12方式)
本發明的第12方式是根據上述第11方式所述的光掩模，其特徵在於，
所述單位修正膜在彼此垂直的兩個方向上重合而排列。
(第13方式)
本發明的第13方式是一種修正膜形成裝置，
該修正膜形成裝置對於在基板的主表面上具有轉印用圖案的光掩模的所述轉印用圖案形成修正膜，其特徵在於，所述修正膜形成裝置具有：
雷射振蕩器，其射出雷射；
規定尺寸的光圈，其用於將所述雷射的光束直徑限定為規定的大小；
光學系統，其用於在所述基板上照射通過了所述光圈後的所述雷射，並在所述基板上形成照射光斑；
氣體供應單元，其用於在所述基板上供應原料氣體；以及
移動控制單元，其使所述光學系統與所述基板在與所述基板的主表面平行的面內相對移動，
所述移動控制單元通過使所述光學系統與所述基板相對移動而在所述基板上形成多個規定尺寸的單位修正膜，並且控制所述移動，使得所述多個單位修正膜以一部分彼此重合的方式排列。
(第14方式)
本發明的第14方式是根據上述第13方式所述的修正膜形成裝置，其特徵在於，
所述移動控制單元通過使所述光學系統與所述基板相對移動而控制所述移動，使得所述多個單位修正膜在兩個方向上以彼此重合的方式排列。
(第15方式)
本發明的第15方式是上述第13或第14方式所述的修正膜形成裝置，其特徵在於，
所述移動控制單元使所述光學系統和所述基板中的至少一方相對於另一方相對地以固定的間距以步進重複方式移動。
根據本發明，能夠利用比以往更抑制了透過率分布的偏差的修正膜來修正轉印用圖案的缺陷。
附圖說明
圖1是例示本發明的實施方式的修正膜形成裝置的概要的結構圖。
圖2是示出缺陷的一例的平面圖，其中，(a)示出黑缺陷，(b)示出白缺陷，(c)示出基於前處理的白缺陷。
圖3的(a)～(e)是示出通過光圈的雷射的情況以及形成於該雷射的照射光斑的一部分的單位修正膜的圖。
圖4的(a)是示出在修正對象區域形成單位修正膜的中途的狀態的平面圖，(b)是示出結束單位修正膜的形成後的狀態的平面圖。
圖5是示出成膜例1中的成膜開始時的狀態的圖，其中，(a)是示出雷射的照射狀態的側視概要圖，(b)是示出單位修正膜的形成狀態的平面概要圖。
圖6是示出成膜例1中的成膜中途的狀態的圖，其中，(a)是示出雷射的照射狀態的側視概要圖，(b)是示出單位修正膜的形成狀態的平面概要圖。
圖7是示出成膜例1中的成膜結束時的狀態的圖，其中，(a)是示出雷射的照射狀態的側視概要圖，(b)是示出單位修正膜的形成狀態的平面概要圖。
圖8是示出成膜例2中的成膜開始時的狀態的圖，其中，(a)是示出雷射的照射狀態的側視概要圖，(b)是示出單位修正膜的形成狀態的平面概要圖。
圖9是示出成膜例2中的成膜中途的狀態的圖，其中，(a)是示出雷射的照射狀態的側視概要圖，(b)是示出單位修正膜的形成狀態的平面概要圖。
圖10是示出成膜例2中的成膜結束時的狀態的圖，其中，(a)是示出雷射的照射狀態的側視概要圖，(b)是示出單位修正膜的形成狀態的平面概要圖。
標號說明
1：修正膜形成裝置；
4：光掩模；
7：移動控制部；
15：束掃描單元；
25：可變光圈；
26：物鏡；
51：半透光部；
52：黑缺陷；
53：白缺陷；
54：修正對象區域；
58：單位修正膜；
lb：雷射。
具體實施方式
在本發明的實施方式中，
該圖案修正方法是對於在基板的主表面上形成有轉印用圖案的光掩模的所述轉印用圖案形成修正膜的方法，其特徵在於，
所述圖案修正方法具有：
確定形成所述修正膜的對象區域區域的確定工序；和
在原料氣體的氣氛中在所述對象區域內照射雷射而形成所述修正膜的成膜工序，
在所述成膜工序中，通過在所述對象區域內照射從雷射振蕩器射出的雷射而形成規定尺寸的單位修正膜，並且，
在所述對象區域內，通過使多個所述單位修正膜各自的一部分彼此重合來形成具有規定膜厚的修正膜，利用該修正膜來修正轉印用圖案。
此外，優選的是，
在所述成膜工序中，通過在所述對象區域內照射從雷射振蕩器射出並通過了規定尺寸的光圈後的雷射而在所述基板上形成照射光斑，由此形成規定尺寸的單位修正膜，並且，
在所述對象區域內，通過使所述照射光斑移動並使多個所述單位修正膜各自的一部分彼此重合而形成具有規定膜厚的修正膜。
作為能夠應用於這種圖案修正方法的修正膜形成裝置，可以使用具有下述結構的修正膜形成裝置。
即，
該修正膜形成裝置對在基板的主表面上具有轉印用圖案的光掩模的所述轉印用圖案形成修正膜，其特徵在於，所述修正膜形成裝置具有：
雷射振蕩器，其射出雷射；
規定尺寸的光圈，其用於將所述雷射的光束直徑限定為規定的大小；
光學系統，其用於在所述基板上照射通過了所述光圈後的所述雷射，並在所述基板上形成照射光斑；
氣體供應單元，其用於在所述基板上供應原料氣體；以及
移動控制單元，其使所述光學系統與所述基板在與所述基板的主表面平行的面內相對移動，
所述移動控制單元通過使所述光學系統與所述基板相對移動而在所述基板上形成多個規定尺寸的單位修正膜，並且控制所述移動，使得所述多個單位修正膜以一部分彼此重合的方式排列。
(修正膜形成裝置)
圖1是例示本發明的實施方式的修正膜形成裝置的概要的結構圖。但是，本發明的修正膜形成裝置不限於圖示的裝置結構。
