一種複合陽極及其製備方法和有機電致發光器件及其製備方法

2023-09-20 10:10:10

一種複合陽極及其製備方法和有機電致發光器件及其製備方法
【專利摘要】本發明公開了一種複合陽極及其製備方法，所述複合陽極由依次層疊的玻璃基底、銫鹽層、中間層和錸的氧化物層組成。本發明銫鹽層可以採用旋塗的方法製備，同時銫鹽層材質為粒徑較大的金屬化合物，可加強光的散射；而中間層為聚(3,4-二氧乙基噻吩)和聚(對苯乙烯磺酸)形成的混合材料，可提高陽極的導電性，同時可以採用旋塗的方法製備；所述錸的氧化物層可採用旋塗的方法製備，簡化了器件的製備方法，且錸的氧化物最高已佔軌道能級較低，可加強空穴的注入，提高器件的發光效率。本發明還公開了包含上述複合陽極的有機電致發光器件及其製備方法。
【專利說明】一種複合陽極及其製備方法和有機電致發光器件及其製備 方法

【技術領域】
[0001] 本發明涉及有機電致發光領域，特別涉及複合陽極及其製備方法和有機電致發光 器件及其製備方法。

【背景技術】
[0002] 1987年，美國Eastman Kodak公司的C. W. Tang和VanSlyke報導了有機電致發光 研究中的突破性進展。利用超薄薄膜技術製備出了高亮度，高效率的雙層有機電致發光器 件（OLED)。10V下亮度達到1000cd/m 2,其發光效率為1. 511m/W，壽命大於100小時。
[0003] 0LED的發光原理是基於在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未 佔有分子軌道（LUM0)，而空穴從陽極注入到有機物的最高佔有軌道（HOMO)。電子和空穴在 發光層相遇、複合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發光材料，並激發電子 從基態躍遷到激發態，激發態能量通過輻射失活，產生光子，釋放光能。
[0004] 在傳統的發光器件中，器件內部的光只有18%左右是可以發射到外部去的，而其 他的部分會以其他形式消耗在器件外部，界面之間存在折射率的差(如玻璃與ΙΤ0之間的 折射率之差，玻璃折射率為1. 5, ΙΤ0為1. 8,光從ΙΤ0到達玻璃，就會發生全反射)，引起了 全反射的損失，從而導致整體出光性能較低。因此，有必要提高0LED的發光效率。


【發明內容】

[0005] 為解決上述技術問題，本發明提供了一種複合陽極及其製備方法，所述複合陽極 由依次層疊的玻璃基底、銫鹽層、中間層和錸的氧化物層組成，該複合陽極可應用於聚合物 太陽能電池和有機電致發光器件，應用於有機電致發光器件時，有利於器件空穴的注入，同 時提高器件的導電性和發光效率。本發明還提供了包含上述複合陽極的有機電致發光器件 及其製備方法。
[0006] 第一方面，本發明提供了一種複合陽極，所述複合陽極由依次層疊的玻璃基底、銫 鹽層、中間層和錸的氧化物層組成，所述銫鹽層的材質為氟化銫（CsF)、氯化銫（CsCl)和碳 酸銫（C S2C03)中的一種，所述中間層為聚（3,4-二氧乙基噻吩）（PED0T)和聚（對苯乙烯 磺酸）（PSS)按質量比為2:1?6:1形成的混合材料，所述錸的氧化物層的材質為（Re0 2)、 七氧化二錸（Re207)、三氧化二錸（Re20 3)和氧化二錸（Re20)中的一種。
[0007] 優選地，所述銫鹽層的厚度為5?20nm。
[0008] 優選地，所述中間層的厚度為5?20nm。
[0009] 優選地，所述錸的氧化物層的厚度為5?20nm。
[0010] 第二方面，本發明提供了一種複合陽極的製備方法，包括以下步驟：
[0011] 提供所需尺寸的玻璃基底，清洗後乾燥；
[0012] 在玻璃基底出光面上採用旋塗的方法製備所述銫鹽層、中間層和錸的氧化物層， 得到所述複合陽極；首先，將CsF、CsCl和Cs2C03中的一種和溶劑混合，形成銫鹽質量分數 為1%?40%的銫鹽溶液，然後在玻璃基底出光面上旋塗所述銫鹽溶液得到所述銫鹽層，所 述旋塗轉速為500?6000rpm，時間為5?60s，旋塗後烘乾；將PEDOT和PSS按質量比為 2:1?6:1混合形成混合材料，加水後形成PEDOT質量分數為1%?5%的水溶液，在銫鹽層 上旋塗水溶液得到中間層，旋塗轉速為500?8000rpm，時間為5?60s，旋塗後烘乾；將錸 的氧化物和溶劑混合，形成錸的氧化物質量分數為10%?50%的錸的氧化物溶液，所述錸的 氧化物為Re0 2、Re207、Re203和Re 20中的一種；在中間層上旋塗錸的氧化物溶液得到錸的氧 化物層，旋塗轉速為500?8000rpm，時間為5?60s，旋塗後烘乾。
