處理裝置系統的製作方法
2023-10-08 19:54:24
專利名稱：處理裝置系統的製作方法
技術領域：
本發明涉及處理裝置系統，更詳細地說，涉及一種可以提高被處理體的處理效率、進一步節省空間的處理裝置系統。
背景技術：
如圖17(a)所示，現有技術的處理裝置系統包括沿著搬送路1排列的多個處理裝置2；與多個處理裝置2一起按照夾持搬送路1的方式而排列的多個盒體3；和在處理裝置2與盒體3之間傳遞基板的第一傳遞機構4。處理裝置2包括處理基板的處理室2A、以及在處理室2A與真空預備室(負載鎖定室)2B之間設置有傳遞基板的第二傳遞機構2C的搬送室2D。當在盒體3和處理室2A之間傳遞基板時，在大氣壓下，驅動第一傳遞機構4將基板從盒體3中取出，搬送至負載鎖定室2B。然後，將負載鎖定室2B內調整至與搬送室2D接近的真空氣氛後，打開兩者間的閘閥，在真空下，驅動第二傳遞機構2C，將負載鎖定室2B內的基板暫時搬入到搬送室2D內，然後，關閉閘閥，將搬送室2D內的基板搬入到處理室2A內，關閉處理室2A的閘閥，對基板實施規定的處理。在基板的處理後，通過第一、第二傳遞機構4、2C，沿著相反的路徑將基板返回至盒體3內。其中，在本圖中，表示僅一個處理裝置2的第二傳遞機構2C，但是，另一處理裝置2也可以具有同一傳遞機構。
此外，圖17(b)表示的是將處理裝置2設置為多腔室型的處理裝置。而且，多個處理室2A連接在搬送室2D的三個側面上，在剩餘的一個側面上連接有負載鎖定室2B。在該多腔室型的處理裝置的情況下，與本圖(a)中所示的處理裝置2相同，包括在大氣壓下驅動的第一傳遞機構4以及在真空下驅動的第二傳遞機構2C，通過第一、第二傳遞機構4、2C，在盒體3和處理室2A之間進行基板的傳遞。在專利文獻1的技術的情況下，與圖17(b)的處理裝置系統不同，第一、第二傳遞機構具有上下兩段的搬送臂，在大氣壓下通過第一傳遞機構將兩枚基板同時搬送至負載鎖定室中，在真空下通過第二傳遞裝置將未處理的基板和處理過的基板，在負載鎖定室和處理室之間傳遞，實現提高處理效率。
在專利文獻2中，提出了具有兼作搬送室的負載鎖定室的半導體製造裝置的方案。該負載鎖定室與真空處理室的側向相鄰，具有用於搬送基板(晶片)的搬送臂以及上下兩段的架形晶片支撐結構。在此情況下，由於負載鎖定室兼作搬送室，所以可以減小半導體製造裝置的設置空間，從而降低設備成本。
在專利文獻3中，提出了工件(work)的處理方法及其處理裝置的方案。在該方法中，在搬送裝置的搬送路徑外，設置有多個進行處理的作業裝置，依次將多個工件從搬送裝置取出，傳遞至處於作業等待狀態的作業裝置中，並將工件從完成作業的作業裝置返回至搬送裝置。如上所述，由於從搬送路逕取出工件來進行利用作業裝置的處理，因此，與處理中的工件的支撐相關，且不會受到搬送裝置的制約，可以分別在適合的條件下，支撐各種尺寸的工件，並進行處理。
在專利文獻4中，提出了半導體裝置的生產系統的方案。在該系統的情況下，對於一個工序的處理裝置，設置有從前面工序中的卸載經處理裝置連接下面工序的裝載的環形載體搬送線。在載體搬送線中，設置有將搭載有需利用處理裝置處理的半導體晶片的載體，從前一工序搬送的載體搬送線；和將搭載有在處理裝置中進行處理後的半導體晶片的載體，向下一工序搬送的載體搬送線。該載體搬送線對於多個處理裝置是通用的，大致並列設置。利用該結構，可以實現不使載體滯留，減小載體搬送線的所佔面積。
專利文獻1日本特開2001-160584號公報專利文獻2日本特開平05-198660號公報專利文獻3日本特開平2004-079614號公報專利文獻4日本特開平2003-152047號公報但是，對於圖17的(a)、(b)以及專利文獻1的處理裝置來說，為了在盒體與真空處理室之間，通過負載鎖定室傳遞基板，都必須在盒體與負載鎖定室之間設置傳遞基板的第一傳遞機構，並在負載鎖定室與處理室之間設置傳遞基板的第二傳遞機構，而且，由於要將第二傳遞機構調整至與處理室接近的真空度，因此，在搬入搬出基板時，必須使負載鎖定室在與搬送室相同程度的真空度和大氣壓之間進行反覆調整，在基板傳遞上需要很多時間，不能提高處理效率，此外，在搬送室外，必須設置負載鎖定室，因此存在空間上的問題。
此外，對於專利文獻2的半導體製造裝置來說，由於使用搬送室內的傳遞機構在盒體與處理室之間傳遞基板，因此，與專利文獻1的情況相比，省略了負載鎖定室以及在大氣壓下使用的傳遞機構，提高基板的處理效率並實現節省空間，但是，由於半導體製造裝置與盒體之間一一對應，因此，為了進一步提高基板的處理效率，在將半導體製造裝置多個排列時，每個裝置都需要盒以及升降裝置(分度器indexer)，因而，設備複雜且成本較高，而且，與其他工序銜接進行基板處理時，必須將處理前後的基板暫時收納在盒內，限制處理效率提高。在使處理裝置與盒一對一地對應，並對基板進行處理這一點上，在專利文獻4中記載的技術也與此相同。