修正膜形成裝置1是能夠利用雷射cvd法形成局部的修正膜(也稱作cvd膜)的裝置。在光掩模的轉印用圖案中產生的缺陷有透過率低於允許值的黑缺陷和透過率高於允許值的白缺陷。黑缺陷是因膜圖案的多餘或異物的附著等而產生的缺陷，也稱作多餘缺陷。白缺陷是因膜圖案的不足、欠缺等而產生的缺陷，也稱作欠缺缺陷。修正膜形成裝置1形成為能夠分別進行去除黑缺陷和向白缺陷部堆積修正膜的結構。光掩模是通過在基板的主表面上形成轉印用圖案而形成的。在之後的說明中，將形成有該轉印用圖案的基板也稱作光掩模基板。
修正膜形成裝置1主要具有：用於形成膜的雷射光學系統2；用於去除膜的雷射光學系統3；將從各個雷射光學系統2、3射出的雷射(雷射束)lb引導至光掩模(光掩模基板)4上的光學系統5；供應作為修正膜的原料的原料氣體的氣體供應系統6；以及使光掩模4移動並控制該移動的移動控制部7。
用於形成膜的雷射光學系統2具有雷射振蕩器(cvdlaser：cvd雷射器)11、光束擴展器12、準直透鏡13、衰減器14和束掃描單元15。在該雷射光學系統2中，從雷射振蕩器11射出的雷射lb的光束直徑(以下也稱作「束徑」)由光束擴展器12放大。利用準直透鏡13使得通過光束擴展器12後的雷射lb成為平行狀態。此外，透過準直透鏡13的雷射lb在由衰減器14調節成適當的輸出之後，利用束掃描單元15進行振動。基於束掃描單元15的雷射lb的振動是通過以規定的振幅使雷射lb的光軸振動而進行的。
用於去除膜的雷射光學系統3具有雷射振蕩器(zaplaser：zap雷射器)16、光束擴展器17、準直透鏡18和衰減器19。在該雷射光學系統3中，從雷射振蕩器16射出的雷射lb的光束直徑由光束擴展器17放大。利用準直透鏡18使得通過光束擴展器17後的雷射lb成為平行狀態。此外，透過準直透鏡18的雷射lb由衰減器19調節成適當的輸出。
光學系統5具有4個稜鏡21～24、可變光圈25和物鏡26。稜鏡21～24分別使雷射lb垂直地反射。即，稜鏡21使從雷射光學系統2射出的雷射lb垂直地反射，稜鏡22使由稜鏡21反射的雷射lb透過並使從雷射光學系統3射出的雷射lb垂直地反射。此外，稜鏡23使通過可變光圈25後的雷射lb垂直地反射，稜鏡24使由稜鏡23反射後的雷射lb垂直地反射。可變光圈25用於將由稜鏡21或稜鏡22反射後的雷射lb的光束直徑限定為規定的大小。可變光圈25構成為能夠變更用於限制雷射lb的通過的光圈的尺寸(開口尺寸)。
此外，反射照明27、攝像元件(ccd)28和透過照明29附屬於光學系統5。反射照明27用於通過稜鏡23、24和物鏡26對光掩模4照射照明光，並讓攝像元件28拍攝從光掩模4返回的反射光。透過照明29用於從光掩模4的背面側(轉印用圖案的形成面的相反側)對光掩模4照射照明光，並讓攝像元件28拍攝通過了光掩模4後的透過光。
氣體供應系統6具有載氣供應管31、原料箱32、原料氣體供應管33和氣幕單元34。載氣供應管31用於向原料箱32供應由惰性氣體構成的載氣(例如，氬氣)。原料箱32用於利用加熱使在修正膜的形成中使用的原料升華，通過使由此而氣體化後的原料與載氣混合而生成原料氣體。原料氣體供應管33用於從原料箱32朝向氣幕單元34供應原料氣體。氣幕單元34從上部朝著光掩模面噴出原料氣體，並從氣幕單元34周圍部的排氣孔抽吸氣體，由此來調節原料氣體的供應和排氣的差壓並將光掩模4的修正對象部分作為原料氣體氣氛35。如果在該原料氣體氣氛35下對光掩模4的主表面上照射基於雷射光學系統2的雷射lb，則在該處會形成照射光斑，並且，與該照射光斑的尺寸和形狀對應地會形成修正膜。作為修正膜的原料，優選使用金屬羰基。具體而言，例示出羰基鉻(cr(co)6)、鉬羰基(mo(co)6)、鎢羰基(w(co)6)等。作為光掩模的修正膜，優選使用耐藥性較高的羰基鉻。
移動控制部7形成為如下結構：能夠在將光掩模(光掩模基板)4載置並支承於未圖示的載物臺上的狀態下使光掩模4與該載物臺一體地在水平面內向x方向和y方向(與x方向垂直的方向)移動並控制該移動。該情況下，由於光掩模4與載物臺一體地移動，因此，使光掩模4移動和使載物臺移動實質上是意思相同的。
移動控制部7能夠使支承光掩模4的載物臺分別向x方向和y方向以所期望的間距(pitch)精細地移動。由此，當在光掩模4的主表面上形成有雷射lb的照射光斑時，能夠利用載物臺向x方向或y方向的移動(微動)而使照射光斑的位置依次移動並在缺陷修正的整個對象區域形成修正膜。該情況下，移動控制部7能夠以如下方式來控制光掩模4的移動：使支承於載物臺上的光掩模4例如向x方向以步進重複(stepandrepeat)方式移動，並且，按照規定數量的步進重複來使光掩模4向y方向依次移動，反覆進行該組合。
但是，光掩模4的主表面上形成的照射光斑是隨著光掩模(光掩模基板)4和光學系5的相對移動而移動的。因此，移動控制部7隻要在與光掩模4的主表面平行的面內使光學系5和光掩模4相對移動即可。因此，關於照射光斑的移動，也可以使引導雷射lb的光學系統5向x方向和y方向移動，來代替如上所述地使光掩模4向x方向和y方向移動。或者，也可以採用使光掩模4向x方向和y方向上的任意一個方向移動並使光學系統5向另一方向移動的結構。
(圖案修正方法)
