銀或銀合金的布線層及其製造方法和用它的顯示屏襯底的製作方法
2023-10-08 12:50:49
專利名稱：銀或銀合金的布線層及其製造方法和用它的顯示屏襯底的製作方法
技術領域：
本發明涉及含銀或銀合金的導電布線和用它的顯示屏襯底。
背景技術：
要求在印刷電路板、平板顯示器用的顯示屏襯底等上的電子元件或集成電路的安裝密度更高，也要求襯底上的布線線寬更窄。因此，要求布線材料有低電阻率。
例如，有機電致發光顯示屏用的顯示屏襯底。
有機電致發光顯示屏在襯底上有按預定圖形形成的許多有機電致發光器件。每個有機電致發光器件包括一個或多個有機化合物薄膜，其中至少一個薄膜有響應入射到薄膜中的電流而發光的電致發光性能(以後叫做「EL」)。
通常，有機EL器件包括作為陽極的透明電極，至少一個有機化合物薄膜和作為陰極的金屬電極，它們依次疊置在透明襯底上。有機化合物薄膜(即所謂的「有機功能層」)，可以是單發光層，或者是疊層，包括有機空穴輸送層，發光層和有機電子輸送層組成的三層結構；或者，有機空穴輸送層和發光層組成的兩層結構。有機EL器件還可以包括在這些多層結構的膜層之間的電子或空穴注入層。
預定圖形是柵格矩陣形時，這種矩陣形EL顯示屏例如有在相互交叉的行與列的交叉點配置的多個有機EL器件的多個發光象素組成圖像顯示矩陣。矩陣顯示型EL顯示屏由包括多個透明電極層、有機功能層的行電極和包括與行電極交叉的金屬電極層的列電極構成。這些膜層順序疊層。每個行電極形成條形，多個行電極按預定間隔平行配置。多個列電極也按與行電極相同的方式配置。按此方式，矩陣形顯示屏的顯示矩陣區由多個行電極與多個列電極的各個交叉點設置的多個有機EL器件形成的多個發光象素構成。
由於有機EL器件是電流注入型器件，它的功耗主要取決於電極線的電阻率。因此，有機EL器件的行電極和列電極迫切需要低電阻材料，換句話說，亮度不均勻性必然引起電壓嚴重下降，造成顯示質量變壞。
用作陽極的透明電極材料，如銦錫氧化物(ITO)的問題等是有高的薄層電阻值，而襯底的顯示矩陣區中與電極相互連接的布線需用低電阻材料。
為了降低布線電阻，嘗試用低電阻率材料構成輔助電極，用它使顯示矩陣區中的布線與透明電極(陽極)相互連接。換句話說，EL顯示屏的常規製造工藝包括步驟在襯底上對ITO陽極構圖；對輔助金屬線構圖；有機功能層構圖；防護壁構圖；陰極構圖；和將陰極和陽極連接到相應的外部引出端。
通常，形成更窄的布線以改善有機EL顯示屏中每個象素的亮度，數值孔徑就更大。因此，電極材料的主要條件是有低電阻率。
以鋁(Al)為基礎的材料是公知的低電阻率布線材料。用鋁基材料製造薄膜，薄膜的電阻率最多限定在約4微歐-釐米。此外，用鋁基材料在有機EL顯示屏上形成布線，但鋁基材料有與通常用作透明電極的ITO進行電化學反應的缺點。
發明內容
為克服上述缺點，本發明的目的是，提供銀(Ag)或銀合金布線，它能減小襯底上的布線的電阻值，改善Ag-基布線材料的耐氧化性。本發明的另一目的是提供帶銀或銀合金布線的顯示屏襯底，以獲得高顯示質量。
按本發明的一個方案，提供銀或銀合金布線層，包括含銀或銀合金的銀導體層或銀合金導體層；層疊覆蓋銀或銀合金導體層的保護導體層。
按本發明的銀或銀合金布線層中，按以下方式設定所述保護導體層的厚度，腐蝕液與所述銀或銀合金導體層和保護導體層保持接觸的情況下，所述保護層厚度與所述銀或銀合金導體層厚度之比小於所述腐蝕液中所述保護導體層的溶解速度與所述腐蝕液中所述銀或銀合金導體層的溶解速度之比。