並且，在專利文獻3的處理方法以及處理裝置的情況下，由於對於一個移送裝置(相當於傳遞機構)，對應有多個操作裝置(相當於處理裝置)，利用移送裝置將基板移置到任何一個空閒的作業裝置中，因此，在將基板移置到作業裝置中時，必須探測空閒的作業裝置，只在這方面使作業效率低下。
發明內容
本發明是為了解決上述問題而提出的，其目的在於提供一種縮短搬送線和多個處理裝置之間的被處理體的傳遞，可以縮短每塊被處理體所需要的處理時間，而且提高被處理體的處理效率，另外可提高與其他工序銜接在多個工序中的被處理體的處理效率，還可實現節省空間的處理裝置系統。
本發明的第一方面所述處理裝置系統，其特徵在於，包括搬送被處理體的搬送線，沿著該搬送線設置且處理上述被處理體的多個處理裝置，和在這些處理裝置與上述搬送線之間傳遞被處理體的傳遞機構，其中，上述傳遞機構在上述搬送線與上述多個處理裝置之間同時傳遞多個被處理體。
此外，本發明的第二方面所述處理裝置系統，其特徵在於，包括搬送被處理體的搬送線，沿著從該搬送線的上遊側到下遊側設置且處理上述被處理體的多個處理裝置，和在這些處理裝置與上述搬送線之間傳遞被處理體的傳遞機構，其中，上述傳遞機構在上述搬送線與上述各處理裝置之間，按照從上遊側到下遊側的順序傳遞上述被處理體。
此外，本發明的第三方面所述處理裝置系統，其特徵在於，包括搬送被處理體的搬送線，沿著從該搬送線的上遊側到下遊側設置且處理上述被處理體的多個處理裝置，和在上述處理裝置與上述搬送線之間傳遞被處理體的傳遞機構，其中，上述傳遞機構在上述搬送線與上述各處理裝置之間以任意的順序傳遞上述被處理體。
此外，本發明的第四方面所述處理裝置系統，其特徵在於，包括在大氣中搬送被處理體的搬送線，沿著該搬送線設置且對上述被處理體實施真空處理的多個處理裝置，和在這些處理裝置與上述搬送線之間傳遞上述被處理體的傳遞機構，其中，上述傳遞機構在大氣中的上述搬送線與上述各處理裝置之間傳遞上述被處理體。
此外，本發明的第五方面所述處理裝置系統，是根據第一方面～第四方面中何一方面所述的處理裝置系統，其特徵在於將作為上述傳遞機構的構成要素的第一傳遞機構設置在真空預備室內。
此外，本發明的第六方面所述處理裝置系統，是根據第五方面所述的處理裝置系統，其特徵在於上述真空預備室具有在傳遞上述被處理體時支撐被處理體的至少一個支撐機構；上述真空預備室的容積小於為使上述被處理體旋轉而必須的容積。
此外，本發明的第七方面所述處理裝置系統，是根據第一方面～第六方面中任一方面所述處理裝置系統，其特徵在於上述搬送線具有可單獨控制搬送、停止的搬送區。
此外，本發明的第八方面所述處理裝置系統，是根據第七方面所述處理裝置系統，其特徵在於上述搬送區具有多個可控制旋轉的旋轉輥。
此外，本發明的第九方面所述處理裝置系統，是根據第七方面或者第八方面中所述處理裝置系統，其特徵在於上述多個搬送區中的一部分，具有使上述被處理體等待的緩衝功能。
此外，本發明的第十方面所述處理裝置系統，是根據第七方面～第九方面中任一方面所述處理裝置系統，其特徵在於上述搬送區中的一部分，具有用於傳遞上述被處理體的第二傳遞機構。
此外，本發明的第十一方面所述處理裝置系統，是根據權利要求第二方面～第四方面中任一方面所述處理裝置系統，其特徵在於上述搬送線具有自動搬送裝置。
此外，本發明的第十二方面所述處理裝置系統，是根據第十一方面所述處理裝置系統，其特徵在於上述自動搬送裝置與上述傳遞機構的傳遞時間相配合而移動。
此外，本發明的第十三方面所述處理裝置系統，是根據第十二方面所述處理裝置系統，其特徵在於上述自動搬送裝置具有可控制旋轉的多個輥。
此外，本發明的第十四方面所述處理裝置系統，是根據第十一方面～第十三方面中任一方面所述處理裝置系統，其特徵在於上述自動搬送裝置具有用於傳遞上述被處理體的傳遞功能。
此外，本發明的第十五方面所述處理裝置系統，是根據第一方面～第十四方面中任一方面所述處理裝置系統，其特徵在於上述搬送線與其他工序的搬送線的上遊側或者下遊側連接。
此外，本發明的第十六方面所述處理裝置系統，是根據權利要求第一方面～第十五方面中任一方面所述處理裝置系統，其特徵在於上述被處理體為FPD用玻璃基板。
根據在本發明的權利要求第一方面～第十六方面中所述處理裝置系統，能夠提供一種縮短搬送線與多個處理裝置之間的被處理體的傳遞，可縮短每個被處理體的處理時間，並提高被處理體的處理效率，另外可提高與其他工序銜接在多個工序中的被處理體的處理效率，而且，實現節省空間的處理裝置系統。
圖1是表示本發明的處理裝置系統的一個實施方式的立體圖。
圖2中的(a)、(b)分別為圖1所示處理裝置系統的一部分的示意圖，其中，(a)為其平面圖，(b)為表示其搬送線的側面圖。
圖3中(a)、(b)分別為圖2所示處理裝置系統的搬送線的變形例的相當於圖2的(a)、(b)的示意圖。
