處理襯底的方法
2023-09-13 08:34:05 1
處理襯底的方法
【專利摘要】本發明提供一種處理襯底的方法，其包含：將第一襯底對齊以具有第一襯底起始位置，從而允許在第一襯底上形成的對齊標記與預設參考點匹配；將雷射束輻射到第一襯底的結晶目標區域並且在第一襯底往復運動的同時形成結晶圖案；取決於第一襯底的結晶圖案的邊緣與對齊標記的中心點之間的距離計算校正偏差並且計算通過反映校正偏差獲得的校正參考點；以及，在將第一襯底放置到外部後，對齊第二襯底以允許將第二襯底的對齊標記放置到腔室中以與校正參考點匹配。
【專利說明】處理襯底的方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種使襯底對齊及結晶的處理襯底的方法，並且更確切地說，涉及一種能夠使雷射束的結晶圖案得到精確放置的處理襯底的方法。
【背景技術】
[0002]使襯底結晶的方法包含順序橫向固化(sequential lateral solidificat1n, SLS)和準分子雷射退火(eximer laser annealing, ELA)技術。
[0003]SLS技術誘導橫向生長以獲得類似於單晶的晶體，並且通過使用所述技術獲得的晶體具有巨大的場效應遷移率。然而，由於輻射雷射束是高能量依賴性的，所以處理裕度(process margin)不好，並且由於放置襯底的平臺的精確度對處理有極大的影響,所以存在難以在整個襯底上獲得均勻結果的局限性。
[0004]ELA技術誘導垂直生長並且其結晶特徵與SLS技術相比是較差的，但是由於ELA技術具有整個襯底上的均勻性極好的優勢，所以該技術已得到廣泛使用。
[0005]常用的ELA裝置包含:處理室；襯底傳送單元，其安裝在所述處理室中、固持襯底並且按照處理進行的順序水平地移動所述襯底；透明窗戶，其安裝在處理室的上部部分上；雷射模塊，其布置在處理室外部並且發射雷射束；以及反射器，其布置在處理室外部的透明窗戶上方並且將從雷射模塊中朝向透明窗戶發射的雷射束。
[0006]下文中簡單地描述了使用ELA裝置的結晶方法。首先，當雷射束從雷射發生器中發射時，雷射束由反射器反射、穿過透明窗戶、隨後進入襯底的表面。舉例來說，可以使用在其上表面具有非晶矽層的襯底並且當雷射束輻射到所述非晶矽層時，所述非晶矽層變為液態，發生固化且結晶，因此形成多晶矽層。在這種情況下，為了使多個襯底能夠連續地結晶，輻射雷射束同時水平地移動襯底。
[0007]如圖1中所示，其示出了將雷射束輻射到襯底的表面並且執行結晶化、固定雷射束模塊並且隨後輻射雷射束同時襯底S向前且向後往復運動若干次，因此在襯底上形成結晶圖案的方法。由於襯底的往復運動，多個雷射束可以重複地輻射到結晶圖案。
[0008]當雷射束首先輻射到第一區段時，襯底經放置使得襯底的對齊標記放置在雷射束的寬度的中心線上，並且隨後雷射束依次輻射到結晶目標區域。也就是說，通過對齊襯底使得對齊標記的中心點與預設參考點匹配，可以將襯底的對齊標記放置在雷射束的寬度的中心線上。然而，由於雷射模塊的光學特徵變化，存在以下局限性:隨著時間的流逝，對齊標記離開結晶目標區域並且經歷移位和旋轉等變動，在這種狀態下形成結晶圖案。
[0009]舉例來說，當假定由虛線形成的部分是在其中執行選擇性結晶的結晶目標區域時，可以看到，進行雷射束處理、隨著時間的流逝雷射束輻射到結晶目標區域I之外，且因此發生結晶圖案2a的移位，如圖2(a)中所示。並且，如圖2(b)中所示，可以看到，進行雷射束處理、隨著時間的流逝雷射束以某一角度輻射到結晶目標區域I之外，並且因此發生結晶圖案2b的旋轉。
