手動探針臺結構的製作方法

2023-09-14 23:19:00 3

專利名稱：手動探針臺結構的製作方法
技術領域：
本發明涉及半導體領域，尤其涉及一種手動探針臺結構。
背景技術：
DMOS (Double-diffused Metal Oxide Semiconductor,雙擴散金屬氧化物半導體場效應管)具有源、漏、柵等電極，但是漏端擊穿電壓高。DMOS主要有兩種類型，分別為垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管VDMOSFET (vertical double-diffused M0SFET)和橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管LDM0SFET(lateral double-dif fused M0SFET)。DMOS產品是由成百上千的單一結構的DMOS單元所組成的。這些單元的數目是根據一個晶片所需要的驅動能力所決定的，DMOS的性能直接決定了晶片的驅動能力和晶片面積。對於一個由多個基本單元結構組成的LDMOS產品，其中一個最主要的考察參數是導通電阻。對於LDMOS產品應儘可能減小導通電阻。當導通電阻很小時，產品就會提供一個很好的開關特性，因為小的導通電阻，會有較大的輸出電流，從而可以具有更強的驅動能力。DMOS的主要技術指標有:導通電阻、閾值電壓、擊穿電壓等。在功率應用中，由於DMOS技術採用垂直器件結構，因此具有很多優點，包括高電流驅動能力、低導通電阻和高擊穿電壓
坐寸ο探針臺結構是主要應用於半導體行業以及光電行業的測試的設備。所述探針臺結構從操作上來區分包括手動探針臺結構、半自動探針臺結構以及全自動探針臺結構。所述探針臺結構從功能上來區分包 括高溫探針臺結構、低溫探針臺結構、RF探針臺結構、LCD平板探針臺結構、霍爾效應探針臺結構以及表面電阻率探針臺結構。現有技術中一種手動探針臺結構，其包括吸盤結構以及設於吸盤結構上方的若干探針。所述吸盤結構沒有施加電壓的功能。在一般半導體製程中，需要對DMOS產品進行全面測試驗證，DMOS產品的正面可以通過手動探針臺上的探針接導線進行測試驗證，而DMOS產品的反面與吸盤結構接觸，必須吸盤結構上通有電壓才能對其進行測試驗證，而一般現有技術中手動探針臺結構中的吸盤結構無法加載電壓，這樣就無法對DMOS產品的反面進行測試驗證。為了解決這一問題，現有技術中也有通過對手動探針臺結構中吸盤結構的結構特徵進行改造，使得改造後的吸盤結構能夠具有施加電壓的功能，但顛覆傳統的吸盤結構的改造方式其改造成本比較高。因此，針對上述技術問題，有必要提供一種具有改良結構的手動探針臺結構，以克服上述缺陷。

發明內容
有鑑於此，本發明提供一種手動探針臺結構，該手動探針臺結構中的吸盤結構為一傳統結構的吸盤，但是該吸盤結構具有施加電壓的功能，有助於對DMOS產品進行全面測試驗證。為實現上述目的，本發明提供如下技術方案:
一種手動探針臺結構，其包括吸盤結構以及設於吸盤結構上方的若干探針，所述手動探針臺結構還設有主連接線以及與主連接線連接的插針，所述吸盤結構的邊緣設有一個安裝孔，所述插針插在安裝孔內，所述主連接線的一端設有鑷子夾頭，所述鑷子夾頭夾持在插針上，所述主連接線的另一端與一電壓載體連接。優選的，在上述手動探針臺結構中，所述鑷子夾頭採用焊接的方式固定在主連接線的一端。優選的，在上述手動探針臺結構中，所述手動探針臺結構還包括環繞在鑷子夾頭與吸盤結構上以將主連接線的一端與吸盤結構穩固扎接在一起的扎線帶。優選的，在上述手動探針臺結構中，所述主連接線為三層屏蔽的電纜線。優選的，在上述手動探針臺結構中，所述探針上接有導線，所述導線一端與所述探針連接，另一端與所述電壓載體連接。從上述技術方案可以看出，本發明實施例的手動探針臺結構通過在吸盤結構上設置一個安裝孔以及插接在安裝孔內的插針，僅利用一根主連接線將電壓傳遞到吸盤結構上，使得吸盤結構具有施加電壓的功能，結構簡單且操作方便，且有助於對DMOS產品進行全面測試驗證。


為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的有關本發明的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本發明手動探針臺結構的示意圖。1、吸盤結構2、探針3、主連接線4、鑷子夾頭5、電壓載體連接