圖4是表示圖1所示處理裝置系統的主要部分的截面圖。
圖5中(a)、(b)分別為圖4所示負載鎖定室的示意圖，其中，(a)為與圖4垂直方向的截面圖，(b)為表示其內部的傳遞機構的立體圖。
圖6是表示圖4所示處理裝置的內部的立體圖。
圖7是表示圖1所示處理裝置系統整體布局的模式圖。
圖8中(a)～(h)是分別說明圖1所示搬送線的第二傳遞機構的動作的說明圖。
圖9中(a)～(d)是分別說明圖1所示搬送線的第二傳遞機構的動作的說明圖。
圖10中(a)～(c)是分別表示在圖1所示處理裝置系統的各處理裝置中的時序圖。
圖11是表示本發明的處理裝置系統的另一實施方式的相當於圖7的模式圖。
圖12是本發明的處理裝置系統的另一實施方式的布局的模式圖。
圖13是本發明的處理裝置系統的另一實施方式的布局的模式圖。
圖14是表示本發明的處理裝置系統的另一實施方式的的立體圖。
圖15是表示圖14所示處理裝置系統的布局的模式圖。
圖16是表示圖14所示處理裝置系統的變形例的布局的模式圖。
圖17中(a)、(b)是分別表示現有技術的處理裝置系統的布局的模式圖。
符號說明10、10A、10B、10C、10D 處理裝置系統11 搬送線12 處理裝置13 第一傳遞機構14 負載鎖定室(真空預備室)15 第二傳遞機構16 第一支撐機構
17 第二支撐機構111、112 搬送區S、S』 玻璃基板(被處理體)具體實施方式
下面，參照圖1～圖16所示實施方式對本發明進行說明。
如圖1、圖2所示，本發明的處理裝置系統10包括搬送被處理體S(例如平板顯示面板(Flat Display PanelFDP)用的玻璃基板(以下簡稱為玻璃基板))的搬送線11；沿著該搬送線11設置的多個處理裝置12；和在該處理裝置12與搬送線11之間傳遞玻璃基板S的第一傳遞機構13，其中，在控制裝置(圖未示)的控制下，在處理裝置12中對玻璃基板S實施乾式蝕刻(dry etching)處理等真空處理。第一傳遞機構13設置在與處理裝置12連接的負載鎖定室14內，相對於多個處理裝置12一對一地對應。負載鎖定室14相對於處理裝置12通過閘閥12A進行連接，此外，在搬送線11一側的側面上安裝有閘閥14A，以使內部在大氣壓和真空壓力之間進行切換。
而且，如圖1、圖2所示，搬送線11包括基臺11A；在基臺11A上沿著玻璃基板S的搬送方向相互平行設置的一對支撐部件11B、11B；以及在這些支撐部件11B、11B上與其垂直，沿著玻璃基板S的運送方向隔開規定間隔排列的多個旋轉輥11C。而且，利用直立設置在基臺11A上的支柱11D水平支撐該支撐部件11B。此外，搬送線11將例如兩種的第一、第二搬送區111、112交替連接設置。第一搬送區111具有可控制旋轉的多個旋轉輥11C，設置在負載鎖定室14的正面，並包括與第一傳遞機構13之間傳遞處理前後的玻璃基板S、S』的機構。第二搬送區112具有可控制旋轉的多個旋轉輥11C，設置在負載鎖定室14之間，並具有使處理前後的玻璃基板S、S』暫時處於等待狀態的緩衝功能。並且，第一、第二搬送區111、112可按照區塊單獨地對各組旋轉輥11C進行控制。
如圖1、圖2所示，在第一搬送區111上設置有第二傳遞機構15。如圖2所示，第二傳遞機構15包括沿著搬送區的邊緣設置的多個第一升降銷(pin)15A，和在第一升降銷15A的外側、在搬送區的上遊側和下遊側設置的多個第二升降銷15B，這裡，通過第一、第二升降銷15A、15B分別支撐未處理的玻璃基板S或者處理後的玻璃基板S』的周圍，並進行升降。第二升降銷15B在上端具有接受部件15C並可旋轉。此外，第二升降銷15B並不局限於本實施方式，如圖3所示，也可以是旋轉而使玻璃基板彈起的上彈式的支撐體15B』。如後所述，當在搬送線11和處理裝置12之間傳遞未處理的玻璃基板S和處理後的玻璃基板S』時，第一升降銷15A將未處理的玻璃基板S抬起至規定的高度，並移交給第二升降銷15B，在用第二升降銷15B支撐未處理的玻璃基板S的期間，用第一升降銷15A接受處理後的基板S』。另外，在圖1中省略了第二升降銷15B。
如上所述，在與第一搬送區111相向的負載鎖定室14內，設置有第一傳遞機構13。如圖2～圖5所示，第一傳遞機構13在開啟閘閥14A的狀態下進行在與第一搬送區111的第二傳遞機構15之間的玻璃基板S、S』的傳遞；在關閉閘閥14A並開啟閘閥12A的狀態下進行在與處理裝置12之間的玻璃基板S、S』的傳遞。此外，如圖2、圖4所示，在負載鎖定室14上連接有真空泵14B以及氣體供給部14C，在關閉閘閥12A、14A的狀態下，驅動真空泵14B使室內減壓，並向室內供給惰性氣體(例如，N2氣體)，可形成惰性氣體氛圍。