[0013] 優選地，所述銫鹽層的厚度為5?20nm。
[0014] 優選地，所述中間層的厚度為5?20nm。
[0015] 優選地，所述錸的氧化物層的厚度為5?20nm。
[0016] 優選地，所述玻璃基底為市售普通玻璃。
[0017] 優選地，所述溶劑為水、乙醇或異丙醇。
[0018] 優選地，所述提供所需尺寸的玻璃基底，具體操作為：將玻璃基底進行光刻處理， 然後剪裁成所需要的大小。
[0019] 優選地，所述清洗後乾燥的操作為將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙 醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機汙染物，清洗乾淨後風乾。
[0020] 優選地，旋塗後在100?200°C下烘乾15?60min。
[0021] 本發明所述複合陽極由依次層疊的玻璃基底、銫鹽層、中間層和錸的氧化物層組 成，本發明銫鹽層可以採用旋塗的方法製備，同時銫鹽層材質為金屬化合物，且粒徑較大， 可加強光的散射；中間層為聚（3, 4-二氧乙基噻吩）和聚（對苯乙烯磺酸）形成的混合材 料，導電性較高，可提高陽極的導電性，同時可以採用旋塗的方法製備；所述錸的氧化物層 可採用旋塗的方法製備，簡化了器件的製備方法，且錸的氧化物最高已佔軌道（HOMO)能級 較低，可加強空穴的注入，提高器件的發光效率。
[0022] 第三方面，本發明提供了一種有機電致發光器件，包括依次層疊複合陽極、空穴注 入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述複合陽極由依次層疊的玻 璃基底、銫鹽層、中間層和錸的氧化物層組成，所述銫鹽層的材質為CsF、CsCl和Cs 2C03中的 一種，所述中間層為PEDOT和PSS按質量比為2:1?6:1形成的混合材料，所述錸的氧化物 層的材質為Re0 2、Re207、Re203和Re 20中的一種。
[0023] 優選地，所述銫鹽層的厚度為5?20nm。
[0024] 優選地，所述中間層的厚度為5?20nm。
[0025] 優選地，所述錸的氧化物層的厚度為5?20nm。
[0026] 優選地，所述玻璃基底為市售普通玻璃。
[0027] 優選地，所述空穴注入層材質為三氧化鑰（M〇03)、三氧化鎢（W03)或五氧化二釩 (ν 2〇5)，厚度為20?80nm。更優選地，所述空穴注入層材質為M〇03，厚度為50nm。
[0028] 優選地，所述空穴傳輸層材質為1，1-二[4-[N，N'-二（p-甲苯基）氨基]苯基] 環己烷（了4?〇、4,4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（1'0^)或乂^-(1-萘基），州'-二 苯基-4, 4' -聯苯二胺（NPB)，所述空穴傳輸層材質厚度為20?60nm，更優選地，所述空穴 傳輸層材質為NPB，厚度為45nm。
[0029] 優選地，所述發光層材質為4-(二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10- 二 - β -亞萘基蒽（ADN)、4，4' -雙(9-乙基-3-咔 唑乙烯基）-1，1'-聯苯（BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁（Alq3)，厚度為5?40nm，更優選地，所 述發光層材質為Alq3，厚度優選為30nm。
[0030] 優選地，所述的電子傳輸層材質為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)、3_(聯 苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑（TAZ)或N-芳基苯並咪唑（TPBI)， 厚度為40?80nm，更優選地，所述電子傳輸層材質為TPBI，厚度為45nm。
