發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像的呈現方法
2023-09-13 07:05:40 2
專利名稱：發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像的呈現方法
技術領域：
本發明是關於一種發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像的呈現方法。
背景技術：
在發光二極體的製造期間，一般會將多個磊晶片配置在磊晶載盤(susc^ptor)上，然後再將此嘉晶載盤置入沉積系統(例如有機金屬化學氣相沉積(M0CVD,metal-organic chemical vapor deposition)系統)中進行沉積處理，以製造發光二極體磊晶片。在進行沉積處理之後，經常需要對各批發光二極體磊晶片進行量測，以了解各批發光二極體磊晶片的物性是否落在規範之內。然而，發光二極體磊晶片一般是以單片方式進行量測，在量測結束之後再將單片發光二極體磊晶片的物性數據一一輸入到電腦中並繪製成數據圖表(例如物性曲線圖)，然後再將這些無法顯示出發光二極體磊晶片的批與批間的關係的數據圖表逐一比對，以期找出各批發光二極體磊晶片間的製造條件變異。此種數據整合與數據圖表比對的方式乃極為耗時與耗力，並且不易觀察出單批磊晶片的物性在沉積腔體內的分布情形，以及隨腔體使用時間而變異的狀態與趨勢。因此，亟需一種可讓使用者便於觀察各批發光二極體磊晶片間的物性差異以及製造條件變異的方法。
發明內容
為解決上述問題，依照本發明的實施例，提供一種發光_■極體嘉晶片的對應嘉晶載盤位置量測分布圖像的呈現方法，其包含下列步驟:對多批發光二極體磊晶片上的多個量測位置進行量測，以獲得每一量測位置的量測資料，其中每一磊晶片具有對應於相關磊晶載盤上的配置位置的第一序列，以及每一量測位置具有對應於相關磊晶片上的地址的第二序列； 依照該第一序列以及該第二序列，藉由顏色標度方式以各批發光二極體磊晶片的量測資料來建立對應磊晶載盤位置量測分布圖像；以及在顯示介面上以重疊方式依序顯示各批發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像。該方法可更包含下列步驟:在該顯示介面上同時顯示各批發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像。本發明的其他實施樣態以及優點可從以下與用以例示本發明原理範例的隨附圖式相結合的詳細說明而更顯明白。此外，為了不對本發明造成不必要的混淆，在本說明書中將不再贅述為人所熟知的元件與原理。
在本發明的隨附圖式中，相同的元件是藉由相同的參考符號加以標示。圖1顯示發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像的呈現方法的流程圖。圖2顯示發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像的呈現方法的流程圖。圖3顯示依照本發明的發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像的一呈現方法的示意圖。圖4A-4F顯示依照本發明的發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像的另一呈現方法的連續示意圖。元件符號說明:I顯示介面3發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像5發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像7發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像9發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像11發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像13發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像31嘉晶載盤圖像100流程圖101對多批發光二極體磊晶片上的多個量測位置進行量測，以獲得每一量測位置的量測資料，其中每一磊晶片具有對應於相關磊晶載盤上的配置位置的第一序列，以及每一量測位置具有對應於相關磊晶片上的地址的第二序列103依照該第一序列以及該第二序列，藉由顏色標度方式以各批發光二極體磊晶片的量測資料來建立對應磊晶載盤位置量測分布圖像105在顯示介面上以重疊方式依序顯示各批發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像200流程圖201對多批發光二極體磊晶片上的多個量測位置進行光激發光量測，以獲得每一量測位置的光激發光量測資料，其中每一磊晶片具有對應於相關磊晶載盤上的配置位置的第一序列，以及每一量測位置具有對應於相關磊晶片上的地址的第二序列203依照該第一序列以及該第二序列，藉由顏色標度方式以各批發光二極體磊晶片的光激發光量測資料來建立對應磊晶載盤位置量測分布圖像205在顯示介面上以重疊方式依序顯示各批發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像