[0010]由於雷射束的連續振蕩引起的雷射束模塊的特徵變化，因此隨著時間的流逝發生移位和旋轉等雷射束的變動。也就是說，由於連續振蕩引起的雷射路徑上的振蕩器或反射器的熱變形，因此發生雷射束的變動。
[0011]然而，雖然執行了雷射束處理，但是通常變動尚未得到改進。已經進行了被動測量，其是在雷射束輻射到多個襯底之後，對雷射束的變動水平進行測量並且對原因進行分析。也就是說，在雷射束依次輻射到多個襯底的同時，忽略雷射束的變動位移水平並且輻射雷射束以執行結晶化。因此，在完成雷射束處理之後，由於雷射束的變動，襯底上的非結晶目標區域的部分發生結晶化，並且因此存在產品質量降低的局限性。
[0012]專利文獻
[0013]專利文獻1:第2012-0111759號韓國專利公開案
【發明內容】
[0014]本發明提供了用於使襯底結晶的對齊襯底的方法。本發明還提高了在執行襯底的選擇性結晶時位置精確度。本發明還改進由雷射束的特徵變化引起的雷射束的旋轉或移位。
[0015]根據一個示例性實施例，一種處理襯底的方法包含:將第一襯底對齊以具有第一襯底起始位置，從而允許在第一襯底上形成的對齊標記與預設參考點匹配；將雷射束輻射到第一襯底的結晶目標區域並且在第一襯底往復運動的同時形成結晶圖案；取決於第一襯底的結晶圖案的邊緣與對齊標記的中心點之間的距離計算校正偏差並且計算通過反映校正偏差獲得的校正參考點；以及在將第一襯底放置到外部後，對齊第二襯底以允許將第二襯底的對齊標記放置到腔室中以與校正參考點匹配。
[0016]校正參考點的計算可以包含:在第一襯底的結晶目標區域上的結晶圖案化完成後，使第一襯底返回到第一襯底起始位置；識別返回到第一襯底起始位置的第一襯底的結晶圖案和對齊標記的位置；測量結晶圖案的邊緣與對齊標記的中心點之間的距離；取決於所述距離計算校正偏差；並且將校正偏差添加到參考點以計算校正參考點。
[0017]所述距離的測量可以包含:測量結晶圖案的一個邊緣與對齊標記的中心點之間的距離以及結晶圖案的另一邊緣與對齊標記的中心點之間的另一距離。
[0018]校正偏差的計算可以包含將所述距離與所述另一距離之間的差值除以2。
[0019]參考點的校正可以包含:將校正偏差添加到參考點或者從參考點中減去校正偏差，以允許校正參考點的位置移動到具有所述距離和所述另一距離當中的較大值的邊緣。
[0020]所述方法可以進一步包含在對齊第一襯底前將第一襯底放置到腔室中；並且在第一襯底上標示(indexing)所述對齊標記。
[0021]返回到襯底起始位置的第一襯底的結晶圖案和對齊標記的位置的識別可以包含:通過CCD傳感器捕獲返回到第一襯底起始位置的第一襯底並且通過使用第一襯底的所捕獲圖像識別所述位置。
[0022]所述第一襯底可以包含多個區段並且對齊標記針對每個區段形成。
[0023]可以在每個區段上執行第一襯底的對齊、結晶圖案的形成、校正參考點的計算以及第二襯底的對齊。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0024]通過結合附圖進行的以下描述可以更詳細地理解示例性實施例，其中:
[0025]圖1示出了將雷射束輻射到襯底的表面並且執行結晶的方法。
[0026]圖2(a)和圖2(b)示出了如何在襯底的結晶圖案上發生變動。
[0027]圖3示出了根據本發明的一個實施例的用於雷射束結晶的襯底處理裝置。
[0028]圖4是根據本發明的一個實施例的校正變動的過程的流程圖。
[0029]圖5 (a)到圖5 (g)是根據本發明的一個實施例的校正變動和輻射雷射束的襯底處理過程的流程圖。
[0030]圖6示出了根據本發明的一個實施例執行選擇性結晶的方法。