[0031] 優選地，所述電子注入層材質為碳酸銫（Cs2C03)、氟化銫（CsF)、疊氮銫（CsN 3)或 氟化鋰（LiF),厚度為0. 5?10nm,更優選地，所述電子注入層材質為LiF,厚度為lnm。
[0032] 優選地，所述陰極為銀（Ag)、鋁（A1)、鉬（Pt)或金（Au)，厚度為80?250nm，更優 選地，所述陰極為Ag,厚度為lOOnm。
[0033] 第四方面，本發明提供了一種有機電致發光器件的製備方法，包括以下操作步 驟：
[0034] 提供所需尺寸的玻璃基底，清洗後乾燥；
[0035] 在玻璃基底出光面上採用旋塗的方法製備所述銫鹽層、中間層和錸的氧化物層， 得到所述複合陽極；首先，將CsF、CsCl和Cs2C03中的一種和溶劑混合，形成銫鹽質量分數 為1%?40%的銫鹽溶液，然後在玻璃基底出光面上旋塗所述銫鹽溶液得到所述銫鹽層，所 述旋塗轉速為500?6000rpm，時間為5?60s，旋塗後在烘乾；將PED0T和PSS按質量比為 2:1?6:1混合形成混合材料，加水後形成PED0T質量分數為1%?5%的水溶液，在銫鹽層 上旋塗水溶液得到中間層，旋塗轉速為500?8000rpm，時間為5?60s，旋塗後烘乾；將錸 的氧化物和溶劑混合，形成錸的氧化物質量分數為10%?50%的錸的氧化物溶液，所述錸的 氧化物為Re02、Re207、Re20 3和Re20中的一種；在中間層上旋塗錸的氧化物溶液得到錸的氧 化物層，旋塗轉速為500?8000rpm，時間為5?60s，旋塗後烘乾；
[0036] 在錸的氧化物層上依次蒸鍍製備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、 電子注入層和陰極，最終得到所述有機電致發光器件。
[0037] 優選地，所述銫鹽層的厚度為5?20nm。
[0038] 優選地，所述中間層的厚度為5?20nm。
[0039] 優選地，所述錸的氧化物層的厚度為5?20nm。
[0040] 優選地，所述玻璃基底為市售普通玻璃。
[0041] 優選地，所述溶劑為水、乙醇或異丙醇。
[0042] 優選地，旋塗後在100?200°C下烘乾15?60min。
[0043] 優選地，所述空穴注入層和陰極的蒸鍍條件均為：蒸鍍壓強為2X10_4Pa? 3X lCT3Pa,蒸鍍速率為1?10nm/so
[0044] 優選地，所述空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層蒸鍍條件均為：蒸鍍 壓強為2X l(T4Pa?3X l(T3Pa，蒸鍍速率為0. 1?lnm/s。
[0045] 優選地，所述提供所需尺寸的玻璃基底，具體操作為：將玻璃基底進行光刻處理， 然後剪裁成所需要的大小。
[0046] 優選地，所述清洗後乾燥的操作為將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙 醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機汙染物，清洗乾淨後風乾。
[0047] 優選地，所述空穴注入層材質為Mo03、W03或V205，厚度為20?80nm。更優選地， 所述空穴注入層材質為M〇03，厚度為50nm。
[0048] 優選地，所述空穴傳輸層材質為TAPC、TCTA或NPB，所述空穴傳輸層材質厚度為 20?60nm，更優選地，所述空穴傳輸層材質為TAPC，厚度為45nm。
[0049] 優選地，所述發光層材質為DCJTB、ADN、BCzVBi或Alq3，厚度為5?40nm，更優選 地，所述發光層材質為Alq 3，厚度為30nm。
[0050] 優選地，所述的電子傳輸層材質為Bphen、TAZ或TPBI，厚度為40?80nm，更優選 地，所述電子傳輸層材質為TPBI，厚度為45nm。
[0051] 優選地，所述電子注入層材質為〇820)3工8?工8隊或1^?，厚度為0.5?1〇11111，更優 選地，所述電子注入層材質為LiF，厚度為lnm。
[0052] 優選地，所述陰極為Ag、Al、Pt或Au,厚度為80?250nm,更優選地，所述陰極為 Ag，厚度為100nm。