具體實施例方式依照本發明的實施例，圖1顯示發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像的呈現方法的流程圖100。流程圖100是起始於步驟101，於其中對多批發光二極體磊晶片上的多個量測位置進行量測，以獲得每一量測位置的量測資料，其中每一磊晶片具有對應於相關磊晶載盤上的配置位置的第一序列，以及每一量測位置具有對應於相關磊晶片上的地址的第二序列。第一序列可包含量測時間序列，而第二序列亦可包含量測時間序列。此量測資料可包含但不限於 例如薄膜厚度、發光波長、發光強度、反射率等等的相關物性的量測資料。
在步驟103中，依照該第一序列以及該第二序列，藉由顏色標度方式以各批發光二極體磊晶片的量測資料來建立對應磊晶載盤位置量測分布圖像。例如，所謂「顏色標度(color scale)」是指利用不同的顏色來表示不同的物性數值範圍。由於人類對顏色比對數字或線條更具有強烈的視覺反應，因此我們可利用此種顏色標度來建立對應磊晶載盤位置量測分布圖像，如此俾能讓使用者更便於觀察在各發光二極體磊晶片上的物性分布差異。在步驟105中，在顯示介面上以重疊方式依序顯示各批發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像。以此種重疊依序顯示的方式，我們可更清楚地觀察到發光二極體磊晶片的批與批之間的製造條件變異。此外，此方法可更包含下列步驟:在此顯示介面上同時顯示各批發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像。依照本發明的更為具體的實施例，圖2顯示發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像的呈現方法的流程圖200。圖2是將本發明的對應磊晶載盤位置量測分布圖像的呈現方法應用在發光二極體磊晶片的光激發光物性量測的具體範例。流程圖200是起始於步驟201，於其中對多批發光二極體磊晶片上的多個量測位置進行光激發光(photoluminescence)量測，以獲得每一量測位置的光激發光量測資料，其中每一磊晶片具有對應於相關磊晶載盤上的配置位置的第一序列，以及每一量測位置具有對應於相關磊晶片上的地址的第二序列。第一序列可包含量測時間序列，而第二序列亦可包含量測時間序列。在步驟203中，依照該第一序列以及該第二序列，藉由顏色標度方式以各批發光二極體磊晶片的光激發光量測資料來建立對應磊晶載盤位置量測分布圖像。在步驟205中，在顯示介面上以重疊方式依序顯示各批發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像。此外，此方法可更包含下列步驟:在此顯示介面上同時顯示各批發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像。依照本發明的範例，圖3顯示依照本發明的發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像的呈現方法的示意圖。如圖3所示，在顯示介面I上同時顯示各批發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像，舉例來說，其中，參考符號「3」是指在第一周所生產的發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像、「5」是指在第二周所生產的發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像、「7」是指在第三周所生產的發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像、「9」是指在第四周所生產的發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像、「11」是指在第五周所生產的發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像、以及「13」是指在第六周所生產的發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像。以圖3中的對應磊晶載盤位置量測分布圖像3為例，對應磊晶載盤位置量測分布圖像3可呈現出各磊晶片在實際磊晶載盤上的配置位置圖像、以及各量測位置在各實際磊晶片上的物性分布圖像。例如，對應磊晶載盤位置量測分布圖像3可呈現出19個發光二極體磊晶片配置在實際磊晶載盤上的位置圖像(如圖所示，即標示I號到19號的圓形圖案)，亦即，可呈現出裝載有19個磊晶片的磊晶載盤圖像31，此是藉由下列方式達成:對每一磊晶片賦予對應於實際磊晶載盤上的配置位置的第一序列，如此即可在建立對應磊晶載盤位置量測分布圖像3時，依據第一序列定位出每一磊晶片在磊晶載盤圖像31上的位置。再者，對應磊晶載盤位置量測分 布圖像3可呈現出在實際磊晶載盤上所配置的19個發光二極體磊晶片的物性分布圖像，以對應磊晶載盤位置量測分布圖像3中的第15號磊晶片圖像為例，此是藉由下列方式達成:對第15號實際磊晶片上的每一量測位置賦予對應於在第15號實際磊晶片上的相關地址的第二序列，如此即可在量測物性數據之後，依據第二序列並藉由顏色標度方式以量測到的數據在磊晶載盤圖像31的第15號磊晶片圖像上建立物性分布圖像。在本發明的另一實施例中，第一序列及/或第二序列可包含量測時間序列。以磊晶載盤圖像31為例，在依序量測第I號到第19號實際磊晶片時，即可對第I號到第19號實際磊晶片產生不同的量測時間序列；以磊晶載盤圖像31上的第15號磊晶片圖像為例，在依序量測第15號實際磊晶片上的各個位置時，即可對第15號實際磊晶片上的各個位置產生不同的量測時間序列。依照本發明的另一範例，圖4A-4F顯示依照本發明的發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像的呈現方法的連續示意圖。