[0031]圖7(a)和圖7(b)表示根據本發明的一個實施例的結晶圖案的邊緣與對齊標記的中心點之間的距離。
[0032]圖8(a)和圖8(b)示出了根據本發明的一個實施例當在結晶圖案的中心軸的左側存在對齊標記時找到校正參考點並且移動襯底的方法。
[0033]圖9(a)和圖9(b)示出了根據本發明的一個實施例當在結晶圖案的中心軸的右側存在對齊標記時找到校正參考點並且移動襯底的方法。
[0034]圖10(a)到圖10(c)示出了根據本發明的一個實施例在包含三個區段的襯底的每個區段上執行選擇性結晶的方法。
【具體實施方式】
[0035]下文中參考附圖更詳細地描述了本發明的示例性實施例。然而，本發明可以用不同形式實施，並且不應被解釋為限於本文所闡述的實施例。實際上，提供這些實施例是為了使得本發明透徹並且完整，並且這些實施例將把本發明的範圍完整地傳達給所屬領域的技術人員。附圖中的相同標號指代相同組件。
[0036]圖3示出了根據本發明的一個實施例的用於雷射束結晶的襯底處理裝置。
[0037]用於雷射束結晶的襯底處理裝置將雷射束輻射到襯底以執行雷射結晶，用於在襯底S上形成的薄膜的結晶。襯底處理裝置包含:處理室100 ;襯底傳送單元120，其安裝在所述處理室100中、固持襯底S並且水平地向前和向後移動所述襯底；透明窗戶110，其安裝在處理室100的一側上，面向襯底傳送單元120 ；以及雷射模塊200，其包含布置在處理室100外部並且發射雷射束的雷射振蕩器210 ;以及反射器220，其布置在處理室100外部的透明窗戶110上方。並且，對齊標記圖形發生器(未圖示)布置在處理室100中。所述對齊標記圖形發生器(未圖示)用於在襯底上形成對齊標記並且可以作為多種單元實施，例如，蝕刻單元和雷射圖案化單元。並且，具有電荷耦合裝置(CCD)傳感器的視像攝像頭(未圖示)布置在所述處理室中。視像攝像頭(未圖示)可以捕獲襯底並且識別在襯底上形成的對齊標記以及襯底的結晶區域的位置。
[0038]下文簡單地描述了使用具有這種配置的襯底處理裝置的襯底S結晶處理。首先，當襯底S被放置到處理室100中並且放置在襯底傳送單元120上時，標記圖形發生器(未圖示)在所述襯底上形成多個對齊標記。隨後，通過使用視像攝像頭(未圖示)，襯底傳送單元120經傳送以對齊襯底S從而匹配對齊標記。當完成襯底對齊時，雷射束輻射到襯底S上。在襯底由襯底傳送單元120水平地移動的同時，雷射束輻射到所述襯底上。在這種情況下，襯底S可以是(例如)在其上具有非晶矽層的襯底，並且當非晶矽層通過使用雷射束結晶裝置結晶時，使矽層結晶。
[0039]當雷射束輻射時，雷射束僅輻射到結晶目標區域以執行選擇性結晶。舉例來說，通過執行雷射束上的遮光片的開啟和閉合，可以將雷射束僅輻射到在光束模塊下方移動的襯底的結晶目標區域。也就是說，因為遮光片是布置在雷射模塊的雷射束路徑上的，因此雖然雷射模塊繼續執行雷射振蕩，但是可以開啟遮光片並且僅在襯底的結晶目標區域放置在雷射模塊的光束輻射路徑上時輻射雷射束。可以通過其他技術執行選擇性結晶。
[0040]舉例來說，由於光束的連續振蕩，可能存在無法精確執行雷射束輻射的局限性，因為隨著時間的流逝，雷射束的輻射區域離開所述區域進行結晶並且經歷移位和旋轉等變動。因此，本發明的實施例包含即使在雷射束處理期間也能夠校正雷射束的移位的控制器(未圖示)。取決於襯底的結晶圖案與對齊標記的中心點之間的距離，控制器(未圖示)校正下一襯底的襯底起始位置，從而改進變動。下文參考圖4進行描述。
[0041]圖4是根據本發明的一個實施例的校正變動的過程的流程圖；並且圖5(a)到圖5(g)是根據本發明的一個實施例的輻射雷射束的襯底處理過程的流程圖。