[0053] 本發明有機電致發光器件中的複合陽極由依次層疊的玻璃基底、銫鹽層、中間層 和錸的氧化物層組成，本發明銫鹽層可以採用旋塗的方法製備，同時銫鹽層材質為金屬化 合物，且粒徑較大，可加強光的散射；中間層為聚（3, 4-二氧乙基噻吩）和聚（對苯乙烯磺 酸）形成的混合材料，導電性較高，可提高陽極的導電性，同時可以採用旋塗的方法製備； 所述錸的氧化物層可採用旋塗的方法製備，簡化了器件的製備方法，且錸的氧化物HOMO能 級較低，可加強空穴的注入，提高發光效率。
[0054] 實施本發明實施例，具有以下有益效果：
[0055] (1)本發明提供的複合陽極由依次層疊的玻璃基底、銫鹽層、中間層和錸的氧化物 層組成，提高了陽極的導電性能和空穴注入能力；
[0056] (2)本發明提供的複合陽極的製備方法，工藝簡單，成本低；
[0057] ( 3 )本發明提供的複合陽極可應用於有機電致發光器件和有機太陽能電池中，應 用於有機電致發光器件時，有利於光的散射，可提高器件的發光效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0058] 為了更清楚地說明本發明的技術方案，下面將對實施方式中所需要使用的附圖作 簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施方式，對於本領域普 通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0059] 圖1是本發明實施例5提供的有機電致發光器件的結構示意圖；
[0060] 圖2是本發明實施例5與對比實施例有機電致發光器件的電壓與亮度關係圖。

【具體實施方式】
[0061] 下面將結合本發明實施方式中的附圖，對本發明實施方式中的技術方案進行清 楚、完整地描述。
[0062] 實施例1
[0063] 一種複合陽極的製備方法，包括以下操作步驟：
[0064] (1)先將玻璃基底進行光刻處理，然後剪裁成2X2cm2的正方形尺寸，然後依次用 洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機汙染物，清洗乾淨 後風乾；
[0065] (2)首先將CsF和水混合，形成CsF質量分數為20%的CsF水溶液，在玻璃基底出 光面上旋塗CsF水溶液，旋塗速度為4000rpm，時間為15s，旋塗後在200°C下加熱15min， 冷卻後得到厚度為l〇nm的銫鹽層；然後將PED0T和PSS按重量比為3:1進行混合(表示為 PEDOT:PSS)，加水形成PEDOT質量分數為2%的水溶液，在銫鹽層上旋塗PEDOT和PSS水溶 液，旋塗轉速為6000rpm，時間為20s，旋塗後在100°C下加熱30min，冷卻後得到厚度為15nm 的中間層；將Re 207和水混合，形成Re207質量分數為25%的Re 207水溶液，在中間層上旋塗 Re207的水溶液，旋塗轉速為4000rpm，時間為10s，旋塗後在150°C下加熱30min，冷卻後得 到厚度為l〇nm的錸的氧化物層。
[0066] 實施例2
[0067] 一種複合陽極的製備方法，包括以下操作步驟：
[0068] (1)先將玻璃基底進行光刻處理，然後剪裁成2X2cm2的正方形尺寸，然後依次用 洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機汙染物，清洗乾淨 後風乾；
[0069] (2)首先將CsCl和乙醇混合，形成CsCl質量分數為1%的CsCl乙醇溶液，在玻璃 基底出光面上旋塗CsCl的乙醇溶液，旋塗速度為6000rpm，時間為5s，旋塗後在200°C下加 熱15min，冷卻後得到厚度為5nm的銫鹽層；然後將PEDOT和PSS按重量比為6:1進行混 合，加水形成PEDOT質量分數為5%的水溶液中，在銫鹽層上旋塗PEDOT和PSS水溶液，旋塗 轉速為8000rpm，時間為60s，旋塗後在100°C下加熱60min，冷卻後得到厚度為20nm的中間 層；將Re0 2和乙醇混合形成Re02質量分數為25%的Re02乙醇溶液，在中間層上旋塗Re0 2的 乙醇溶液，旋塗轉速為500rpm,時間為5s,旋塗後在200°C下加熱60min,冷卻後得到厚度為 20nm的錸的氧化物層。
[0070] 實施例3