如圖5的(a)、(b)所示，第一傳遞機構13具有支撐玻璃基板S、S』的手柄部13A，與手柄部的基端連接的伸屈臂部13B，與伸屈臂部13B的基端連接的可旋轉的軸13C，以及驅動部13D，這裡，手柄部13A和伸屈臂部13B以軸13C為中心旋轉。而且，如圖2所示，第一傳遞機構13在將伸屈臂部13B摺疊的狀態下，使手柄部13A在前端朝向搬送線11或者處理裝置12，並在該狀態下將伸屈臂部13B伸開，向搬送線11或者處理裝置12前進。
此外，如圖5的(a)所示，在負載鎖定室14內，可升降地設置有支撐玻璃基板S、S』的支撐機構16，支撐機構16作為具有水平地支撐玻璃基板S、S』的平板或者銷狀接受部16A的升降銷而構成。其次，第一傳遞機構13將玻璃基板S、S』移交給支撐機構16，並旋轉180°後，再次從支撐機構16上接受玻璃基板S、S』，並將玻璃基板S、S』搬送至搬送線11或者處理裝置12。如圖5的(a)所示，支撐機構16形成為可以升降。
其次，由於在該傳遞時，並不使玻璃基板S，S』在負載鎖定室14內旋轉，因而可以減小負載鎖定室14的平面面積，以至可以縮減處理裝置系統10的佔地面積(foot print)，而且，由於室內的容積很小，因而可以縮短大氣壓和真空的切換時間，能夠縮短玻璃基板S，S』的傳遞時間，從而可以提高生產效率。
而且，如圖2、圖4所示，在處理裝置12上連接有真空泵18以及氣體供給部19，在關閉閘閥12A的狀態下驅動真空泵，使室內減壓至規定的真空度，並向室內供給加工氣體，實施玻璃基板S的規定的真空處理。
即，如圖4、圖6所示，在處理裝置12內設置有承載玻璃基板S的載置臺12B，在該載置臺12B上對玻璃基板S實施乾式蝕刻處理等真空處理。即，例如在處理裝置12的載置臺12B上組裝有下部電極12C，在該下部電極12C的上方設置與其平行的上部電極(圖未示)。而且，在下部電極12C上通過匹配電路而連接有高頻電源(圖中均未示)，並從該高頻電源向下部電極12C施加高頻電力。此外，上部電極兼作加工氣體的供給部，向下部電極12C上的玻璃基板S的整個表面供給噴淋狀的加工氣體。從而，在使處理裝置12內保持規定的真空度的狀態下，向下部電極12施加高頻電力，通過使加工氣體等離子化，對玻璃基板S實施乾式蝕刻處理等真空處理。而且，12D是包圍下部電極12C的屏蔽環(shield ring)。
在載置臺12B上設置有第三傳遞機構20。如圖6所示，該第三傳遞機構20可升降地設置在下部電極12C的兩側邊緣部的四個位置上，其包括在載置臺12B的上方傳遞玻璃基板S的第一傳遞部件20A；和與第一傳遞部件20A對應，可升降地設置在屏蔽環12D的多個位置上，並且可將玻璃基板S保持在高於第一傳遞部件20A的位置上的第二傳遞部件20B。如圖6所示，將第一傳遞部件20A形成為銷，在進行玻璃基板S的傳遞時，銷的上端從形成在下部電極12C側向邊緣部的孔(圖未示)的內部上升至傳遞位置，在其他的情況下，將銷的上端收回到孔內。
第二傳遞部件20B，包括正反旋轉例如僅90°的銷20C、以及安裝在該銷20C的上端的矩形的接受部件20D。而且，在進行玻璃基板S的傳遞時，如圖4、圖6所示，暫時使接受部件20D從形成在屏蔽環12D內的孔上升至下部電極12C與傳遞位置(與第一傳遞部件20A的傳遞位置相同)的中間位置，使接受部件20D的方向改變90°，然後，再次上升至保持位置。在其他情況下，容納到形成於屏蔽環12D的孔(圖未示)內。在本實施方式中，第二傳遞部件20B構成為容納在屏蔽環12D內部，但是，也可以設置在屏蔽環12D的外側空間，還可以設置在下部電極12C的外側。
此外，圖1為表示本實施方式的處理裝置系統10的主要部分的圖，但是，處理裝置系統10如圖7所示構成其整體。即，在圖1所示搬送線11的最上遊，鄰接配置有收容多個未處理的玻璃基板S的第一盒體21，在最下遊鄰接配置有收容多個處理後的玻璃基板S』的第二盒體22。並且，逐個地從第一盒體21向搬送線11供給未處理的玻璃基板S，並將處理後的基板從搬送線11收容到第二盒體22中。
下面，參照圖8、圖9對處理裝置系統10的動作進行說明。首先，在控制裝置的控制下，處理裝置系統10驅動，在處理裝置12中對玻璃基板S實施規定的真空處理。此時，在負載鎖定室14內，使第一傳遞機構13保持已經處理後的玻璃基板S』並等待，同時，如圖8(a)所示，在搬送線11的第一搬送區111上，利用第二傳遞機構15的第二升降銷15B的接受部15C，將未處理的玻璃基板S從旋轉輥11C上抬起並等待。此外，在上遊一側的第二搬送區112上，旋轉輥11C停止旋轉，使後續未處理的玻璃基板S等待。