按本發明的另一方案，提供銀或銀合金布線層的形成方法，包括銀或銀合金的銀或銀合金的導體層和層疊覆蓋銀或銀合金導體層的保護導體層，形成方法包括以下步驟在襯底上順序形成銀或銀合金導體層和保護導體層；使所述保護導體層在它和銀或銀合金導體層共用的腐蝕液中按預定的圖形保持接觸，其中，保護導體層的厚度滿足以下關系所述保護導體層的厚度與所述銀或銀合金導體層的厚度之比小於所述腐蝕液中所述保護導體層的溶解速度與所述腐蝕液中所述銀或銀合金導體層的溶解速度之比。
按本發明的又一方案，提供具有顯示矩陣區的顯示屏襯底，包括襯底，它有包括多個顯示電極的顯示矩陣區；和導電連線，它們形成在襯底上且與所述顯示電極電連接，其中，每根所述連線包括含銀或銀合金的銀或銀合金導體層；層疊覆蓋所述銀或銀合金導體層的保護導體層。
按本發明的顯示屏襯底還包括多個有機電致發光器件，每個器件有位於顯示電極處的有機功能層。
結合附圖對本發明的上述方案和其它特徵詳細描述如下。附圖中圖1是按本發明的銀或銀合金布線層的剖視示意圖；圖2是按本發明的銀或銀合金布線層的另一實施例的剖視示意圖；圖3是按本發明的銀或銀合金布線層的又一實施例的剖視示意圖；圖4至圖9是按本發明的在襯底上形成銀或銀合金布線層的形成方法中的形成銀或銀合金導體層和保護導體層用的腐蝕工藝示意圖；圖10是展示按本發明的銀或銀合金布線層的另一實施例的顯示屏襯底的局部放大平面示意圖；和圖11是沿圖10中B-B線剖開的局部放大剖視圖。
具體實施例方式
由於低電阻率的銀基的布線的抗氧化性能差，因此它的實用性差。發明人研究了Ag-基材料製成的薄膜和線，還對諸如Ag-Pd合金的Ag基材料作為在顯示屏襯底(例如有機EL顯示屏)上的布線材料進行了科學試驗。發明人預計，與Al基材料相比，Ag基材料與ITO的電化學反應困難，因為，銀基材料的電阻率約為3微歐-釐米，它比鋁(AL)-基薄膜的電阻率小。
發明人發現，有機EL顯示屏襯底上形成的銀基布線在普通的襯底處理中容易氧化，造成其電阻率明顯升高。普通的襯底處理包括日本特許公開No.2001-311869中公開的UV/O3清潔處理，和C.C.Wu，C.I.Wu，J，C，sturm，and A，Kahn，Appl，Phys，Lett，vol，70No，11 1348(1997)中公開的O2等離子處理。
有機EL器件的製造中為提高器件的發光效率，形成有機功能層之前，襯底通常要經過UV/O3清潔處理和O2等離子處理。用Ag基材料進行單層布線，形成要連接到襯底上的透明電極的輔助電極。之後，在襯底上進行UV/O3清潔處理或O2等離子處理，在電極上形成有機功能層。由於Ag基材料的輔助電極氧化，所以使整個布線的電阻率增大，因而不能獲得高性能的有機EL顯示屏。
發明人提出用多層形式的Ag基材料的多層布線層代替單層形式的Ag基材料布線層，即，多層布線層包括含銀或銀合金的銀或銀合金導體層；層疊覆蓋所述銀或銀合金導體層的保護導體層。保護導體層能滿足特徵和條件的要求(1)至(9)(1)保護導體層材料的抗氧化性高於位於其下的銀或銀合金導體層的抗氧化性。即使保護氧化層材料被氧化，它的電阻率也不會明顯升高。
(2)保護導體層材料與其下的銀或銀合金導體層有較高的粘接強度。
(3)加熱時，保護導體層材料不與其下的銀或銀合金導體層進行反應。
(4)保護導體材料層的穩定性好，有較低的導電率，與其它金屬的接觸電阻好，例如，與有機EL器件的陰極在結厚度方向有好的接觸電阻，以防止電阻上升。
(5)保護導體層有必需的和足夠的厚度條件，以保護位於其下的銀或銀合金導體層。
(6)保護導體層材料要能承受諸如對光刻膠進行刻圖用的顯影液，剝離液等構圖劑的作用。
(7)保護導體層材料和銀或銀合金導體層材料可溶於它們公用的腐蝕液。
(8)在(7)的情況下，銀或銀合金導體層材料與保護導體層材料的腐蝕速率差別不很大。