[0071] 一種複合陽極的製備方法，包括以下操作步驟：
[0072] (1)先將玻璃基底進行光刻處理，然後剪裁成2X2cm2的正方形尺寸，然後依次用 洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機汙染物，清洗乾淨 後風乾；
[0073] (2)首先將Cs2C03和異丙醇混合，形成Cs 2C03質量分數為40%的Cs2C03的異丙醇 溶液，在玻璃基底出光面上旋塗Cs 2C03的異丙醇溶液，旋塗速度為500rpm，時間為60s，旋塗 後在100°C下加熱60min，冷卻後得到厚度為20nm的銫鹽層；然後將PED0T和PSS按重量 比為2:1進行混合，加水後形成PED0T質量分數為1%的水溶液，在銫鹽層上旋塗PED0T和 PSS水溶液，旋塗轉速為500rpm，時間為5s，旋塗後在100°C下加熱15min，冷卻後得到厚度 為5nm的中間層；將Re 203和異丙醇混合，形成Re203質量分數為10%的Re 203異丙醇溶液， 在中間層上旋塗Re203的異丙醇溶液，旋塗轉速為8000rpm，時間為60s，旋塗後在KKTC下 加熱15min，冷卻後得到厚度為5nm的錸的氧化物層；
[0074] 實施例4
[0075] -種複合陽極的製備方法，包括以下操作步驟：
[0076] (1)先將玻璃基底進行光刻處理，然後剪裁成2X2cm2的正方形尺寸，然後依次用 洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機汙染物，清洗乾淨 後風乾；
[0077] (2)首先將CsF和水混合，形成CsF質量分數為25%的Cs2C03水溶液，在玻璃基底出 光面上旋塗CsF的水溶液，旋塗速度為200rpm，時間為10s，旋塗後在200°C下加熱20min， 冷卻後得到厚度為12nm的銫鹽層；然後將PED0T和PSS按重量比為3:1進行混合，加水後 形成PED0T質量分數為1. 5%的水溶液，在銫鹽層上旋塗PED0T和PSS水溶液，旋塗轉速為 2500rpm，時間為15s，旋塗後在150°C下加熱30min，冷卻後得到厚度為15nm的中間層；將 Re 20和異丙醇混合，形成Re20質量分數為30%的Re20異丙醇溶液，在中間層上旋塗Re 20的 異丙醇溶液，旋塗轉速為3000rpm，時間為20s，旋塗後在200°C下加熱20min，冷卻後得到厚 度為15nm的錸的氧化物層；
[0078] 實施例5
[0079] -種有機電致發光器件，依次層疊的複合陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、 電子傳輸層、電子注入層和陰極，複合陽極為本發明實施例1製備的陽極。
[0080] 具體製備過程中，在複合陽極上依次蒸鍍製備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、 電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機電致發光器件，其中，
[0081] 空穴注入層材質為M〇03，蒸鍍時採用的壓強為2Xl(T4Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸鍍 厚度為50nm ;
[0082] 空穴傳輸層材質為TAPC，蒸鍍時採用的壓強為2X l(T4Pa，蒸鍍速率為0. lnm/s，蒸 鍍厚度為45nm ;
[0083] 發光層材質為Alq3，蒸鍍時採用的壓強為2X l(T4Pa，蒸鍍速率為0. lnm/s，蒸鍍厚 度為30nm ;
[0084] 電子傳輸層的材質為TPBI，蒸鍍時採用的壓強為2X l(T4Pa，蒸鍍速率為0. lnm/s， 蒸鍍厚度為45nm ;
[0085] 電子注入層的材質為LiF，蒸鍍時採用的壓強為2Xl(T4Pa，蒸鍍速率為0. lnm/s， 蒸鍍厚度為lnm ;
[0086] 陰極的材質為Ag，蒸鍍時採用的壓強為2X l(T4Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸鍍厚度為 100nm〇