然後，在負載鎖定室14中，向室內供給N2氣體而從真空狀態返回到大氣壓，在開啟閘閥14A後，如圖8(b)所示，伸展伸屈臂部13B，使第一傳遞機構13的手柄部13A從負載鎖定室14內向第一搬送區111搬出處理後的玻璃基板S』。此時，使以手柄部13A支撐的處理後的玻璃基板S』位於旋轉輥11C與利用第二升降銷15B支撐的未處理的玻璃基板S之間的位置。然後，驅動第二傳遞機構15的第一升降銷15A從旋轉輥11C突出，如在本圖(c)中以箭頭所示，將處理後的玻璃基板S』從手柄部13A上抬起。接著，驅動第一傳遞機構13，將手柄部13A從第一搬送區111向負載鎖定室14內撤退，然後，將第一升降銷15A從如本圖(d)所示狀態下降至(e)所示狀態，將處理後的玻璃基板S』移交給旋轉輥11C上。
然後，如圖8的(f)所示，驅動負載鎖定室14內的第一傳遞機構13，使手柄部13A前進，停止在第一搬送區111上方，同時，如本圖箭頭所示，使第二傳遞機構15的第二升降銷15B下降。然後，如本圖的(g)所示，使第二升降銷15B進一步下降，將未處理的玻璃基板S移交給手柄部13A，之後，第一傳遞機構13用手柄部13A接受未處理的玻璃基板S，然後，使手柄部13A從第一搬送區111向負載鎖定室14退出，將未處理的玻璃基板S搬入到負載鎖定室14內。與該動作同時，如本圖(h)中箭頭所示，旋轉第二升降銷15B，使接受部件15C從利用旋轉輥11C支撐的處理後的玻璃基板S』退開後，向旋轉輥11C的下側下降。
第一傳遞機構13，將未處理的玻璃基板S搬入負載鎖定室14內後，關閉負載鎖定室14的閘閥14A。在負載鎖定室中，驅動真空泵14B，使室內減壓，並從氣體供給部14C供給N2氣體，將空氣置換為N2氣體，使室內形成N2氛圍後，停止N2的供給，用真空泵14B將室內減壓至處理裝置12內的真空度。在該期間，如圖5(a)所示，在負載鎖定室14內驅動支撐機構16，從第一傳遞機構13接受未處理的玻璃基板S，並抬起到手柄部13A的上方後，使第一傳遞機構13的手柄部13A旋轉180°，將前端朝向處理裝置12。然後，驅動支撐機構16，再次將未處理的玻璃基板S移交給手柄部13A，並開啟處理裝置12的閘閥12A，同時，驅動第一傳遞機構13，使手柄部13A向處理裝置12前進，將未處理的玻璃基板S搬入到處理裝置12中。
第一傳遞機構13向處理裝置12內搬入未處理的玻璃基板S後，如圖6所示，暫時使第二接受部件20D從形成在屏蔽環12D內的孔(圖未示)上升至下部電極12C與傳遞位置(與第一傳遞部件20A的傳遞位置相同)的中間位置，將第二傳遞部件20D的方向改變90°後，再次上升，從而，從第一傳遞機構13的手柄部13A接受玻璃基板S，並保持在保持位置上。之後，第一傳遞機構13暫時使手柄部13A從處理裝置12退出，等到在處理裝置12內第一傳遞部件20A將處理後的玻璃基板S』抬起至傳遞位置後，再次使手柄部13A進入處理裝置12。通過使第一傳遞部件20A從傳遞位置下降，將處理後的玻璃基板S』移交給第一傳遞機構13的手柄部13A，並從處理裝置12搬出至負載鎖定裝置14。然後，關閉閘閥12A。
在處理裝置12中，通過再次使第一接受部件20A上升至傳遞位置後，使保持未處理的玻璃基板S的第二接受部件20D下降至中間位置，而將未處理的玻璃基板S保持在第一接受部件20A上。使第二接受部件20D在中間位置上將方向改變90°後收回到屏蔽環12D內。通過也使第一接受部件20A從傳遞位置下降並收回到下部電極12C內，而將未處理的玻璃基板S承載在下部電極12C上，並對未處理的玻璃基板S實施規定的真空處理。
另一方面，在負載鎖定室14內，利用第一傳遞機構13暫時將從處理裝置12搬出的處理後的玻璃基板S』移交給支撐機構16，在支撐機構16上臨時保持處理後的玻璃基板S』。第一傳遞機構13通過軸13C旋轉180°使手柄13A的前端朝向搬送線11一側。然後，使支撐機構16下降，將處理後的玻璃基板S』移交給手柄部13A。在此期間，從氣體供給部14C供給N2氣體，使室內返回至大氣壓。然後，開啟閘閥14A，如圖8(a)所示，第一傳遞機構13形成為將處理後的玻璃基板S』移交給第一搬送區111的狀態。
當在負載鎖定室14和處理裝置12之間進行玻璃基板S、S』的傳遞期間，如圖9(a)所示，在搬送線11上使第一搬送區111的旋轉輥11C以及其上下遊側的第二搬送區112的旋轉輥11C同時旋轉，將第一搬送區111上的處理後的玻璃基板S』移送至下遊側的第二搬送區112，同時，將上遊側的第二搬送區112上的未處理的玻璃基板S移送至第一搬送區111。
上述移動動作結束後，在第一搬送區111上驅動第二傳遞機構15，如圖9(b)所示，使第一升降銷15A上升，將未處理的玻璃基板S從旋轉輥11C上抬起，並使第二升降銷15B上升。然後，第二升降銷15B如本圖(c)中箭頭所示，使接受部件15D旋轉90°後，如本圖(d)所示，將未處理的玻璃基板S從第一升降銷15A上取下，並使第一升降銷15A下降。在此期間，在負載鎖定室14內驅動第一傳遞機構13，為了將處理後的玻璃基板S』移交給第一搬送區111而等待。然後，重複上述一系列的動作。