本發明的實施方式的圖案修正方法是應用於對光掩模具有的轉印用圖案進行修正的修正工序的方法，其中，具有下述區域確定工序和成膜工序。
(區域確定工序)
在區域確定工序中，對在光掩模基板上形成的轉印用圖案中通過形成修正膜而進行缺陷的修正的對象區域(以下也稱作「修正對象區域」)進行確定。此時，優選的是，根據需要進行下述前處理。
(前處理)
在此，對當包含在光掩模的轉印用圖案中的半透光部中產生缺陷時對該半透光部的缺陷進行修正的情況進行說明。該情況下，根據需要來進行把缺陷部分變成容易實施修正的白缺陷的前處理。在本方式中，半透光部是指透過光掩模的曝光中使用的曝光光的一部分的部分，也有時被稱作中間色調部或灰色調部。例如是通過在透明的光掩模基板上形成半透光膜(透過曝光光的一部分的具有規定的透過率的光學膜)而成的區域。作為在該半透光部中產生的缺陷的具體例，如圖2的(a)所示，可以考慮到在半透光部51的一部分產生黑缺陷52的情況，或者，如圖2的(b)所示，可以考慮到在半透光部51的一部分產生白缺陷53的情況。黑缺陷52為由於在形成半透光部51的半透光膜上附著有遮光膜或其它異物而表現出比對半透光部51設定的透過率低的透過率的缺陷。白缺陷53為由於形成半透光部51的半透光膜的一部分脫落而表現出比對半透光部51設定的透過率高的透過率的缺陷。在針對黑缺陷52的前處理中，去除所附著的異物，並根據需要將位於缺陷部分周圍的正常的半透光膜(正常膜)的一部分去除，預先形成方便進行修正工序的形狀的白缺陷。優選的是，在針對白缺陷53的前處理中，也將缺陷近傍的半透光膜的一部分去除，調整缺陷的形狀。
在膜去除中應用雷射燒蝕。具體而言，利用光束擴展器17將從雷射振蕩器16射出的雷射lb放大為規定的束徑，進而，在利用衰減器19調節輸出之後，在利用可變光圈25限定成適當的束徑的狀態下在光掩模4上照射雷射lb。由此在被照射雷射lb的部分將半透光膜去除。因此，作為方便進行修正工序的形狀，例如如圖2的(c)所示，以比上述黑缺陷52或白缺陷53的實際尺寸大一圈的尺寸形成四邊形(優選為正方形或矩形)的白缺陷，將該白缺陷的形成區域確定為修正對象區域54。
另外，在不進行基於膜去除的前處理的情況下，也可以將通過缺陷檢查發現的缺陷部分(黑缺陷或白缺陷)直接確定為修正對象區域。
此外，在進行前處理的情況下，也可以在下述成膜工序中開始形成修正膜的開始位置附近預備地形成修正膜的基底膜。基底膜用於促進成膜工序開始時的雷射lb的吸收，並成為使修正膜成長的起點。因此，能夠期待對高效且穩定的修正膜的形成有幫助。
(成膜工序)
在成膜工序中，針對在上述區域確定工序中確定出的修正對象區域54形成修正膜(參照圖1、圖3～圖10)。
在膜形成中應用雷射cvd法。具體而言，利用光束擴展器12將從雷射振蕩器11射出的雷射lb放大為規定的束徑，進而，在利用衰減器14調節輸出之後，在利用可變光圈25限定成適當的束徑的狀態下對光掩模4上照射雷射lb。此時，也可以利用光束擴展器12預先放大雷射lb的光束直徑，使得入射到可變光圈25的雷射lb的光束直徑與可變光圈25的光圈尺寸相比足夠大。或者，也可以使雷射lb的光束直徑小於光圈尺寸。無論在哪種情況下，都可以利用束掃描單元15使雷射lb振動並使通過可變光圈的光強度均勻化，使得雷射lb在可變光圈25上以規定的振幅振動。另一方面，通過利用氣體供應系統6對光掩模4上供應原料氣體而使得光掩模4上成為原料氣體氣氛35。由此，在被照射雷射lb的部分形成由cvd膜構成的修正膜。
在這樣形成修正膜時，掌握待形成的修正膜的光學特性(光透過率等)，並預先研究待堆積的規定膜厚。在本實施方式中，規定膜厚意味著在修正對象區域中形成的修正膜根據位置不同而具有不同的膜厚的情況下該膜厚的範圍。該膜厚是基於修正對象光掩模具有的半透光膜(正常膜)的光透過率來決定的，並根據該膜厚來設定修正膜的形成條件。
修正膜的膜成長受到由於雷射產生的光能和熱能的強度分布的影響。因此，要將雷射lb調節成適當的輸出這當然不用說，使遍及形成修正膜的整個區域地照射的雷射lb的強度在一定的範圍內也至關重要。保持從雷射振蕩器11射出的狀態的雷射lb的光束的中心部分具有強度比周緣部分大的分布。因此，單位修正膜的膜厚在中心部分容易比周緣部分更大。在本實施方式中，針對修正對象區域反覆形成多個相對尺寸較小的單位修正膜，並將這多個單位修正膜排列在整個對象區域，從而大幅減小了對象區域的膜厚分布對轉印造成的影響。以下，對成膜工序中所應用的具體的成膜例進行說明。
(成膜例1)
首先，使用圖1、圖3～圖7對成膜例的一個方式進行說明。
作為在成膜例1中應用的優選的具體方法，使雷射lb的光束入射到設定成規定的光圈尺寸(開口尺寸)的可變光圈25，利用可變光圈25的尺寸來限制該光束的直徑。例如，如圖1所示，當設馬上要入射到可變光圈25中的x方向的雷射lb的光束直徑為lx(μm)時，將可變光圈25的x方向的光圈尺寸ax設定得與上述lx相比足夠小。並且，優選的是，利用可變光圈25對光束直徑的限定使得只有包含雷射束的中心附近在內的光束的一部分通過而成為較小的直徑的光束。更優選的是，成為包含雷射束的中心的光束。此時，使雷射lb的光束的一部分通過的可變光圈25的光圈形狀可以形成為四邊形(正方形、矩形)或縫隙狀。在本方式中，對使用正方形的光圈的示例進行說明。