[0087] 圖1為本實施例製備的有機電致發光器件的結構示意圖，如圖1所示，本實施例制 備的有機電致發光器件，包括依次層疊的複合陽極1、空穴注入層2、空穴傳輸層3、發光層 4、電子傳輸層5、電子注入層6和陰極7,複合陽極1包括依次層疊的玻璃基底11、銫鹽層 12、中間層13和錸的氧化物層14。具體結構表示為：
[0088] 玻璃基底 /CsF-PEDOT:PSS-Re207/Mo03/NPB/Alq 3/TPBI/LiF/Ag。
[0089] 實施例6
[0090] -種有機電致發光器件，依次層疊的複合陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、 電子傳輸層、電子注入層和陰極，複合陽極為本發明實施例2製備的陽極。
[0091] 具體製備過程中，在複合陽極上依次蒸鍍製備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、 電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機電致發光器件，其中，
[0092] 空穴注入層材質為V205，蒸鍍時採用的壓強為3Xl(T 3Pa，蒸鍍速率為6nm/s，蒸鍍 厚度為20nm ;
[0093] 空穴傳輸層材質為TCTA，蒸鍍時採用的壓強為3X l(T3Pa，蒸鍍速率為0. 6nm/s，蒸 鍍厚度為60nm ;
[0094] 發光層材質為BCzVBi，蒸鍍時採用的壓強為3X l(T3Pa，蒸鍍速率為0. 5nm/s，蒸鍍 厚度為40nm ;
[0095] 電子傳輸層的材質為TPBI，蒸鍍時採用的壓強為3X l(T3Pa，蒸鍍速率為0. 5nm/s， 蒸鍍厚度為75nm ;
[0096] 電子注入層的材質為Cs2C03，蒸鍍時採用的壓強為3Xl(T 3Pa，蒸鍍速率為0. 5nm/ s，蒸鍍厚度為10nm ;
[0097] 陰極的材質為Pt，蒸鍍時採用的壓強為3X l(T3Pa，蒸鍍速率為6nm/s，蒸鍍厚度為 80nm。
[0098] 本實施例製備的有機電致發光器件，包括依次層疊的複合陽極、空穴注入層、空穴 傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，複合陽極包括依次層疊的玻璃基底、銫鹽 層、中間層和錸的氧化物層。具體結構表示為：
[0099] 玻璃基底 /CsCl-PEDOT: PSS_Re02/V205/TCTA/BCzVBi/TPBI/Cs 2C03/Pt。
[0100] 實施例7
[0101 ] -種有機電致發光器件，依次層疊的複合陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、 電子傳輸層、電子注入層和陰極，複合陽極為本發明實施例3製備的陽極。
[0102] 具體製備過程中，在複合陽極上依次蒸鍍製備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、 電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機電致發光器件，其中，
[0103] 空穴注入層材質為M〇03，蒸鍍時採用的壓強為1 X l(T3Pa，蒸鍍速率為lOnm/s，蒸 鍍厚度為80nm ;
[0104] 空穴傳輸層材質為NPB，蒸鍍時採用的壓強為1 X l(T3Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸鍍 厚度為55nm ;
[0105] 發光層材質為DCJTB，蒸鍍時採用的壓強為1 X l(T3Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸鍍厚 度為5nm ;
[0106] 電子傳輸層的材質為Bphen，蒸鍍時採用的壓強為lXl(T3Pa，蒸鍍速率為lnm/s， 蒸鍍厚度為60nm ;
[0107] 電子注入層的材質為CsF，蒸鍍時採用的壓強為lXl(T3Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸 鍍厚度為〇. 5nm ;
[0108] 陰極的材質為Au，蒸鍍時採用的壓強為lXl(T3Pa，蒸鍍速率為lOnm/s，蒸鍍厚度 為 lOOnm。