具體實施例方式DMOS (Double-diffused Metal Oxide Semiconductor,雙擴散金屬氧化物半導體場效應管)具有源、漏、柵等電極，但是漏端擊穿電壓高。DMOS主要有兩種類型，垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管VDMOSFET (vertical double-diffused M0SFET)和橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管 LDM0SFET (lateral double-dif fused M0SFET)。DMOS產品是由成百上千的單一結構的DMOS單元所組成的。這些單元的數目是根據一個晶片所需要的驅動能力所決定的，DMOS的性能直接決定了晶片的驅動能力和晶片面積。對於一個由多個基本單元結構組成的LDMOS產品，其中一個最主要的考察參數是導通電阻。對於LDMOS產品應儘可能減小導通電阻。當導通電阻很小時，產品就會提供一個很好的開關特性，因為小的導通電阻，會有較大的輸出電流，從而可以具有更強的驅動能力。在功率應用中，由於DMOS技術採用垂直器件結構，因此具有很多優點，包括高電流驅動能力、低導通電阻和高擊穿電壓等。探針臺結構是主要應用於半導體行業以及光電行業的測試的設備。所述探針臺結構從操作上來區分包括手動探針臺結構、半自動探針臺結構以及全自動探針臺結構。所述探針臺結構從功能上來區分包括高溫探針臺結構、低溫探針臺結構、RF探針臺結構、LCD平板探針臺結構、霍爾效應探針臺結構以及表面電阻率探針臺結構。現有技術中一種手動探針臺結構，其包括吸盤結構以及設於吸盤結構上方的若干探針。所述吸盤結構沒有施加電壓的功能。在一般半導體製程中，需要對DMOS產品進行全面測試驗證，DMOS產品的正面可以通過手動探針臺上的探針接導線進行測試驗證，而DMOS產品的反面與吸盤結構接觸，必須吸盤結構上通有電壓才能對其進行測試驗證，而一般現有技術中手動探針臺結構中的吸盤結構無法加載電壓，這樣就無法對DMOS產品的反面進行測試驗證。為了解決這一問題，現有技術中也有通過對手動探針臺結構中吸盤結構的結構特徵進行改造，使得改造後的吸盤結構能夠具有施加電壓的功能，但顛覆傳統的吸盤結構的改造方式其改造成本比較高。本發明公開了 一種手動探針臺結構，該手動探針臺結構中的吸盤結構為一傳統的吸盤結構，通過在該吸盤結構上設置一個安裝孔並在該安裝孔內插入一個插針，然後通過一根主連接線將插針與電壓載體連接，最終將吸盤結構、插針、主連接線以及電壓載體共同連接形成一條線路，使得該吸盤結構具有施加電壓的功能，進而可以便於對DMOS產品的反面進行測試驗證。下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行詳細的描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。請參閱圖1所示，所述手動探針臺結構，其包括吸盤結構I以及設於吸盤結構I上方的若干探針2。所述手動探針臺結構還包括主連接線3、與主連接線3連接的插針以及電壓載體5。所述插針安裝於吸盤結構I上。所述主連接線3的一端與插針連接,所述主連接線3的另一端與電壓載體5連接。請繼續參閱圖1所示，所述吸盤結構I的邊緣設有一個安裝孔，所述插針插在安裝孔內。所述主連接線3為一根整線。所述主連接線3與插針連接的一端還設有一個鑷子夾頭4，所述鑷子夾頭4用以夾持在插針上。所述吸盤結構1、插針、鑷子夾頭4以及電壓載體5連接共同形成一條線路，實現對吸盤結構I施加電壓。在實際操作中，是將主連接線3的一端剪掉，然後取下剪掉端內的插針裝在吸盤結構I的安裝孔內，然後在主連接線3被剪掉的一端上用烙鐵焊接一個所述鑷子夾頭4，此種通過焊接的方式將鑷子夾頭4固定在主連接線3上的方式，操作簡單且固定可靠。本發明通過一根主連接線3，通過對該主連接線3進行剪切加工，最終實現對吸盤結構I施加電壓，結構簡單，且成本低。由於主連接線3的一端焊接的鑷子夾頭4夾持在吸盤結構I上的插針上，在手動操作吸盤結構I移動的過程中，很容易扯到主連接線3，進而使得鑷子夾頭4脫離插針，使得電壓無法施加到吸盤結構I上。為此，本發明還設計了一個環繞在鑷子夾頭與吸盤結構上的扎線帶，通過扎線帶將主連接線3的一端與吸盤結構I固定在一起，使得鑷子夾頭4與插針夾持穩定。