關於可變光圈25的光圈尺寸，優選的是，規定該光圈形狀的正方形的一邊(矩形的情況下為短邊)為50μm以上且不足300μm，更優選的是，100μm以上且不足250μm。在本方式中，設正方形的光圈的一邊的尺寸為200μm。在此，在後述的重合中，設重合方向為x方向，x方向上的光圈尺寸為ax(μm)時，該光圈尺寸ax(μm)與雷射在上述x方向上的光束直徑lx(μm)的關係方面滿足下述(1)式，優選的是，滿足下述(2)式。此外，光圈尺寸ax(μm)滿足下述(3)式，更優選的是，滿足下述(4)式。
ax＜lx…(1)
ax≤0.5lx…(2)
20≤ax＜600…(3)
100≤ax＜400…(4)
這樣，通過僅切取雷射lb的光束中的一部分而形成相對較小的直徑的光束，能夠將由於之後雷射lb通過的光學系統的像差等變形的影響抑制得較小。此外，優選的是，使得僅通過雷射lb的光束中心附近，能夠選擇性地使用光強度分布比較平坦的部分的光束。
此外，作為優選的方式，如圖1所示，利用光束擴展器12將從雷射振蕩器11射出的雷射lb放大為所期望的直徑，在利用衰減器14進行輸出調節之後，使雷射lb通過可變光圈25。此外，通過以可變光圈25的光圈尺寸以上的寬度使入射到可變光圈25中的雷射lb振動，能夠擴大入射到可變光圈25中的雷射lb的光束直徑，並且，使該光束中的光強度分布更接近平坦。該情況下，馬上要入射到可變光圈25中之前的、x方向上的雷射的光束直徑(lx)成為包含了基于振動的雷射的擴徑量的尺寸，即使在該情況下，也滿足「ax＜lx」的條件。圖3的(a)～(e)示出該情況。另外，圖3的(a)～(d)用側視觀察時的圖像來表述，圖3的(e)用俯視觀察時的圖像來表述。
首先，當使入射到可變光圈25的雷射lb振動時，雷射lb的光束直徑實質上是在其振動方向(x方向)上擴展(圖3的(a))。因此，使得在規定時間內入射到光圈部分的雷射lb的光量分布56與原來的光強度分布55相比均勻化(平坦化)。此外，在可變光圈25中，光量分布均勻化後的雷射lb的一部分以與光圈尺寸ax實質上相同的大小的光束直徑通過(圖3的(b))。由此，利用可變光圈25對雷射束的限制而使得雷射lb的光量分布57更加均勻。
然後，通過可變光圈25從而光束直徑縮小的雷射lb通過稜鏡23、24(圖1)和物鏡26等光學系統(圖3的(c))而照射到未圖示的光掩模上的修正對象區域54(圖4)。由此在修正對象區域54形成雷射lb的照射光斑。並且，在該照射光斑的形成部位形成單位修正膜58。照射光斑的形狀形成為與光圈形狀大致相似的形狀。此外，照射光斑的尺寸小於光圈尺寸。這是因為：通過了可變光圈25後的雷射lb由物鏡26聚光而使得其光束受限(圖3的(d))。單位修正膜58的形狀和尺寸與照射光斑的形狀和尺寸大致相等(圖3的(e))。
優選的是，照射光斑的尺寸小於修正後的光掩模曝光時使用的曝光裝置的解析度極限尺寸。由於fpd(平板顯示器)用的曝光裝置的解析度極限尺寸為3μm左右，因此，優選的是，形成小於3μm左右的尺寸的照射光斑。例如，可以設照射光斑的尺寸(例如，x方向上的照射光斑的尺寸)為光圈的尺寸(例如，x方向上的光圈的尺寸)的1/300～1/10左右，更優選為1/200～1/100。到達光掩模4的主表面的雷射lb的光束受到光學系統所具有的像差等的影響而導致光強容易產生偏差。但是，在本實施方式中，利用可變光圈25和物鏡26充分縮小了利用束掃描單元15進行振動後的雷射lb的光束直徑，因此，能夠將因光學系統引起的變形抑制得非常小。
如上所述，通過氣體供應系統6對形成有照射光斑的光掩模4的主表面供應作為修正膜的原料的原料氣體而形成了原料氣體氣氛35。例如，在修正膜的原料中使用了羰基鉻的情況下，通過在原料箱32內加熱六羰基鉻(cr(co)6)使其升華而將其與載氣(ar氣體)一同引導至光掩模4的修正對象部分。於是，利用含有鉻的原料氣體而使得在形成有照射光斑的光掩模4的修正對象部分上形成原料氣體氣氛35。當在該原料氣體氣氛35中通過照射雷射lb而形成照射光斑時，利用雷射的熱能/光能反應，原料氣體分解，從而使得鉻堆積在照射光斑的部分。由此，在修正對象部分上的照射光斑的部分形成以鉻為主要材料的修正膜。
在此，在本實施方式中，不是利用1次雷射照射在光掩模4的主表面上確定出的整個修正對象區域54形成修正膜，而是將由1次雷射照射形成的修正膜的尺寸設成小於修正對象區域54的尺寸的規定尺寸，在修正對象區域54內以規定的排列形成多個以該規定尺寸的修正膜為一個單位的單位修正膜。排列單位修正膜的方向可以是x方向和y方向中的任意一個方向(本實施方式中為x方向)，也可以是兩個方向。在本實施方式中，例舉在x方向和y方向雙方向上排列單位修正膜的情況進行說明。此外，在本實施方式中，針對1個單位修正膜，可以從第1方向、以及與該第1方向不同的第2方向分別使單位修正膜的一部分重合。此外，還可以使第1方向(例如設為x方向)與第2方向(例如y方向)彼此垂直。