上述的說明，對於在一個處理裝置12中處理玻璃基板S的情況進行了說明，在本實施方式中，利用控制裝置控制處理裝置系統，使得如圖10(a)所示，沿著搬送線11排列的多個(圖7中為4個)處理裝置12同時運作。在該情況下，在各自的負載鎖定室14中，同時驅動與四個處理裝置12對應的第一傳遞機構13，按圖10(a)中所示L的時間，如圖8(b)中所示，同時從搬送線11上接受未處理的玻璃基板S，並同時將未處理的玻璃基板S搬入負載鎖定室14內。然後關閉各負載鎖定室14的閘閥14A，調整至規定的真空狀態。在此期間，在各負載鎖定室14內，第一傳遞機構13將未處理的玻璃基板S移交給支撐機構16，使手柄部13A的方向朝向處理裝置12的一側，並從支撐機構16接受未處理的玻璃基板S。
然後，開啟與各負載鎖定室14對應的處理裝置12的閘閥12A，各處理裝置12的第一傳遞機構13，使手柄部13A向處理裝置12內前進，將未處理的玻璃基板S移交給處理裝置12內的第二傳遞部件20B後，暫時將手柄部13A從處理裝置12退出，然後再次使手柄部13A向處理裝置12前進，從第一接受部件20A上取下處理後的玻璃基板S』，並從處理裝置12搬出。在處理裝置12中，關閉閘閥12A，對未處理的玻璃基板S實施規定的真空處理。接著，各第一傳遞部件13將各自的處理後的玻璃基板S』搬入各自的負載鎖定室14中後，暫時將處理後的玻璃基板S』移交給支撐機構16，使手柄13A的方向改變180°後，接受處理後的玻璃基板S』。再接下來，負載鎖定室14開啟閘閥14A時，按照圖10(a)所示UL的時間，如在圖8(b)中所示，各第一傳遞機構13通過各自的手柄部13A將處理後的玻璃基板S』從各負載鎖定室14向搬送線11上同時搬出後，驅動第二傳遞機構15，如圖8(c)、(d)所示，將各處理後的玻璃基板S』從手柄部13A同時移交給第一升降銷15A。使全部的處理後的玻璃基板S』，向位於搬送線11的下遊側位置的第二盒體22移動，並使未處理的玻璃基板S從位於搬送線11的上遊側位置的第一盒體21向位於各處理裝置12的負載鎖定室14的前方位置的第一搬送區111移動。之後，使第一、第二升降銷15A、15B協同工作，如本圖(e)～(h)所示，從搬送線11接受未處理的玻璃基板S，並重複上述動作。在該情況下，可使4個處理裝置12並行運作，可提高處理效率。其中，從圖10的(a)所示時間L至時間UL的時間，是用於搬送一個玻璃基板S並實施規定的真空處理所必須的作業時間。
此外，如圖10(b)、(c)所示，在從4個第一傳遞機構13向各自的處理裝置12供給未處理的玻璃基板S時，使供給未處理的玻璃基板S的時間從上遊側向下遊側逐次錯開規定的時間。在此情況下，與如本圖(a)所示情況相同，使4個處理裝置並行運作。本圖(b)是未處理的玻璃基板S的作業時間與本圖的(a)所示情況的時間大致相同，但是，本圖(c)與本圖(a)、(b)所示情況相比，玻璃基板S的作業時間較短。在這種情況下，使多個處理裝置12中，某幾個處理裝置12並行運作，使其他的處理裝置12進行利用第一傳遞機構13的玻璃基板S、S』的傳遞。
在以上說明的本實施方式中，包括在大氣下搬送處理前後的玻璃基板S、S』的搬送線11，沿著該搬送線11設置且對未處理的玻璃基板S實施真空處理的多個處理裝置12，以及在這些處理裝置12和搬送線11之間傳遞處理前後的玻璃基板S、S』的第一傳遞機構13，其中，由於第一傳遞機構13在大氣壓中的搬送線11和各處理裝置12之間，直接傳遞玻璃基板S、S』，因此，可以縮短在搬送線11和負載鎖定室14之間的處理前後的玻璃基板S、S』的傳遞時間，僅以此便可以提高玻璃基板S的處理效率。此外，在本實施方式中，由於在搬送線11和多個處理裝置12之間，同時或者從上遊側向下遊側逐次錯開規定的時間來傳遞處理前後的玻璃基板S、S』，因此，可以不使各處理裝置12停止而高效率地運作，可以明顯提高玻璃基板S的處理效率。此外，由於負載鎖定室14兼作現有技術的搬送室，所以可以減小處理裝置系統10的佔有面積並節省空間，從而可以降低設備成本。
此外，根據本實施方式，由於在負載鎖定室14內設置有支撐玻璃基板S、S』支撐機構16，因此，在負載鎖定室14內可以不使處理前後的玻璃基板S、S』旋轉，而在負載鎖定室14和處理裝置12之間傳遞，因此可以減小負載鎖定室14的佔有面積。此外，由於搬送線11具有可單獨控制搬送、停止的第一、第二搬送區111、112，可控制各旋轉輥11C旋轉，因此，可以將第一搬送區111用作玻璃基板S、S』的傳遞專用，將第二搬送區112用作使玻璃基板S、S』等待的緩衝專用。