本發明實施手動探針臺結構中的主連接線3為三層屏蔽的電纜線。因為在對DMOS產品進行全面測試驗證的過程中，需要的電壓很小，採用三層屏蔽的電纜線可以減小幹擾，保證測試驗證的準確度。所述探針2上接有導線，所述導線一端與所述探針2連接，另一端與所述電壓載體5連接。如此設置，可以實現對DMOS產品正面的測試驗證，結構簡單，測試方便可靠。本發明實施例的手動探針臺結構通過在吸盤結構I上設置一個安裝孔以及插接在安裝孔內的插針，只需要在普通的吸盤結構I上連接一根主連接線3就能實現對吸盤結構I進行電壓施加，結構簡單，成本低，且操作方便，有助於對DMOS產品進行全面測試驗證，滿足DMOS產品手動驗證需求。本發明手動探針臺結構通過在吸盤結構I上設置一個安裝孔接插針來保證良好的導電性，結構簡單，加工方便，且導電穩定。本發明手動探針臺結構在實際操作中，是將主連接線3的一端剪掉，然後取下剪掉端內的插針裝在吸盤結構I的安裝孔內，然後再在主連接線3被剪掉的一端用烙鐵焊接上一個鑷子夾頭4，通過對一根整的主連接線3進行剪切加工後，即可完成吸盤結構I電壓的施加，結構簡單，且成本低，並且通過焊接的方式將鑷子夾頭4固定在主連接線3上，操作簡單，固定可靠。本發明手動探針臺結構通過設置一個環繞在鑷子夾頭與吸盤結構上的扎線帶，通過扎線帶將主連接線3的一端與吸盤結構I固定在一起，使得鑷子夾頭4與插針夾持穩定。本發明手動探針臺結構因為在對DMOS產品進行全面測試驗證的過程中，需要的電壓很小，通過將主連接線3採用三層屏蔽的電纜線，減小了幹擾，保證測試驗證的準確度。本發明手動探針臺結構通過在所述探針2上接導線，所述導線一端與所述探針2連接，另一端與所述電壓載體5連接。如此設置，實現對DMOS產品正面的測試驗證，結構簡單，測試方便可靠。對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業技術人員能夠實現或使用本發明。對這些實施例的多種修改對本領域的專業技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，在其它實施例中實現。因此，本發明將不會被限制於本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的範圍。
權利要求
1.一種手動探針臺結構，其包括吸盤結構(I)以及設於吸盤結構(I)上方的若干探針(2)，其特徵在於:所述手動探針臺結構還設有主連接線(3)以及與主連接線(3)連接的插針，所述吸盤結構(I)的邊緣設有一個安裝孔，所述插針插在安裝孔內，所述主連接線(3)的一端設有鑷子夾頭(4)，所述鑷子夾頭(4)夾持在插針上，所述主連接線(3)的另一端與一電壓載體(5)連接。
2.根據權利要求1所述手動探針臺結構，其特徵在於:所述鑷子夾頭(4)採用焊接的方式固定在所述主連接線(3)的一端。
3.根據權利要求1所述手動探針臺結構，其特徵在於:還包括環繞在所述鑷子夾頭(4)與所述吸盤結構(I)上以將所述主連接線(3)的一端與所述吸盤結構(I)穩固扎接在一起的扎線帶。
4.根據權利要求1所述手動探針臺結構，其特徵在於:所述主連接線(3)為一根整線。
5.根據權利要求1所述手動探針臺結構，其特徵在於:所述主連接線(3)為三層屏蔽的電纜線。
6.根據權利要求1所述手動探針臺結構，其特徵在於:所述探針(2)上接有導線，所述導線一端與所述探針(2)連接，另一端與所述電壓載體(5)連接。
全文摘要
本發明公開了一種手動探針臺結構，其包括吸盤結構以及設於吸盤結構上方的若干探針，所述手動探針臺結構還設有主連接線以及與主連接線連接的插針，所述吸盤結構的邊緣設有一個安裝孔，所述插針插在安裝孔內，所述主連接線的一端設有鑷子夾頭，所述鑷子夾頭夾持在插針上，所述主連接線的另一端與一電壓載體連接。本發明實施例的手動探針臺結構通過在吸盤結構上設置一個安裝孔以及插接在安裝孔內的插針，僅利用一根主連接線將電壓傳遞到吸盤結構上，使得吸盤結構具有施加電壓的功能，結構簡單且操作方便，且有助於對DMOS產品進行全面測試驗證。
文檔編號G01R1/04GK103091514SQ20111033235
公開日2013年5月8日 申請日期2011年10月27日 優先權日2011年10月27日
發明者吉仁文 申請人:無錫華潤上華科技有限公司