該情況下，在成膜例1中，如圖4的(a)所示，以光掩模4上確定出的修正對象區域54的1個角部作為膜形成的開始位置，從該處起向x方向以依次重合的方式形成多個單位修正膜58，從而形成第1列單位修正膜58。接下來，使膜形成的位置在y方向上錯開，與第1列相同地形成第2列單位修正膜58。之後，直到最終列為止，反覆進行相同的膜形成，由此，如圖4的(b)所示，在整個修正對象區域54形成由多個單位修正膜58構成的修正膜。優選的是，在第2列單位修正膜與第1列單位修正膜58一部分重合的情況下進行成膜。
此外，在本實施方式中，如上所述那樣在修正對象區域54內形成多個單位修正膜58的情況下，通過使多個單位修正膜58各自的一部分依次彼此重合而形成具有規定膜厚的修正膜。該情況下，移動控制部7通過以如下方式控制光掩模4的移動來實現單位修正膜58彼此的重合：使得在某個定時在修正對象區域54內形成的照射光斑的位置與在該定時外的另一定時在修正對象區域54內形成的照射光斑的位置在x方向和y方向中的至少一個方向上彼此重合。例如，在修正對象區域54內，在使多個單位修正膜58在x方向上排列且使各個單位修正膜58的一部分依次彼此重合的情況下，使光掩模4相對於作為該重合方向的x方向以步進重複的方式移動。此時，當使光掩模4以小於x方向上的照射光斑的尺寸sx(μm)的固定的間距進行步進重複移動時，照射光斑的位置與之相一致地向x方向移動(shift)，並且在1個步進(step)的移動前後，照射光斑的位置成為相互重合的狀態。因此，多個單位修正膜58形成為在x方向上部分地重合。另外，不僅x方向，在y方向上也可以進行基於照射光斑的移動的單位修正膜58的重合。
在成膜工序中，可以在適當地控制支承光掩模4的載物臺的間歇移動、或者光學系統的間歇移動、或者這兩者的情況下來進行依次形成各個單位修正膜58並移動單位修正膜58的形成位置的處理。例如，在使載物臺向x方向以步進重複方式(stepandrepeat)移動的情況下，載物臺反覆進行移動和停止，因此，僅在停止期間中進行雷射lb的照射，而在移動期間中使雷射輸出為零。由此能夠與載物臺的停止期間同步而間歇地形成單位修正膜58。此外，能夠以在x方向上排列多個單位修正膜58的方式依次形成各個單位修正膜58。這樣，如果完成x方向上的第1列單位修正膜58的形成，則使載物臺向y方向移動1個步進的量之後，再在x方向上形成第2列單位修正膜58。該情況下，在x方向上，也可以將開始第2列單位修正膜58的形成的位置設定成與開始第1列單位修正膜58的形成的位置對應的位置，也可以設定成與結束第1列單位修正膜58的形成的位置對應的位置。在上述圖4的(a)中，示出從與結束第1列單位修正膜58的形成的位置對應的位置起開始第2列單位修正膜58的形成的示例。該情況下，x方向上的光掩模基板的移動方向在第1列與第2列是相反的。
此外，在本實施方式中，設可變光圈25的光圈形狀為正方形，對光掩模4的主表面照射效仿該光圈形狀進行整形後的雷射lb。因此，在光掩模4上的修正對象區域54形成大致正方形的單位修正膜58(圖5的(a)、(b))。此外，在本實施方式中，使通過單位時間的雷射lb的照射而形成的單位修正膜58在x方向和y方向雙方向上依次彼此部分重合而排列。由此在光掩模4的整個修正對象區域54形成由多個單位修正膜58構成的修正膜(圖4的(a)、(b))。
該情況下，以照射光斑的重合方向作為x方向，設x方向上的光圈尺寸為ax(μm)，x方向上的照射光斑的尺寸為sx(μm)時，優選的是，調節ax，使得該sx滿足下述(5)式，更優選的是滿足下述(6)式。
0.5≤sx＜3.0…(5)
1≤sx＜2.5…(6)
此外，以照射光斑的重合方向作為x方向時，優選的是，x方向上的照射光斑的重合間距px相對於x方向上的照射光斑的尺寸sx(μm)滿足下述(7)式，x方向上的照射光斑的重合寬度wx(μm)滿足下述(8)式。
0.9sx≥px≥0.5sx…(7)
0.1sx≤wx≤0.5sx…(8)
照射光斑的重合間距是指，用於使在照射光斑的位置上形成的單位修正膜彼此重合的、照射光斑的重合的間距。此外，照射光斑的重合寬度是指，用於使在照射光斑的位置上形成的單位修正膜彼此重合的、照射光斑的重合的寬度。
在成膜例1中，採用如下方式：在使光掩模基板向x方向以步進重複方式移動的情況下，通過以mx＜sx的條件來設定1個步進的量的移動間距(進給間距)mx(μm)，從而使多個單位修正膜58依次在x方向上重合。該情況下，x方向上的照射光斑的重合間距px成為與移動間距mx相同的值，上述wx的值成為從sx中減去mx而得到的值。
在本實施方式中，作為優選的一個示例，如下述(9)式那樣設定x方向上的照射光斑的重合間距px與x方向上的照射光斑的尺寸sx之間的關係。
px＝0.5sx…(9)
該情況下，上述移動控制部7使光掩模4以與重合間距px相同的固定的移動間距mx在x方向以步進重複方式移動，由此如圖6的(a)、(b)所示，能夠使照射光斑(單位修正膜58)在修正對象區域54內以在x方向每1/2依次重合的方式排列。在本方式中，設照射光斑的尺寸sx為2μm，通過在x方向使照射光斑重合每個該尺寸的1/2而使得照射光斑的重合寬度wx成為1μm。優選的是，具體的重合寬度wx(μm)滿足下述(10)式。
0.2≤wx≤1.5…(10)