[0109] 本實施例製備的有機電致發光器件，包括依次層疊的複合陽極、空穴注入層、空穴 傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，複合陽極包括依次層疊的玻璃基底、銫鹽 層、中間層和錸的氧化物層。具體結構表示為：
[0110] 玻璃基底 /Cs2C03-PED0T: PSS_Re203/Mo03/NPB/DCJTB/Bphen/CsF/Au。
[0111] 實施例8
[0112] 一種有機電致發光器件，依次層疊的複合陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、 電子傳輸層、電子注入層和陰極，複合陽極為本發明實施例4製備的陽極。
[0113] 具體製備過程中，在複合陽極上依次蒸鍍製備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、 電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機電致發光器件，其中，
[0114] 空穴注入層材質為W03，蒸鍍時採用的壓強為5Xl(T4Pa，蒸鍍速率為5nm/s，蒸鍍 厚度為30nm ;
[0115] 空穴傳輸層材質為TCTA，蒸鍍時採用的壓強為5Xl(T4Pa，蒸鍍速率為0. 4nm/s，蒸 鍍厚度為60nm ;
[0116] 發光層材質為ADN，蒸鍍時採用的壓強為5Xl(T4Pa，蒸鍍速率為0. 4nm/s，蒸鍍厚 度為8nm ;
[0117] 電子傳輸層的材質為TAZ，蒸鍍時採用的壓強為5Xl(T4Pa，蒸鍍速率為0. 4nm/s， 蒸鍍厚度為35nm ;
[0118] 電子注入層的材質為CsN3，蒸鍍時採用的壓強為5Xl(T4Pa，蒸鍍速率為0. 4nm/s， 蒸鍍厚度為2nm ;
[0119] 陰極的材質為A1，蒸鍍時採用的壓強為5Xl(T4Pa，蒸鍍速率為5nm/s，蒸鍍厚度為 250nm〇
[0120] 本實施例製備的有機電致發光器件，包括依次層疊的複合陽極、空穴注入層、空穴 傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，複合陽極包括依次層疊的玻璃基底、銫鹽 層、中間層和錸的氧化物層。具體結構表示為：
[0121] 玻璃基底 /CsF-PEDOT: PSS-Re20/W03/TCTA/ADN/TAZ/CsN3/Al。
[0122] 對比實施例
[0123] 為體現為本發明的創造性，本發明還設置了對比實施例，對比實施例與實施例5 的區別在於對比實施例中的陽極為銦錫氧化物玻璃（ΙΤ0)，厚度為120nm ;對比實施例有機 電致發光器件的具體結構為：玻璃基底/IT0/M〇03/NPB/Alq 3/TPBI/LiF/Ag，分別對應玻璃 基底、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。
[0124] 效果實施例
[0125] 採用光纖光譜儀(美國海洋光學Ocean Optics公司，型號：USB4000)，電流-電壓 測試儀(美國Keithly公司，型號：2400)、色度計（日本柯尼卡美能達公司，型號：CS-100A) 測試有機電致發光器件的亮度隨電壓變化曲線，以考察器件的發光效率，測試對象為實施 例5與對比實施例有機電致發光器件。測試結果如圖2所示。圖2是本發明實施例5與對 比實施例有機電致發光器件的電壓與亮度的關係圖。
[0126] 從圖2可以看出，在不同電壓下，實施例5的亮度都比對比例的要大，在10V時，實 施例5的亮度為8762cd/m 2,而對比例的僅為6524cd/m2,這說明，本發明製備的複合陽極有 效提高光的散射作用，提高了陽極的導電性，並且增強器件的空穴注入能力，提高了器件的 出光效率和亮度。
[0127] 以上所述是本發明的優選實施方式，應當指出，對於本【技術領域】的普通技術人員 來說，在不脫離本發明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為 本發明的保護範圍。
【權利要求】