[0042]在下文中，描述了多個襯底被依次放置到處理室中並且通過雷射束輻射執行結晶的方法的實例。在下文中，首先被放置到處理室中的襯底被稱作第一襯底，並且在執行第一襯底的結晶處理後，第一襯底被放置到處理室外並且通過襯底傳送設備移動到襯底裝載箱。在下文中，在將第一襯底放置到外部後放置到處理室中用於結晶的下一襯底被稱作第二襯底。
[0043]具體而言，如圖5(a)中所示，第一襯底首先被放置到處理室中以提供第一襯底。所述襯底通過襯底傳送設備從襯底裝載箱傳送到處理室中。放置在處理室中的襯底支撐件上的第一襯底通過機械單元大致地對齊。
[0044]隨後，如圖5(b)中所示，對齊標記M形成於放置在襯底支撐件上的第一襯底S上。通過使用多種對齊標記圖案發生器(例如蝕刻單元和雷射圖案化單元)，通過雕刻或標示在第一襯底上形成對齊標記M。對齊標記是在襯底上形成的識別標記，並且可以用作當根據本發明對齊襯底或校正襯底的位置時使用的標識符。對齊標記M可以形成為『 + 』並且其中『 + 』交叉的垂直線和水平線的交叉點被稱作對齊標記的中心點。並且，對齊標記可以是單個的或多個的。
[0045]在圖4的過程S410中，在第一襯底S上形成對齊標記M之後,執行第一襯底對齊處理，其中第一襯底經對齊以具有第一襯底起始位置，使得在第一襯底上形成的對齊標記與預設參考點匹配。在此實例中，參考點是控制器先前具有的參考位置信息，並且經預設以便在預設位置上布置襯底。因此，當對齊襯底以便輻射雷射束時，通過使在襯底上形成的對齊標記M與參考點匹配將襯底布置在希望的位置上。並且，第一襯底起始位置可以意味著雷射束首先輻射到的襯底的第一結晶目標區域被放置在雷射模塊下方。也就是說，當襯底經傳送和對齊使得在襯底上形成的對齊標記的中心點與預設參考點匹配時，雷射束輻射到的第一結晶目標區域被放置在雷射模塊下方。因此，當不發生變動並且雷射束正常輻射時，對齊標記的中心點將位於雷射束輻射到的結晶圖案區域的中心軸上。
[0046]襯底的對齊可以通過使用視像攝像頭執行。通過包含電荷耦合裝置(CXD)傳感器的視像攝像頭，識別襯底的對齊標記並且隨後對襯底進行傳送以匹配預設參考點。也就是說，處理室的視像攝像頭讀取對齊標記、對齊和傳送襯底使得在襯底上形成的對齊標記的中心點與參考點匹配，並且因此可以對齊襯底以具有第一襯底起始位置。
[0047]在過程S420中，當完成第一襯底對齊時，執行結晶圖案化處理，其中結晶圖案通過將雷射束輻射到第一襯底的結晶目標區域形成，同時第一襯底進行往復運動。通常，當襯底結晶通過雷射束輻射執行時，僅在需要結晶的一些區域上執行選擇性結晶而不是在襯底的所有區域發生結晶。也就是說，如圖6中所示，在襯底上以規則間隔存在多個結晶目標區域S，並且雷射束輻射是在結晶目標區域S上執行以執行選擇性結晶，從而形成多個結晶圖案P。為了形成這種選擇性結晶化的結晶圖案，可以當在移動襯底上執行雷射束輻射時通過發射或阻斷雷射束將雷射束僅輻射到結晶目標區域S。
[0048]並且，可以通過重複地將雷射束輻射到相同結晶目標區域若干次來實現結晶，同時襯底往復運動。舉例來說，當需要將雷射束輻射到相同結晶目標區域六次時，通過雷射束輻射的結晶通過分別將襯底移動到左側和右側三次執行。在下文中，其中雷射束輻射完全完成並且因此實現結晶的區域被稱作結晶圖案。
[0049]在結晶圖案化處理S420中，隨著襯底的傳送，雷射束輻射首先在如圖5(c)中所示的第一結晶目標區域上執行以形成結晶圖案P1，並且雷射束輻射可以按照第二結晶目標區域P2和第三結晶目標區域P3的順序執行。為了進行參考，如圖5(c)中所示，當雷射束的特徵並未發生改變並且因此雷射束正常輻射而沒有變動時，對齊標記的中心點將被放置在通過雷射束輻射結晶的區域的中心軸上。