進而，如果x方向的第1列排列完成，則移動控制部7使光掩模4向y方向移動1個步進的量，以使光掩模基板與光學系的相對位置在y方向上錯開。然後，與第1列相同地，在x方向的第2列也依次形成(排列)單位修正膜。此時，在y方向上也使單位修正膜的一部分彼此重合。即，與上述x方向的重合成膜同樣地，在以照射光斑的重合方向作為y方向、設y方向上的光圈尺寸為ay(μm)、設馬上要入射到可變光圈25之前的y方向的雷射的光束直徑為ly(μm)時，光圈尺寸ay(μm)滿足下述(11)式，優選的是滿足下述(12)式，就數值範圍而言，滿足下述(13)式，更優選的是滿足下述(14)式。
ay＜ly…(11)
ay≤0.5ly…(12)
20≤ay＜600…(13)
100≤ay＜400…(14)
此外，設y方向上的照射光斑的尺寸為sy(μm)時，優選的是，調節ay，使得該sy滿足下述(15)式，更優選的是滿足下述(16)式。
0.5≤sy＜3…(15)
1≤sy＜2.5…(16)
此外，優選的是，y方向上的照射光斑的重合間距py相對於y方向上的照射光斑的尺寸sy(μm)滿足下述(17)式，y方向上的照射光斑的重合寬度wy(μm)滿足下述(18)式。
0.9sy≥py≥0.5sy…(17)
0.1sy≤wy≤0.5sy…(18)
在成膜例1中，採用如下方式：在使光掩模基板向y方向移動時，通過以my＜sy的條件來設定1個步進的量的移動間距(進給間距)my(μm)，從而使多個單位修正膜58在y方向上重合。該情況下，y方向上的照射光斑的重合間距py成為與移動間距my相同的值，上述wy的值成為從sy中減去my而得的值。
此外，優選的是，如下述(19)式那樣來設定y方向上的照射光斑的重合間距py與y方向上的照射光斑的尺寸sy之間的關係。
py＝0.5sy…(19)
該情況下，上述移動控制部7使支承光掩模4的載物臺以與重合py相同的移動間距my向y方向移動1個步進的量，由此能夠使照射光斑(單位修正膜)在修正對象區域內在y方向以每個1/2重合的方式排列。在本方式中，設照射光斑的尺寸sy為2μm，通過在y方向使照射光斑重合每個該尺寸的1/2而使得照射光斑的重合寬度wy成為1μm。優選的是，具體的重合寬度wy(μm)滿足下述(20)式。
0.2≤wy≤1.5…(20)
其結果是，如圖7(a)、(b)所示，在光掩模4上的修正對象區域54形成由在x方向和y方向上規則地排列的多個單位修正膜58構成的修正膜。關於該修正膜，單位修正膜58的重合的層數在外緣部與中央部不同。即，在修正膜的外緣部處，四角的部分為單位修正膜58的1重膜(單層膜)58a，四角以外的部分為單位修正膜58的雙重膜(2層膜)58b。另一方面，修正膜的中央部(外緣部以外的、比外緣部更靠內側的部分)為單位修正膜58的4重膜(4層膜)58c。該情況下，關於曝光光的透過率，可以預先調節修正膜(單位修正膜58)的成膜條件(例如，雷射的輸出、或原料氣體的供應量等)，使得作為4重膜58c的部分成為與正常的半透光膜相同的透過率。
這樣，只要排列多個相比於修正對象區域54具有足夠小的尺寸的單位修正膜58來形成修正膜，即使由於光學系統的像差的影響而在雷射的照射光斑產生光強度的變形，通過採用較小尺寸的單位修正膜58，也能夠相對縮小該影響。因此，能夠將因照射光斑內的光強度不均引起的修正膜的膜厚分布的偏差抑制得較小。此外，通過在修正對象區域54排列多個單位修正膜58，能夠在整個修正對象區域54使修正膜的厚度的不均勻平均化。而且，通過使單位修正膜58部分地重合能夠進一步提高平均化的效果。其結果是，能夠在修正對象區域54抑制由於修正膜的膜厚變動導致的透過率分布的偏差。
此外，在本實施方式中，光掩模4上形成的照射光斑的尺寸小於光掩模4的曝光中使用的曝光裝置的曝光極限尺寸(3μm左右)，並且，設定可變光圈25的光圈尺寸(ax，ay)和物鏡26的倍率以供應在照射光斑上堆積修正膜所需的雷射的光和/或熱。由此，能夠獲得如下優點：能夠高效地形成單位修正膜，同時，即使在各個單位修正膜內產生膜厚分布且由此導致曝光的透過率產生偏差的情況下，只要使該偏差的反覆單位小於曝光裝置的解析度限界尺寸，就不會在由曝光裝置轉印而成的像中有形的存在。換而言之，在確定光圈尺寸等時，或者至少在確定重合寬度wy時，優選設為曝光裝置的解析度極限尺寸以下，更優選設為曝光裝置的解析度極限尺寸的2/3以下。
此外，優選的是，在修正對象區域54形成的修正膜的規定膜厚處於單位修正膜58的1倍～9倍的範圍內，更優選的是，處於1倍～4倍的範圍內。優選的是，修正對象區域54的中央部的修正膜的最高膜厚處於單位修正膜58的2倍～9倍的範圍內，更優選的是，處於2倍～4倍的範圍內。
另外，本實施方式的情況下，如圖7的(b)所示，當在修正對象區域54形成多個單位修正膜58而完成了整個修正膜時，修正膜的外緣部為1層(1重)或2層(2重)的單位修正膜(58a，58b)，除了外緣部外的中央部全部為4層(4重)的單位修正膜(58c)。因此，以使修正膜的中央部成為所期望的光透過率的方式設定膜質和膜厚而進行成膜工序，由此使得在修正對象區域54形成的修正膜的中央部(修正膜的大致整體)成為所期望的光透過率。