如圖4A-4F所示，在顯示介面I上以重疊方式依序顯示各批發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像。雖然圖4A-4F是顯示分開的圖像，但實際上圖4A-4F的圖像是以重疊方式連續顯示，以利使用者觀察發光二極體磊晶片的批與批之間的製造條件變異。此種重疊且依序顯示圖像的方式可讓使用者「追蹤(tracking)」多批產品的物性變異，俾能讓使用者判定是否需要修改製程條件。在本發明的圖式中所顯示的磊晶片圖像數量以及磊晶載盤圖像數量乃是為了示範的目的而提出，其不應被視為限制，我們可依實際情況來設定這些磊晶片圖像與磊晶載盤圖像的數量。依照本發明的方法，我們可清楚且方便地觀察到在不同時期所生產的發光二極體磊晶片的物性分布差異以及製造條件變異。例如，磊晶工程師可使用雷射光激發光光譜儀來「追蹤」多批發光二極體磊晶片對應於有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)磊晶設備中的磊晶載盤位置的磊晶結果分布，以獲得用來診斷製程條件的資訊，磊晶工程師可依照此種資訊來判定是否需要修改製程條件，以期提高產品良率。雖然本發明已參考較佳實施例及圖式詳加說明，但熟習本項技藝者可了解在不離開本發明的精神與範疇的情況下，可進行各種修改、變化以及等效替代，然而這些修改、變化以及等效替代仍落入本發 明所附的申請專利範圍內。
權利要求
1.一種發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像的呈現方法，包含下列步驟: 對多批發光二極體磊晶片上的多個量測位置進行量測，以獲得每一量測位置的量測資料，其中每一磊晶片具有對應於相關磊晶載盤上的配置位置的第一序列，以及每一量測位置具有對應於相關磊晶片上的地址的第二序列； 依照該第一序列以及該第二序列，藉由顏色標度方式以各批發光二極體磊晶片的量測資料來建立對應磊晶載盤位置量測分布圖像；及 在顯示介面上以重疊方式依序顯示各批發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像。
2.如權利要求1權利要求1所述的發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像的呈現方法，更包含下列步驟: 在該顯示介面上同時顯示各批發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像。
3.如權利要求1所述的發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像的呈現方法，其中該第一序列包含量測時間序列。
4.如權利要求1所述的發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像的呈現方法，其中該第二序列包含量測時間序列。
5.如權利要求1所述的發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像的呈現方法，其中該量測資料包含薄膜厚度、發光波長、發光強度、以及反射率的相關物性的量測資料。
6.一種發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像的呈現方法，包含下列步驟: 對多批發光二極體磊晶片上的多個量測位置進行光激發光量測，以獲得每一量測位置的光激發光量測資料，其中每一磊晶片具有對應於相關磊晶載盤上的配置位置的第一序列，以及每一量測位置具有對應於相關磊晶片上的地址的第二序列； 依照該第一序列以及該第二序列，藉由顏色標度方式以各批發光二極體磊晶片的光激發光量測資料來建立對應磊晶載盤位置量測分布圖像；及 在顯示介面上以重疊方式依序顯示各批發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像。
7.如權利要求6所述的發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像的呈現方法，更包含下列步驟: 在該顯示介面上同時顯示各批發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像。
8.如權利要求6所述的發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像的呈現方法，其中該第一序列包含量測時間序列。
9.如權利要求6所述的發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像的呈現方法，其中該第二序列包含量測時間序列。
全文摘要
本發明是關於一種發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像的呈現方法，藉此以方便工程人員有效監控磊晶設備腔室內的變化，進而改善生產良率。該方法包含下列步驟對多批發光二極體磊晶片上的多個量測位置進行量測，以獲得每一量測位置的量測資料，其中每一磊晶片具有對應於相關磊晶載盤上的配置位置的第一序列，以及每一量測位置具有對應於相關磊晶片上的地址的第二序列；依照該第一序列以及該第二序列，藉由顏色標度方式以各批發光二極體磊晶片的量測資料來建立對應磊晶載盤位置量測分布圖像；以及在顯示介面上以重疊方式依序顯示各批發光二極體磊晶片的對應磊晶載盤位置量測分布圖像。
文檔編號H01L33/00GK103219256SQ20121001916
公開日2013年7月24日 申請日期2012年1月20日 優先權日2012年1月20日
發明者鄭炫墩 申請人:艾特麥司股份有限公司