此外，本發明的處理裝置系統可以如圖11～13所示進行設置。圖11所示處理裝置系統10A，除夾持搬送線11並使多個處理裝置12交互相向設置以外，與上述實施方式相同。另外，圖12所示處理裝置系統10B，除添加與圖7所示的處理裝置系統10的多個處理裝置12分別相向的處理裝置12以外，與圖7所示情況相同。在此情況下，用夾持搬送線11相向設置的兩個第一傳遞機構13的玻璃基板S、S』的傳遞的時間在不相互幹涉的條件下，可任意設定傳遞的時間，可進一步提高玻璃基板S的處理效率。另外，圖13所示處理裝置系統10C設有未處理的玻璃基板S專用的搬送線11』，處理後的玻璃基板S』專用的搬送線11」，分別向多個處理裝置12內搬入專用的傳遞機構13』，和搬出專用的傳遞機構13」。
此外，如圖14、圖15的(a)所示，處理裝置系統10D除搬送線11的結構不同以外，以圖1所示處理裝置系統10為依據而構成。因此，下面對與上述各實施方式相同或者相當的部分使用相同的符號，並對本實施方式的處理裝置系統10D進行說明。
即，本實施方式的處理裝置系統10D，如圖14、15的(a)所示，包括搬送線11、處理裝置12、第一傳遞機構13、負載鎖定室14、以及第一、第二盒體21、22。處理裝置12、第一傳遞機構13以及負載鎖定室14與上述各實施例相同地構成，沿著搬送線11的一邊側面隔開規定間隔，排列多個，通過第一傳遞機構13在搬送線11和處理裝置12之間，進行處理前後的玻璃基板S、S』的傳遞。
在本實施方式中的搬送線11，如圖14所示，具有搬送路31和沿著搬送路31往復移動的自動搬送裝置32。在搬送路31上設置有導軌，自動搬送裝置32沿著導軌在搬送路31上往復移動，搬送處理前後的玻璃基板S、S』。
如圖14所示，自動搬送裝置32包括支撐臺32A，在支持臺32A上相互隔開規定間隔且多個排列的旋轉輥32B，第二傳遞機構32C，以及連接支撐臺32A與運動驅動部(圖未示)的連接柱32D。多個旋轉輥32B，在支撐臺32A的上表面上與玻璃基板S的傳送方向平行來進行排列，當在與第一、第二盒體21、22之間傳遞處理前後的玻璃基板S、S』時驅動旋轉。然後，除設置在支撐臺32的多個旋轉輥32B以及第二傳遞機構32C形成使旋轉輥32B的排列方向旋轉90°的狀態以外，以圖1所示第一搬送區111為依據構成。
此外，第一、第二盒體21、22，如圖14所示，具有多個旋轉輥21A、22A。這些旋轉輥21A、22A均在與自動搬送裝置21的多個旋轉輥32B相同的方向上排列，與這些旋轉輥32B同時驅動。
下面，對動作進行說明。在從第一盒體21向處理裝置12供給未處理的玻璃基板S時，自動搬送裝置32沿搬送路31移動，並停止在第一盒體21的正面。然後，同時驅動第一盒體21以及自動搬送裝置32各自的旋轉輥21A、32B，從第一盒體21向自動搬送裝置32供給未處理的玻璃基板S。自動搬送裝置32接受未處理的玻璃基板S後，如圖14所示，沿著搬送路31停止在規定的負載鎖定室14的正面。接著，自動搬送裝置32開始向負載鎖定室14的正面移動，同時，開始驅動自動搬送裝置32的第二傳遞機構32C，並開始將未處理的玻璃基板S抬起。向負載鎖定室14的傳遞準備完成後，驅動負載鎖定室14的第一傳遞機構13，將手柄部13A伸出，並接受未處理的玻璃基板S。此時，當第一傳遞機構13保持有處理後的玻璃基板S』的情況下，實際上與圖8、圖9所示情況相同地驅動第一、第二傳遞機構13、32C，並進行處理前後的玻璃基板S、S』的傳遞。然後，處理裝置系統10D，與圖1所示處理裝置系統10相同地運作，對未處理的玻璃基板S進行真空處理，以及進行處理後的玻璃基板S』的傳遞。
此外，如圖16所示，在圖14所示處理裝置系統10D中，在第一、第二盒體21、22位於搬送線11的上遊端和下遊端的情況下，也可以另外設置有使自動搬送裝置32的支撐臺32A旋轉90°的功能，在與各盒體21、22進行傳遞時，可旋轉支撐臺32A。
在本實施方式中，自動搬送裝置32沿著搬送路31移動，不能同時傳遞多個處理前後的玻璃基板S、S』，但是如圖10(b)、(c)所示，可與各負載鎖定室14內的第一傳遞機構13的傳遞時間相配合，並使自動搬送裝置32移動，以從上遊側的處理裝置12向下遊側的處理裝置12依次供給，此外，在不使未處理的玻璃基板S和處理後的玻璃基板S』的傳遞時間相干涉的條件下，能夠以任意的時間向各處理裝置12進行玻璃基板S、S』的傳遞，因此，可使多個處理裝置12不停地運作，並提高玻璃基板S的處理效率。
根據本實施方式，由於自動搬送裝置32可與第一傳遞機構13的傳遞時間相配合併移動，因此，可以使多個處理裝置12不停地處理玻璃基板S，可提高其處理效率。由於自動搬送裝置32具有多個可控制旋轉的旋轉輥32B，因此，可在與盒體21、22之間流暢地進行處理前後的玻璃基板S、S』的搬出和搬入。此外，由於自動搬送裝置32具有用於傳遞處理前後的玻璃基板S、S』的第二傳遞機構32C，因此，可在與第一傳遞機構13之間流暢地傳遞處理前後的玻璃基板S、S』。另外，除此之外，在本實施方式中，可得到以上述各實施方式為依據的實施方式的作用效果。