(9)在(7)的情況下，按以下方式設定保護導電層的厚度，即，保護導電層厚度與銀或銀合金導體層厚度之比小於保護導體層的腐蝕速率與銀或銀合金導體層的腐蝕速率之比。
以下將參見附圖詳細描述本發明實施例。
如圖1所示，銀或銀合金導體層32和保護導體層31順序層疊在襯底2上，作為多層布線層。保護導體層31覆蓋和保護位於其下的銀或銀合金導體層32，以防止導體層32氧化。結果，甚至進行UV/O3清潔處理和O2等離子處理時也不會增大布線電阻。多層布線保持它的低電阻，增大它的抗氧化性，因而能增強對襯底進行諸如UV/O3清潔處理和O2等離子處理的耐久性，以及增強它的耐環境性。
用其抗氧化能力高於銀或銀合金導體層32的抗氧化能力的材料，或者，用氧化時其電阻率不明顯升高的材料，製造保護導體層31。此外，保護導體層31的厚度要能經受預定的襯底處理，或者，在能抗環境性時儘可能薄的厚度範圍內。實際上，根據所用的材料保護導體層31的厚度範圍是50至1000。當然，膜層之間最好有高粘接強度。
此外，如圖2所示，位於下層銀或銀合金導體層32與襯底2之間可設置第2保護導體層33，以防氧從襯底2進入銀或銀合金導體層32。
用濺射，真空蒸發，CVD(化學汽相澱積法)等方法形成銀或銀合金導體層32和保護導體層31和33。
可用單一的銀或銀與其它適當的物質形成的銀合金構成銀或銀合金導體層32。銀合金可含任何類型的任何物質。除Ag之外的其它添加物質的量最好少於10wt％，即，Ag量等於或大於90wt％，因為布線電阻率與除Ag以外的其它物質的添加量成正比。例如，表1列出了各種銀合金膜的電特性。
表1
表中，Ag合金膜中的數字表示所含添加物的重量百分率(wt％)。
保護導體層31的材料選自那些其抗氧化能力高於位於其下的銀或銀合金導體層32的抗氧化能的材料，或者，選自那些氧化時其電阻率不明顯升高的材料，高抗氧化能力材料優選高熔點材料，例如，Cr，Ta，W，Ti，Mo等材料的單一材料或包含它們的合金。還優選其表面上無導體層的材料，以防止氧進入裡邊，例如，金屬氧化物，如單一的鋁或鋁合金，ITO，銦鋅氧化物(IZO)，氧化錫，氧化鋅，氧化銦，氧化鎂等，金屬氟化物，金屬氮化物等。所述的氧化時其電阻率不明顯上升的材料例如有Sn，Zn，In，Mg等單一材料和含它們的合金材料。
圖3展示出按本發明另一實施例的在有機EL顯示屏襯底上的銀或銀合金的布線層。銀或銀合金布線層用作要連接到有機EL器件中的條形透明電極3a，即陽極的輔助電極。該情況下，位於其下的銀或銀合金層32與襯底2上預先形成的ITO陽極接觸。接觸ITO時，其它金屬用作外部電引出端，有機材料用作有機EL器件的陰極，銀或銀合金布線層既有防止厚度方向電阻值升高的足夠高的導電率，也有與金屬的低接觸電阻值。
(第1實施例和對比例)Ag-0.9Pd-1Cu合金(以下叫做「APC」其中的數字表示添加物的重量百分比wt％)用濺射法澱積在30mm×30mm的玻璃襯底上，澱積膜厚為2000埃，澱積膜作為銀或銀合金導體層。製備有APC層的多個這樣的襯底。1組中，在APC層上濺射澱積Mo(鉬)作為保護導體層，每個襯底上的Mo層膜厚為100埃，200埃和300埃。另1組中，用濺射法在APC層上澱積IZO層作為保護導體層，每個襯底上的IZO層膜厚為100埃，200埃和1000埃。評估這些樣品的特性。
此外，按相同的方式製造對比例，只是不設保護層。
(1)附著力(圖形檢驗試驗)在每個樣品上的銀或銀合金導體層和保護導體層的疊層上按1mm的間隔深度方向切割出11行和11列，構成100個正文形的網格，以作為檢驗圖形。之後，每個有檢驗圖形的樣品上放粘接帶，之後，按預定速度從檢驗圖形上剝離粘接帶，使疊層方塊從每個樣品襯底分離。計算留在襯底上的方塊數，評估每個樣品的疊層附著力。由於100點標誌最大程度，所以100％是理想程度，0％是最小程度。表2中表示出列附著力試驗結果。每個樣品的銀或銀合金屬體層與保護導體層之間無剝離。