此外，假定在光掩模4的轉印用圖案中半透光部51的修正對象區域54與遮光部相鄰的情況下，只要形成修正膜使得上述外緣部在遮光部上重疊即可。此外，在半透光部51的修正對象區域54與透光部(透明基板露出的部分)相鄰的情況下，只要利用單位修正膜58相互的重合在修正膜的中央部形成4重的層疊膜並利用雷射燒蝕去除修正膜的外緣部即可。另一方面，如圖4的(a)中例示的那樣，在修正對象區域54與作為正常的半透光膜的半透光部51相鄰的情況下，有時修正膜的外緣部的一部分會與正常的半透光膜重合，或者，有時會在雙方之間產生間隙。該情況下，當使修正膜的外緣部的一部分與正常膜重合，並且該重合寬度足夠小(與曝光裝置的解析度極限尺寸比較)時，不會產生問題。這是因為：單位修正膜的膜厚小於正常膜的膜厚。
此外，在將光圈的形狀設成矩形來代替正方形的情況下，光圈的尺寸為ax≠ay。該情況下，在光圈的長邊和短邊中的至少任意一方(調節成照射光斑的尺寸不足3μm)的方向上重合的情況是優選的，或者，優選的是，長邊與短邊的比(長邊/短邊)為3以下。此外，即使光圈的形狀是矩形，上述(1)式～(20)式也符合優選的條件。
在上述成膜工序中，優選的是，從雷射振蕩器11射出例如脈衝寬度為40ns以下、每1脈衝的照射能量密度為40mj/cm2以上、振蕩波長具有第三諧波(355nm)或第四諧波(266nm)的雷射lb並使用該雷射lb。而且，在移動控制部7使光掩模4以步進重複方式移動時，優選的是，將停止期間中的雷射lb的照射時間設成0.1sec～1.0sec。
利用以上的成膜工序能夠形成抑制了透過率分布的偏差的修正膜，並且，能夠使該修正膜的部分具有與正常的半透光部同等的功能。
(成膜例2)
接下來，使用圖8～圖10對成膜例的另一方式進行說明。
與前述的成膜例1不同的方面在於：在修正對象區域54中形成由多個單位修正膜58構成的修正膜時，使該修正膜的中央部為雙重膜來代替4重膜。成膜例2中應用的光圈形狀與成膜例1相同，形成為一邊的尺寸(以下稱作「ap」)為200μm的正方形。因此，單位修正膜58的形狀形成為與光圈形狀大致相似的形狀。此外，如果設定物鏡26的倍率使得照射光斑的尺寸為光圈尺寸的1/100，則單位修正膜58的尺寸在x方向和y方向上均為2μm。
在實際上使用具有上述光圈形狀和光圈尺寸的可變光圈25在修正對象區域54形成多個單位修正膜58時，使第1層單位修正膜58和第2層單位修正膜58在x方向和y方向上分別部分地重合。具體如以下那樣來形成。
(第1層)
首先，在形成第1層單位修正膜58時，將修正對象區域54的一個角部作為膜形成的開始位置，通過對該處照射雷射lb而形成單位修正膜58(圖8的(a)、(b))。此時，x方向和y方向上的單位修正膜58的尺寸與照射光斑的尺寸sx、sy相等。接下來，通過使光掩模基板向x方向和y方向適當移動而在整個修正對象區域54呈矩陣狀地排列形成第1層單位修正膜58。此時，以mx＝sx的條件來設定使光掩模基板向x方向以步進重複方式移動時的、1個步進的量的移動間距(進給間距)mx(μm)。此外，以my＝sy的條件來設定使光掩模基板向y方向移動時的、1個步進的量的移動間距(進給間距)my(μm)。由此在x方向和y方向上以彼此相鄰的方式形成第1層單位修正膜58。此外，在整個修正對象區域54以單層且規則地排列形成第1層單位修正膜58(圖9的(a)、(b))。
另外，在x方向和y方向上的光圈的尺寸ap分別為200μm且x方向和y方向上的照射光斑的尺寸sx、sy分別為光圈尺寸的1/100的情況下，以mx＝2μm的條件來設定x方向的1個步進的移動間距，並且，以my＝2μm的條件來設定y方向的1個步進的移動間距，由此能夠以上述圖9的(b)所示的排列來形成多個單位修正膜58。
(第2層)
接下來，在形成第2層單位修正膜58時，在x方向和y方向上，相對於第1層膜形成開始位置，以使第2層膜形成開始位置各錯開規定量的方式來進行設定。即，在x方向上，以使膜形成開始位置錯開與上述sx(μm)的1/2相當的量的方式進行設定，在y方向上，以使膜形成開始位置錯開與上述sy(μm)的1/2相當的量的方式進行設定。並且，從該設定好的膜形成開始位置起，應用與第1層相同的條件(mx＝sx，my＝sy)來形成第2層單位修正膜58。由此通過使第2層單位修正膜58重合於第1層單位修正膜58上而形成(圖10的(a)、(b))。
該情況下，照射光斑的重合間距(px，py)為與第1層和第2層膜的膜形成開始位置的偏移量對應的值。此外，單位修正膜58彼此的重合寬度(wx，wy)無論在x方向還是y方向上都為單位修正膜58的尺寸的1/2。此外，在修正對象區域54形成有由多個單位修正膜58構成的修正膜的情況下，該修正膜的外緣部為單位修正膜58的單重膜(單層膜)58a，除了外緣部外的中央部為單位修正膜58的雙重膜(2層膜)58b。
在成膜例2中，關於光圈的尺寸或要應用的雷射的性質等，除了上述特別記載的內容以外，可以應用與上述成膜例1相同的。並且，關於通過成膜例2獲得的修正膜，也與上述成膜例1的修正膜相同，能夠使透過率的分布均勻化，實現與正常的半透光膜同等的功能。
但是，本發明不限於上述成膜例1和成膜例2，只要不損害本發明的作用效果，當然可以應用其它成膜例。