而且，對在上述各實施方式中，在以大氣氛圍搬送處理前後的玻璃基板S、S』的搬送線11和真空處理裝置12之間，使用第一、第二傳遞機構13、15直接傳遞處理前後的玻璃基板S、S』的處理裝置系統10進行了說明，但是，本發明並不局限於上述各實施方式，還可以設置在搬送線11上的第二傳遞機構15僅是第一升降銷15A的方式，另外，設置在處理裝置12上的第一傳遞機構13並不是伸屈臂，還可以是由一個或者多個滑動機構伸縮的滑動臂。只要是在處理裝置系統中，在搬送線和多個處理裝置之間，將多個被處理體以單片為單位，同時或者設置時間時間差，而進行被處理體傳遞的處理裝置系統，均涵蓋在本發明中。此外，可任意設定利用第一傳遞機構的傳遞時間。對於在負載鎖定室14內設置支撐結構16的情況進行了說明，但是，支撐機構可以至少為一個，此外，處理裝置12也並不局限於乾式蝕刻裝置，還可以是成膜處理裝置等其他的處理裝置。而且，被處理體也不局限於FDP用的玻璃基板。
產業適用性本發明可用於處理FPD用玻璃基板等被處理體的處理裝置系統。
權利要求
1.一種處理裝置系統，其特徵在於，包括搬送被處理體的搬送線，沿著該搬送線設置且處理所述被處理體的多個處理裝置，和在這些處理裝置與所述搬送線之間傳遞所述被處理體的傳遞機構，其中，所述傳遞機構，在所述搬送線與所述多個處理裝置之間同時傳遞多個被處理體。
2.一種處理裝置系統，其特徵在於，包括搬送被處理體的搬送線，沿著從該搬送線的上遊側到下遊側設置且處理所述被處理體的多個處理裝置，和在這些處理裝置與所述搬送線之間傳遞被處理體的傳遞機構，其中，所述傳遞機構，在所述搬送線與所述各處理裝置之間，按照從上遊側到下遊側的順序傳遞所述被處理體。
3.一種處理裝置系統，其特徵在於，包括搬送被處理體的搬送線，沿著從該搬送線的上遊側到下遊側設置且處理所述被處理體的多個處理裝置，和在這些處理裝置與所述搬送線之間傳遞被處理體的傳遞機構，其中，所述傳遞機構，在所述搬送線與所述各處理裝置之間以任意的順序傳遞所述被處理體。
4.一種處理裝置系統，其特徵在於，包括在大氣中搬送被處理體的搬送線，沿著該搬送線設置且對所述被處理體實施真空處理的多個處理裝置，和在這些處理裝置與所述搬送線之間傳遞所述被處理體的傳遞機構，其中，所述傳遞機構，在大氣中的所述搬送線與所述各處理裝置之間傳遞所述被處理體。
5.如權利要求1～4中任一項所述處理裝置系統，其特徵在於將作為所述傳遞機構的構成要素的第一傳遞機構設置在真空預備室內。
6.如權利要求5所述處理裝置系統，其特徵在於所述真空預備室包括在傳遞所述被處理體時支撐被處理體的至少一個支撐機構；所述真空預備室的容積小於為使所述被處理體旋轉而必須的容積。
7.如權利要求1～6中任一項所述處理裝置系統，其特徵在於所述搬送線具有可單獨控制搬送、停止的搬送區。
8.如權利要求7所述處理裝置系統，其特徵在於所述搬送區具有多個可控制旋轉的旋轉輥。
9.如權利要求7或8所述處理裝置系統，其特徵在於所述多個搬送區中的一部分，具有使所述被處理體等待的緩衝功能。
10.如權利要求7～9中任一項所述處理裝置系統，其特徵在於所述搬送區中的一部分，具有用於傳遞所述被處理體的第二傳遞機構。
11.如權利要求2～4中任一項所述處理裝置系統，其特徵在於所述搬送線具有自動搬送裝置。
12.如權利要求11所述處理裝置系統，其特徵在於所述自動搬送裝置與所述傳遞機構的傳遞時間相配合而移動。
13.如權利要求12所述處理裝置系統，其特徵在於所述自動搬送裝置具有多個可控制旋轉的輥。
14.如權利要求11～13中任一項所述處理裝置系統，其特徵在於所述自動搬送裝置具有用於傳遞所述被處理體的第二傳遞機構。
15.如權利要求1～14中任一項所述處理裝置系統，其特徵在於所述搬送線與其他工序的搬送線的上遊側或者下遊側連接。
16.如權利要求1～15中任一項所述處理裝置系統，其特徵在於所述被處理體為FPD用玻璃基板。
全文摘要
本發明提供一種處理裝置系統(10)，包括搬送處理前後的玻璃基板(S、S』)的搬送線(11)，沿著該搬送線(11)設置且處理玻璃基板(S)的多個處理裝置(12)，和在多個處理裝置(12)與搬送線(11)之間傳遞處理前後的玻璃基板(S、S』)的第一傳遞機構(12)，其中，所述第一傳遞機構(13)在搬送線(11)與多個處理裝置(12)之間同時傳遞多個玻璃基板(S、S』)，這樣來解決在現有技術的FDP的製造中使用的處理裝置系統對每個基板的處理時間都較長，處理效率不高的問題。
文檔編號B65G49/06GK1855414SQ20061007691
公開日2006年11月1日 申請日期2006年4月25日 優先權日2005年4月27日
發明者石田寬, 本間徹 申請人:東京毅力科創株式會社