(2)熱特性用加熱板在300℃加熱10分鐘前後測每個樣品的薄層電阻。表2表示出列加熱試驗的結果。加熱後的樣品的薄層電阻值是加熱前的樣品的薄層電阻值的1.2倍，而與保護導體層的種類和厚度無關。保護導體層的疊層不影響每個樣品的熱特性。
(3)抗氧化性(對UV/O3清潔處理的耐受力)測試每個樣品用Takizawa Sangyo Co.Ltd製造的UV/O3清潔設備清潔處理10分鐘前後的薄層電阻。表2示出列抗氧試驗的結果。與清潔前相比無保護導體層的樣品清潔後的薄層電阻增大，顏色變暗。但是與清潔前相比，有保護導體層的樣品清潔後的薄層電阻不增大，顏色不變。發現保護層能提高氧化能力，即使保護層厚度為100，也有與上述樣品相同的優點。
表2
處理低電阻率布線材料以形成精細圖形。通常用光刻法形成精細圖形。以上情況下，布線材料的光刻構圖需要兩個刻蝕步驟來刻蝕保護導體層和銀或銀合金導體層，因此，器件的製造方法所包括的工藝步驟比只有銀或銀合金屬體層的單層的器件的製造方法中的工藝步驟多。根據本發明，為了減少步驟的增多，保護導體層材料選自能用與銀或銀合金導體層相同的刻蝕條件進行刻蝕的材料，以便由與銀或銀合金導體層公用的腐蝕液按預定圖形刻蝕保護導體層。當然，保護導體層要有足夠耐受光刻中用的處理液的能力，例如光刻膠的顯影液，剝離液等。
銀或銀合金導體層通常有大腐蝕速率，特別按溼式腐蝕進行快速側邊蝕刻處理時有大腐蝕速率。因而在溼式腐蝕中進行同時腐蝕處理，如圖4至6所示。
圖4示出層疊在銀或銀合金導體層32上的厚保護導體層31的腐蝕結果。從圖4的頂開始按箭頭所指方向向下腐蝕至保護導體層的底，之後，露出位於其下的銀或銀合金導體層32。
圖5示出銀或銀合金體層32的中部腐蝕狀態。由於銀或銀合金導體層32進行快速側邊腐蝕處理，側邊腐蝕比厚保護導電層31的腐蝕快。腐蝕液進入位於其下的銀或銀合金導體層32的側邊腐蝕部分，使厚保護導電層31的底邊緣從底部分離，如圖5中直角的箭頭方向所示。
圖6示出同時腐蝕的完成狀態，由於與銀或銀合金導體層32的側邊腐蝕量相比，厚保護導體層31的側邊腐蝕量小，所以，多層布線層的剖面形狀形成為突出的「T」形。
圖6示出有T形部分形狀的布線圖。覆蓋的保護導體層容易從位於其下的銀或銀合金導體導能上剝離。結果，這種剝離造成次品。為了避免出現這種問題，保護導體層材料的側邊腐蝕性能要比位於其下的銀或銀合金導體層的側邊腐蝕性能好。但是，銀基層通常有極高的側邊腐蝕性能。只有少數幾種材料的側邊腐蝕性能比Ag基層的側邊腐蝕性能高。因此，發明人建議按以下方式設定保護導體層材料厚度，即保護導體層厚度與銀或銀合金導體層厚度之比小於保護導體層腐蝕速率與銀或銀合金導體層的腐蝕速率之比。通過設置保護導體層厚度，用圖7至9的即時腐蝕工藝處理獲得布線圖形的好的剖面形狀，甚至在保護導體層材料有低的側邊腐蝕特性的情況下，也能獲得好的布線圖形的剖面形狀。
圖7示出層疊在銀或銀合金導體層32上的薄保護導電層31的腐蝕結束狀態。從圖7的頂部開始按箭頭指示方向向下腐蝕至保護導體層的底之後，露出位於其下的銀或銀合金導體層32。
圖8示出銀或銀合金導體層32的中間部分的腐蝕狀態。由於銀或銀合金導體層32的側邊進行快速測邊腐蝕處理，所以它的側邊腐蝕比薄保護導體層31的側邊腐蝕快。如圖8直角箭頭方向所示。由於設在銀或銀合金導體層32上的保護導體層31有規定厚度，腐蝕液進入銀或銀合金導體層32的側邊腐蝕部分，所以薄保護導體層31迅速從其底部溶解。