[0050]為了進行參考，圖5(d)示出了向前(即，在+X方向上)傳送襯底以及雷射束輻射到第三結晶目標區域以形成第三結晶圖案P3的方法，並且圖5(e)示出了將襯底向前傳送到端部以及雷射束輻射到最後一個結晶目標區域以形成結晶圖案Pn的方法。圖5(f)和圖5(g)示出了向後(即，在-X方向上)傳送襯底以及雷射束再次輻射到先前輻射的結晶目標區域的方法。
[0051]這種結晶處理可以在相同的結晶目標區域上重複地執行結晶若干次，其方式為使得襯底在X方向上重複向前和向後移動。
[0052]當完成(圖4的)結晶圖案化處理S420時，執行(圖4的)校正參考點計算處理S430，其中校正偏差根據第一襯底的結晶圖案的邊緣與對齊標記的中心點之間的距離進行計算，並且反映出校正偏差以計算通過校正參考點獲得的校正參考點。當連續地執行雷射振蕩時，由於雷射模塊的特徵變化，雷射束的線可以旋轉或移位。因此，當第一襯底放置在腔室外部並且隨後將第二襯底放置到腔室中並且執行雷射輻射時，對參考用於最初放置第二襯底的參考點進行校正，使得雷射束的旋轉或移位可以得到校正。由於雷射模塊是機械固定的，因此難以校正位置並且可以通過校正由襯底支撐物形成相對自由移動的襯底的位置來改進雷射束變動，例如，雷射束的旋轉或移位。
[0053]詳細描述了校正參考點計算處理S430。當完成第一襯底的結晶目標區域上的結晶圖案化時，執行第一襯底返回到第一襯底起始位置的襯底返回處理。也就是說，第一襯底返回到對齊標記與參考點匹配的位置。隨後，識別出已經返回到第一襯底起始位置的第一襯底的結晶圖案和對齊標記的位置。為此，已經返回到第一襯底起始位置的第一襯底通過使用包含CXD傳感器的視像攝像頭捕獲。關於結晶圖案和對齊標記的每個形狀的位置信息是從第一襯底的所捕獲圖像中提取的。在此實例中，結晶圖案是雷射束輻射的第一襯底的區域，並且由於通過雷射束輻射而結晶的區域具有不同於附近非結晶區域的材料，因此可以通過視像攝像頭識別位置信息。因此，可以通過使用視像攝像頭識別結晶圖案的兩個邊緣的位置並且可以識別對齊標記的中心點的位置。
[0054]隨後，測量結晶圖案的邊緣與對齊標記的中心點之間的距離的過程。參看詳細示出了襯底的一部分的圖7(a)和圖7(b)，結晶圖案通過雷射束輻射形成於所述襯底的一部分上，可以測量第一對齊標記Ml的中心點與結晶圖案的兩個邊緣之間的距離。也就是說，測量結晶圖案P的一個邊緣與第一對齊標記Ml的中心點之間的距離dl以及結晶圖案P的另一邊緣與第一對齊標記Ml的中心點之間的另一距離d2。類似地，可以測量第二對齊標記M2與結晶圖案之間的距離。
[0055]舉例來說，當由於雷射束的特徵變化使雷射束髮生旋轉時，第一襯底的第一對齊標記Ml和/或第二對齊標記M2中的任一個將偏離結晶圖案的中心軸，如圖7(a)中所示。並且，當由於雷射束的特徵變化使雷射束移位時，所有的第一對齊標記Ml和第二對齊標記M2將偏離結晶圖案的中心軸，如圖7(b)中所示。
[0056]為了使第一襯底之後的第二襯底不經歷此類變動，取決於對齊標記與結晶圖案的邊緣之間的距離，本發明的實施例通過校正參考點來對齊第二襯底。在雷射振蕩之後，多個襯底被依次放置到處理室中以執行結晶，因此可以通過識別第一襯底的結晶圖案以及校正第二襯底的位置實時改進雷射束的變動。
[0057]在校正參考點計算處理中，校正裝置是取決於距離計算的並且校正偏差被添加到參考點以計算校正參考點。可以存在用於取決於距離計算校正偏差的多種技術。舉例來說，通過除以2獲得的值，結晶圖案的一個邊緣與對齊標記的中心點之間的距離dl與結晶圖案的另一邊緣與對齊標記的中心點之間的另一距離d2之間的差值是作為校正偏差確定用的。將這種校正偏差添加到將確定為校正參考點的參考點。