1. 一種複合陽極，其特徵在於，所述複合陽極由依次層疊的玻璃基底、銫鹽層、中間層 和錸的氧化物層組成，所述銫鹽層的材質為氟化銫、氯化銫和碳酸銫中的一種，所述中間層 材質為聚（3, 4-二氧乙基噻吩）和聚（對苯乙烯磺酸）按質量比為2:1?6:1形成的混 合材料，所述錸的氧化物層的材質為二氧化錸、七氧化二錸、三氧化二錸和氧化二錸中的一 種。
2. 如權利要求1所述的複合陽極，其特徵在於，所述銫鹽層的厚度為5?20nm。
3. 如權利要求1所述的複合陽極，其特徵在於，所述中間層的厚度為5?20nm。
4. 如權利要求1所述的複合陽極，其特徵在於，所述錸的氧化物層的厚度為5?20nm。
5. -種複合陽極的製備方法，其特徵在於，包括以下操作步驟： 提供所需尺寸的玻璃基底，清洗後乾燥； 在玻璃基底採用旋塗的方法製備所述銫鹽層、中間層和錸的氧化物層，得到所述複合 陽極；首先，將氟化銫、氯化銫和碳酸銫中的一種和溶劑混合，形成銫鹽質量分數為1%? 40%的銫鹽溶液，然後在玻璃基底出光面上旋塗所述銫鹽溶液得到所述銫鹽層，所述旋塗 轉速為500?6000rpm，時間為5?60s，旋塗後在烘乾；將聚（3, 4-二氧乙基噻吩）和聚 (對苯乙烯磺酸）的按質量比為2:1?6:1混合形成混合材料，加水後形成聚（3, 4-二氧 乙基噻吩）質量分數為1%?5%的水溶液，在銫鹽層上旋塗水溶液得到中間層，旋塗轉速為 500?8000rpm，時間為5?60s，旋塗後烘乾；將錸的氧化物和溶劑混合，形成錸的氧化物 質量分數為10%?50%的錸的氧化物溶液,所述錸的氧化物為二氧化錸、七氧化二錸、三氧 化二錸和氧化二錸中的一種；在中間層上旋塗錸的氧化物溶液得到錸的氧化物層，旋塗轉 速為500?8000rpm，時間為5?60s。
6. 如權利要求5所述的複合陽極的製備方法，其特徵在於，所述銫鹽層的厚度為5? 20nm〇
7. 如權利要求5所述的複合陽極的製備方法，其特徵在於，所述中間層的厚度為5? 20nm〇
8. 如權利要求5所述的複合陽極的製備方法，其特徵在於，所述錸的氧化物層的厚度 為5?20nm。
9. 一種有機電致發光器件，其特徵在於，包括依次層疊的複合陽極、空穴注入層、空穴 傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述複合陽極由依次層疊的玻璃基底、銫 鹽層、中間層和錸的氧化物層組成，所述銫鹽層的材質為氟化銫、氯化銫和碳酸銫中的一 種，所述中間層為聚（3, 4-二氧乙基噻吩）和聚（對苯乙烯磺酸）按質量比為2:1?6:1 形成的混合材料，所述錸的氧化物層的材質為二氧化錸、七氧化二錸、三氧化二錸和氧化二 錸中的一種。
10. -種有機電致發光器件的製備方法，其特徵在於，包括以下操作步驟： 提供所需尺寸的玻璃基底，清洗後乾燥； 在玻璃基底出光面上採用旋塗的方法製備所述銫鹽層、中間層和錸的氧化物層，得到 所述複合陽極；首先，將氟化銫、氯化銫和碳酸銫中的一種和溶劑混合，形成銫鹽質量分數 為1%?40%的銫鹽溶液，然後在玻璃基底出光面上旋塗所述銫鹽溶液得到所述銫鹽層，所 述旋塗轉速為500?6000rpm，時間為5?60s，旋塗後烘乾；將聚（3, 4-二氧乙基噻吩）和 聚（對苯乙烯磺酸）的按質量比為2:1?6:1混合形成混合材料，加水後形成聚（3, 4-二 氧乙基噻吩）質量分數為1%?5%的水溶液，在銫鹽層上旋塗水溶液得到中間層，旋塗轉速 為500?8000rpm，時間為5?60s，旋塗後烘乾；將錸的氧化物和溶劑混合，形成錸的氧化 物質量分數為10%?50%的錸的氧化物溶液，所述錸的氧化物為二氧化錸、七氧化二錸、三 氧化二錸和氧化二錸中的一種；在中間層上旋塗錸的氧化物溶液得到錸的氧化物層，旋塗 轉速為500?8000rpm，時間為5?60s，旋塗後烘乾； 在錸的氧化物層上依次蒸鍍製備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子 注入層和陰極，最終得到所述有機電致發光器件。
【文檔編號】H01L51/54GK104051657SQ201310077741
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2013年3月12日 優先權日:2013年3月12日
【發明者】周明傑, 王平, 黃輝 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司