圖9示出同時腐蝕的完成狀態。由於保護導體層31薄，所以腐蝕液進入其側邊腐蝕部分，它按與銀或銀合金導體層32大致相同的量溶解。結果，沒有溶解出如圖6所示的突出部分。所以，生成的多層布線層有諸如圖1所示的矩形的良好的剖面形狀。
例如，在那種情況下，保護導體層的腐蝕速率為5埃/秒，銀或銀合金導體層的腐蝕速率為50埃/秒。用公用腐蝕液時，保護導體層的腐蝕速率與銀或銀合金導體層的腐蝕速率之比為1/10。銀或銀合金導體層的厚度設定為2000埃，保護導體層的厚度設定為2000埃×1/10＝200埃，能獲得多層布線層的良好剖面形狀。保護導體層的最小厚度應足以承受預定的襯底處理。
(第2實施例和對比例)Ag-0.9Pd-1Cu合金用於銀或銀合金導體層，IZO用作保護導體層。用磷酸、硝酸和醋酸的水混合物腐蝕液分別腐蝕兩種導體層，之後，測它們的腐蝕速率。結果APC的腐蝕速率約為32埃/秒，IZO的腐蝕速率約為4埃/秒，穩定溶解狀態下的IZO/APC腐蝕速率之比為1/8。
玻璃襯底30mm×30mm上濺射澱積2000埃厚的APC作為銀或銀合金導體層。製備多個有APC層的這種襯底。每個襯底的APC層上濺射澱積IZO層作為保護導體層，它的厚度為100埃、200埃、300埃和500埃。本實施例，保護導體層樣品的厚度比2000埃×1/8＝250埃小，其它樣品作為對比樣品。
每個樣品上的銀或銀合金導體層和保護導體層組成的疊層上，用Tokyo ohkakogyo公司製造的光刻膠OFPR-800經過預定的光刻步驟，形成線寬(μm)/間隔(μm)＝10/100的條形圖形掩模。用磷酸、硝酸和醋酸的水混合液作腐蝕液，腐蝕每個樣品。之後，剝離殘留的光刻膠，之後，查看生成的圖形。表3示出了這些結果。這些樣品滿足條件保護導體層厚度與銀或銀合金導體層厚度之比小於保護層的腐蝕速率與銀或銀合金導體層的腐蝕速率之比，因此能獲得良好矩形剖面形狀的布線而沒有突出部分。
表3
按本發明，在必需和充分的厚度條件下，保護導體層疊層在Ag基材料層上。因此，可以在印刷電路板上用Ag基材料，並在高抗氧化性和高耐環境性的情況下保持它的低電阻率，儘管通常很難保持這種低電阻率。
特別是，按本發明的多層布線與有機EL器件的應用相關，由於可在有機功能層形成之前進行UV/D3清潔或D2等離子處理，以獲得高發光效率的有機EL器件，儘管這種處理在有機功能層形成之前進行通常很困難。
此外，按本發明，能在相同的腐蝕條件下溶解除去保護導體層和位於其下的銀或銀合金導體層，所以能像Ag基材料單層一樣對多層布線層構圖。
而且，按本發明，保護導體層材料厚度設定為保護導體層厚度與銀或銀合金導體層厚度之比小於保護導體層的腐蝕速率與銀或銀合金導體層的腐蝕速率之比，所以多層布線層能獲得好的布線圖形和與其相關的好的剖面形狀。
圖10示出按本發明另一實施例的有機EL顯示屏的局部放大的正視圖，它是從正面看顯示屏。如圖10所示，有機EL顯示屏有玻璃等製成的透明襯底2上按矩陣配置的多個發光象素1構成的圖像顯示矩陣區1a。每個發光象素包括發紅(R)光，綠(G)光和蘭(B)光的發光部分。水平方向的第1顯示電極行3，即陽極，與垂直方向的第2顯示電極行9，即陰極的交叉點處的島狀透明電極3a的位置處形成發光部分，即，有機EL器件。第1顯示電極3，即陽極，包括電連接到水平方向的島狀透明電極3a的輔助電極3b。有機EL顯示屏包括位於襯底2上有機EL器件之間的多個防護壁7。
按本發明的銀或銀合金布線層用作連接到第1顯示電極行3的陽極以及第2顯示電極行9的陰極的輔助電極3b。