[0058]為了進行參考，圖8(a)到圖9(b)示出了通過應用校正偏差來計算校正參考點的方法。
[0059]假定由於雷射束的特徵變化雷射束移位，並且對齊標記M的中心點不位於結晶圖案的中心軸C上(如圖8(a)中所示)，而是位於距離中心軸C的-X方向上(在左側上)。並且，圖9(a)假定對齊標記M的中心點不位於結晶圖案的中心軸C上，而是位於距離中心軸C的+X方向上(在右側上)。
[0060]測量作為結晶圖案的一個邊緣El與對齊標記M的中心點之間的距離的距離dl以及作為結晶圖案的另一邊緣E2與對齊標記M的中心點之間的距離的另一距離d2。為了進行參考，對齊標記M的中心點對應於當襯底最初對齊時參考的參考點。
[0061]對作為結晶圖案的一個邊緣El與對齊標記M的中心點之間的距離的距離dl與作為結晶圖案的另一邊緣E2與對齊標記M的中心點之間的距離的另一距離d2之間的差值進行測量並且除以2以計算校正偏差。舉例來說，當如圖8(a)中所示距離dl是1.5並且距離d2是0.5時，差值變為1，並且通過將差值除以2獲得的0.5變為校正偏差。並且，當如圖9 (a)中所示距離dl是0.2並且距離d2是1.8時，差值變為1.6，並且通過將差值除以2獲得的0.8變為校正偏差。
[0062]將以此方式計算出的校正偏差添加到參考點或者從參考點中減去所述校正偏差以計算新的校正參考點。就確定是否將校正偏差添加到參考點或者從參考點中減去校正偏差而言，將校正偏差添加到參考點或者從參考點中減去校正偏差使得校正參考點的位置移動到具有距離dl和距離d2中的較大值的邊緣。
[0063]舉例來說，當距離dl具有如圖8(a)中所示的較大值時，參考校正點通過在與具有距離dl的一個邊緣El對應的+X方向上以校正偏差0.5移動典型參考校正點來確定。因此，當第二襯底的對齊標記與參考校正點對齊時，第二襯底如圖8(b)中所示放置並且因此可以在將雷射束輻射到所述第二襯底時防止發生移位。同樣地，當距離d2具有如圖9 (a)中所示的較大值時，參考校正點通過在與具有距離d2的另一邊緣E2對應的-X方向上以校正偏差0.8移動典型參考校正點來確定。因此，當第二襯底的對齊標記與參考校正點對齊時，第二襯底如圖9(b)中所示放置並且因此可以在將雷射束輻射到所述第二襯底時防止發生移位。
[0064]在本發明的上述實施例中描述了在整個襯底上執行雷射束輻射的方法的一個實例。然而，液晶顯示器(liquid crystal display, IXD)面板等大型襯底可以在每個區段上執行選擇性結晶。因此，本發明的實施例還將能夠應用於甚至在每個區段上執行雷射束輻射的結晶時。
[0065]舉例來說，當假定如圖10(a)到圖10(c)中所示襯底包含三個區段時，在襯底在X軸方向上往復運動若干次的同時，雷射束通過雷射模塊210依次輻射到第一區段的結晶目標區域，如圖10(a)中所示。在完成到第一區段的雷射束輻射之後，襯底在y軸方向上傳送，如圖10(b)中所示，並且隨後在襯底在X軸方向上往復運動若干次的同時，雷射束輻射到第二區段的結晶目標區域。同樣地，在完成到第二區段的雷射束輻射之後，襯底在y軸方向上傳送，如圖10(c)中所示，並且隨後在襯底在X軸方向上往復運動若干次的同時，雷射束輻射到第三區段的結晶目標區域。
[0066]對齊標記M1、M2或M3形成於每個區段上，並且因此當通過使用對齊標記與結晶圖案之間的距離對齊襯底用於到每個區段的雷射束輻射時，可以通過參考點校正防止雷射束的變動。也就是說，在第一襯底的每個區段上執行第一襯底對齊處理、結晶圖案化處理和校正參考點計算處理以確定校正參考點之後，基於在執行將雷射束輻射到第二襯底的每個區段之前計算出的校正參考點執行第二襯底對齊處理，因此可以防止第二襯底的變動。
