混合介質射頻同軸連接器的製作方法

2023-12-11 16:36:22 2

專利名稱：混合介質射頻同軸連接器的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種混合介質射頻同軸連接器。
背景技術：
射頻同軸連接器目前被廣泛的應用到整機系統，其性能的優劣對整機系統的性能有至關重要的影響，傳統的射頻同軸連接器因為介質材料的限制，駐波比性能及插損較差， 且性能指標不能有更大的突破，已經不能滿足市場的需求，特別是目前高頻率的廣泛使用， 更需要性能優良的連接器來滿足需要。廣泛應用在射頻同軸連接器上的聚四氟乙烯絕緣材料作為介質，由於材料比較 軟、硬度不夠，要用來作為介質，絕緣子的長度必須足夠長才能來滿足連接器強度的需要， 而長的絕緣子對連接器性能的提升起到絕對的阻礙作用，所以不可能用這種材料作為高性 能連接器的介質。如果採用高硬度的絕緣材料作為介質，由於材料的介電常數大、損耗大，惡化了連 接器的插損，造成了信號的浪費，使得駐波性能差。在此背景下，急需出現一種駐波比性能更優越的射頻同軸連接器來滿足這種需 求。

實用新型內容本實用新型目的是提出一種混合介質射頻同軸連接器，其解決了現有連接器由於 絕緣子材料導致的駐波比及插損性能較差的技術問題。本實用新型的技術解決方案是一種混合介質射頻同軸連接器，包括內導體1、外導體2以及設置在內導體1和外 導體2之間的絕緣子，其不同之處在於所述絕緣子包括並排放置的第一絕緣子3和第二絕 緣子4，其中第一絕緣子3的材料為聚苯乙烯，第二絕緣子4的材料為聚四氟乙烯。本實用新型的優點是本實用新型採用強度較小但插損小的聚苯乙烯和強度較大 但插損大的高硬度絕緣材料聚四氟乙烯共同構成絕緣子，使得整個絕緣子在保證高強度的 前提下插損減小，同時提升了駐波比性能。

圖1為本實用新型的結構示意圖；附圖標記如下1-內導體，2-外導體，3-第一絕緣子，4-第二絕緣子。
具體實施方式
參見圖1，本實用新型為一種混合介質射頻同軸連接器，包括內導體1、外導體2、 以及並排設置在內導體1與外導體2之間的第一絕緣子3和第二絕緣子4，其中第一絕緣子 3的材料為聚苯乙烯，第二絕緣子4為高硬度的聚四氟乙烯絕緣材料。[0013] 本實用新型結構可適用於以下型號射頻同軸連接器N/3. 5-JKS射頻同軸連接 器、N-JJS射頻同軸連接器、N-KKS射頻同軸連接器、N-SMA-JKS射頻同軸連接器、N-SMA-KJS 射頻同軸連接器、N-SMA-KKS射頻同軸連接 器、TNC/SMA-JKS2射頻同軸連接器、TNC/ SMA-KKS2射頻同軸連接器。
權利要求一種混合介質射頻同軸連接器，包括內導體(1)、外導體(2)以及設置在內導體(1)和外導體(2)之間的絕緣子，其特徵在於所述絕緣子包括並排放置的第一絕緣子(3)和第二絕緣子(4)，其中第一絕緣子(3)的材料為聚苯乙烯，第二絕緣子(4)的材料為聚四氟乙烯。
專利摘要本實用新型涉及一種混合介質射頻同軸連接器，包括內導體(1)、外導體(2)以及設置在內導體(1)和外導體(2)之間的絕緣子，絕緣子包括並排放置的第一絕緣子(3)和第二絕緣子(4)，其中第一絕緣子(3)的材料為聚苯乙烯，第二絕緣子(4)的材料為聚四氟乙烯。本實用新型解決了現有連接器由於絕緣子材料導致的駐波比及插損性能較差的技術問題，提升了駐波比性能。
文檔編號H01R13/40GK201590575SQ200920244868
公開日2010年9月22日 申請日期2009年10月23日 優先權日2009年10月23日
發明者王健 申請人:西安金波科技有限責任公司