此外，在上述成膜例1和2中，使用了規定尺寸的光圈，但是，將雷射的光束限制成所期望的形狀的手段並不一定限於光圈。例如，也可以是如下圖案修正方法，該圖案修正方法的特徵在於，在所述對象區域內照射從雷射振蕩器射出並通過規定尺寸的縫隙後的雷射，並且，使所述縫隙移動而形成由規定尺寸的修正膜構成的單位修正膜，在所述對象區域內，通過使多個所述單位修正膜各自的一部分彼此重合而形成具有規定膜厚的修正膜。
能夠應用本發明的光掩模的種類、用途沒有特別制約。此外，本發明在製造包含液晶顯示裝置、有機el顯示裝置在內的顯示裝置(所謂的平板顯示器)用的光掩模中起到了顯著的效果。例如，例示出驅動液晶或有機el的薄膜電晶體、液晶用彩色濾光片等。
本發明也可以作為具有下述結構的光掩模來實現。
即，在具有利用修正膜對在基板的主表面上形成的轉印用圖案的一部分進行修正而得的修正轉印用圖案的光掩模中，
所述轉印用圖案包含半透光部，該半透光部是在所述基板上形成半透光膜而成的，
所述修正轉印用圖案具有修正膜部分，在該修正膜部分中，多個單位修正膜以彼此部分重合的狀態規則地排列，所述多個單位修正膜由尺寸小於所述光掩模的曝光條件下的解析度極限尺寸的cvd膜構成。
該光掩模例如經過上述修正工序而得到。
此外，本發明的光掩模適合轉印用圖案中包含半透光部的結構。例如，在由透明材料構成的基板上形成了包含透光部、遮光部和半透光部的轉印用圖案而成的多色調光掩模中，本發明被有利地使用。
該情況下，半透光部通過在上述基板上形成半透光膜而形成，其曝光光透過率為15～70％，更優選為20～60％。
此外，可以將半透光膜所具有的相移量(度)設成該情況下，容易使被轉印體上形成的抗蝕劑圖案的輪廓(profile)形成得良好。在對於這種光掩模應用本發明時，將修正膜(特別是其中央部)的透過率設在同樣的範圍內。更優選的是，整個修正對象區域的透過率的平均值處於該區域內。
特別是，關於曝光光透過率，可以將修正膜的透過率b(％)相對於正常的半透光膜的透過率a(％)設成「a－5≤b≤a+5」。在此，可以將修正膜的透過率b設成中央部的透過率。
另一方面，也可以將半透光膜的相移量(度)設成該情況下，優選使用相同的作為修正膜。
關於本發明的光掩模所應用的曝光條件，可以使用含有i線～g線的光源。或者，也可以設為單獨使用其中i線、h線、g線中的任意一個的曝光。在任何情況下都可以針對曝光光中含有的代表波長來設定上述透過率和/或相移量。
作為對本發明的光掩模進行曝光的手段的曝光裝置，已知有所謂的作為fpd(flatpaneldisplay：平板顯示器)用、或lcd(液晶顯示裝置)用的裝置，可以搭載各種規格、尺寸。例如，關於這種曝光裝置，有進行以i線、h線、g線中的至少任意一個波長作為曝光光的等倍曝光的曝光裝置，有具有規定的光學系統(na(numericalaperture：數值孔徑)0.08～0.15左右)的投影曝光類型和進行接近式曝光的接近式曝光類型。
本發明的光掩模的基板尺寸沒有特別限制，但是，作為製造顯示裝置用的光掩模基板，優選的是，主表面的一邊為300～1500mm的四邊形，厚度為5～13mm左右。
關於本發明的光掩模基板所使用的透明材料，應用合成石英等、相對於在使用光掩模時用作曝光光的光(例如波長365～436nm)實質上透明的材料。實質上透明是指光透過率80％以上，優選為90％以上。
作為本發明的光掩模中的半透光膜(正常膜)的材料，例如可以設為含有cr、ta、zr、si等的膜，可以從上述化合物(氧化物、氮化物、碳化物等)中選擇適當的化合物。作為含有si的膜，可以使用si的化合物(sion等)或過渡金屬矽化物(mosi等)或它們的化合物。作為過渡金屬矽化物的化合物，可以舉出氧化物、氮化物、氮氧化物、氮氧化物的碳化物等，優選例示出mosi的氧化物、氮化物、氮氧化物、氮氧化物的碳化物等。在設半透光膜為含有cr的膜的情況下，可以優選使用cr的化合物(氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氮化物、氮氧化物的碳化物)。作為成膜方法，可以應用濺射法等。
本發明包含光掩模的製造方法。即，
光掩模製造方法包含：在基板的主平面上準備至少具有半透光膜的光掩模坯的工序；
對所述半透光膜進行構圖而形成具有轉印用圖案的光掩模的工序；以及
對所述轉印用圖案進行修正的修正工序，其中，
在所述修正工序中，應用上述的圖案修正方法來修正所述轉印用圖案。
例如，作為使用上述光掩模坯進行構圖的工序，利用描繪裝置進行基於所期望的圖案數據的描繪。描繪單元可以使用雷射，也可以使用電子束。以進行顯影而形成的抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模對上述光學膜等膜實施蝕刻。作為製造顯示裝置用的光掩模，優選使用溼法蝕刻，但是，也可以應用幹法蝕刻。根據需要進行多次成膜和描繪、蝕刻，在基板主表面形成所期望的轉印用圖案。
另外，在將光掩模作為產品推向市場之前，進行清洗並通過檢查來確認最終做出的結果。然後，在需要表膜的產品上安裝表膜並進行包裝。在通過檢查發現了缺陷的情況下，應用根據本發明的方法或裝置來進行缺陷的修正。修正工序當然也可以在光掩模製造工序的任何階段進行。