[0067]根據本發明的實施例，可以通過對齊襯底提高位置精確度，方法是使用在執行選擇性結晶處理時針對每個襯底計算出的校正偏差。並且，可以在每個襯底的校正部分上執行選擇性結晶，方法是通過使用襯底的雷射束測量對齊下一襯底。
[0068]雖然 申請人:參考附圖和示例性實施例來描述本發明，但是本發明並不限於此並且由所附的權利要求界定。因此，所屬領域的技術人員可以在不脫離所附權利要求的技術精神的前提下實施各種變化和修改。
【權利要求】
1.一種處理襯底的方法，所述方法包括: 將第一襯底對齊以具有第一襯底起始位置，從而允許在所述第一襯底上形成的對齊標記與預設的參考點匹配； 將雷射束輻射到所述第一襯底的結晶目標區域並且在所述第一襯底往復運動的同時形成結晶圖案； 取決於所述第一襯底的所述結晶圖案的邊緣與所述對齊標記的中心點之間的距離計算校正偏差並且計算通過反映所述校正偏差獲得的校正參考點；以及 在將所述第一襯底放置到外部後，對齊第二襯底以允許將所述第二襯底的對齊標記放置到腔室中以與所述校正參考點匹配。
2.根據權利要求1所述的方法，其中所述校正參考點的計算包括: 在所述第一襯底的所述結晶目標區域上的結晶圖案化完成後，使所述第一襯底返回到所述第一襯底起始位置； 識別返回到所述第一襯底起始位置的所述第一襯底的所述結晶圖案和所述對齊標記的位置； 測量所述結晶圖案的所述邊緣與所述對齊標記的所述中心點之間的所述距離； 取決於所述距離計算所述校正偏差；以及 將所述校正偏差添加到所述參考點以計算所述校正參考點。
3.根據權利要求2所述的方法，其中測量所述距離包括:測量所述結晶圖案的一個邊緣與所述對齊標記的所述中心點之間的距離以及所述結晶圖案的另一邊緣與所述對齊標記的所述中心點之間的另一距離。
4.根據權利要求3所述的方法，其中所述校正偏差的所述計算包括使所述結晶圖案的一個邊緣與所述對齊標記的所述中心點之間的所述距離與所述結晶圖案的另一邊緣與所述對齊標記的所述中心點之間的所述另一距離之間的差值除以2。
5.根據權利要求4所述的方法，其中所述參考點的校正包括:將所述校正偏差添加到所述參考點或從所述參考點中減去所述校正偏差，以允許所述校正參考點的位置移動到具有所述結晶圖案的一個邊緣與所述對齊標記的所述中心點之間的所述距離與所述結晶圖案的另一邊緣與所述對齊標記的所述中心點之間的所述另一距離當中的較大值的邊緣。
6.根據權利要求1所述的方法，在對齊所述第一襯底前還包括: 將所述第一襯底放置到所述腔室中；以及 在所述第一襯底上標示所述對齊標記。
7.根據權利要求2所述的方法，其中識別返回到所述第一襯底起始位置的所述第一襯底的所述結晶圖案和所述對齊標記的位置包括:通過CCD傳感器捕獲返回到所述第一襯底起始位置的所述第一襯底並且通過使用所述第一襯底的所捕獲圖像識別所述位置。
8.根據權利要求1到7中任一權利要求所述的方法，其中所述第一襯底包括多個區段並且所述對齊標記針對每個所述區段形成。
9.根據權利要求8所述的方法，其中在每個所述區段上執行所述第一襯底的對齊、所述結晶圖案的形成、所述校正參考點的計算以及所述第二襯底的對齊。
【文檔編號】H01L21/02GK104241091SQ201410256886
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年6月10日 優先權日:2013年6月14日
【發明者】蘇二彬, 崔均旭, 黃潤鎬 申請人:Ap系統股份有限公司