如圖11所示，輔助電極3b由依次疊層在襯底2上的銀或銀合金導體層32和保護導體層31組成。防護壁7形成後，依次疊層在有機功能層8上的銀或銀合金導體層92和保護導體層91組成第2顯示電極行9的陰極。用保護層50覆蓋防護壁7和有機EL器件。
每個有機EL器件包括順序疊層在襯底2上的第1顯示電極行3，一個或多個包括有機化合物製成的發光層的有機功能層8和第2顯示電極9。防護壁7位於有機EL器件之間，並從襯底凸起。例如，透明玻璃襯底2上用汽相澱積或濺射陽極3作為ITO構成的透明第1顯示電極來製成每個有機EL器件。在陽極3上依次汽相澱積酞菁銅空穴注入層；TPD(三苯胺衍生物)製成的空穴輸送層；Alq3(鋁螯合物)構成的發光層；用氧化鋰(Li2O)製成的電子注入層，以作為有機功能層8。並在有機功能層8上用汽相澱積法澱積鋁(Al)陰極，它與作為第2顯示電極的陽極3的電極圖形相反。除用作島狀透明電極3a的象素部分外，第1顯示電極行3可用絕緣膜6覆蓋。
保護層50包括覆蓋有機EL器件和防護壁7的內部無機鈍化膜；用於覆蓋內部無機鈍化膜的樹脂密封膜；和覆蓋密封膜的無機材料製成的無機鈍化膜。用諸如氮化矽的氮化物，氧化物或諸如碳的無機材料製造內部的無機鈍化膜。可用包括密封膜的樹脂、氟基或矽基樹脂，或諸如光刻膠的合成樹脂、聚醯亞胺樹脂等。
按本發明，多層布線能減小布線或印刷電路板的連接線的電阻。此外，按本發明的顯示器襯底能製成沒有發光不均勻的高質量顯示屏。
現在已結合附圖和最佳實施例描述了本發明。當然，本行業的技術人員應了解，在不脫離本發明的精神和範圍的前提下還會有各種改進，添加和其它的設計。應知道，發明不限於所公開的實施例，可在所附權利要求界定的全部發明範圍內實踐本發明。
權利要求
1.一種銀或銀合金布線層，包括含銀或銀合金的銀或銀合金導體層；層疊覆蓋所述銀或銀合金導體層的保護導體層。
2.按權利要求1的銀或銀合金布線層，其中，所述保護導體層的厚度設定成在所述銀或銀合金導體層和保護導體層與腐蝕液保持接觸的情況下，所述保護導體層厚度與銀或銀合金導體層厚度之比小於所述腐蝕液中所述保護導體層的溶解速度與所述銀或銀合金導體層在所述腐蝕液中的溶解速度之比。
3.一種銀或銀合金布線層的形成方法，該布線層包括含銀或銀合金的銀或銀合金導體層，和層疊覆蓋銀或銀合金導體層的保護導體層，形成方法包括以下步驟在襯底上依次疊層銀或銀合金導體層和保護導體層；使所述保護導體層按預定圖形與和銀或銀合金導體層公用的腐蝕液接觸，其中，保護導體層的厚度滿足以下關系所述保護導體層厚度與所述銀或銀合金導體層厚度之比小於所述保護導體層在所述腐蝕液中的溶解速度與所述銀或銀合金導體層在所述腐蝕液中的溶解速度之比。
4.一種具有顯示矩陣區的顯示屏襯底，包括襯底，具有包括多個顯示電極的顯示矩陣區；和導電連接線，形成在襯底上並電連接到所述顯示電極，其中每根所述導電連接線包括含銀或銀合金的銀或銀合金導體層；和層疊覆蓋所述銀或銀合金導體層的保護導體層。
5.按權利要求4的顯示屏襯底，還包括多個有機電致發光器件，每個有機電致發光器件具有機功能層且位於顯示電極處。
全文摘要
一種銀或銀合金布線層，包括含銀或銀合金的銀或銀合金導體層和層疊覆蓋在銀或銀合金導體層上的保護導體層。該布線層的形成方法包括步驟在襯底上順序形成銀或銀合金導體層和保護導體層；使保護層與它和銀或銀合金導體層公用的腐蝕液按預定圖形接觸。保護導體層的厚度滿足關係；保護導體層厚度與銀或銀合金導體層厚度之比小於保護導體層在腐蝕液中的溶解速度與銀或銀合金導體層在腐蝕液中的溶解速度之比。
文檔編號H05B33/22GK1402604SQ02142989
公開日2003年3月12日 申請日期2002年7月23日 優先權日2001年7月23日
發明者永山健一, 杉本晃, 宮口敏 申請人:日本先鋒公司